JPH06150366A - 光学記録担体及びその製造方法 - Google Patents
光学記録担体及びその製造方法Info
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- JPH06150366A JPH06150366A JP4296853A JP29685392A JPH06150366A JP H06150366 A JPH06150366 A JP H06150366A JP 4296853 A JP4296853 A JP 4296853A JP 29685392 A JP29685392 A JP 29685392A JP H06150366 A JPH06150366 A JP H06150366A
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- JP
- Japan
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- film
- teox
- recording film
- substrate
- gas
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板界面部のＴｅ−Ｐｄ膜の酸化を防止し
て、光ディスクの寿命を永くすると共に、膜界面に取り
こまれるＨ2 Ｏ，Ｎ2 を低減して記録信号品質を向上さ
せることを目的とする。 【構成】 ディスク基板１１上に５〜３０ｎｍの厚さの
ＴｅＯｘ−Ｐｄ膜１２ａを形成後、グロ−放電を継続し
た状態でＯ2 導入を停止しＴｅ−Ｐｄ膜１３を形成す
る。ここで再度０2 を再度徐々に導入しＴｅＯｘ−Ｐｄ
膜に遷移させ記録膜を形成することにより基板界面部の
Ｔｅ−Ｐｄ膜の酸化を防止すると共に、膜界面に取りこ
まれるＨ2 Ｏ，Ｎ2 を低減することができる。その結
果、寿命を永くし記録信号品質の高い光ディスクを実現
することができる。
て、光ディスクの寿命を永くすると共に、膜界面に取り
こまれるＨ2 Ｏ，Ｎ2 を低減して記録信号品質を向上さ
せることを目的とする。 【構成】 ディスク基板１１上に５〜３０ｎｍの厚さの
ＴｅＯｘ−Ｐｄ膜１２ａを形成後、グロ−放電を継続し
た状態でＯ2 導入を停止しＴｅ−Ｐｄ膜１３を形成す
る。ここで再度０2 を再度徐々に導入しＴｅＯｘ−Ｐｄ
膜に遷移させ記録膜を形成することにより基板界面部の
Ｔｅ−Ｐｄ膜の酸化を防止すると共に、膜界面に取りこ
まれるＨ2 Ｏ，Ｎ2 を低減することができる。その結
果、寿命を永くし記録信号品質の高い光ディスクを実現
することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｔｅ系光学記録膜を形
成した高速で回転するディスクにレ−ザ光のパルスを照
射することにより情報信号を記録再生する光ディスクメ
モリ−に利用できる光学記録担体及びその製造方法に関
する。
成した高速で回転するディスクにレ−ザ光のパルスを照
射することにより情報信号を記録再生する光ディスクメ
モリ−に利用できる光学記録担体及びその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】Ｔｅ系光記録材料を用いた相変化型の光
ディスクメモリは、レ−ザ光などの光パルスの照射時に
発生する熱によって照射部分がアモルファス相から結晶
相に変化することを用いて信号を記録し、また、結晶相
の変化に伴う記録膜の反射光量の変化によって記録され
た信号の再生を行うものである。
ディスクメモリは、レ−ザ光などの光パルスの照射時に
発生する熱によって照射部分がアモルファス相から結晶
相に変化することを用いて信号を記録し、また、結晶相
の変化に伴う記録膜の反射光量の変化によって記録され
た信号の再生を行うものである。
【０００３】ここでアモルファス状態にある酸化テルル
（ＴｅＯｘ膜でｘは２を上限とする膜が結晶状態に達す
るまでに比較的短い時間であるが時間を要する。このよ
うに結晶状態に達する間に記録後の再生信号の記録信号
振幅（以下ＲＦ振幅と称す）及び記録信号の品質を現す
信号とノイズの振幅比であるＣ／Ｎ値が時間と共に増加
する現象を増感現象という。
（ＴｅＯｘ膜でｘは２を上限とする膜が結晶状態に達す
るまでに比較的短い時間であるが時間を要する。このよ
うに結晶状態に達する間に記録後の再生信号の記録信号
振幅（以下ＲＦ振幅と称す）及び記録信号の品質を現す
信号とノイズの振幅比であるＣ／Ｎ値が時間と共に増加
する現象を増感現象という。
【０００４】記録した信号を記録直後から高いＣ／Ｎ値
で再生するためには、上記の増感現象をなくすととも
に、記録直後から高いＣ／Ｎ値を得ることが必要とな
る。このような増感現象を改善するために、ＴｅＯｘに
異なった種類の材料を添加する方法が提案されている。
その方法では異種の材料がＴｅＯｘ膜中において結晶核
の役割を果たし、ＴｅＯｘの相変化を促進し増感現象を
改善すると考えられる。
で再生するためには、上記の増感現象をなくすととも
に、記録直後から高いＣ／Ｎ値を得ることが必要とな
る。このような増感現象を改善するために、ＴｅＯｘに
異なった種類の材料を添加する方法が提案されている。
その方法では異種の材料がＴｅＯｘ膜中において結晶核
の役割を果たし、ＴｅＯｘの相変化を促進し増感現象を
改善すると考えられる。
【０００５】しかしながら上記のように異なった種類の
材料を添加して記録膜中のＴｅの相対量が減少すると、
Ｃ／Ｎ値が低下することが分かっている。そこで、Ｔｅ
系光学記録膜にＰｄを２ａｔ％以上５ａｔ％未満添加
し、その図３に示すようにディスク基板３１とＰｄが添
加されたＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜３２の間にＴｅ−Ｐｄ金
属結晶膜３３を設けた２層膜の光学記録担体が提案され
ている。（例えば特願昭６３−１３３２９１号等）
材料を添加して記録膜中のＴｅの相対量が減少すると、
Ｃ／Ｎ値が低下することが分かっている。そこで、Ｔｅ
系光学記録膜にＰｄを２ａｔ％以上５ａｔ％未満添加
し、その図３に示すようにディスク基板３１とＰｄが添
加されたＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜３２の間にＴｅ−Ｐｄ金
属結晶膜３３を設けた２層膜の光学記録担体が提案され
ている。（例えば特願昭６３−１３３２９１号等）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のＴｅ
Ｏｘ−Ｐｄ記録膜を用いて信号の記録再生を行うと、光
学記録担体を１，８００ｒｐｍで回転させたときに１回
転に要する時間である記録後３３ｍ秒を経過した時点及
び記録後３０秒、６０秒経過した時点でＣ／Ｎ値に差は
みられず、増感現象はなく、また単一周波数５ＭＨｚの
信号を記録した場合には５７ｄＢのＣ／Ｎ値が得られて
いる。
Ｏｘ−Ｐｄ記録膜を用いて信号の記録再生を行うと、光
学記録担体を１，８００ｒｐｍで回転させたときに１回
転に要する時間である記録後３３ｍ秒を経過した時点及
び記録後３０秒、６０秒経過した時点でＣ／Ｎ値に差は
みられず、増感現象はなく、また単一周波数５ＭＨｚの
信号を記録した場合には５７ｄＢのＣ／Ｎ値が得られて
いる。
【０００７】しかし、このような従来の記録膜は、ディ
スク基板３１とＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜３２の界面がＴｅ
−Ｐｄ金属結晶膜３３から成り立っているため、Ｔｅ−
Ｐｄ金属結晶膜が、高温、高湿雰囲気下で酸化されやす
いという課題があった。
スク基板３１とＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜３２の界面がＴｅ
−Ｐｄ金属結晶膜３３から成り立っているため、Ｔｅ−
Ｐｄ金属結晶膜が、高温、高湿雰囲気下で酸化されやす
いという課題があった。
【０００８】更に、このような従来の記録膜を形成する
ためにはスパッタ装置を用いてグロ−放電を発生させて
まず第１層目のＴｅ−Ｐｄ金属結晶膜をスパッタ蒸発に
より形成後グロ−放電を一旦停止させ、Ｏ2 ガスをスパ
ッタ室内に導入後グロ−放電を再開し反応性スパッタ法
により第２層のＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜を形成するという
方法を用いている。この場合第１層膜を形成後第２層の
形成を開始するまでに時間を要するために、真空室内に
微量存在するＨ2 Ｏ，Ｎ2 等がＴｅ−Ｐｄ金属結晶膜の
表面層に吸着し成膜条件によってはＣ／Ｎ低下の原因に
なるという課題を有していた。
ためにはスパッタ装置を用いてグロ−放電を発生させて
まず第１層目のＴｅ−Ｐｄ金属結晶膜をスパッタ蒸発に
より形成後グロ−放電を一旦停止させ、Ｏ2 ガスをスパ
ッタ室内に導入後グロ−放電を再開し反応性スパッタ法
により第２層のＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜を形成するという
方法を用いている。この場合第１層膜を形成後第２層の
形成を開始するまでに時間を要するために、真空室内に
微量存在するＨ2 Ｏ，Ｎ2 等がＴｅ−Ｐｄ金属結晶膜の
表面層に吸着し成膜条件によってはＣ／Ｎ低下の原因に
なるという課題を有していた。
【０００９】例えば高温、高湿の雰囲気下で従来のディ
スクのディスク寿命を知るために加速テストを実施し、
テスト結果をアレニウスプロットすることにより３２℃
−８０％ＲＨ換算では２０年以上の推定寿命が得られ
た。推定寿命２０年という値は実用上の問題はないが、
ＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜一層の記録膜からなるディスクを
用いて同様の加速テストを行うと上記の２倍である４０
年の推定寿命値が得られた。従ってディスクの信頼性を
向上させるためには基板界面部の膜の酸化を防ぎディス
クの推定寿命を改善すると共に、Ｔｅ−Ｐｄ金属結晶膜
表面層へのＨ2 ＯＮ2 吸着を防ぎＣ／Ｎ向上を実現する
必要がある。
スクのディスク寿命を知るために加速テストを実施し、
テスト結果をアレニウスプロットすることにより３２℃
−８０％ＲＨ換算では２０年以上の推定寿命が得られ
た。推定寿命２０年という値は実用上の問題はないが、
ＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜一層の記録膜からなるディスクを
用いて同様の加速テストを行うと上記の２倍である４０
年の推定寿命値が得られた。従ってディスクの信頼性を
向上させるためには基板界面部の膜の酸化を防ぎディス
クの推定寿命を改善すると共に、Ｔｅ−Ｐｄ金属結晶膜
表面層へのＨ2 ＯＮ2 吸着を防ぎＣ／Ｎ向上を実現する
必要がある。
【００１０】本発明は、このような従来のディスクの課
題を解決するもので、基板界面部の酸化を防ぎ、Ｔｅ−
Ｐｄ金属結晶膜表面層へのＨ2 Ｏ，Ｎ2 吸着を改善しデ
ィスクの信頼性をさらに向上することを目的とするもの
である。
題を解決するもので、基板界面部の酸化を防ぎ、Ｔｅ−
Ｐｄ金属結晶膜表面層へのＨ2 Ｏ，Ｎ2 吸着を改善しデ
ィスクの信頼性をさらに向上することを目的とするもの
である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は基板上に形成されＴｅＯｘを主成分とし、Ｐ
ｄが２ａｔ％以上５ａｔ％未満添加され５〜３０ｎｍの
厚さをもつＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜と、前記ＴｅＯｘ−Ｐ
ｄ記録膜との境界近傍ではＴｅ−Ｐｄ金属結晶膜から成
っており境界近傍から離れるにしたがってＴｅＯｘ−Ｐ
ｄ酸化膜に徐々に遷移する膜から成るように構成したも
のである。
に本発明は基板上に形成されＴｅＯｘを主成分とし、Ｐ
ｄが２ａｔ％以上５ａｔ％未満添加され５〜３０ｎｍの
厚さをもつＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜と、前記ＴｅＯｘ−Ｐ
ｄ記録膜との境界近傍ではＴｅ−Ｐｄ金属結晶膜から成
っており境界近傍から離れるにしたがってＴｅＯｘ−Ｐ
ｄ酸化膜に徐々に遷移する膜から成るように構成したも
のである。
【００１２】また光学記録担体を製造する際に真空槽内
でグロ−放電を発生させ同時にＯ2ガスを真空槽に導入
させて基板にＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜を形成後、グロ−放
電を継続しつつＯ2 ガスを停止しＴｅ−Ｐｄ金属結晶膜
をスパッタ蒸発させて金属結晶層を付着させつつ再度Ｏ
2 ガスを徐々に導入し、その流量を徐々に増すことによ
り前記金属膜を酸化膜に遷移せしめ、遷移後はＯ2 ガス
の流量を一定に保ちながら光学記録担体を形成するよう
にしたものである。
でグロ−放電を発生させ同時にＯ2ガスを真空槽に導入
させて基板にＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜を形成後、グロ−放
電を継続しつつＯ2 ガスを停止しＴｅ−Ｐｄ金属結晶膜
をスパッタ蒸発させて金属結晶層を付着させつつ再度Ｏ
2 ガスを徐々に導入し、その流量を徐々に増すことによ
り前記金属膜を酸化膜に遷移せしめ、遷移後はＯ2 ガス
の流量を一定に保ちながら光学記録担体を形成するよう
にしたものである。
【００１３】
【作用】本発明の光学記録担体は５ｎｍ〜３０ｎｍの厚
さのＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜を基板上に形成後、境界近傍
ではＴｅ−Ｐｄ金属結晶膜から成っており境界近傍から
離れるにしたがってＴｅＯｘ−Ｐｄ酸化膜に徐々に遷移
する層を設けたものである。
さのＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜を基板上に形成後、境界近傍
ではＴｅ−Ｐｄ金属結晶膜から成っており境界近傍から
離れるにしたがってＴｅＯｘ−Ｐｄ酸化膜に徐々に遷移
する層を設けたものである。
【００１４】本発明の記録膜は基板との界面部にＰｄが
２ａｔ％以上５ａｔ％未満添加された５ｎｍ〜３０ｎｍ
の厚さの高湿下でも安定なＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜を形成
しているので酸化が防止でき、ディスクの耐候性が向上
する。テスト結果によれば、Ｐｄが添加されたＴｅＯｘ
のみからなるディスクと同程度の推定寿命値（３２℃８
０％ＲＨ換算で４０年）が得られるものである。
２ａｔ％以上５ａｔ％未満添加された５ｎｍ〜３０ｎｍ
の厚さの高湿下でも安定なＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜を形成
しているので酸化が防止でき、ディスクの耐候性が向上
する。テスト結果によれば、Ｐｄが添加されたＴｅＯｘ
のみからなるディスクと同程度の推定寿命値（３２℃８
０％ＲＨ換算で４０年）が得られるものである。
【００１５】また従来のディスクを成膜する場合、第１
層膜を形成後第２層の形成を開始するまでに時間を要す
るが本発明によれば基板にＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜を形成
後グロ−放電を継続しつつＯ2 ガスを停止し、Ｔｅ−Ｐ
ｄ金属結晶膜を形成しながら再度Ｏ2 ガスを徐々に導入
し、その流量を徐々に増すことにより酸化膜に遷移せし
め遷移後は一定流量のＯ2 ガスを流す方法をとるので連
続してグロ−放電が持続しＴｅ−Ｐｄ金属結晶膜表面層
へのＨ2 Ｏ，Ｎ2 吸着を防ぐことができ、その結果本発
明によりＣ／Ｎ比を従来例に比べ更に２ｄＢ高めること
ができ、５９ｄＢ程度を安定して得ることができるもの
である。
層膜を形成後第２層の形成を開始するまでに時間を要す
るが本発明によれば基板にＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜を形成
後グロ−放電を継続しつつＯ2 ガスを停止し、Ｔｅ−Ｐ
ｄ金属結晶膜を形成しながら再度Ｏ2 ガスを徐々に導入
し、その流量を徐々に増すことにより酸化膜に遷移せし
め遷移後は一定流量のＯ2 ガスを流す方法をとるので連
続してグロ−放電が持続しＴｅ−Ｐｄ金属結晶膜表面層
へのＨ2 Ｏ，Ｎ2 吸着を防ぐことができ、その結果本発
明によりＣ／Ｎ比を従来例に比べ更に２ｄＢ高めること
ができ、５９ｄＢ程度を安定して得ることができるもの
である。
【００１６】
【実施例】図１に本発明の一実施例の製造方法により製
造された光学記録担体の構成を示す。図に示すようにデ
ィスク基板１１の表面に厚さ５〜３０ｎｍのＴｅＯｘ−
Ｐｄ記録膜１２ａと、Ｔｅ−Ｐｄ金属結晶膜１３と、Ｔ
ｅ−Ｐｄの酸化物に遷移する層１４と、ＴｅＯｘ−Ｐｄ
記録膜１２ｂを形成する。
造された光学記録担体の構成を示す。図に示すようにデ
ィスク基板１１の表面に厚さ５〜３０ｎｍのＴｅＯｘ−
Ｐｄ記録膜１２ａと、Ｔｅ−Ｐｄ金属結晶膜１３と、Ｔ
ｅ−Ｐｄの酸化物に遷移する層１４と、ＴｅＯｘ−Ｐｄ
記録膜１２ｂを形成する。
【００１７】本発明の光学記録担体は、例えば図２に示
すように、スパッタ蒸発法を用いて形成することができ
る。図２に示すように、真空槽２１内を例えば１０-6Ｔ
ｏｒｒ台まで真空排気する。真空排気後、真空槽内にＡ
ｒガスを例えば５０ＳＣＣＭ導入し続けてＯ2 ガスを１
０ＳＣＣＭ導入し、真空槽内を５×１０-3Ｔｏｒｒに調
圧する。このときディスク基板１１は成膜時の膜厚分布
を抑制するためにモ−タ２２により回転駆動するものと
する。この状態でＴｅとＰｄを含有するタ−ゲット２３
に直流電源または交流電源を印加する。例えばＤＣ１０
０Ｗの電力を印加すると、真空槽内にグロ−放電が発生
しＴｅ−Ｐｄが真空槽内に存在するＯ2分子と結合して
ディスク基板１１上にＴｅＯｘ−Ｐｄ膜１２ａが形成さ
れていく。本実施例では１０ｎｍ厚のＴｅＯｘ−Ｐｄ記
録膜１２ａは約３０秒の成膜時間で形成することができ
た。
すように、スパッタ蒸発法を用いて形成することができ
る。図２に示すように、真空槽２１内を例えば１０-6Ｔ
ｏｒｒ台まで真空排気する。真空排気後、真空槽内にＡ
ｒガスを例えば５０ＳＣＣＭ導入し続けてＯ2 ガスを１
０ＳＣＣＭ導入し、真空槽内を５×１０-3Ｔｏｒｒに調
圧する。このときディスク基板１１は成膜時の膜厚分布
を抑制するためにモ−タ２２により回転駆動するものと
する。この状態でＴｅとＰｄを含有するタ−ゲット２３
に直流電源または交流電源を印加する。例えばＤＣ１０
０Ｗの電力を印加すると、真空槽内にグロ−放電が発生
しＴｅ−Ｐｄが真空槽内に存在するＯ2分子と結合して
ディスク基板１１上にＴｅＯｘ−Ｐｄ膜１２ａが形成さ
れていく。本実施例では１０ｎｍ厚のＴｅＯｘ−Ｐｄ記
録膜１２ａは約３０秒の成膜時間で形成することができ
た。
【００１８】ここでＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜１２ａの膜厚
は５ｎｍ未満では面全体に完全に膜を形成できず島状構
造の膜が形成され基板上に一様に分布しないため酸化防
止の効果が低く、膜厚が３０ｎｍを越えるとＴｅ−Ｐｄ
金属結晶膜１３との間で膜応力が発生し、膜の境界で剥
離が発生しやすくなる。その結果剥離部に水分子等が侵
入し、膜が酸化されて正常な記録再生ができなくなる。
従ってこのＴｅＯｘ−Ｐｄ膜１２ａの膜厚は５〜３０ｎ
ｍの範囲内とすることが望ましい。
は５ｎｍ未満では面全体に完全に膜を形成できず島状構
造の膜が形成され基板上に一様に分布しないため酸化防
止の効果が低く、膜厚が３０ｎｍを越えるとＴｅ−Ｐｄ
金属結晶膜１３との間で膜応力が発生し、膜の境界で剥
離が発生しやすくなる。その結果剥離部に水分子等が侵
入し、膜が酸化されて正常な記録再生ができなくなる。
従ってこのＴｅＯｘ−Ｐｄ膜１２ａの膜厚は５〜３０ｎ
ｍの範囲内とすることが望ましい。
【００１９】ＴｅＯｘ−Ｐｄ膜１２ａの成膜を終了と同
時に、グロ−放電を継続した状態でＯ2 ガスの導入を停
止するとＴｅ−Ｐｄ金属結晶膜１３がディスク基板に付
着する。その後再びＯ2 ガスの導入バルブを徐々に開い
て量を増してゆくと真空槽２１内で反応性スパッタが進
行し、Ｔｅ−Ｐｄ膜の酸化物に遷移する層１４が形成さ
れる。Ｏ2 ガスの流量を徐々に増してゆき１０ＳＣＣＭ
に達するとその状態でＯ2 ガスの流量を一定に保持する
とＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜１２ｂが付着する。本実施例に
よれば３分程度のスパッタ時間で１００ｎｍ程度の成膜
が可能であった。
時に、グロ−放電を継続した状態でＯ2 ガスの導入を停
止するとＴｅ−Ｐｄ金属結晶膜１３がディスク基板に付
着する。その後再びＯ2 ガスの導入バルブを徐々に開い
て量を増してゆくと真空槽２１内で反応性スパッタが進
行し、Ｔｅ−Ｐｄ膜の酸化物に遷移する層１４が形成さ
れる。Ｏ2 ガスの流量を徐々に増してゆき１０ＳＣＣＭ
に達するとその状態でＯ2 ガスの流量を一定に保持する
とＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜１２ｂが付着する。本実施例に
よれば３分程度のスパッタ時間で１００ｎｍ程度の成膜
が可能であった。
【００２０】ここでＴｅ−Ｐｄ金属結晶膜１３、ＴｅＯ
ｘ−Ｐｄ記録膜１２ｂのＰｄ含有量は２ａｔ％以下であ
れば増感現象が確認され、例えばＰｄを１．５ａｔ％添
加すると記録後３３ミリ秒から６０秒の間にＣ／Ｎ値が
約１ｄＢ増加する。また５ａｔ％以上となるとＴｅＯｘ
の相対量が減少してＣ／Ｎ値が低下することとなる。従
ってＰｄの添加量は２ａｔ％以上５ａｔ％未満であるこ
とが望ましい。
ｘ−Ｐｄ記録膜１２ｂのＰｄ含有量は２ａｔ％以下であ
れば増感現象が確認され、例えばＰｄを１．５ａｔ％添
加すると記録後３３ミリ秒から６０秒の間にＣ／Ｎ値が
約１ｄＢ増加する。また５ａｔ％以上となるとＴｅＯｘ
の相対量が減少してＣ／Ｎ値が低下することとなる。従
ってＰｄの添加量は２ａｔ％以上５ａｔ％未満であるこ
とが望ましい。
【００２１】なお、本実施例で使用するタ−ゲット２３
はＴｅ及びＰｄを含有するものを用いてもよく、またＴ
ｅのタ−ゲットとＰｄのタ−ゲットを用いて、これら２
種類のタ−ゲットを同時にスパッタリング蒸発するよう
にしても同様の効果が得られる。
はＴｅ及びＰｄを含有するものを用いてもよく、またＴ
ｅのタ−ゲットとＰｄのタ−ゲットを用いて、これら２
種類のタ−ゲットを同時にスパッタリング蒸発するよう
にしても同様の効果が得られる。
【００２２】上記の本実施例により作成した光学記録担
体を例えば１，８００ｒｐｍで回転させ単一の周波数、
例えば５ＭＨｚの信号を記録した後３３ミリ秒経過した
後、及び６０秒経過後にＣ／Ｎ値を測定した。いずれの
場合も５９ｄＢの良好なＣ／Ｎ値が得られた。また、３
２℃，８０％ＲＨ換算で従来の２倍の４０年の推定寿命
値が得られた。
体を例えば１，８００ｒｐｍで回転させ単一の周波数、
例えば５ＭＨｚの信号を記録した後３３ミリ秒経過した
後、及び６０秒経過後にＣ／Ｎ値を測定した。いずれの
場合も５９ｄＢの良好なＣ／Ｎ値が得られた。また、３
２℃，８０％ＲＨ換算で従来の２倍の４０年の推定寿命
値が得られた。
【００２３】
【発明の効果】以上の実施例の説明から明らかなよう
に、本発明の光学記録担体は５〜３０ｎｍの厚さのＴｅ
Ｏｘ−Ｐｄ記録膜を基板上に形成後、境界近傍ではＴｅ
−Ｐｄ金属結晶膜から成っており境界近傍から離れるに
したがってＴｅＯｘ−Ｐｄ酸化膜に徐々に遷移する層を
設けている。基板上に安定なＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜が設
けられているので高温高湿下でも膜が酸化されにくく耐
候性が改善できディスクの推定寿命として従来の２倍の
寿命を得ることができるという効果が得られる。
に、本発明の光学記録担体は５〜３０ｎｍの厚さのＴｅ
Ｏｘ−Ｐｄ記録膜を基板上に形成後、境界近傍ではＴｅ
−Ｐｄ金属結晶膜から成っており境界近傍から離れるに
したがってＴｅＯｘ−Ｐｄ酸化膜に徐々に遷移する層を
設けている。基板上に安定なＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜が設
けられているので高温高湿下でも膜が酸化されにくく耐
候性が改善できディスクの推定寿命として従来の２倍の
寿命を得ることができるという効果が得られる。
【００２４】また、基板にＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜を形成
後グロ−放電を継続しつつＯ2 ガスを停止しＴｅ−Ｐｄ
金属結晶膜を形成しながら再度Ｏ2 ガスを徐々に導入
し、その流量を徐々に増すことにより酸化膜に遷移せし
め遷移後は一定流量のＯ2 ガスを流す方法をとるので連
続してグロ−放電が持続しＴｅ−Ｐｄ金属結晶膜表面層
へのＨ2 Ｏ，Ｎ2 吸着を防ぐことができ、良好なＣ／Ｎ
比を得ることができるという効果が得られる。
後グロ−放電を継続しつつＯ2 ガスを停止しＴｅ−Ｐｄ
金属結晶膜を形成しながら再度Ｏ2 ガスを徐々に導入
し、その流量を徐々に増すことにより酸化膜に遷移せし
め遷移後は一定流量のＯ2 ガスを流す方法をとるので連
続してグロ−放電が持続しＴｅ−Ｐｄ金属結晶膜表面層
へのＨ2 Ｏ，Ｎ2 吸着を防ぐことができ、良好なＣ／Ｎ
比を得ることができるという効果が得られる。
【図１】本発明の一実施例の光学記録担体の構成を示す
断面図。
断面図。
【図２】同製造工程を示す構成図。
【図３】従来の光学記録担体の断面図。
１１ ディスク基板 １２ａ ＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜 １２ｂ ＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜 １３ Ｔｅ−Ｐｄ金属結晶膜 １４ Ｔｅ−Ｐｄの酸化物に遷移する層 ２１ 真空槽 ２２ モ−タ ２３ タ−ゲット
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に形成され酸化テルル（ＴｅＯｘで
ｘは２を上限とする）を主成分とし、パラジウム（Ｐ
ｄ）が２ａｔ％以上５ａｔ％未満添加され５〜３０ｎｍ
の厚さをもつ酸化テルル−パラジウム（ＴｅＯｘ−Ｐ
ｄ）記録膜と、前記ＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜上に境界近傍
ではテルルパラジウム（Ｔｅ−Ｐｄ）金属結晶膜から成
っており境界近傍から離れるにしたがってＴｅＯｘ−Ｐ
ｄ記録膜に徐々に遷移するＴｅ系相変化記録膜を備えた
光学記録担体。 - 【請求項２】基板上にＴｅ系相変化記録膜を形成して成
る光学記録担体を製造する際に真空槽内でグロ−放電を
発生させ、同時に酸素（Ｏ2 ）ガスを前記真空槽に導入
させて基板にＴｅＯｘ−Ｐｄ記録膜を形成後、グロ−放
電を継続しつつＯ2 ガスを停止しＴｅ−Ｐｄ金属をスパ
ッタ蒸発させてＴｅ−Ｐｄ金属結晶膜を付着させつつ再
度Ｏ2 ガスを徐々に導入し、その流量を徐々に増すこと
により前記金属膜を酸化膜に遷移せしめ、遷移後はＯ2
ガスの流量を一定に保ちながらＴｅ系相変化記録膜を形
成することを特徴とする光学記録担体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4296853A JPH06150366A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 光学記録担体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4296853A JPH06150366A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 光学記録担体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06150366A true JPH06150366A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17839014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4296853A Pending JPH06150366A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 光学記録担体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06150366A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0860295A4 (en) * | 1996-09-09 | 1998-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Optical information recording medium, its manufacturing method, optical information recording/reproducing method and optical information recorder/reproducer |
| EP0899725A1 (en) * | 1997-08-28 | 1999-03-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and its recording and reproducing methods |
-
1992
- 1992-11-06 JP JP4296853A patent/JPH06150366A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0860295A4 (en) * | 1996-09-09 | 1998-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Optical information recording medium, its manufacturing method, optical information recording/reproducing method and optical information recorder/reproducer |
| US6229785B1 (en) | 1996-09-09 | 2001-05-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, its manufacturing method, optical information recording/reproducing method and optical information recorder/reproducer |
| EP0899725A1 (en) * | 1997-08-28 | 1999-03-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and its recording and reproducing methods |
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