JPH0729641Y2 - 高周波半導体デバイス - Google Patents

高周波半導体デバイス

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JPH0729641Y2
JPH0729641Y2 JP798389U JP798389U JPH0729641Y2 JP H0729641 Y2 JPH0729641 Y2 JP H0729641Y2 JP 798389 U JP798389 U JP 798389U JP 798389 U JP798389 U JP 798389U JP H0729641 Y2 JPH0729641 Y2 JP H0729641Y2
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wiring
high frequency
semiconductor device
frequency semiconductor
air bridge
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秀敏 近藤
修 和泉
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、半導体デバイスに関し、特に高周波帯で使用
する高周波半導体デバイスに関する。
〔従来の技術〕
集積度の高いICにおいては、回路中に配線のクロスオー
バー部を必要とする。この種の高周波半導体デバイスに
おける従来のクロスオーバーを第３図，第４図に示す。
配線間のクロスオーバー部は、上地配線と下地配線の間
に、比誘電率の最も小さい空気を有するエアーブリッジ
構造になっており、製造上から次の様な制限があった。
即ち配線幅を小さくするか、スリットを入れた配線を用
いて、エアーブリッジを形成していた。
〔考案が解決しようとする課題〕
上述した従来の高周波半導体デバイスに用いるエアーブ
リッジは、幅の広い配線（低インピーダンス配線）のク
ロスオーバーの場合、一度配線幅を小さくしたり、上地
配線に、スリットを入れたりする為、クロスオーバー部
で線路インピーダンスがステップ状に変化しインピーダ
ンス不整合が生じ、通過損失の増大やスプリアスの発生
等の欠点があった。
〔課題を解決するための手段〕
本考案は、上記目的を達成するために、エアーブリッジ
構造部をメッシュ状の配線としたものである。
〔実施例〕 次に、本考案について図面を参照して説明する。
第１・第２図は、本考案の実施例を示す。下地配線1,上
地配線２との間に、橋桁３を有しており、橋桁３を除去
することによりエアーブリッジを形成するものである。
従来のエアーブリッジに比べて上地配線をメッシュ状に
した構造となっている。
この構造にすることにより、製造上橋桁の除去を容易に
行うことが出来るという利点が生ずる。又、幅の広い低
インピーダンス配線を、細めることなく配線が出来る
為、電気的にもRF特性に影響があるインピーダンスのミ
スマッチングによる影響を少なくすることが出来る。さ
らに回路設計時において、配線のインピーダンス・容量
の見積りも正確に行えることができる。
〔考案の効果〕
以上説明したように、本考案は、高周波半導体デバイス
のエアーブリッジの上地配線をメッシュ状にすることに
より、製造上問題がなく、配線のインピーダンスを変え
る事なくクロスオーバー部を形成することが出来、電気
的及び製造上の実用的価値は大きいものがある。
【図面の簡単な説明】
第１図・第２図は、本考案の高周波半導体デバイスに用
いるエアーブリッジを示す。第３図・第４図は、従来の
エアーブリッジを示す。 １……下地配線、２……上地配線、３……橋桁。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】マイクロ波・ミリ波等の高周波帯域で使用
    する半導体デバイスにおいて、配線間のクロス部に用い
    るエアーブリッジの上地配線をメッシュ状にすることを
    特徴とする高周波半導体デバイス。
JP798389U 1989-01-25 1989-01-25 高周波半導体デバイス Expired - Lifetime JPH0729641Y2 (ja)

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JPH0298641U JPH0298641U (ja) 1990-08-06
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