JPH0614555B2 - 透明導電膜 - Google Patents
透明導電膜Info
- Publication number
- JPH0614555B2 JPH0614555B2 JP61056628A JP5662886A JPH0614555B2 JP H0614555 B2 JPH0614555 B2 JP H0614555B2 JP 61056628 A JP61056628 A JP 61056628A JP 5662886 A JP5662886 A JP 5662886A JP H0614555 B2 JPH0614555 B2 JP H0614555B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- tin oxide
- oxide film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/138—Manufacture of transparent electrodes, e.g. transparent conductive oxides [TCO] or indium tin oxide [ITO] electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は酸化錫を主成分とする二層構造をもった光電素
子用透明導電膜時に太陽電池用透明導電膜に関する。
子用透明導電膜時に太陽電池用透明導電膜に関する。
近年、透明導電基板に非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を用
いた光電変換素子を形成し、次いでAl等の電極を形成し
た低コストの太陽電池が知られている。かかるa-Si 太
陽電池は光電交換効率が他の結晶半導体を用いた太陽電
池に比べ低いことから、それを大にするため種々の対策
が施されている。
いた光電変換素子を形成し、次いでAl等の電極を形成し
た低コストの太陽電池が知られている。かかるa-Si 太
陽電池は光電交換効率が他の結晶半導体を用いた太陽電
池に比べ低いことから、それを大にするため種々の対策
が施されている。
その一つとして、低抵抗で、且つ高光透過率の他結晶酸
化膜を付着した透明基材が用いられている。
化膜を付着した透明基材が用いられている。
しかしながら、多結晶酸化錫膜を透明導電膜上にa-Si
太陽電池を形成すると、界面の接合性が悪く、光電変換
効率を高めることができない欠点があった。
太陽電池を形成すると、界面の接合性が悪く、光電変換
効率を高めることができない欠点があった。
本発明は前記問題点を解決するためになされたものであ
って、光電素子の光電変換効率を高めるのに好適な光電
素子用透明導電膜を提供するものである。
って、光電素子の光電変換効率を高めるのに好適な光電
素子用透明導電膜を提供するものである。
すなわち、本発明は多結晶酸化錫を主成分とする透明導
電膜と、非晶質酸化錫を主成分とする透明導電膜からな
る二層構造を有する透明導電膜に関する。
電膜と、非晶質酸化錫を主成分とする透明導電膜からな
る二層構造を有する透明導電膜に関する。
本発明においてはおよそ４００℃以上の高温に加熱した
透明基板に錫化合物及びフッ素を含む化合物を接触さ
せ、熱分解酸化反応により、多結晶の酸化錫膜を堆積さ
せ、さらに多結晶酸化錫膜を堆積した透明基板およそ４
００℃未満の温度に加熱し、錫化合物及びフッ素を含む
化合物を接触させ熱分解酸化反応により、該多結晶酸化
膜上に非晶質酸化錫膜を堆積させることにより二層構造
を有する透明導電膜を形成できる。
透明基板に錫化合物及びフッ素を含む化合物を接触さ
せ、熱分解酸化反応により、多結晶の酸化錫膜を堆積さ
せ、さらに多結晶酸化錫膜を堆積した透明基板およそ４
００℃未満の温度に加熱し、錫化合物及びフッ素を含む
化合物を接触させ熱分解酸化反応により、該多結晶酸化
膜上に非晶質酸化錫膜を堆積させることにより二層構造
を有する透明導電膜を形成できる。
本発明に用いることのできる錫化合物としては、C4H9Sn
Cl3,SnCl4,(CH3)2SnCl2,(CnH2n+1)4Sn（但しｎ＝１〜
４），(CH3)2SnH2,(C4H9)3SnH及び(C4H9)2Sn(COOCH3)2
等であり、フッ素を含む化合物としては、CH3CHF2,CH3C
ClF2,CHClF2,CHF3,CF2Cl2,CF3Cl,CF3Br等がある。
Cl3,SnCl4,(CH3)2SnCl2,(CnH2n+1)4Sn（但しｎ＝１〜
４），(CH3)2SnH2,(C4H9)3SnH及び(C4H9)2Sn(COOCH3)2
等であり、フッ素を含む化合物としては、CH3CHF2,CH3C
ClF2,CHClF2,CHF3,CF2Cl2,CF3Cl,CF3Br等がある。
本発明において、これらの錫化合物及びフッ素を含む化
合物を加熱した透明基板に接触させて熱分解酸化反応を
