JPH0353723B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0353723B2 JPH0353723B2 JP61059051A JP5905186A JPH0353723B2 JP H0353723 B2 JPH0353723 B2 JP H0353723B2 JP 61059051 A JP61059051 A JP 61059051A JP 5905186 A JP5905186 A JP 5905186A JP H0353723 B2 JPH0353723 B2 JP H0353723B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tin oxide
- transparent conductive
- conductive film
- fluorine
- containing tin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は酸化錫を主成分とする二層構造をもつ
た光電素子用透明導電膜特に太陽電池用透明導電
膜に関する。 〔従来の技術〕 近年、透明導電基板に非晶質シリコン（ａ−
Si）を用いた光電変換素子を形成し、次いでAl
等の電極を形成した低コストの太陽電池が知られ
ている。かかるａ−Si太陽電池は光電変換効率が
他の結晶半導体を用いた太陽電池に比べ低いこと
から、それを大にするため種々の対策が施されて
いる。 そのひとつとして、低抵抗かつ光高透過性を有
する。含フツ素酸化錫膜を透明導電膜に用いるこ
とがあげられる。含フツ素酸化錫膜以外の酸化錫
を主成分とする透明導電膜としては、含アンチモ
ン酸化錫膜が知られている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、含アンチモン酸化錫膜は、含フ
ツ素酸化錫膜に比べ抵抗が高く、非晶質シリコン
を用いた光電変換素子用の透明導電膜としてはあ
まり利用されていなかつた。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は前記問題点を解決するためになされた
ものであつて、光電素子の光電変換効率を高める
のに好適な光電素子用透明導電膜を提供するもの
である。 すなわち、本発明は高温に加熱した透明基板に
錫化合物及びフツ素を含む化合物を接触させ熱分
解酸化反応により、含フツ素酸化錫膜を堆積さ
せ、さらにこの含フツ素酸化錫膜を堆積した透明
基板を高温に加熱し、錫化合物及びアンチモンを
含む化合物を接触させ熱分解酸化反応により含フ
ツ素酸化錫膜上に含アンチモン酸化錫膜を堆積さ
せた二層構造を有する透明導電膜である。 本発明に用いることのできる錫化合物は、
C4H9SnCl3、SnCl4、（CH3）2SnCl2、（CnH2o+1）
4Sn（但しｎ＝１〜４）、（CH3）2SnH2、
（C4H9）3SnH及び（C4H9）2Sn（COOCH3）2等であ
り、フツ素を含む化合物としては、CH3CHF2、
CH3CClF2、CHClF2、CHF3、CF2Cl2、CF3Cl、
CF3Br等を用いることができ、アンチモンを含む
化合物としてはSbCl5、SbCl3等を用いることが
できる。 本発明において、これらの錫化合物とフツ素を
含む化合物又はアンチモンを含む化合物（以下、
この２つをドーパントと総称する。）を加熱した
透明基板に接触させて熱分解酸化反応をさせるに
は錫化合物蒸気と、酸化性ガス及びドーパントを
高温の透明基板に接触させる気相化学反応法
（CVD法）か錫化合物の溶液をスプレーで高温の
透明基板に吹き付けるスプレー法等により行うこ
とができる。中でも400℃〜600℃に加熱された透
明基板に錫化合物の蒸気及びドーパントをさせて
含フツ素酸化錫膜と含アンチモン酸化錫膜の二層
構造を有する透明導電膜を付着させるCVD法が
好んで用いられる。 〔作用〕 透明導電膜を含フツ素酸化錫膜層を有する二層
構造としたことにより、透明導電膜の抵抗を低く
することができ、かつ光電変換素子のｐ型半導体
