JPH06138637A - マスクの製造方法 - Google Patents

マスクの製造方法

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JPH06138637A
JPH06138637A JP2333292A JP2333292A JPH06138637A JP H06138637 A JPH06138637 A JP H06138637A JP 2333292 A JP2333292 A JP 2333292A JP 2333292 A JP2333292 A JP 2333292A JP H06138637 A JPH06138637 A JP H06138637A
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pattern
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Hong Seok Kim
ホン・ソク・キム
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/29—Rim PSM or outrigger PSM; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 膜厚及び大きさが安定なマスクの製造方法を
提供する。 【構成】 クォーツプレート１０上にクロム層３０と酸
化物層４０を順次付着させる工程と、電子ビームを利用
して上記酸化物層４０と上記クロム層３０とを順次エッ
チングする工程及び上記酸化物層４０を酸化させて容積
を膨張させることによりフェーズ・シフタを形成する工
程とを含むマスクの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業の利用分野】本発明はフェーズ・シフトマスク
（ＰＨＡＳＥ−ＳＨＩＦＴ ＭＡＳＫ）の製造方法に係
り、特に大きさと膜厚とを安定化することができるマス
クの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトリソグラフィ（ＰＨＯＴＯＬＩＴ
ＨＯＧＲＡＰＨＹ）法を利用して半導体集積素子を製造
する場合、感光膜が塗布されたウェハーの表面にマスク
を通じて紫外線等の光線を照射することにより感光膜に
所定のパターンを形成する露光工程が遂行される。
【０００３】露光方法において、コンタクト（ＣＯＮＴ
ＡＣＴ）法と、プロシミティ（ＰＲＯＸＩＭＩＴＹ）
法、及びプロジェクション（ＰＲＯＪＥＣＴＩＯＮ）法
とが知られているが、最近半導体製造技術の発展により
半導体素子が超高集積化されるにつれ回路の線幅が微細
になり、この様な露光法はその使用に限界がある。
【０００４】なお、よく知られておる露光法にウェハー
ステピング法があり、この方法では微細な線幅は得られ
るが感光膜に輻射されるパターンの解像度が低下され高
集積半導体素子の製造の際は使用できなかった。最近、
光がマスクに形成された所定のパターンを通過する際、
隣接パターンを通過する光の位相を１８０°反転させる
ことにより、パターンのエッジ部分では光の位相が互い
に１８０°の差があって互いに相殺されて、光の強さが
零になりエッジ部分での解像度を像かさせることができ
る反転マスクを用した方法が提示されておる。
【０００５】図１は従来のメタクリル酸メチル（以下Ｐ
ＭＭＡという）を利用したフェーズ・シフトマスクの製
造工程図を示す。従来フェーズ・シフトマスクの製造法
は、図１（ａ）に示すように、水晶板１０上にマスクプ
レートであるクロム層（３０）とフェーズ・シフタであ
る感光膜のＰＭＭＡ（２０）を連続的に付着させる。こ
の後、図１（ｂ）に示すようにＰＭＭＡ（２０）を紫外
線でエッチングして所定のパターンを形成し、このパタ
ーニングされたＰＭＭＡ（２０）を蝕刻マスクとしてク
ロム層（３０）を湿式エッチングして図１（ｃ）に示し
たようにクロムパターンを形成する。
【０００６】このような従来のマスクの製造方法は、Ｐ
ＭＭＡ（２０）をパターニングした後、クロム層（３
０）を湿式エッチングすることにより、マスクプレート
であるクロムパターンの膜厚及び大きさを調整する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のフェーズ・シフトマスクの製造法は、感光溶
液の粘度と感光溶液の付着時の循環速度により制御され
るＰＭＭＡ（２０）の膜厚を調整するのが難しいため、
図１（ｃ）に示したように、クロム層（３０）が梯形
（台形）に形成され、パターンのエッジ部分での解像度
が低下されるという問題点があった。
【０００８】また、ＰＭＭＡ（２０）のエッジのエッチ
ング程度を正確に調整し難く、フェーズ・シフタとして
ポリマー系統であるＰＭＭＡを用いることにより耐久性
が乏しいという問題点があった。
【０００９】
【発明の目的】これに鑑み本発明は上記従来技術の問題
点を解決するために、フェーズ・シフタで従来のＰＭＭ
Ａの代りに酸化物系統の物質を用いることにより、膜厚
及び大きさが安定され耐久性も向上されたマスクの製造
方法を提供するのに目的がある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するがた
め本発明は、水晶板上にクロム層と酸化物層を順次付着
させる工程と、電子ビームを利用して上記酸化物層と上
記クロム層とを順次エッチングする工程、及び上記酸化
物層を酸化させて容積を膨張させることによりフェーズ
・シフタを形成する工程とを含むマスクの製造方法を提
供する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明のマスクの製造方法及び作用・
効果を詳細に説明すると次の通りである。本発明におい
て、フェーズ・シフタで感光膜であるＰＭＭＡを用いる
代わりに、酸化物系統の物質であるポリシリコン膜また
は非晶質シリコン膜のうちのいずれかの一つを用いてマ
スクを製造する。
【００１２】図２は本発明のフェーズ・シフタで酸化物
を利用したフェーズ・シフトマスクの製造工程図を示
す。図２（ａ）に示したように、水晶板（１０）上にク
ロム層（３０）とポリシリコン膜または非晶質シリコン
膜のような酸化物層（４０）を順次付着させる。
【００１３】図２（ｂ）に示すように、電子ビームレジ
ストを塗布した後、エッチングしてパターンを形成し、
この電子ビームレジストパターンをエッチングマスクに
利用して酸化物層（４０）を電子ビームにエッチングし
て、上記電子ビームレジストパターンを除去する。この
後、図２（ｃ）に示したように、上記酸化物パターンを
エッチングマスクに利用してクロム層（３０）を電子ビ
ームによってエッチングすればクロムパターンが形成さ
れる。
【００１４】図２（ｄ）に示したように、上記酸化物層
（４０）を酸化させると、酸化物が容積膨張され膜厚と
大きさが安定したフェーズ・シフタが形成されることに
なる。
【００１５】そして、酸化物層の酸化による容積膨張を
利用してフェーズ・シフタ（４０）を形成することによ
り、マスクパターンであるクロムパターン（３０）の大
きさと膜厚を容易に調整できる。また、上記フェーズ・
シフタとして金属膜を用いることもできる。
【００１６】
【発明の効果】従って、上記に説明したように本発明の
フェーズ・シフトマスクの製造方法によれば、膜厚及び
大きさが安定なマスクを得ることができ、酸化物系統の
物質をフェーズ・シフタに使用することにより耐久性を
向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のフェーズ・シフタでＰＭＭＡを利用した
マスクの製造工程図。
【図２】本発明のフェーズ・シフタで酸化物を利用した
マスクの製造工程図。
【符号の説明】
１０ クォーツプレート ２０ ＰＭＭＡ ３０ クロム層 ４０ 酸化物層

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 水晶板上にクロム層と酸化物層を順次付
    着させる工程と、 電子ビームを利用して上記酸化物層と上記クロム層とを
    順次エッチングする工程と、 上記酸化物層を酸化させて容積を膨張させることにより
    フェーズ・シフタを形成する工程とを有することを特徴
    とするマスクの製造方法。
  2. 【請求項２】 請求項１において、上記フェーズ・シフ
    タでポリシリコン膜または非晶質シリコン膜のうちのい
    ずれかの一つを用いることを特徴とするマスクの製造方
    法。
  3. 【請求項３】 請求項１において、上記フェーズ・シフ
    タとして金属膜を用いることを特徴とするマスクの製造
    方法。
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