させるのには錫化合物蒸気とフッ素を含む化合物とを酸
化性ガス中で高温の透明基板に接触させる気相化学反応
法（ＣＶＤ法）か、あるいは錫化合物等の溶液をスプレ
ーで加熱された基板に吹付けるスプレー法等により行う
ことができる。基板上に多結晶酸化錫膜を形成するに
は、およそ４００℃〜６００℃に基板を加熱して、ＣＶ
Ｄ法により形成することが好ましく、基板上に形成した
多結晶酸化錫膜上に非晶質酸化錫膜を形成するには、お
よそ 250℃〜400 ℃に基板を加熱して、CVD により形
成することが好ましい。
合物を加熱した透明基板に接触させて熱分解酸化反応を
させるのには錫化合物蒸気とフッ素を含む化合物とを酸
化性ガス中で高温の透明基板に接触させる気相化学反応
法（ＣＶＤ法）か、あるいは錫化合物等の溶液をスプレ
ーで加熱された基板に吹付けるスプレー法等により行う
ことができる。基板上に多結晶酸化錫膜を形成するに
は、およそ４００℃〜６００℃に基板を加熱して、ＣＶ
Ｄ法により形成することが好ましく、基板上に形成した
多結晶酸化錫膜上に非晶質酸化錫膜を形成するには、お
よそ 250℃〜400 ℃に基板を加熱して、CVD により形
成することが好ましい。
本発明は透明導電膜を多結晶酸化錫膜層と非晶質酸化錫
膜層とを有する二層構造としたことにより、透明導電膜
の抵抗を低くすることができ、かつ電変換素子のｐ型半
導体層と接触する透明導電膜を多結晶酸化錫から非晶質
酸化錫に変えたことにより透明導電膜と光電変換素子と
の接合性が改良される。
膜層とを有する二層構造としたことにより、透明導電膜
の抵抗を低くすることができ、かつ電変換素子のｐ型半
導体層と接触する透明導電膜を多結晶酸化錫から非晶質
酸化錫に変えたことにより透明導電膜と光電変換素子と
の接合性が改良される。
大きさが２５(mm)×３０(mm)、厚味１．１(mm)の酸化珪
素被膜付ソーダライムガラスを十分に洗浄、乾燥しガラ
ス基板とした。このガラス基板上に以下のように透明導
電膜を付着した。
素被膜付ソーダライムガラスを十分に洗浄、乾燥しガラ
ス基板とした。このガラス基板上に以下のように透明導
電膜を付着した。
モノブチル錫トリクロライドの蒸気、水蒸気、酸素ガス
1.1−ジフルオロエタンガスおよび窒素ガスの調整され
た混合気体を用いCVD法により550℃に加熱されたガラス
基板上に多結晶酸化錫膜を形成した。得られた多結晶酸
化錫膜の膜厚は、0.32μｍであった。
1.1−ジフルオロエタンガスおよび窒素ガスの調整され
た混合気体を用いCVD法により550℃に加熱されたガラス
基板上に多結晶酸化錫膜を形成した。得られた多結晶酸
化錫膜の膜厚は、0.32μｍであった。
この多結晶酸化錫膜を堆積させたガラス基板を350℃に
加熱い、モノブチル錫トリクロライドの蒸気、水蒸気、
酸素ガス、１．１−ジフルオロエタンガスおよび窒素ガ
スの調整された混合気体を用いCVD法により、多結晶酸
化錫膜上に非晶質酸化錫膜を形成した。得られた非晶質
酸化錫膜の膜厚は0.06μｍであった。この0.38μｍの合
計膜厚を有する二層の面積抵抗は第１表に示した通り1
1.5Ω／□であった。
加熱い、モノブチル錫トリクロライドの蒸気、水蒸気、
酸素ガス、１．１−ジフルオロエタンガスおよび窒素ガ
スの調整された混合気体を用いCVD法により、多結晶酸
化錫膜上に非晶質酸化錫膜を形成した。得られた非晶質
酸化錫膜の膜厚は0.06μｍであった。この0.38μｍの合
計膜厚を有する二層の面積抵抗は第１表に示した通り1
1.5Ω／□であった。
これを用いて、アモルファスシリコン太陽電池を以下の
手順で作成した。
手順で作成した。
モノチラシ（SiH4）ガスを主成分とする原料ガスを用い
て178Pa 程度の圧力下で容量結合型高周波グロー放電装
置により、 (1) ｐ型半導体層（ホウ素ドープの a-SiC:H,約0.015
μｍ厚） (2) 真性半導層（ a-Si:H,約0.5μｍ厚） (3) ｎ型反動体層（リンドープのマイクロクリスタリ
ンＳｉ(μc-Si):%H,約0.050μｍ厚） をそれぞれ順番に堆積させ、最後にAl電極（約0.1μｍ
厚）を真空中（約１０-4Pa）で蒸着法により作成した。
て178Pa 程度の圧力下で容量結合型高周波グロー放電装
置により、 (1) ｐ型半導体層（ホウ素ドープの a-SiC:H,約0.015
μｍ厚） (2) 真性半導層（ a-Si:H,約0.5μｍ厚） (3) ｎ型反動体層（リンドープのマイクロクリスタリ
ンＳｉ(μc-Si):%H,約0.050μｍ厚） をそれぞれ順番に堆積させ、最後にAl電極（約0.1μｍ
厚）を真空中（約１０-4Pa）で蒸着法により作成した。
上記Al電極を作成する際基板上に直径２mmの穴があいた
マスクをのせておき、直径２mmの太陽電池を１６ケ作成
した。
マスクをのせておき、直径２mmの太陽電池を１６ケ作成
した。
得られた太陽電池にAM1の１００mW/cm2の光を照射し、