層と接触する透明導電膜を含フツ素酸化錫から含
アンチモン酸化錫に変えたことにより透明導電膜
と光電変換素子との接合性が改良され光電素子の
変換効率を高めることができる。 実施例 １ 大きさが25（mm）×30（mm）、厚味1.1（mm）酸化珪
素被膜付ソーダライムガラスを十分に洗浄、乾燥
しガラス基板とした。このガラス基板上に以下の
ようにして透明導電膜を付着した。 モノブチル錫トリクロライドの蒸気、水蒸気、
酸素ガス1.1−ジフルオロエタンガスおよび窒素
ガスの調整された混合気体を用いCVD法により
550℃に加熱されたガラス基板上に含フツ素酸化
錫膜を形成した。 得られた含フツ素酸化錫膜の膜厚は0.33μｍで
あつた。この含フツ素酸化錫膜を堆積させたガラ
ス基板を550℃に加熱し、四塩化錫の蒸気、酸素
ガス、メチルアルコール、五塩化アンチモンおよ
び窒素ガスの調整された混合気体を用いCVD法
により含フツ素酸化錫膜上に含アンチモン酸化錫
膜を形成した。得られた含アンチモン酸化錫膜の
膜厚は、0.07μｍであつた。この0.4μｍの合計膜
厚を有する二層膜の面積抵抗は第１表に示した通
り11.0Ω／口であつた。 これを用いて、アモルフアスシリコン太陽電池
を以下の手順で作成した。 モノシラン（SiH4）ガスを主成分とする原料
ガスを用いて170Pa程度の圧力下で容量結合型高
周波グロー放電装置により、 (1) ｐ型半導体層（ホウ素ドープのａ−SiC：
Ｈ、約0.015μｍ厚） (2) 真性半導体層（ａ−Si：Ｈ、約0.5μｍ厚） (3) ｎ型半導体層（リンドープのマイクロクリス
タリンSi（μc−Si）：Ｈ、約0.050μｍ厚） をそれぞれ順番に堆積させ、最後にAl電極（約
0.1μｍ厚）を真空中（約10-4Pa）で蒸着法により
作成した。 上記Al電極を作成する際基板上に直径２mmの
穴があいたマスクをのせておき、直径２mmの太陽
電池を16ケ作成した。 得られた太陽電池にAM1の100ｍＷ／cm2の光を
照射し、エネルギー変換効率を測定した。得られ
た測定結果を第１表に示す。 なお、比較例１として、実施例１と同一方法に
より、酸化珪素被膜付ソーダライムガラス上に、
膜厚が0.4μｍの含フツ素酸化錫膜を形成し、面積
抵抗を測定したところ第１表に示す如く10.0Ω／
口
た光電素子用透明導電膜特に太陽電池用透明導電
膜に関する。 〔従来の技術〕 近年、透明導電基板に非晶質シリコン（ａ−
Si）を用いた光電変換素子を形成し、次いでAl
等の電極を形成した低コストの太陽電池が知られ
ている。かかるａ−Si太陽電池は光電変換効率が
他の結晶半導体を用いた太陽電池に比べ低いこと
から、それを大にするため種々の対策が施されて
いる。 そのひとつとして、低抵抗かつ光高透過性を有
する。含フツ素酸化錫膜を透明導電膜に用いるこ
とがあげられる。含フツ素酸化錫膜以外の酸化錫
を主成分とする透明導電膜としては、含アンチモ
ン酸化錫膜が知られている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、含アンチモン酸化錫膜は、含フ
ツ素酸化錫膜に比べ抵抗が高く、非晶質シリコン
を用いた光電変換素子用の透明導電膜としてはあ
まり利用されていなかつた。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は前記問題点を解決するためになされた
ものであつて、光電素子の光電変換効率を高める
のに好適な光電素子用透明導電膜を提供するもの
である。 すなわち、本発明は高温に加熱した透明基板に
錫化合物及びフツ素を含む化合物を接触させ熱分
解酸化反応により、含フツ素酸化錫膜を堆積さ
せ、さらにこの含フツ素酸化錫膜を堆積した透明
基板を高温に加熱し、錫化合物及びアンチモンを
含む化合物を接触させ熱分解酸化反応により含フ
ツ素酸化錫膜上に含アンチモン酸化錫膜を堆積さ
せた二層構造を有する透明導電膜である。 本発明に用いることのできる錫化合物は、
C4H9SnCl3、SnCl4、（CH3）2SnCl2、（CnH2o+1）
4Sn（但しｎ＝１〜４）、（CH3）2SnH2、
（C4H9）3SnH及び（C4H9）2Sn（COOCH3）2等であ
り、フツ素を含む化合物としては、CH3CHF2、
CH3CClF2、CHClF2、CHF3、CF2Cl2、CF3Cl、
CF3Br等を用いることができ、アンチモンを含む
化合物としてはSbCl5、SbCl3等を用いることが
できる。 本発明において、これらの錫化合物とフツ素を
含む化合物又はアンチモンを含む化合物（以下、
この２つをドーパントと総称する。）を加熱した
透明基板に接触させて熱分解酸化反応をさせるに
は錫化合物蒸気と、酸化性ガス及びドーパントを
高温の透明基板に接触させる気相化学反応法
（CVD法）か錫化合物の溶液をスプレーで高温の
透明基板に吹き付けるスプレー法等により行うこ
とができる。中でも400℃〜600℃に加熱された透
明基板に錫化合物の蒸気及びドーパントをさせて
含フツ素酸化錫膜と含アンチモン酸化錫膜の二層
構造を有する透明導電膜を付着させるCVD法が
好んで用いられる。 〔作用〕 透明導電膜を含フツ素酸化錫膜層を有する二層
構造としたことにより、透明導電膜の抵抗を低く
することができ、かつ光電変換素子のｐ型半導体
層と接触する透明導電膜を含フツ素酸化錫から含
アンチモン酸化錫に変えたことにより透明導電膜
と光電変換素子との接合性が改良され光電素子の
変換効率を高めることができる。 実施例 １ 大きさが25（mm）×30（mm）、厚味1.1（mm）酸化珪
素被膜付ソーダライムガラスを十分に洗浄、乾燥
しガラス基板とした。このガラス基板上に以下の
ようにして透明導電膜を付着した。 モノブチル錫トリクロライドの蒸気、水蒸気、
酸素ガス1.1−ジフルオロエタンガスおよび窒素
ガスの調整された混合気体を用いCVD法により
550℃に加熱されたガラス基板上に含フツ素酸化
錫膜を形成した。 得られた含フツ素酸化錫膜の膜厚は0.33μｍで
あつた。この含フツ素酸化錫膜を堆積させたガラ
ス基板を550℃に加熱し、四塩化錫の蒸気、酸素
ガス、メチルアルコール、五塩化アンチモンおよ
び窒素ガスの調整された混合気体を用いCVD法
により含フツ素酸化錫膜上に含アンチモン酸化錫
膜を形成した。得られた含アンチモン酸化錫膜の
膜厚は、0.07μｍであつた。この0.4μｍの合計膜
厚を有する二層膜の面積抵抗は第１表に示した通
り11.0Ω／口であつた。 これを用いて、アモルフアスシリコン太陽電池
を以下の手順で作成した。 モノシラン（SiH4）ガスを主成分とする原料
ガスを用いて170Pa程度の圧力下で容量結合型高
周波グロー放電装置により、 (1) ｐ型半導体層（ホウ素ドープのａ−SiC：
Ｈ、約0.015μｍ厚） (2) 真性半導体層（ａ−Si：Ｈ、約0.5μｍ厚） (3) ｎ型半導体層（リンドープのマイクロクリス
タリンSi（μc−Si）：Ｈ、約0.050μｍ厚） をそれぞれ順番に堆積させ、最後にAl電極（約
0.1μｍ厚）を真空中（約10-4Pa）で蒸着法により
作成した。 上記Al電極を作成する際基板上に直径２mmの
穴があいたマスクをのせておき、直径２mmの太陽
電池を16ケ作成した。 得られた太陽電池にAM1の100ｍＷ／cm2の光を
照射し、エネルギー変換効率を測定した。得られ
た測定結果を第１表に示す。 なお、比較例１として、実施例１と同一方法に
より、酸化珪素被膜付ソーダライムガラス上に、
膜厚が0.4μｍの含フツ素酸化錫膜を形成し、面積
抵抗を測定したところ第１表に示す如く10.0Ω／
口
【表】
であり、この含フツ素酸化錫膜上に実施例１と同
一方法により、アモルフアスシリコン太陽電池を
作成し、エネルギー変換効率を測定した結果を第
１表に示した。 実施例 ２ 大きさが25（mm）×30（mm）、厚味1.1（mm）酸化珪
素被膜付ソーダライムガラスを十分に洗浄、乾燥
し、ガラス基板とした。このガラス基板上に実施
例１と同じ方法で透明導電膜を付着した。 透明導電膜はガラス基板上に付着した0.22μｍ
膜厚の含フツ素酸化錫膜上に0.25μｍの含アンチ
モン酸化錫膜を堆積させた二層膜で面積抵抗が第
２表に示した通り14.5Ω／口であつた。この含ア
ンチモン酸化錫膜上にアモルフアスシリコン太陽
