JPH0614495Y2 - 高周波発振器 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この考案は高周波発振器に関し、特に、同軸共振器およ
び発振用トランジスタを用いた高周波発振器に関する。

（従来技術） 従来、たとえば自動車電話などの移動通信機器では、そ
のチャンネル帯域が非常に狭く隣接するチャンネルの通
信妨害を防止するために、その高周波発振器にはＱ_０の
高い同軸共振器が用いられている。

第３図はこのような従来の高周波発振器の一例を示す平
面図である。この高周波発振器１では、その回路を第４
図に示すように、同軸共振器２の一端が接地され、発振
用トランジスタ３のコレクタが接地用コンデンサ４を介
して接地され、さらに、同軸共振器２の他端が結合用コ
ンデンサ５を介して発振用トランジスタ３のベースに接
続されている。

（考案が解決しようとする問題点） この高周波発振器１では、同軸共振器２のＱ_０を十分に
高いままで使用するためには、結合用コンデンサ５の容
量を小さくすればよいが、結合用コンデンサ５の容量を
小さくすると、発振出力レベルと側波帯の位相雑音レベ
ルとの比（Ｃ／Ｎ）が向上するのに対して発振出力レベ
ルが低下してしまう。一方、発振出力レベルを上昇する
ために、結合用コンデンサ５の容量を大きくすると、発
振出力レベルは上昇するがそれ以上に位相雑音レベルが
上昇し、その結果、Ｃ／Ｎが劣化してしまう。

このように、従来の高周波発振器では、発振出力レベル
を減少させることなくＣ／Ｎを向上させることができな
かった。

それゆえに、この考案の主たる目的は、発振出力レベル
を減少させることなくＣ／Ｎを向上することができる、
高周波発振器を提供することである。

（問題点を解決するための手段） この考案は、絶縁材料からなる基板と、基板の一方主面
に形成される第１の接地パターンと、基板の一方主面に
第１の接地パターンと間隔を隔てて形成される第２の接
地パターンと、その一端が第１の接地パターンに接続さ
れる同軸共振器と、そのベースが結合用コンデンサを介
して同軸共振器の他端に接続され、そのコレクタが接地
用コンデンサを介して第２の接地パターンに接続される
発振用トランジスタと、基板の他方主面側に設けられ、
第１の接地パターンおよび第２の接地パターンを接続す
る導体とを含み、第１の接地パターンおよび第２の接地
パターン間に前記導体によってインダクタンスが形成さ
れた、高周波発振器である。

（作用） 同軸共振器の一端の接地点である第１の接地パターンと
発振用トランジスタのコレクタ側の接地点である第２の
接地パターンとの間に、基板の他方主面側に設けた導体
によってインダクタンスが形成されるので、その分、結
合用コンデンサの容量を小さくする。すると、Ｃ／Ｎが
向上する。なお、理由は不明だが発振出力レベルが上昇
する。

（考案の効果） この考案によれば、インダクタンスを新たに設けるの
で、従来と同じ発振周波数にするために、結合用コンデ
ンサの容量を小さくしなければならない。その結果、Ｃ
／Ｎを向上することができた。

また、この考案にかかる高周波発振器では、第１の接地
パターンおよび第２の接地パターンを接続する導体が基
板の他方主面側に設けられているので、基板の一方主面
を有効に利用することができ、全体の小型化が可能にな
る。

この考案の上述の目的，その他の目的，特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。

（実施例） 第１図はこの考案の一実施例を示す平面図である。この
高周波発振器１０は、導体からなるベース部とカバー部
とを備えたケース１２を含む。このケース１２のベース
部の上には、絶縁材料からなる基板１４が取り付けられ
ている。

この基板１４の一方主面には、その一端側に第１の接地
パターン１６ａが、その他端側に第２の接地パターン１
６ｂが、その中央部分に導体パターン１８ａ，１８ｂ，
１８ｃおよび１８ｄが、それぞれ、間隔を隔てて形成さ
れる。また、第１の接地パターン１６ａは、その端部が
基板１４の一端面にわたって形成され、その端部がケー
ス１２のベース部にたとえばはんだ付けすることによっ
て接続される。第２の接地パターン１６ｂも、その端部
が基板１４の他端面にわたって形成され、その端部がケ
ース１２のベース部にたとえばはんだ付けすることによ
って接続される。

第１の接地パターン１６ａには、同軸共振器２０の外導
体（一端）が接続される。この同軸共振器２０の内導体
（他端）は、結合用コンデンサ２２の一端に導体パター
ン１８ａで接続される。この結合用コンデンサ２２の他
端は、発振用トランジスタ２４のベースに導体パターン
１８ｂで接続される。

また、発振用トランジスタ２４のベースおよびエミッタ
間には、コンデンサ２６が導体パターン１８ｂおよび１
８ｃで接続される。この発振用トランジスタ２４のエミ
ッタはコンデンサ２８を介して第１の接地パターン１６
ａに接続される。さらに、発振用トランジスタ２４のコ
レクタは導体パターン１８ｄで接地用コンデンサ３０の
一端に接続され、この接地用コンデンサ３０の他端は第
２の接地パターン１６ｂに接続される。すなわち、発振
用トランジスタ２４のコレクタは接地用コンデンサ３０
を介して第２の接地パターン１６ｂに接続される。した
がって、この高周波発振器１０は、コルピッツ発振器と
して構成される。

この高周波発振器１０では、同軸共振器２０の接地点と
発振用トランジスタ２４のコレクタ側の接地点とが第１
の接地パターン１６ａ，第２の接地パターン１６ｂおよ
びケース１２を介して接続されているので、その等価回
路を第２図に示すように、同軸共振器２０の接地点と発
振用トランジスタ２４の接地点との間にインダクタンス
Ｌが形成されることになる。そのため、この高周波発振
器１０では、第３図に示す従来例に比べて、同一発振周
波数を得るために結合用コンデンサ２２の値を小さくし
なければならない。

考案者の実験によれば、この高周波発振器１０と第３図
に示す従来例とを同じ発振周波数（１５００MHz）で発
振したところ、この高周波発振器１０では、従来例に比
べて、結合用コンデンサ２２の値を小さくしたにもかか
わらず発振出力レベルが２ｄＢ高くなった。なお、その
理由は解析できていない。Ｃ／Ｎについては結合用コン
デンサ２２の値を小さくしたので予想どおり改善されて
いた。

さらに、この高周波発振器１０では、第１の接地パター
ン１６ａおよび第２の接地パターン１６ｂを接続するケ
ース１２が基板１４の他方主面側に設けられているの
で、基板１４の一方主面を有効に利用することができ、
全体の小型化が可能になる。

なお、同軸共振器２０の接地点と発振用トランジスタ２
４の接地点との間にインダクタンスＬを形成するために
は、基板１４の裏面全面にアースパターンを形成し、さ
らに、基板１４に間隔を隔ててスルーホールを形成し、
そして、それらの接地点をスルーホールを通してアース
パターンにとってもよい。要は、同軸共振器２０の一端
の接地点と発振用トランジスタ２４の接地点とを分離す
ればよいのである。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案の一実施例を示す平面図である。 第２図は第１図に示す実施例の等価回路図である。 第３図はこの考案の背景となる従来の高周波発振器の一
例を示す平面図である。 第４図は第３図に示す従来例の回路図である。 図において、１０は高周波発振器、１２はケース、１４
は基板、１６ａは第１の接地パターン、１６ｂは第２の
接地パターン、１８ａ〜１８ｄは導体パターン、２０は
同軸共振器、２２は結合用コンデンサ、２４は発振用ト
ランジスタを示す。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁材料からなる基板、 前記基板の一方主面に形成される第１の接地パターン、 前記基板の一方主面に前記第１の接地パターンと間隔を
   隔てて形成される第２の接地パターン、 その一端が前記第１の接地パターンに接続される同軸共
   振器、 そのベースが結合用コンデンサを介して前記同軸共振器
   の他端に接続され、そのコレクタが接地用コンデンサを
   介して前記第２の接地パターンに接続される発振用トラ
   ンジスタ、および 前記基板の他方主面側に設けられ、前記第１の接地パタ
   ーンおよび前記第２の接地パターンを接続する導体を含
   み、 前記第１の接地パターンおよび前記第２の接地パターン
   間に前記導体によってインダクタンスが形成された、高
   周波発振器。