JPH06140663A - 半導体光電変換装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 物体検出を行なう場合に使用される半導体光
電変換装置に関し、面実装が可能でより製造の自動化を
図り得る半導体光電変換装置を提供することを目的とす
る。 【構成】 発光素子１と、受光素子２と、光軸８を一致
させた状態で発光素子１及び受光素子２を搭載する第１
のリード５−１及び第２のリード５−２と、発光素子１
及び受光素子２にそれぞれ電気的に接続された第３のリ
ード５−３及び第４のリード５−４と、発光素子１及び
受光素子２間で被検出物体が通過可能となるよう被覆す
る透明性樹脂３−１及び３−２と、透明性樹脂並びに第
１ないし第４のリードの一部を被覆する遮光性樹脂９と
を具備し、第１ないし第４のリード５−１〜５−４は、
遮光性樹脂９の表面の同一方向から、取付体の表面に沿
って同列状に並べて外部へ取り出されるようにフォーミ
ングされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体光電変換装置に
係り、カメラ、ＯＡ機器等に内蔵され、物体検出を行な
う場合に使用されるフォトインタラプタ等の半導体光電
変換装置の改良に関し、特に、面実装が可能でより製造
の自動化を図り得る半導体光電変換装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図９及び図１０に、従来の半導体光電変
換装置の構造図を示す。ここで、図９（ａ）は一次モー
ルドされた発光ユニットの上面図、図９（ｂ）は同平面
図、図９（ｃ）は一次モールドされた受光ユニットの上
面図、図９（ｄ）は同平面図である。また、図１０
（ａ）は二次モールドされた半導体光電変換装置の斜視
図、図１０（ｂ）は側面から見た断面図、図１０（ｃ）
は上面から見た断面図である。

【０００３】図９において、発光チップ（ＬＥＤ）１及
び受光チップ２をそれぞれリード５に搭載して、赤外光
に透明な樹脂３−１及び３−２でそれぞれ一次モールド
されている。図１０では、一次モールドされた発光ユニ
ット及び受光ユニットを、発光素子と受光素子の光軸が
一致するように間隔Ｄ’を隔て対向させて、遮光性樹脂
９により二次モールドしている。尚、図中４−１及び４
−２は光が出入りするスリット形成部、７−１及び７−
２はボンディングワイヤである。

【０００４】このような構成の半導体光電変換装置を得
るには、発光チップ１及び受光チップ２を、それぞれリ
ードフレーム５の所定の位置のベッド上で銀ペースト等
の導電性ペーストによるダイボンディングを行なって、
ワイヤ７−１及び７−２によるボンディングを行ない、
赤外光に透明な樹脂３−１及び３−２により、光が出入
りするスリット形成部４−１及び４−２を備えた形状に
それぞれ一次モールドする。

【０００５】次に図１０に示すように、一次モールドさ
れた発光ユニット及び受光ユニットを、リード端子を同
一方向に向けて、発光素子と受光素子の光軸が一致する
ように間隔Ｄ’を隔て対向させて、二次モールド用の金
型に設置する。この二次モールド用金型は、発光ユニッ
ト及び受光ユニットを１つのパッケージに組み込んで遮
光性の樹脂９でモールドするためのもので、この二次モ
ールドにより、半導体光電変換装置のスリット４−１及
び４−２並びに間隔Ｄ’の被検出物通過ギャップを備え
た外囲器（パッケージ）が形成される。

【０００６】図１１及び図１２に、第２の従来例の半導
体光電変換装置の構造図を示す。図１１（ａ）は一次モ
ールドされた発光ユニットの上面図、図１１（ｂ）は同
平面図、図１１（ｃ）は一次モールドされた受光ユニッ
トの上面図、図１１（ｄ）は同平面図である。また、図
１２（ａ）は二次モールドされた半導体光電変換装置の
斜視図、図１２（ｂ）は側面から見た断面図、図１２
（ｃ）は上面から見た断面図である。

【０００７】本従来例は、第１の従来例と同様である
が、受光チップ２’にシュミット回路を有しており、リ
ード５として５本の端子が装置外部に出されている点が
異なる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
半導体光電変換装置は、基板のスルーホールにリードを
挿入して実装することを前提とした構造となっており、
製造工程をより自動化し易い面実装ができない、即ち、
リフロー対応ができないという問題があった。

【０００９】本発明は、上記問題点を解決するもので、
その目的は、面実装が可能でより製造の自動化を図り得
る半導体光電変換装置を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の第１の特徴は、図１及び図２に示す如く、
発光素子１と、受光素子２と、前記発光素子１及び受光
素子２を、各素子間の光軸８を一致させた状態でそれぞ
れ搭載する第１のリード５−１及び第２のリード５−２
と、前記発光素子１及び受光素子２にそれぞれ電気的に
接続された第３のリード５−３及び第４のリード５−４
と、前記発光素子１及び受光素子２間で被検出物体が通
過可能となるよう前記発光素子１及び受光素子２をそれ
ぞれ被覆する透明性樹脂３−１及び３−２と、前記透明
性樹脂３−１及び３−２並びに前記第１ないし第４のリ
ード５−１〜５−４の一部を被覆する遮光性樹脂９とを
具備し、前記第１ないし第４のリード５−１〜５−４
は、前記遮光性樹脂９の表面の同一方向から、当該半導
体光電変換装置の取付体の表面に沿って同列状に並べて
外部へ取り出されるように、前記遮光性樹脂９内でフォ
ーミングされることである。

【００１１】また、本発明の第２の特徴は、請求項１に
記載の半導体光電変換装置において、前記第１のリード
５−１と第３のリード５−３間の間隔、及び前記第２の
リード５−２と第４のリード５−４間の間隔は、一方が
他方より大であることである。

【００１２】本発明の第３の特徴は、請求項１または２
に記載の半導体光電変換装置において、図２及び図３に
示す如く、前記第１ないし第４のリード５−１〜５−４
は、前記遮光性樹脂９の表面の一方向から第１及び第３
のリード５−１及び５−３を、前記遮光性樹脂９の表面
の他方向から第２及び第４のリード５−２及び５−４
を、当該半導体光電変換装置の取付体の表面に沿って列
状に並べて外部へ取り出されるように、前記遮光性樹脂
９内でフォーミングされることである。

【００１３】また、本発明の第４の特徴は、図５及び図
６に示す如く、発光素子１と、受光素子２と、前記発光
素子１及び受光素子２を、各素子間の光軸８を一致させ
た状態でそれぞれ搭載する第１のリード５−１及び第２
のリード５−２と、前記発光素子１及び受光素子２にそ
れぞれ電気的に接続された第３のリード５−３、第４の
リード５−４、及び第５のリード５−５と、前記発光素
子１及び受光素子２間で被検出物体が通過可能となるよ
う前記発光素子１及び受光素子２をそれぞれ被覆する透
明性樹脂３−１及び３−２と、前記透明性樹脂３−１及
び３−２並びに前記第１ないし第５のリード５−１〜５
−５の一部を被覆する遮光性樹脂９とを具備し、前記第
１ないし第５のリード５−１〜５−４は、前記遮光性樹
脂９の表面の同一方向から、当該半導体光電変換装置の
取付体の表面に沿って同列状に並べて外部へ取り出され
るように、前記遮光性樹脂９内でフォーミングされるこ
とである。

【００１４】本発明の第５の特徴は、請求項４に記載の
半導体光電変換装置において、図６に示す如く、前記第
１のリード５−１と第３のリード５−３間の間隔は、前
記第２のリード５−２と第５のリード５−５間の間隔よ
り大であることである。

【００１５】本発明の第６の特徴は、請求項４に記載の
半導体光電変換装置において、前記第２のリード５−２
と第５のリード５−５間の間隔は、前記第１のリード５
−１と第３のリード５−３間の間隔より大であることで
ある。

【００１６】本発明の第７の特徴は、請求項４、５、ま
たは６に記載の半導体光電変換装置において、図６及び
図７に示す如く、前記第１ないし第５のリード５−１〜
５−５は、前記遮光性樹脂９の表面の一方向から第１及
び第３のリード５−１及び５−３を、前記遮光性樹脂９
の表面の他方向から第２、第４、及び第５のリード５−
２、５−４、及び５−５を、当該半導体光電変換装置の
取付体の表面に沿って列状に並べて外部へ取り出される
ように、前記遮光性樹脂９内でフォーミングされること
である。

【００１７】本発明の第８の特徴は、請求項４、５、
６、または７に記載の半導体光電変換装置において、前
記受光素子２は、シュミット回路を含む受光ＩＣチップ
であることである。

【００１８】また、本発明の第９の特徴は、請求項１、
２、３、４、５、６、７、または８に記載の半導体光電
変換装置において、前記第１ないし第５のリード５−１
〜５−５の先端側は、前記遮光性樹脂９の外部で、当該
半導体光電変換装置の取付体の取付け面に平行となるよ
うフォーミングされることである。

【００１９】更に、本発明の第１０の特徴は、請求項
１、２、３、４、５、６、７、８、または９に記載の半
導体光電変換装置において、前記透明性樹脂３−１及び
３−２は、少なくとも赤外光に対し透明性を有すること
である。

【００２０】

【作用】本発明の第１、第２、第３、第９、及び第１０
の特徴の半導体光電変換装置では、従来のように半導体
光電変換装置の底面からリードを出すのではなく、図１
または図３、並びに図２に示す如く、遮光性樹脂９内で
のリード形状を工夫することにより、第１ないし第４の
リード５−１〜５−４を、遮光性樹脂９の表面の同一方
向から、当該半導体光電変換装置の取付体の表面に沿っ
て同列状に並べて外部へ取り出すか、或いは、遮光性樹
脂９の表面の一方向から第１及び第３のリード５−１及
び５−３を、遮光性樹脂９の表面の他方向から第２及び
第４のリード５−２及び５−４を、当該半導体光電変換
装置の取付体の表面に沿って列状に並べて外部へ取り出
し、第１ないし第４のリード５−１〜５−４の先端側
を、遮光性樹脂９の外部で、当該半導体光電変換装置の
取付体の取付け面に平行となるようフォーミングしてい
る。

【００２１】これにより、面実装が可能となり、リフロ
ー対応可能でより製造の自動化を図り得る半導体光電変
換装置を実現できる。尚、第１の特徴の半導体光電変換
装置は、第１ないし第４のリード５−１〜５−４が同列
状に並べて外部へ取り出されるため、より実装スペース
が小さいという効果もある。

【００２２】また、本発明の第４、第５、第６、第７、
第８、第９、及び第１０の特徴の半導体光電変換装置で
は、図５または図７、並びに図６に示す如く、受光素子
をシュミット回路を含む受光チップとし、遮光性樹脂９
内でのリード形状を工夫することにより、第１ないし第
５のリード５−１〜５−５を、遮光性樹脂９の表面の同
一方向から、当該半導体光電変換装置の取付体の表面に
沿って同列状に並べて外部へ取り出すか、或いは、遮光
性樹脂９の表面の一方向から第１及び第３のリード５−
１及び５−３を、遮光性樹脂９の表面の他方向から第
２、第４、及び第５のリード５−２、５−４、及び５−
５を、当該半導体光電変換装置の取付体の表面に沿って
列状に並べて外部へ取り出し、第１ないし第５のリード
５−１〜５−５の先端側を、遮光性樹脂９の外部で、当
該半導体光電変換装置の取付体の取付け面に平行となる
ようフォーミングしている。

【００２３】これにより、面実装が可能となり、リフロ
ー対応可能でより製造の自動化を図り得る半導体光電変
換装置を実現できるうえ、更に、シュミット回路でヒス
テリシス特性を持たせることにより、検出及び非検出間
でのチャタリングを防止することができる。尚、第４の
特徴の半導体光電変換装置は、第１ないし第５のリード
５−１〜５−５が同列状に並べて外部へ取り出されるた
め、より実装スペースが小さいという効果もある。

【００２４】

【実施例】以下、本発明に係る実施例を図面に基づいて
説明する。

【００２５】図１及び図２に本発明の第１の実施例に係
る半導体光電変換装置の構造図を示す。ここで、図２
（ａ）は一次モールドされた発光ユニットの上面図、図
２（ｂ）は同平面図、図２（ｃ）は一次モールドされた
受光ユニットの上面図、図２（ｄ）は同平面図である。
また、図１（ａ）は二次モールドされた半導体光電変換
装置の斜視図、図１（ｂ）は底面図及びＡ−Ａ’で切断
した時の断面図、図１（ｃ）は正面図である。図１及び
図２において、図９及び図１０（従来例）と重複する部
分には同一の符号を附する。

【００２６】本実施例の半導体光電変換装置は、発光チ
ップ１と、受光チップ２と、発光チップ１内の発光素子
及び受光チップ２内の受光素子素子間の光軸８を一致さ
せた状態で、発光チップ１及び受光チップ２をそれぞれ
搭載する第１のリード５−１及び第２のリード５−２
と、発光チップ１及び受光チップ２にそれぞれワイヤ７
−１及び７−２によるワイヤボンディングで接続された
第３のリード５−３及び第４のリード５−４と、スリッ
ト４、並びに発光素子及び受光素子間に間隔Ｄの被検出
物通過ギャップを備えて、被検出物体が通過可能となる
よう発光チップ１及び受光チップ２をそれぞれ被覆する
透明性樹脂３−１及び３−２と、透明性樹脂３−１及び
３−２並びに第１ないし第４のリード５−１〜５−４の
一部を被覆する遮光性樹脂９とを具備した構成となって
いる。また、本実施例の概略の回路図を図８（ａ）に示
す。

【００２７】第１ないし第４のリード５−１〜５−４
は、はじめはリードフレーム５として一体化されてい
る。また、図２に示すように、第２のリード５−２と第
４のリード５−４間の間隔ｄ２４は、第１のリード５−
１と第３のリード５−３間の間隔ｄ１３よりも大きく、
これにより、図１に示すように、第１ないし第４のリー
ド５−１〜５−４を、遮光性樹脂９の表面の同一方向か
ら、当該半導体光電変換装置の取付体の表面に沿って同
列状に並べて外部へ取り出されるように、遮光性樹脂９
内でフォーミングできる。ここで間隔は、例えばｄ１３
＝１．２７［ｍｍ］、ｄ２４＝３．８１［ｍｍ］であ
る。また、間隔ｄ１３及びｄ２４の関係を全く逆にする
ことも可能である。

【００２８】次に、本実施例の構造を得る方法を説明す
る。先ず、発光チップ１及び受光チップ２を、それぞれ
第１のリード５−１及び第２のリード５−２の所定位置
のベッド上で銀ペースト等の導電性ペーストによるダイ
ボンディングを行なって、ワイヤ７−１及び７−２によ
るボンディングを行ない、赤外光に透明な樹脂３−１及
び３−２により一次モールドする。この時、後の二次モ
ールドでＬＥＤ光が出入りするスリット４を形成できる
ように所望の一次モールドがなされる。

【００２９】次に図４（ａ）に示すように、一次モール
ドされた発光ユニット３−１及び受光ユニット３−２
を、リード端子を同一方向に向けて、発光素子と受光素
子の光軸８が一致するように間隔Ｄを隔て対向させて、
二次モールド用の金型３１に設置する。この二次モール
ド用金型３１は、発光ユニット３−１及び受光ユニット
３−２を１つのパッケージに組み込んで遮光性の樹脂９
でモールドするためのもので、二次モールドは、ピン３
２及び３３で一次モールドされた発光ユニット３−１及
び受光ユニット３−２を、相近づく方向に押しつけられ
た状態で行なわれる。本実施例では、第１ないし第４の
リード５−１〜５−４は、その隣接相互間が等ピッチと
なるように同列状に並べられて外部に取り出されてお
り、且つ外部では面実装し易いようにフォーミングされ
ている。

【００３０】次に、図３に本発明の第２の実施例に係る
半導体光電変換装置の構造図を示す。図３（ａ）は二次
モールドされた半導体光電変換装置の斜視図、図３
（ｂ）は底面図及びＡ−Ａ’で切断した時の断面図、図
３（ｃ）は正面図である。

【００３１】本実施例では、第１ないし第４のリード５
−１〜５−４は、遮光性樹脂９の表面の一方向から第１
及び第３のリード５−１及び５−３を、遮光性樹脂９の
表面の他方向から第２及び第４のリード５−２及び５−
４を、当該半導体光電変換装置の取付体の表面に沿って
列状に並べて外部へ取り出されるように、遮光性樹脂９
内でフォーミングされている。

【００３２】本実施例の構造を得るために、第１の実施
例と同様の一次モールドが行なわれるが、第２のリード
５−２と第４のリード５−４間の間隔ｄ２４、並びに第
１のリード５−１と第３のリード５−３間の間隔ｄ１３
については、図２のままでもよいし、何れか一方に統一
してもよい。

【００３３】また、二次モールドについても第１の実施
例と同様であるが、図４（ｂ）に示すように、第１及び
第３のリード５−１及び５−３と第２及び第４のリード
５−２及び５−４とが、互いに逆方向に導出されるよう
に金型３１内の配置を行なう点が異なる。更に、第１な
いし第４のリード５−１〜５−４の樹脂９外部でのフォ
ーミングは、第１の実施例と同様に、面実装し易い形状
にフォーミングされる。

【００３４】次に、図５及び図６に本発明の第３の実施
例に係る半導体光電変換装置の構造図を示す。ここで、
図６（ａ）は一次モールドされた発光ユニットの上面
図、図６（ｂ）は同平面図、図６（ｃ）は一次モールド
された受光ユニットの上面図、図６（ｄ）は同平面図で
ある。また、図５（ａ）は二次モールドされた半導体光
電変換装置の斜視図、図５（ｂ）は底面図及びＡ−Ａ’
で切断した時の断面図、図５（ｃ）は正面図である。

【００３５】本実施例の半導体光電変換装置は、発光チ
ップ１と、受光チップ２’と、発光チップ１内の発光素
子及び受光チップ２’内の受光素子素子間の光軸８を一
致させた状態で、発光チップ１及び受光チップ２’をそ
れぞれ搭載する第１のリード５−１及び第２のリード５
−２と、発光チップ１及び受光チップ２’にそれぞれワ
イヤ７−１及び７−２によるワイヤボンディングで接続
された第３のリード５−３、第４のリード５−４、及び
第５のリード５−５と、スリット４、並びに発光素子及
び受光素子間に間隔Ｄの被検出物通過ギャップを備え
て、被検出物体が通過可能となるよう発光チップ１及び
受光チップ２をそれぞれ被覆する透明性樹脂３−１及び
３−２と、透明性樹脂３−１及び３−２並びに第１ない
し第５のリード５−１〜５−５の一部を被覆する遮光性
樹脂９とを具備した構成となっている。

【００３６】また、本実施例の回路図を図８（ｂ）に示
す。同図に示すように、本実施例の受光チップ２’には
シュミット回路が含まれており、このため５本のリード
端子が必要となる。

【００３７】受光チップ２’では、物体の通過検出をオ
ン、オフの（論理値）判定で行なう。つまり、物体の通
過検出したことを一方の論理値に対応させ、通過非検出
を他方の論理値に対応させて判定を行なう。この判定に
対して、本実施例のように、シュミット回路等によりヒ
ステリシス特性を持たせておくと、検出及び非検出間の
チャタリングを防止することができる。

【００３８】第１ないし第５のリード５−１〜５−５
は、はじめはリードフレーム５として一体化されてい
る。また、図６に示すように、第２のリード５−２と第
５のリード５−５間の間隔ｄ２５’は、第１のリード５
−１と第３のリード５−３間の間隔ｄ１３’よりも小さ
く、図５（ｂ）に示すように、第２のリード５−２、第
４のリード５−４、及び第５のリード５−５を遮光性樹
脂９内の下方にフォーミングし、第１ないし第５のリー
ド５−１〜５−５を、遮光性樹脂９の表面の同一方向か
ら、当該半導体光電変換装置の取付体の表面に沿って同
列状に並べて外部へ取り出している。ここで間隔は、例
えばｄ１３’＝３．２０［ｍｍ］、ｄ２５’＝１．６０
［ｍｍ］である。

【００３９】本実施例の構造を得る方法は、第１実施例
と同様であり、第１ないし第５のリード５−１〜５−５
は、その隣接相互間が等ピッチとなるように同列状に並
べられて外部に取り出され、外部では面実装し易いよう
にフォーミングされている。

【００４０】次に、図７に本発明の第４の実施例に係る
半導体光電変換装置の構造図を示す。図７（ａ）は二次
モールドされた半導体光電変換装置の斜視図、図７
（ｂ）は底面図及びＡ−Ａ’で切断した時の断面図、図
７（ｃ）は正面図である。

【００４１】本実施例では、第１ないし第５のリード５
−１〜５−５は、遮光性樹脂９の表面の一方向から第１
及び第３のリード５−１及び５−３を、遮光性樹脂９の
表面の他方向から第２、第４、及び第５のリード５−
２、５−４、及び５−５を、当該半導体光電変換装置の
取付体の表面に沿って列状に並べて外部へ取り出される
ように、遮光性樹脂９内でフォーミングされている。

【００４２】本実施例の構造を得るために、第１の実施
例と同様の一次モールドが行なわれるが、第２のリード
５−２と第５のリード５−５間の間隔ｄ２５’、並びに
第１のリード５−１と第３のリード５−３間の間隔ｄ１
３’については、図６のままでもよいし、何れか一方に
統一してもよい。

【００４３】また、第１ないし第５のリード５−１〜５
−５の樹脂９外部でのフォーミングは、面実装し易い形
状となるよう行なわれる。

【００４４】以上、第１の実施例ないし第４の実施例を
説明したが、本発明はこれらの実施例に限られることな
く、種々の応用が可能である。

【００４５】例えば、図６（ａ）〜（ｄ）において、第
１のリード５−１と第３のリード５−３間の間隔ｄ１
３’を同図のように広げずに、第２のリード５−２と第
５のリード５−５間の間隔ｄ２５’を間隔ｄ１３’より
も大きくして、第１及び第３のリード５−１及び５−
３、並びに第２、第４、及び第５のリード５−２、５−
４、及び５−５を遮光性樹脂９内でフォーミングし、第
１ないし第５のリード５−１〜５−５を遮光性樹脂９の
表面の同一方向から、当該半導体光電変換装置の取付体
の表面に沿って同列状に並べて外部へ取り出すようにし
てもよい。この場合、例えば、第１のリード５−１は第
５及び第４のリード５−５及び５−４間に配置され、第
３のリード５−３は第４及び第２のリード５−４及び５
−２間に配置される。

【００４６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、遮光性樹
脂内でのリード形状を工夫することにより、第１ないし
第４のリードを遮光性樹脂の表面の同一方向から、当該
半導体光電変換装置の取付体の表面に沿って同列状に並
べて外部へ取り出すか、或いは、遮光性樹脂の表面の一
方向から第１及び第３のリードを、遮光性樹脂の表面の
他方向から第２及び第４のリードを、当該半導体光電変
換装置の取付体の表面に沿って列状に並べて外部へ取り
出し、第１ないし第４のリードの先端側を、遮光性樹脂
の外部で、当該半導体光電変換装置の取付体の取付け面
に平行となるようフォーミングすることとしたので、面
実装が可能となり、リフロー対応可能でより製造の自動
化を図り得る半導体光電変換装置を提供することができ
る。

【００４７】尚、第１ないし第４のリードを同列状に並
べて外部へ取り出す場合には、より実装スペースが小さ
いという効果もある。

【００４８】また、本発明によれば、受光素子をシュミ
ット回路を含む受光ＩＣチップとしてヒステリシス特性
を持たせることにより、検出及び非検出間でのチャタリ
ングを防止することができ、また、遮光性樹脂内でのリ
ード形状を工夫することにより、第１ないし第５のリー
ドを、遮光性樹脂の表面の同一方向から、当該半導体光
電変換装置の取付体の表面に沿って同列状に並べて外部
へ取り出すか、或いは、遮光性樹脂の表面の一方向から
第１及び第３のリードを、遮光性樹脂の表面の他方向か
ら第２、第４、及び第５のリードを、当該半導体光電変
換装置の取付体の表面に沿って列状に並べて外部へ取り
出し、第１ないし第５のリードの先端側を、遮光性樹脂
の外部で、当該半導体光電変換装置の取付体の取付け面
に平行となるようフォーミングすることとしたので、面
実装が可能となり、リフロー対応可能でより製造の自動
化を図り得る半導体光電変換装置を提供することができ
る。

【００４９】尚、第１ないし第５のリードを同列状に並
べて外部へ取り出す場合には、より実装スペースが小さ
いという効果もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係る半導体光電変換装
置の構造図であり、図１（ａ）は二次モールドされた半
導体光電変換装置の斜視図、図１（ｂ）は底面図及びＡ
−Ａ’で切断した時の断面図、図１（ｃ）は正面図であ
る。

【図２】図２（ａ）は一次モールドされた発光ユニット
の上面図、図２（ｂ）は同平面図、図２（ｃ）は一次モ
ールドされた受光ユニットの上面図、図２（ｄ）は同平
面図である。

【図３】本発明の第２の実施例に係る半導体光電変換装
置の構造図であり、図３（ａ）は二次モールドされた半
導体光電変換装置の斜視図、図３（ｂ）は底面図及びＡ
−Ａ’で切断した時の断面図、図３（ｃ）は正面図であ
る。

【図４】実施例の二次モールド工程の説明図であり、図
４（ａ）は第１の実施例、図４（ｂ）は第２の実施例で
ある。

【図５】本発明の第３の実施例に係る半導体光電変換装
置の構造図であり、図５（ａ）は二次モールドされた半
導体光電変換装置の斜視図、図５（ｂ）は底面図及びＡ
−Ａ’で切断した時の断面図、図５（ｃ）は正面図であ
る。

【図６】図６（ａ）は一次モールドされた発光ユニット
の上面図、図６（ｂ）は同平面図、図６（ｃ）は一次モ
ールドされた受光ユニットの上面図、図６（ｄ）は同平
面図である。

【図７】本発明の第４の実施例に係る半導体光電変換装
置の構造図であり、図７（ａ）は二次モールドされた半
導体光電変換装置の斜視図、図７（ｂ）は底面図及びＡ
−Ａ’で切断した時の断面図、図７（ｃ）は正面図であ
る。

【図８】実施例の回路図であり、図８（ａ）は第１及び
第２の実施例、図８（ｂ）は第３及び第４の実施例であ
る。

【図９】第１の従来例の半導体光電変換装置の構造図で
あり、図９（ａ）は一次モールドされた発光ユニットの
上面図、図９（ｂ）は同平面図、図９（ｃ）は一次モー
ルドされた受光ユニットの上面図、図９（ｄ）は同平面
図である。

【図１０】図１０（ａ）は二次モールドされた半導体光
電変換装置の斜視図、図１０（ｂ）は側面から見た断面
図、図１０（ｃ）は上面から見た断面図である。

【図１１】第２の従来例の半導体光電変換装置の構造図
であり、図１１（ａ）は一次モールドされた発光ユニッ
トの上面図、図１１（ｂ）は同平面図、図１１（ｃ）は
一次モールドされた受光ユニットの上面図、図１１
（ｄ）は同平面図である。

【図１２】図１２（ａ）は二次モールドされた半導体光
電変換装置の斜視図、図１２（ｂ）は側面から見た断面
図、図１２（ｃ）は上面から見た断面図である。

【符号の説明】

１ 発光チップ（発光素子） ２，２’ 受光チップ（受光素子） ３−１，３−２ 透明性樹脂 ４，４−１，４−２ スリット ５ リードフレーム ５−１〜５−５ 第１ないし第５のリード ７−１，７−２ ボンディングワイヤ ８ 光軸 ９ 遮光性樹脂 １２ 基板（半導体光電変換装置の取付体） Ｄ，Ｄ’ 被検出物通過ギャップの間隔 ｄ１３，ｄ１３’ 第１のリード５−１と第３のリード
５−３間の間隔 ｄ２４ 第２のリード５−２と第４のリード５−４間の
間隔 ｄ２５’ 第２のリード５−２と第５のリード５−５間
の間隔 ３１ 二次モールド用金型 ３２，３３ ピン

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 発光素子と、受光素子と、前記発光素子
   及び受光素子を、各素子間の光軸を一致させた状態でそ
   れぞれ搭載する第１のリード及び第２のリードと、前記
   発光素子及び受光素子にそれぞれ電気的に接続された第
   ３のリード及び第４のリードと、前記発光素子及び受光
   素子間で被検出物体が通過可能となるよう前記発光素子
   及び受光素子をそれぞれ被覆する透明性樹脂と、前記透
   明性樹脂並びに前記第１ないし第４のリードの一部を被
   覆する遮光性樹脂とを有し、 前記第１ないし第４のリードは、前記遮光性樹脂の表面
   の同一方向から、当該半導体光電変換装置の取付体の表
   面に沿って同列状に並べて外部へ取り出されるように、
   前記遮光性樹脂内でフォーミングされることを特徴とす
   る半導体光電変換装置。
2. 【請求項２】 前記第１のリードと第３のリード間の間
   隔、及び前記第２のリードと第４のリード間の間隔は、
   一方が他方より大であることを特徴とする請求項１に記
   載の半導体光電変換装置。
3. 【請求項３】 前記第１ないし第４のリードは、前記遮
   光性樹脂の表面の一方向から第１及び第３のリードを、
   前記遮光性樹脂の表面の他方向から第２及び第４のリー
   ドを、当該半導体光電変換装置の取付体の表面に沿って
   列状に並べて外部へ取り出されるように、前記遮光性樹
   脂内でフォーミングされることを特徴とする請求項１ま
   たは２に記載の半導体光電変換装置。
4. 【請求項４】 発光素子と、受光素子と、前記発光素子
   及び受光素子を、各素子間の光軸を一致させた状態でそ
   れぞれ搭載する第１のリード及び第２のリードと、前記
   発光素子及び受光素子にそれぞれ電気的に接続された第
   ３のリード、第４のリード、及び第５のリードと、前記
   発光素子１及び受光素子２間で被検出物体が通過可能と
   なるよう前記発光素子及び受光素子をそれぞれ被覆する
   透明性樹脂と、前記透明性樹脂並びに前記第１ないし第
   ５のリードの一部を被覆する遮光性樹脂とを有し、 前記第１ないし第５のリードは、前記遮光性樹脂の表面
   の同一方向から、当該半導体光電変換装置の取付体の表
   面に沿って同列状に並べて外部へ取り出されるように、
   前記遮光性樹脂内でフォーミングされることを特徴とす
   る半導体光電変換装置。
5. 【請求項５】 前記第１のリードと第３のリード間の間
   隔は、前記第２のリードと第５のリード間の間隔より大
   であることを特徴とする請求項４に記載の半導体光電変
   換装置。
6. 【請求項６】 前記第２のリードと第５のリード間の間
   隔は、前記第１のリードと第３のリード間の間隔より大
   であることを特徴とする請求項４に記載の半導体光電変
   換装置。
7. 【請求項７】 前記第１ないし第５のリードは、前記遮
   光性樹脂の表面の一方向から第１及び第３のリードを、
   前記遮光性樹脂の表面の他方向から第２、第４、及び第
   ５のリードを、当該半導体光電変換装置の取付体の表面
   に沿って列状に並べて外部へ取り出されるように、前記
   遮光性樹脂内でフォーミングされることを特徴とする請
   求項４、５、または６に記載の半導体光電変換装置。
8. 【請求項８】 前記受光素子は、シュミット回路を含む
   受光ＩＣチップであることを特徴とする請求項４、５、
   ６、または７に記載の半導体光電変換装置。
9. 【請求項９】 前記第１ないし第５のリードの先端側
   は、前記遮光性樹脂の外部で、当該半導体光電変換装置
   の取付体の取付け面に平行となるようフォーミングされ
   ることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、
   ７、または８に記載の半導体光電変換装置。
10. 【請求項１０】 前記透明性樹脂は、少なくとも赤外光
    に対し透明性を有することを特徴とする請求項１、２、
    ３、４、５、６、７、８、または９に記載の半導体光電
    変換装置。