電池を実施例１と同様の手順で作成し、得られた
太陽電池にAM100ｍＷ／cm2の光を照射し、エネ
ルギー変換効率を測定した。 第２表に得られた測定結果を示す。
一方法により、アモルフアスシリコン太陽電池を
作成し、エネルギー変換効率を測定した結果を第
１表に示した。 実施例 ２ 大きさが25（mm）×30（mm）、厚味1.1（mm）酸化珪
素被膜付ソーダライムガラスを十分に洗浄、乾燥
し、ガラス基板とした。このガラス基板上に実施
例１と同じ方法で透明導電膜を付着した。 透明導電膜はガラス基板上に付着した0.22μｍ
膜厚の含フツ素酸化錫膜上に0.25μｍの含アンチ
モン酸化錫膜を堆積させた二層膜で面積抵抗が第
２表に示した通り14.5Ω／口であつた。この含ア
ンチモン酸化錫膜上にアモルフアスシリコン太陽
電池を実施例１と同様の手順で作成し、得られた
太陽電池にAM100ｍＷ／cm2の光を照射し、エネ
ルギー変換効率を測定した。 第２表に得られた測定結果を示す。
本発明によれば実施例からも明らかなとおり、
エネルギー変換効率の向上に寄与する太陽電池透
明導電膜を得ることができる。 また本発明は、太陽電池以外の光電素子用の透
明導電膜として利用できることは明らかである。
エネルギー変換効率の向上に寄与する太陽電池透
明導電膜を得ることができる。 また本発明は、太陽電池以外の光電素子用の透
明導電膜として利用できることは明らかである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ フツ素を含む酸化錫を主成分とする透明導電
膜と、該透明導電膜に付着したアンチモンを含む
酸化錫を主成分とする透明導電膜とからなる二層
構造を有する透明導電膜。 ２ 透明基板上に付着されたフツ素を含む酸化錫
を主成分とする透明導電膜上にアンチモンを含む
酸化錫を主成分とする透明導電膜を形成した特許
請求の範囲第１項に記載の透明導電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61059051A JPS62216108A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61059051A JPS62216108A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 透明導電膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62216108A JPS62216108A (ja) | 1987-09-22 |
| JPH0353723B2 true JPH0353723B2 (ja) | 1991-08-16 |
Family
ID=13102136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61059051A Granted JPS62216108A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 透明導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62216108A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02210715A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-08-22 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 二層構造を有する透明導電基体 |
-
1986
- 1986-03-17 JP JP61059051A patent/JPS62216108A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62216108A (ja) | 1987-09-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |