JPH0572686B2 - - Google Patents
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- JPH0572686B2 JPH0572686B2 JP60208363A JP20836385A JPH0572686B2 JP H0572686 B2 JPH0572686 B2 JP H0572686B2 JP 60208363 A JP60208363 A JP 60208363A JP 20836385 A JP20836385 A JP 20836385A JP H0572686 B2 JPH0572686 B2 JP H0572686B2
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- Japan
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- transparent conductive
- film
- substrate
- transparent
- photoelectric conversion
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
- H10F77/1692—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the films including only Group IV materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
- C03C17/2453—Coating containing SnO2
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/138—Manufacture of transparent electrodes, e.g. transparent conductive oxides [TCO] or indium tin oxide [ITO] electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 産業上の利用分野
本発明は酸化錫を主成分とする透明導電膜を付
着した光電子素子用透明導電基板特に太陽電池用
透明導電基板に関する。
着した光電子素子用透明導電基板特に太陽電池用
透明導電基板に関する。
(2) 従来の技術
近年、透明導電基板に非晶質シリコン（ａ−
Si）を用いた光電変換素子を形成し、次いでAl
等の電極を形成した低コストの太陽電池が知られ
ている。かかるａ−Si太陽電池は光電交換効率が
他の結晶半導体を用いた太陽電池に比べ低いこと
から、それを大にするため種々の対策が施されて
いる。
Si）を用いた光電変換素子を形成し、次いでAl
等の電極を形成した低コストの太陽電池が知られ
ている。かかるａ−Si太陽電池は光電交換効率が
他の結晶半導体を用いた太陽電池に比べ低いこと
から、それを大にするため種々の対策が施されて
いる。
その一つとして、透明導電基盤としてフツ素が
ドープされた、厚みが0.6μｍ以下の酸化錫膜を付
着したガラス板が用いられている。
ドープされた、厚みが0.6μｍ以下の酸化錫膜を付
着したガラス板が用いられている。
酸化錫膜はフツ素をドープすることにより面積
抵抗が小になり、膜厚が0.6μｍ以下のものが太陽
電池に用いた場合には太陽電池の光電変換効率が
比較的大である。
抵抗が小になり、膜厚が0.6μｍ以下のものが太陽
電池に用いた場合には太陽電池の光電変換効率が
比較的大である。
(3) 発明が解決しようとする問題点
しかしながら、酸化錫膜はフツ素をドープする
と面積抵抗が小になるが、それによつて可視光透
過率が低くなるため、透明導電膜の抵抗値を小に
するために酸化錫膜の厚みを0.6μｍ以上にしても
太陽電池の光電変換効率を高めることはできなか
つた。
と面積抵抗が小になるが、それによつて可視光透
過率が低くなるため、透明導電膜の抵抗値を小に
するために酸化錫膜の厚みを0.6μｍ以上にしても
太陽電池の光電変換効率を高めることはできなか
つた。
(4) 問題点を解決するための手段
本発明は前記問題点を解決するためになされた
ものであつて、光電素子の光電変換効率を高める
のに好適な光電素子用透明導電基板を提供するも
のである。
ものであつて、光電素子の光電変換効率を高める
のに好適な光電素子用透明導電基板を提供するも
のである。
すなわち、本発明は、透明基板に透明導電膜を
付着せた光電変換素子用透明導電基板であつて、
該透明導電膜は、ハロゲン化合物及び錫化合物と
してモノブチル錫トリクロライドのみを含む化合
物を、高温に加熱した該透明基板に接触させ熱分
解反応させて付着させた酸化第二錫を主成分とす
る膜であり、該酸化第二錫を主成分とする膜は、
塩素がドープされかつその膜厚が0.7〜1.2μｍで
あることを特徴とする光電変換素子用透明導電基
板である。
付着せた光電変換素子用透明導電基板であつて、