エネルギー変換効率を測定した。得られた測定結果を第
１表に示す。
エネルギー変換効率を測定した。得られた測定結果を第
１表に示す。
なお、比較例として実施例と同一方法により、酸化珪素
被膜付ソーダライムガラス上に膜厚が0.38μｍの多結晶
酸化錫膜を形成し、面積抵抗を測定したところ第１表に
示す好く10.5Ω／□であり、このガラス上に形成した多
結晶酸化錫膜上に実施例と同一方法によりアモルファス
シリコン太陽電池を作成し、エネルギー変換効率を測定
した結果を第１表に示した。
被膜付ソーダライムガラス上に膜厚が0.38μｍの多結晶
酸化錫膜を形成し、面積抵抗を測定したところ第１表に
示す好く10.5Ω／□であり、このガラス上に形成した多
結晶酸化錫膜上に実施例と同一方法によりアモルファス
シリコン太陽電池を作成し、エネルギー変換効率を測定
した結果を第１表に示した。
本発明によれば実施例からも明らかなとおり、エネルギ
ー変換効率の向上に寄与する太陽電池透明導電膜を得る
ことができる。
ー変換効率の向上に寄与する太陽電池透明導電膜を得る
ことができる。
また本発明は、太陽電池以外の光電素子用の透明導電膜
として利用できることは明らかである。
として利用できることは明らかである。
Claims (2)
- 【請求項１】多結晶酸化錫を主成分とする透明導電膜
と、非晶質酸化錫を主成分とする透明電極膜からなる二
層構造を有する透明導電膜 - 【請求項２】透明基板上に設けられた多結晶酸化錫を主
成分とする透明導電膜上に非晶質酸化錫を主成分とする
透明導電膜を形成した特許請求の範囲第１項に記載の透
明導電膜
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61056628A JPH0614555B2 (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61056628A JPH0614555B2 (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 透明導電膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62213281A JPS62213281A (ja) | 1987-09-19 |
| JPH0614555B2 true JPH0614555B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=13032566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61056628A Expired - Lifetime JPH0614555B2 (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 透明導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0614555B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH073878B2 (ja) * | 1989-10-11 | 1995-01-18 | 株式会社日立製作所 | 太陽電池 |
| JP4171162B2 (ja) * | 2000-05-30 | 2008-10-22 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子およびその製造方法 |
| JP3679771B2 (ja) * | 2002-03-19 | 2005-08-03 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置、及び光起電力装置の製造方法 |
| CN100423136C (zh) | 2003-06-17 | 2008-10-01 | 日本板硝子株式会社 | 透明导电性基板及其制造方法、和光电转换元件 |
| WO2013111498A1 (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-01 | 京セラ株式会社 | 光電変換装置 |
| JP6139261B2 (ja) * | 2013-05-17 | 2017-05-31 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
-
1986
- 1986-03-14 JP JP61056628A patent/JPH0614555B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62213281A (ja) | 1987-09-19 |
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