JPH0845126A - 成膜方法 - Google Patents
成膜方法Info
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- JPH0845126A JPH0845126A JP20273894A JP20273894A JPH0845126A JP H0845126 A JPH0845126 A JP H0845126A JP 20273894 A JP20273894 A JP 20273894A JP 20273894 A JP20273894 A JP 20273894A JP H0845126 A JPH0845126 A JP H0845126A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 下地誘電体層を有する磁気記録媒体をスパッ
タリング法により成膜する方法において、成膜時間を短
縮して製造コストを低減すること。 【構成】 チャンバー１内にターンテーブル２の下面側
に設けた基板とターゲット４，５，６を対向させて配置
し、チャンバー１とターゲット４（５，６）の間に高周
波電界を印加するスパッタリング法により、基板表面に
下地誘電体層を成膜した後、該下地誘電体層の上に記録
磁性層を成膜する成膜方法に於いて、下地誘電体層の成
膜時に、基板とチャンバー１の間に高周波電界を印加す
るエッチング処理を施すことを特徴とする成膜方法。
タリング法により成膜する方法において、成膜時間を短
縮して製造コストを低減すること。 【構成】 チャンバー１内にターンテーブル２の下面側
に設けた基板とターゲット４，５，６を対向させて配置
し、チャンバー１とターゲット４（５，６）の間に高周
波電界を印加するスパッタリング法により、基板表面に
下地誘電体層を成膜した後、該下地誘電体層の上に記録
磁性層を成膜する成膜方法に於いて、下地誘電体層の成
膜時に、基板とチャンバー１の間に高周波電界を印加す
るエッチング処理を施すことを特徴とする成膜方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング法によ
り、基板上に下地誘電体層を成膜し、その上に記録磁性
層を成膜する方法に関するものである。
り、基板上に下地誘電体層を成膜し、その上に記録磁性
層を成膜する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光を用いて記録・再生を行う光磁
気記録方式は、磁気ヘッドを用いた磁気記録方式と比較
して記録密度が高く、また、記録・再生時に於いてヘッ
ドと記録媒体とが非接触であるために信頼性が高いとい
うメリットを有している。このため、盛んに研究された
結果、現在では実用化レベルに達している。
気記録方式は、磁気ヘッドを用いた磁気記録方式と比較
して記録密度が高く、また、記録・再生時に於いてヘッ
ドと記録媒体とが非接触であるために信頼性が高いとい
うメリットを有している。このため、盛んに研究された
結果、現在では実用化レベルに達している。
【０００３】現在使用されている光磁気記録用レーザ光
の波長は、７８０ｎｍの赤外光が主流である。また、記
録磁性層としては、赤外光波長付近での磁気光学効果
（カー効果）の大きいＴｂＦｅＣｏ膜に代表される希土
類−遷移金属合金が多く用いられている。将来的な高密
度化の要求に対しては、レーザ光源が短波長になるほど
光束を絞り込むことができ、したがって、より微小なピ
ットの書き込みが可能となるため、室温で安定して発振
する短波長の高出力青色レーザ光源の研究が盛んに行わ
れている。また、上述の希土類−遷移金属合金系の材料
では、レーザ光が短波長になると磁気光学効果が低下し
てしまうため、青〜緑色の短波長領域で磁気光学効果が
大きいＰｔ／Ｃｏ積層膜が、将来的な高密度光磁気記録
用の記録磁性層として研究されている。
の波長は、７８０ｎｍの赤外光が主流である。また、記
録磁性層としては、赤外光波長付近での磁気光学効果
（カー効果）の大きいＴｂＦｅＣｏ膜に代表される希土
類−遷移金属合金が多く用いられている。将来的な高密
度化の要求に対しては、レーザ光源が短波長になるほど
光束を絞り込むことができ、したがって、より微小なピ
ットの書き込みが可能となるため、室温で安定して発振
する短波長の高出力青色レーザ光源の研究が盛んに行わ
れている。また、上述の希土類−遷移金属合金系の材料
では、レーザ光が短波長になると磁気光学効果が低下し
てしまうため、青〜緑色の短波長領域で磁気光学効果が
大きいＰｔ／Ｃｏ積層膜が、将来的な高密度光磁気記録
用の記録磁性層として研究されている。
【０００４】希土類系の記録磁性層や、Ｐｔ／Ｃｏ積層
膜の記録磁性層では、いずれの場合も、基板と記録磁性
層の間に下地誘電体層を設けて、キャリアレベルを向上
させたり、光の干渉効果を利用して或る特定波長での磁
気光学効果を増大させたりしている。従来、この下地誘
電体層の成膜後であって記録磁性層の成膜前に、下地誘
電体層表面を逆スパッタして、表面を平滑化している。
これを、エッチング処理という。特に、Ｐｔ／Ｃｏ積層
膜では、エッチング処理を施した場合と、施さない場合
とで、垂直磁気異方性や、磁化特性に、大きな変化が生
じている。例えば、光磁気記録媒体では、膜面垂直方向
が磁化容易軸となる垂直磁化膜になっていることが要求
されるのであるが、エッチング処理を施さなかった場合
には完全な垂直磁化膜にならなかったものでも、エッチ
ング処理を施すことで１００％の角形比を持つ完全な垂
直磁化膜となることが判っている。
膜の記録磁性層では、いずれの場合も、基板と記録磁性
層の間に下地誘電体層を設けて、キャリアレベルを向上
させたり、光の干渉効果を利用して或る特定波長での磁
気光学効果を増大させたりしている。従来、この下地誘
電体層の成膜後であって記録磁性層の成膜前に、下地誘
電体層表面を逆スパッタして、表面を平滑化している。
これを、エッチング処理という。特に、Ｐｔ／Ｃｏ積層
膜では、エッチング処理を施した場合と、施さない場合
とで、垂直磁気異方性や、磁化特性に、大きな変化が生
じている。例えば、光磁気記録媒体では、膜面垂直方向
が磁化容易軸となる垂直磁化膜になっていることが要求
されるのであるが、エッチング処理を施さなかった場合
には完全な垂直磁化膜にならなかったものでも、エッチ
ング処理を施すことで１００％の角形比を持つ完全な垂
直磁化膜となることが判っている。
【０００５】スパッタリング法による従来の成膜方法を
図２に基づいて説明する。図２において、１はＲＦマグ
ネトロンスパッタ装置のチャンバー、２は不図示の基板
を下面側に取り付けるターンテーブル、３はターンテー
ブル２を回転させる回転軸、４は下地誘電体層用のＳｉ
Ｎターゲット、５はＣｏターゲット、６はＰｔターゲッ
ト、７は放電プラズマである。まず、ターンテーブル２
を回転させながら、図２の（ａ）の如くＳｉＮターゲッ
ト４とチャンバー１の間に高周波電界を印加してＳｉＮ
ターゲット４をプラズマ放電させてターンテーブル２の
下面側の基板表面にＳｉＮ層（下地誘電体層）を成膜
し、次に、図２の（ｂ）の如くチャンバー１とターンテ
ーブル（＝基板）２との間に高周波電界を印加してター
ンテーブル２の付近でプラズマ放電を行って上記ＳｉＮ
層にエッチング処理を施し、その後、図２の（ｃ）の如
くＰｔターゲット６とチャンバー１及びＣｏターゲット
５とチャンバー１の間に高周波電界を印加してＰｔター
ゲット６とＣｏターゲット５をプラズマ放電させて上記
ＳｉＮ層の上に交互にＰｔ層とＣｏ層を積層する。この
ようにして、下地誘電体層と記録磁性層が成膜される。
図２に基づいて説明する。図２において、１はＲＦマグ
ネトロンスパッタ装置のチャンバー、２は不図示の基板
を下面側に取り付けるターンテーブル、３はターンテー
ブル２を回転させる回転軸、４は下地誘電体層用のＳｉ
Ｎターゲット、５はＣｏターゲット、６はＰｔターゲッ
ト、７は放電プラズマである。まず、ターンテーブル２
を回転させながら、図２の（ａ）の如くＳｉＮターゲッ
ト４とチャンバー１の間に高周波電界を印加してＳｉＮ
ターゲット４をプラズマ放電させてターンテーブル２の
下面側の基板表面にＳｉＮ層（下地誘電体層）を成膜
し、次に、図２の（ｂ）の如くチャンバー１とターンテ
ーブル（＝基板）２との間に高周波電界を印加してター
ンテーブル２の付近でプラズマ放電を行って上記ＳｉＮ
層にエッチング処理を施し、その後、図２の（ｃ）の如
くＰｔターゲット６とチャンバー１及びＣｏターゲット
５とチャンバー１の間に高周波電界を印加してＰｔター
ゲット６とＣｏターゲット５をプラズマ放電させて上記
ＳｉＮ層の上に交互にＰｔ層とＣｏ層を積層する。この
ようにして、下地誘電体層と記録磁性層が成膜される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来の成膜方法
では、下地誘電体層の成膜工程と記録磁性層の成膜工程
との間に、エッチング処理のための時間が必要であるた
め、成膜時間が長時間化し、コストダウンの障害になっ
ていた。本発明は、スパッタリング法による磁気記録媒
体の成膜方法において、成膜時間を短縮して製造コスト
を低減することを目的とする。
では、下地誘電体層の成膜工程と記録磁性層の成膜工程
との間に、エッチング処理のための時間が必要であるた
め、成膜時間が長時間化し、コストダウンの障害になっ
ていた。本発明は、スパッタリング法による磁気記録媒
体の成膜方法において、成膜時間を短縮して製造コスト
を低減することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、スパッタリン
グ法により基板表面に下地誘電体層を成膜した後、該下
地誘電体層の上に記録磁性層を成膜する成膜方法に於い
て、前記下地誘電体層の成膜時にエッチング処理を施す
ことを特徴とする成膜方法である。また、本発明は、チ
ャンバー内に基板とターゲットを対向させて配置し、前
記チャンバーと前記ターゲットの間に高周波電界を印加
するスパッタリング法により、前記基板表面に下地誘電
体層を成膜した後、該下地誘電体層の上に記録磁性層を
成膜する成膜方法に於いて、前記下地誘電体層の成膜時
に、前記ターンテーブルと前記チャンバーの間に高周波
電界を印加することにより前記下地誘電体層にエッチン
グ処理を施すことを特徴とする成膜方法である。上記エ
ッチング処理を、前記下地誘電体層の成膜開始後、所定
時間経過後に開始するようにしてもよい。また、上記基
板と上記チャンバーの間に印加する高周波電界を、所定
の周期でオン／オフさせるようにしてもよい。
グ法により基板表面に下地誘電体層を成膜した後、該下
地誘電体層の上に記録磁性層を成膜する成膜方法に於い
て、前記下地誘電体層の成膜時にエッチング処理を施す
ことを特徴とする成膜方法である。また、本発明は、チ
ャンバー内に基板とターゲットを対向させて配置し、前
記チャンバーと前記ターゲットの間に高周波電界を印加
するスパッタリング法により、前記基板表面に下地誘電
体層を成膜した後、該下地誘電体層の上に記録磁性層を
成膜する成膜方法に於いて、前記下地誘電体層の成膜時
に、前記ターンテーブルと前記チャンバーの間に高周波
電界を印加することにより前記下地誘電体層にエッチン
グ処理を施すことを特徴とする成膜方法である。上記エ
ッチング処理を、前記下地誘電体層の成膜開始後、所定
時間経過後に開始するようにしてもよい。また、上記基
板と上記チャンバーの間に印加する高周波電界を、所定
の周期でオン／オフさせるようにしてもよい。
【０００８】
【作用】チャンバーと誘電体ターゲットの間に高周波電
界を印加するスパッタリング法により基板上に下地誘電
体層が成膜され、同時に、ターンテーブル（＝基板）と
チャンバーの間に高周波電界を印加するエッチング処理
が成膜中の下地誘電体層に施される。その後、チャンバ
ーと記録磁性体ターゲットの間に高周波電界を印加する
スパッタリング法により下地誘電体層の上に記録磁性層
が成膜される。
界を印加するスパッタリング法により基板上に下地誘電
体層が成膜され、同時に、ターンテーブル（＝基板）と
チャンバーの間に高周波電界を印加するエッチング処理
が成膜中の下地誘電体層に施される。その後、チャンバ
ーと記録磁性体ターゲットの間に高周波電界を印加する
スパッタリング法により下地誘電体層の上に記録磁性層
が成膜される。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を説明する。図１は
実施例の成膜方法を示す説明図、図３は実施例方法で成
膜された光磁気ディスクの断面構造を示す模式図、図４
は実施例の成膜方法を用いて作製した光磁気ディスクの
カーループを示す特性図、図５は従来の成膜方法を用い
て作製した光磁気ディスクのカーループを示す特性図で
ある。
実施例の成膜方法を示す説明図、図３は実施例方法で成
膜された光磁気ディスクの断面構造を示す模式図、図４
は実施例の成膜方法を用いて作製した光磁気ディスクの
カーループを示す特性図、図５は従来の成膜方法を用い
て作製した光磁気ディスクのカーループを示す特性図で
ある。
【００１０】図１において、１はＲＦ２極マグネトロン
スパッタ装置のチャンバー、２は基板を下面側に取り付
けるためのターンテーブル、３はターンテーブル２を回
転させる回転軸、４は下地誘電体層用のＳｉＮターゲッ
ト、５はＣｏターゲット、６はＰｔターゲット、７は放
電プラズマである。ここで、ＳｉＮターゲット４とＣｏ
ターゲット５とＰｔターゲット６は、直径５インチであ
る。また、チャンバー１の到達真空度は１×１０-6Ｔｏ
ｒｒ以下、成膜中のＡｒガス流量は５６ＳＣＣＭ、Ａｒ
圧は７．５ｍＴｏｒｒである。また、図３において、１
８は基板、１７は基板１８上に形成されたＳｉＮ層（下
地誘電体層）、１５はＰｔ層、１６はＣｏ層であり、Ｓ
ｉＮ層の膜厚は８００Å、Ｐｔ層１５とＣｏ層１６の各
膜厚は各々７Åと４Åである。
スパッタ装置のチャンバー、２は基板を下面側に取り付
けるためのターンテーブル、３はターンテーブル２を回
転させる回転軸、４は下地誘電体層用のＳｉＮターゲッ
ト、５はＣｏターゲット、６はＰｔターゲット、７は放
電プラズマである。ここで、ＳｉＮターゲット４とＣｏ
ターゲット５とＰｔターゲット６は、直径５インチであ
る。また、チャンバー１の到達真空度は１×１０-6Ｔｏ
ｒｒ以下、成膜中のＡｒガス流量は５６ＳＣＣＭ、Ａｒ
圧は７．５ｍＴｏｒｒである。また、図３において、１
８は基板、１７は基板１８上に形成されたＳｉＮ層（下
地誘電体層）、１５はＰｔ層、１６はＣｏ層であり、Ｓ
ｉＮ層の膜厚は８００Å、Ｐｔ層１５とＣｏ層１６の各
膜厚は各々７Åと４Åである。
【００１１】＊実施例試料の製造 次のようにして成膜処理とエッチング処理を行った。ま
ず、基板を取り付けたターンテーブル２を回転させなが
ら、図１の（ａ）の如くＳｉＮターゲット４とチャンバ
ー１の間に投入電力６００Ｗで高周波電界を２０分間印
加してＳｉＮターゲット４をプラズマ放電させてターン
テーブル２の下面側の基板表面にＳｉＮ層（下地誘電体
層）を成膜した。
ず、基板を取り付けたターンテーブル２を回転させなが
ら、図１の（ａ）の如くＳｉＮターゲット４とチャンバ
ー１の間に投入電力６００Ｗで高周波電界を２０分間印
加してＳｉＮターゲット４をプラズマ放電させてターン
テーブル２の下面側の基板表面にＳｉＮ層（下地誘電体
層）を成膜した。
【００１２】次に、基板を取り付けたターンテーブル２
を回転させながら、図１の（ｂ）の如くＳｉＮターゲッ
ト４とチャンバー１の間に投入電力６００Ｗで高周波電
界を１５分間印加してＳｉＮターゲット４をプラズマ放
電させてターンテーブル２の下面側の基板表面にＳｉＮ
層（下地誘電体層）を成膜しつつ、同時に、チャンバー
１とターンテーブル（＝基板）２との間に投入電力２０
０Ｗで高周波電界を１５分間印加してターンテーブル２
の付近でプラズマ放電を行って上記ＳｉＮ層にエッチン
グ処理を施した。
を回転させながら、図１の（ｂ）の如くＳｉＮターゲッ
ト４とチャンバー１の間に投入電力６００Ｗで高周波電
界を１５分間印加してＳｉＮターゲット４をプラズマ放
電させてターンテーブル２の下面側の基板表面にＳｉＮ
層（下地誘電体層）を成膜しつつ、同時に、チャンバー
１とターンテーブル（＝基板）２との間に投入電力２０
０Ｗで高周波電界を１５分間印加してターンテーブル２
の付近でプラズマ放電を行って上記ＳｉＮ層にエッチン
グ処理を施した。
【００１３】次に、基板を取り付けたターンテーブル２
を回転させながら、図１の（ｃ）の如くＰｔターゲット
６とチャンバー１及びＣｏターゲット５とチャンバー１
の間に投入電力１００Ｗで高周波電界を印加してＰｔタ
ーゲット６とＣｏターゲット５をプラズマ放電させて上
記ＳｉＮ層の上にＰｔ層とＣｏ層を交互に１５層積層し
て記録磁性層を成膜した。このようにして、図３の構造
の光磁気ディスクを得た。
を回転させながら、図１の（ｃ）の如くＰｔターゲット
６とチャンバー１及びＣｏターゲット５とチャンバー１
の間に投入電力１００Ｗで高周波電界を印加してＰｔタ
ーゲット６とＣｏターゲット５をプラズマ放電させて上
記ＳｉＮ層の上にＰｔ層とＣｏ層を交互に１５層積層し
て記録磁性層を成膜した。このようにして、図３の構造
の光磁気ディスクを得た。
【００１４】＊実施例試料と従来例試料の特性比較 上述の方法で製造した実施例試料と、従来の方法で製造
した従来例試料の特性を下記のように比較した。ここ
で、従来例試料とは、投入電力６００ＷでのＳｉＮ層
（下地誘電体層）の成膜のみを３５分間行った後、投入
電力２００Ｗでのエッチング処理のみを１５分間行うこ
とで製造した光磁気ディスクであり、記録磁性層の成膜
は上述の実施例試料と同じ方法で行った試料である。
した従来例試料の特性を下記のように比較した。ここ
で、従来例試料とは、投入電力６００ＷでのＳｉＮ層
（下地誘電体層）の成膜のみを３５分間行った後、投入
電力２００Ｗでのエッチング処理のみを１５分間行うこ
とで製造した光磁気ディスクであり、記録磁性層の成膜
は上述の実施例試料と同じ方法で行った試料である。
【００１５】図４は波長７８０ｎｍのレーザ光で測定し
た実施例試料のカーループ、図５は実施例試料と同じ条
件で測定した従来例試料のカーループである。カールー
プの大きさや、ループの保磁力、角形性等の特性は、光
磁気ディスクの記録・再生特性に大きく影響するもので
あるが、図４と図５の比較から明らかなように、両者の
カー回転角は０．８４ｄｅｇ、保磁力は１．２ｋＯｅ程
度であり、略同じ特性を示している。また角形性も良好
である。
た実施例試料のカーループ、図５は実施例試料と同じ条
件で測定した従来例試料のカーループである。カールー
プの大きさや、ループの保磁力、角形性等の特性は、光
磁気ディスクの記録・再生特性に大きく影響するもので
あるが、図４と図５の比較から明らかなように、両者の
カー回転角は０．８４ｄｅｇ、保磁力は１．２ｋＯｅ程
度であり、略同じ特性を示している。また角形性も良好
である。
【００１６】次に、実施例試料と従来例試料の各光磁気
ディスクについて、各々光変調記録方式での書き込みレ
ーザパワー対ＣＮＲ（carrier to noise ratio）特性を
測定した。光磁気ディスクの回転数を１８００ｒｐｍと
し、ディスク半径４０ｍｍの位置に波長８３０ｎｍのレ
ーザ光を用いてデューティ比５０％で１ＭＨｚの周波数
信号を記録した。記録ピット長は約３．７μｍである。
記録時の外部印加磁界は２００Ｏｅとし、レーザパワー
は２ｍＷから１０ｍＷまで２ｍＷ刻みで変化させた。こ
のように記録した信号を、レーザパワー１ｍＷで読み出
したところ、ＣＮＲは、実施例試料と従来例試料の各光
磁気ディスクとも、略同等の特性を示した。例えば、書
き込みレーザパワー６ｍＷのとき、実施例試料の光磁気
ディスクで５０．６ｄＢ、従来例試料の光磁気ディスク
で５０．４ｄＢであった。以上の結果から、実施例試料
の光磁気ディスクと従来例試料の光磁気ディスクは、同
等の特性を有していることが判る。
ディスクについて、各々光変調記録方式での書き込みレ
ーザパワー対ＣＮＲ（carrier to noise ratio）特性を
測定した。光磁気ディスクの回転数を１８００ｒｐｍと
し、ディスク半径４０ｍｍの位置に波長８３０ｎｍのレ
ーザ光を用いてデューティ比５０％で１ＭＨｚの周波数
信号を記録した。記録ピット長は約３．７μｍである。
記録時の外部印加磁界は２００Ｏｅとし、レーザパワー
は２ｍＷから１０ｍＷまで２ｍＷ刻みで変化させた。こ
のように記録した信号を、レーザパワー１ｍＷで読み出
したところ、ＣＮＲは、実施例試料と従来例試料の各光
磁気ディスクとも、略同等の特性を示した。例えば、書
き込みレーザパワー６ｍＷのとき、実施例試料の光磁気
ディスクで５０．６ｄＢ、従来例試料の光磁気ディスク
で５０．４ｄＢであった。以上の結果から、実施例試料
の光磁気ディスクと従来例試料の光磁気ディスクは、同
等の特性を有していることが判る。
【００１７】上記実施例では、下地誘電体層の３５分間
の成膜処理の中の最終部分の１５分間に、エッチング処
理を並行して行っているが、エッチング処理を同時に行
う時間は上記実施例に限定されない。また、並行して行
うエッチング処理及び／又は下地誘電体層の成膜処理を
周期的にオン／オフさせてもよい。また、例えば、ター
ンテーブルに複数の基板が取り付けられており、下地誘
電体層を成膜中である基板と、成膜中でない基板とが、
周期的（ターンテーブルの１回転ごと）に存在している
場合には、成膜中でない基板のみに周期的に繰り返して
エッチング処理を施すようにしてもよい。また、本発明
は、光磁気ディスクばかりでなく、スパッタリング法に
よる磁気記録媒体の成膜方法に適用可能である。
の成膜処理の中の最終部分の１５分間に、エッチング処
理を並行して行っているが、エッチング処理を同時に行
う時間は上記実施例に限定されない。また、並行して行
うエッチング処理及び／又は下地誘電体層の成膜処理を
周期的にオン／オフさせてもよい。また、例えば、ター
ンテーブルに複数の基板が取り付けられており、下地誘
電体層を成膜中である基板と、成膜中でない基板とが、
周期的（ターンテーブルの１回転ごと）に存在している
場合には、成膜中でない基板のみに周期的に繰り返して
エッチング処理を施すようにしてもよい。また、本発明
は、光磁気ディスクばかりでなく、スパッタリング法に
よる磁気記録媒体の成膜方法に適用可能である。
【００１８】
【発明の効果】本発明では、下地誘電体層のエッチング
処理が下地誘電体層の成膜と同時に並行して行われるた
め、成膜所要時間を短縮化でき、したがって、記録媒体
の製造コストを低減できる。また、このようにして成膜
した記録媒体の特性は、従来の方法で成膜した記録媒体
の特性と比較して、遜色が無い。
処理が下地誘電体層の成膜と同時に並行して行われるた
め、成膜所要時間を短縮化でき、したがって、記録媒体
の製造コストを低減できる。また、このようにして成膜
した記録媒体の特性は、従来の方法で成膜した記録媒体
の特性と比較して、遜色が無い。
【図１】実施例の成膜方法を示す説明図。
【図２】従来の成膜方法を示す説明図。
【図３】実施例方法で成膜された光磁気ディスクの断面
構造を示す模式図。
構造を示す模式図。
【図４】実施例方法を用いて作製した光磁気ディスクの
カーループを示す特性図。
カーループを示す特性図。
【図５】従来の方法を用いて作製した光磁気ディスクの
カーループを示す特性図。
カーループを示す特性図。
１ チャンバー ２ ターンテーブル ３ 回転軸 ４ ＳｉＮターゲット ５ Ｃｏターゲット ６ Ｐｔターゲット ７ 放電プラズマ
Claims (4)
- 【請求項１】 スパッタリング法により基板表面に下地
誘電体層を成膜した後、該下地誘電体層の上に記録磁性
層を成膜する成膜方法に於いて、 前記下地誘電体層の成膜時に該下地誘電体層にエッチン
グ処理を施すことを特徴とする成膜方法。 - 【請求項２】 チャンバー内に基板とターゲットを対向
させて配置し、前記チャンバーと前記ターゲットの間に
高周波電界を印加するスパッタリング法により、前記基
板表面に下地誘電体層を成膜した後、該下地誘電体層の
上に記録磁性層を成膜する成膜方法に於いて、 前記下地誘電体層の成膜時に、前記基板と前記チャンバ
ーの間に高周波電界を印加するエッチング処理を施すこ
とを特徴とする成膜方法。 - 【請求項３】 請求項２に於いて、 前記エッチング処理を、前記下地誘電体層の成膜開始
後、所定時間経過後に開始することを特徴とする成膜方
法。 - 【請求項４】 請求項２、又は、請求項３に於いて、 前記基板と前記チャンバーの間に印加する高周波電界
を、所定の周期でオン／オフさせることを特徴とする成
膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20273894A JPH0845126A (ja) | 1994-08-03 | 1994-08-03 | 成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20273894A JPH0845126A (ja) | 1994-08-03 | 1994-08-03 | 成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845126A true JPH0845126A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16462351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20273894A Pending JPH0845126A (ja) | 1994-08-03 | 1994-08-03 | 成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845126A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5875169A (en) * | 1997-06-12 | 1999-02-23 | Eastman Kodak Company | Magneto-optic data storage device having multiple data storage levels |
-
1994
- 1994-08-03 JP JP20273894A patent/JPH0845126A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5875169A (en) * | 1997-06-12 | 1999-02-23 | Eastman Kodak Company | Magneto-optic data storage device having multiple data storage levels |
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