該透明導電膜は、ハロゲン化合物及び錫化合物と
してモノブチル錫トリクロライドのみを含む化合
物を、高温に加熱した該透明基板に接触させ熱分
解反応させて付着させた酸化第二錫を主成分とす
る膜であり、該酸化第二錫を主成分とする膜は、
塩素がドープされかつその膜厚が0.7〜1.2μｍで
あることを特徴とする光電変換素子用透明導電基
板である。
高温に加熱した透明基板に接触させ熱分解反応
を起こさせて酸化第二錫を主成分とする膜とする
本発明に用いることができる化合物は、分子に塩
素と錫を含むモノブチル錫トリクロライド
（C4H9SnCl3）である。
を起こさせて酸化第二錫を主成分とする膜とする
本発明に用いることができる化合物は、分子に塩
素と錫を含むモノブチル錫トリクロライド
（C4H9SnCl3）である。
本発明において、モノブチル錫トリクロライド
を加熱した透明基板に接触させて熱分解酸化反応
をさせるには錫化合物蒸気を酸化性ガスを含むキ
ヤリアーガスで錫化合物蒸気を高温の透明基板に
接触させる気相化学反応法（CVD法）か、錫化
合物の溶液をスプレーで高温の透明基板に吹き付
けるスプレー法等により行うことができる。中で
も400℃〜600℃に加熱された透明基板に塩素を含
む錫化合物の蒸気を接触させて酸化第二錫を主成
分とする透明導電膜を付着させるCVD法が好ん
で用いられる。
を加熱した透明基板に接触させて熱分解酸化反応
をさせるには錫化合物蒸気を酸化性ガスを含むキ
ヤリアーガスで錫化合物蒸気を高温の透明基板に
接触させる気相化学反応法（CVD法）か、錫化
合物の溶液をスプレーで高温の透明基板に吹き付
けるスプレー法等により行うことができる。中で
も400℃〜600℃に加熱された透明基板に塩素を含
む錫化合物の蒸気を接触させて酸化第二錫を主成
分とする透明導電膜を付着させるCVD法が好ん
で用いられる。
本発明において透明導電膜の厚みは、光電変換
効率を高くする上で0.7〜1.2μｍとされる。とく
に光電変換効率を高くするには、0.8〜1.2μｍと
するのが好ましい。
効率を高くする上で0.7〜1.2μｍとされる。とく
に光電変換効率を高くするには、0.8〜1.2μｍと
するのが好ましい。
(5) 作用
本発明に係る透明導電膜は、ハロゲンとして塩
素のみを含む錫化合物としてモノブチル錫トリク
ロライを加熱した基板に接触させているので、酸
化第二錫膜結晶中の酸素原子の位置に塩素原子が
置換してとりこまれている。これにより、可視光
透過率を低下させるフツ素原子を用いることなく
酸化第二錫を主成分とする膜の抵抗値を低下させ
ている。さらに酸化第二錫を主成分とする膜の厚
みが0.7〜1.2μｍとしているので、本発明の透明
導電基板上にシリコンなどの光電変換膜を被覆し
て得られる光電変換素子は高い光電変換効率を有
する。
素のみを含む錫化合物としてモノブチル錫トリク
ロライを加熱した基板に接触させているので、酸
化第二錫膜結晶中の酸素原子の位置に塩素原子が
置換してとりこまれている。これにより、可視光
透過率を低下させるフツ素原子を用いることなく
酸化第二錫を主成分とする膜の抵抗値を低下させ
ている。さらに酸化第二錫を主成分とする膜の厚
みが0.7〜1.2μｍとしているので、本発明の透明
導電基板上にシリコンなどの光電変換膜を被覆し
て得られる光電変換素子は高い光電変換効率を有
する。
(6) 実施例
大きさが25（mm）×30（mm）、厚味1.1（mm）の酸化
珪素被膜付ソーダライムガラスを十分に洗浄、乾
燥しガラス基板とした。このガラス基板上に以下
のようにして透明導電膜を付着した。
珪素被膜付ソーダライムガラスを十分に洗浄、乾
燥しガラス基板とした。このガラス基板上に以下
のようにして透明導電膜を付着した。
モノブチル錫トリクロライドの蒸気、水蒸気、
酸素ガスおよび窒素ガスの調整された混合気体を
用いCVD法により550℃に加熱されたガラス基板
上に酸化錫膜を形成した。成膜時間を変えること
で、膜厚0.20、0.39、0.59、0.70、0.80、0.98、
1.15μｍ計７種類の試料（以下これらをＡと呼ぶ）
を得た。
酸素ガスおよび窒素ガスの調整された混合気体を
用いCVD法により550℃に加熱されたガラス基板
上に酸化錫膜を形成した。成膜時間を変えること
で、膜厚0.20、0.39、0.59、0.70、0.80、0.98、
1.15μｍ計７種類の試料（以下これらをＡと呼ぶ）
を得た。
また比較のために、1.1−ジフルオロエタンガ
スを上記混合気体中に入れ、同じ方法で含フツ素
酸化錫膜を形成した。
スを上記混合気体中に入れ、同じ方法で含フツ素
酸化錫膜を形成した。
膜厚は、0.19、0.37、0.57、0.75、0.92、1.10μ
ｍの計６種類（以下これらをＢと呼ぶ）とした。
ｍの計６種類（以下これらをＢと呼ぶ）とした。
これらＡ、Ｂの試料を用いて、アモルフアスシ
リコン太陽電池を以下の手順で作成した。
リコン太陽電池を以下の手順で作成した。
モノシラン（SiH4）ガスを主成分とする原料
ガスを用いて170pa程度の圧力下で容量結合型高
周波グロー放電装置により、 (1) Ｐ型半導体層（ホウ素ドープのａ−SiC：
Ｈ、約0.015μｍ厚） (2) ｎ型半導体層（ａ−Si：Ｈ、約0.5μｍ厚） (3) ｎ型半導体層（リンドープのマイクロクリス
タリンSi（μc−Si）：Ｈ、約0.050μｍ厚）をそれ
ぞ順番に推積させ、最後にAl電極（約0.1μｍ）
を真空中（約10-4pa）で蒸着法により作成し
た。
ガスを用いて170pa程度の圧力下で容量結合型高
周波グロー放電装置により、 (1) Ｐ型半導体層（ホウ素ドープのａ−SiC：
Ｈ、約0.015μｍ厚） (2) ｎ型半導体層（ａ−Si：Ｈ、約0.5μｍ厚） (3) ｎ型半導体層（リンドープのマイクロクリス
タリンSi（μc−Si）：Ｈ、約0.050μｍ厚）をそれ
ぞ順番に推積させ、最後にAl電極（約0.1μｍ）
を真空中（約10-4pa）で蒸着法により作成し
た。
上記Al電極を作成する際基板上に直径２mmの
穴があいたマスクをのせておき、直径２mmの太陽
電池を16ケ作成した。
穴があいたマスクをのせておき、直径２mmの太陽
電池を16ケ作成した。
得られた太陽電池にAM1の100ｍＷ／cm2の光を
照射し、エネルギー変換効率を測定した。第１図
に得られた測定結果を示す。図より明らかなよう
に膜厚が0.7μｍ以上ではＡの方がＢよりもエネル
ギー変換効率が大い。
照射し、エネルギー変換効率を測定した。第１図
に得られた測定結果を示す。図より明らかなよう
に膜厚が0.7μｍ以上ではＡの方がＢよりもエネル
ギー変換効率が大い。
(7) 発明の効果
本発明によれば実施例からも明らかなとおり、
エネルギー変換効率の向上に寄与する太陽電池透
明導電基板を得ることができる。
エネルギー変換効率の向上に寄与する太陽電池透
明導電基板を得ることができる。
また本発明は、太陽電池透明導電基板以外の光
電素子用の透明導電基板として利用できることは
明らかである。
電素子用の透明導電基板として利用できることは
明らかである。
第１図は本発明の透明導電基板と従来の透明導
電基板とを用いたアモルフアスシリコン太陽電池
のエネルギー変換効率を示すものである。 Ａ：本発明によるもの、Ｂ：従来のもの。
電基板とを用いたアモルフアスシリコン太陽電池
のエネルギー変換効率を示すものである。 Ａ：本発明によるもの、Ｂ：従来のもの。
Claims (1)
- １ 透明基板に透明導電膜を付着させた光電変換
素子用透明導電基板において、該透明導電膜は、
ハロゲン化合物及び錫化合物としてモノブチル錫
トリクロライドのみを含む化合物を、高温に加熱
した該透明基板に接触させ熱分解反応させて付着
させた酸化第二錫を主成分とする膜であり、該酸
化第二錫を主成分とする膜は、塩素がドープされ
かつその膜厚が0.7〜1.2μｍであることを特徴と
する光電交換素子用透明導電基板。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60208363A JPS6269405A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 光電素子用透明導電基板 |
| EP86402059A EP0216703B1 (fr) | 1985-09-20 | 1986-09-19 | Substrat conducteur et transparent pour élément photoélectrique |
| AT86402059T ATE71925T1 (de) | 1985-09-20 | 1986-09-19 | Leitfaehiges und durchsichtiges substrat fuer ein photoelektrisches element. |
| ES8602025A ES2003352A6 (es) | 1985-09-20 | 1986-09-19 | Substrato conductor y transparente para elemento fotoelectrico |
| DE8686402059T DE3683575D1 (de) | 1985-09-20 | 1986-09-19 | Leitfaehiges und durchsichtiges substrat fuer ein photoelektrisches element. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60208363A JPS6269405A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 光電素子用透明導電基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6269405A JPS6269405A (ja) | 1987-03-30 |
| JPH0572686B2 true JPH0572686B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=16555049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60208363A Granted JPS6269405A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 光電素子用透明導電基板 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0216703B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6269405A (ja) |
| AT (1) | ATE71925T1 (ja) |
| DE (1) | DE3683575D1 (ja) |
| ES (1) | ES2003352A6 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07112076B2 (ja) * | 1987-05-07 | 1995-11-29 | 日本板硝子株式会社 | 二層構造を有する透明導電膜体 |
| JP2853125B2 (ja) * | 1988-03-17 | 1999-02-03 | 日本板硝子株式会社 | 透明導電膜の製造方法 |
| DE19715048C2 (de) * | 1997-04-11 | 1999-08-19 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Strukturieren einer transparenten, elektrisch leitfähigen Schicht |
| EP1054454A3 (en) * | 1999-05-18 | 2004-04-21 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Glass sheet with conductive film, method of manufacturing the same, and photoelectric conversion device using the same |
| CN104310790A (zh) * | 2014-09-28 | 2015-01-28 | 中国建材国际工程集团有限公司 | 大面积透明导电膜玻璃的制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5534668A (en) * | 1978-09-04 | 1980-03-11 | Toshiba Corp | Forming method for transparent conductive composite film |
| JPS59136477A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-08-06 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 基体に酸化錫膜を形成する方法 |
| JPS59162269A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-13 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 基体に酸化錫膜を形成する方法 |
-
1985
- 1985-09-20 JP JP60208363A patent/JPS6269405A/ja active Granted
-
1986
- 1986-09-19 EP EP86402059A patent/EP0216703B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1986-09-19 ES ES8602025A patent/ES2003352A6/es not_active Expired - Fee Related
- 1986-09-19 DE DE8686402059T patent/DE3683575D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-09-19 AT AT86402059T patent/ATE71925T1/de not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES2003352A6 (es) | 1991-03-16 |
| ATE71925T1 (de) | 1992-02-15 |
| DE3683575D1 (de) | 1992-03-05 |
| EP0216703A3 (en) | 1989-04-26 |
| EP0216703A2 (fr) | 1987-04-01 |
| EP0216703B1 (fr) | 1992-01-22 |
| JPS6269405A (ja) | 1987-03-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |