JPH0615426B2 - ＳｉＣ又はＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼基材とＭｏ又はＷ基材との接合体 - Google Patents
ＳｉＣ又はＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼基材とＭｏ又はＷ基材との接合体Info
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- JPH0615426B2 JPH0615426B2 JP19608485A JP19608485A JPH0615426B2 JP H0615426 B2 JPH0615426 B2 JP H0615426B2 JP 19608485 A JP19608485 A JP 19608485A JP 19608485 A JP19608485 A JP 19608485A JP H0615426 B2 JPH0615426 B2 JP H0615426B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、セラミツクスと金属、特にＳｉ又はSi3N４と
Ｍｏ又はＷの接合方法に関する。
Ｍｏ又はＷの接合方法に関する。
Ｍｏ又はＷ基材とSiC又はSi3N４基材とは、直接接合す
ることによつては勿論Ｃｕ＋Ｃｏ合金ろうを介しての接
合によつても高強度継手は得られない。これはSiC又はS
i3N４とＭｏ又はＷとの接合反応性、SiC又はSi3N４とＣ
ｕ＋Ｃｏ合金ろうとの接合反応性が不十分なためであ
る。
ることによつては勿論Ｃｕ＋Ｃｏ合金ろうを介しての接
合によつても高強度継手は得られない。これはSiC又はS
i3N４とＭｏ又はＷとの接合反応性、SiC又はSi3N４とＣ
ｕ＋Ｃｏ合金ろうとの接合反応性が不十分なためであ
る。
Ｍｏ又はＷとSiC又はSi3N４の継手は、SiC又はSi3N４の
すぐれた耐熱性に律則されて、高温で使用されることが
多い。且つ、その場合、酸化雰囲気のケースが多く、そ
うした環境下では、Ｍｏ又はＷは、激しい酸化を起こ
し、使用に耐えられない。従来法では、こういつた問題
点には一切考慮が払われておらず、高温酸化雰囲気下で
は、得られた継手が使用に耐え得ず、実用には達しない
のが現状である。
すぐれた耐熱性に律則されて、高温で使用されることが
多い。且つ、その場合、酸化雰囲気のケースが多く、そ
うした環境下では、Ｍｏ又はＷは、激しい酸化を起こ
し、使用に耐えられない。従来法では、こういつた問題
点には一切考慮が払われておらず、高温酸化雰囲気下で
は、得られた継手が使用に耐え得ず、実用には達しない
のが現状である。
本発明の目的は、Ｍｏ又はＷとSiC又はSi3N４を適正な
インサート材を用いることにより、強固に接合する方法
及び副次的にＭｏ，Ｗの耐酸化性を付与する方法を提供
するものである。
インサート材を用いることにより、強固に接合する方法
及び副次的にＭｏ，Ｗの耐酸化性を付与する方法を提供
するものである。
本発明の第１発明は、Ｍｏ又はＷ基材、該基材に被
着される、第１のＣｒ被覆層、該Ｃｒ被覆層に被着さ
れるＣｒ，Ｎｉ及びＣｕのうちの少くとも１種の第２の
金属被覆層、及び該第２の金属被覆層に接して固着さ
れるSiC又はSi3N４基材よりなることを特徴とするSiC又
はSi3N４基材とＭｏ又はＷ基材との接合体であり、第１
のＣｒ被覆層及び第２の金属被覆層がＭｏ又はＷ基材の
全表面に被覆され、かつ第２の金属被覆層の最外層がＣ
ｒ拡散メツキ層であることを好ましい実施態様とするも
のである。
着される、第１のＣｒ被覆層、該Ｃｒ被覆層に被着さ
れるＣｒ，Ｎｉ及びＣｕのうちの少くとも１種の第２の
金属被覆層、及び該第２の金属被覆層に接して固着さ
れるSiC又はSi3N４基材よりなることを特徴とするSiC又
はSi3N４基材とＭｏ又はＷ基材との接合体であり、第１
のＣｒ被覆層及び第２の金属被覆層がＭｏ又はＷ基材の
全表面に被覆され、かつ第２の金属被覆層の最外層がＣ
ｒ拡散メツキ層であることを好ましい実施態様とするも
のである。
又、本発明の第２発明は、Ｍｏ又はＷ基材、該基材
に被着される第１のＣｒ被覆層、該Ｃｒ被覆層に被着
されるＣｒ，Ｎｉ及びＣｕのうちの少くとも１種の第２
の金属被覆層、該第２の金属被覆層に被着されるＮｉ
ろう、Ｃｕろう及びＡｇろう材のうちの少くとも１種の
ろう材被覆層及び該ろう材被覆層に接して固着される
SiC又はSi3N４基材よりなるなることを特徴とするSiC又
はSi3N４基材とＭｏ又はＷ基材との接合体であり、第１
のＣｒ被覆層及び第２の金属被覆層がＭｏ又はＷ基材の
全評面に被覆され、かつ第２の金属被覆層の最外層がＣ
ｒ拡散メツキ層であることを好ましい実施態様とするも
のである。
に被着される第１のＣｒ被覆層、該Ｃｒ被覆層に被着
されるＣｒ，Ｎｉ及びＣｕのうちの少くとも１種の第２
の金属被覆層、該第２の金属被覆層に被着されるＮｉ
ろう、Ｃｕろう及びＡｇろう材のうちの少くとも１種の
ろう材被覆層及び該ろう材被覆層に接して固着される
SiC又はSi3N４基材よりなるなることを特徴とするSiC又
はSi3N４基材とＭｏ又はＷ基材との接合体であり、第１
のＣｒ被覆層及び第２の金属被覆層がＭｏ又はＷ基材の
全評面に被覆され、かつ第２の金属被覆層の最外層がＣ
ｒ拡散メツキ層であることを好ましい実施態様とするも
のである。
なお上記第１，第２発明において、第２の金属被覆層が
Ｃｒである場合には、第１のＣｒ被覆層と第２のＣｒ被
覆層を合せたＣｒ単層被覆層であつてもよい。
Ｃｒである場合には、第１のＣｒ被覆層と第２のＣｒ被
覆層を合せたＣｒ単層被覆層であつてもよい。
かかる本発明は、セラミツクスガスタービン静翼のセラ
ミツクスと金属の接合法等に適用できる。
ミツクスと金属の接合法等に適用できる。
第１発明 Ｍｏ又はＷとSiC又はSi3N４の接合において、Ｍｏ又は
Ｗ面に脆い金属間化合物を生成せず、互いに固落して強
固な冶金的接合の得られるＣｒを、そして接合性の極め
て悪いSiC又はSi3N４面にはSiC又はSi3N４中に存在する
遊離Ｓｉに着目して、このＳｉとすぐれた接合を成就す
るNi，CuおよびCrとのいずれか１つをインサート材とし
て配設して、真空中あるいはＡｒガス中などの非酸化性
雰囲気中で加熱、加圧して固相接合することで、高強度
の継手強度を得ることができる。なお、上記インサート
材を用いると、インサート材組合せで、ＣｒとＮｉ、Ｃ
ｒとＣｕ、及びCr-Crの接合組合せがでてくるが、これ
らは互いに固溶しあい、すぐれた冶金的接合ができる組
合せであり、良好な継手を得ることができる。
Ｗ面に脆い金属間化合物を生成せず、互いに固落して強
固な冶金的接合の得られるＣｒを、そして接合性の極め
て悪いSiC又はSi3N４面にはSiC又はSi3N４中に存在する
遊離Ｓｉに着目して、このＳｉとすぐれた接合を成就す
るNi，CuおよびCrとのいずれか１つをインサート材とし
て配設して、真空中あるいはＡｒガス中などの非酸化性
雰囲気中で加熱、加圧して固相接合することで、高強度
の継手強度を得ることができる。なお、上記インサート
材を用いると、インサート材組合せで、ＣｒとＮｉ、Ｃ
ｒとＣｕ、及びCr-Crの接合組合せがでてくるが、これ
らは互いに固溶しあい、すぐれた冶金的接合ができる組
合せであり、良好な継手を得ることができる。
第１発明の一実施態様を第１図によつて詳述する。
先ず、Ｍｏ又はＷ基材１にＣｒ被覆層３を配設する。
｛工程Ａ−(a)；Ｃｒ単層被覆層の場合）その方法は、
Ｃｒメツキ、Ｃｒ蒸着、Ｃｒ溶射等による。
｛工程Ａ−(a)；Ｃｒ単層被覆層の場合）その方法は、
Ｃｒメツキ、Ｃｒ蒸着、Ｃｒ溶射等による。
あるいは、更にＣｒ被覆層３の上に、Ｎｉ被覆層４また
はＣｕ被覆層５を配設する。（工程Ａの(b)）その方法
は、ＮｉまたはＣｕメツキ、NiまたはＣｕ蒸着、Ｎｉま
たはＣｕ溶射、ＮｉまたはＣｕ箔の配設等による。
はＣｕ被覆層５を配設する。（工程Ａの(b)）その方法
は、ＮｉまたはＣｕメツキ、NiまたはＣｕ蒸着、Ｎｉま
たはＣｕ溶射、ＮｉまたはＣｕ箔の配設等による。
Ｍｏ又はＷ基材１上に上記インサート材を配設した後、
これにSiC又はSi3N４基材２を重ね合せ、真空中あるい
はＡｒ中で、Ｍｏ又はＷ、SiC又はSi3N４およびインサ
ート材のいずれの融点よりも低い温度に加熱し、加圧し
て固相接合する。（工程Ｂ） 第２発明 Ｍｏ又はＷとSiC又はSi3N４の接合において、Ｍｏ又は
Ｗ面に脆い金属間化合物を生成せず、互いに固溶して強
固な冶金的接合の得られるＣｒ、及び使用するろう材
（Ｎｉろう、Ｃｕろう、Ａｇろう）とろう付性にすぐれ
るＮｉ又はＣｕをこのＣｒの上に積層して結合したあ
と、SiC又はSi3N４中に存在する遊離Ｓｉと良好なろう
付が行いうるＮｉろう、ＣｕろうまたはＡｇろうを用い
てSiC又はSi3N４とをろう付することで、高強度の継手
強度を得ることができる。
これにSiC又はSi3N４基材２を重ね合せ、真空中あるい
はＡｒ中で、Ｍｏ又はＷ、SiC又はSi3N４およびインサ
ート材のいずれの融点よりも低い温度に加熱し、加圧し
て固相接合する。（工程Ｂ） 第２発明 Ｍｏ又はＷとSiC又はSi3N４の接合において、Ｍｏ又は
Ｗ面に脆い金属間化合物を生成せず、互いに固溶して強
固な冶金的接合の得られるＣｒ、及び使用するろう材
（Ｎｉろう、Ｃｕろう、Ａｇろう）とろう付性にすぐれ
るＮｉ又はＣｕをこのＣｒの上に積層して結合したあ
と、SiC又はSi3N４中に存在する遊離Ｓｉと良好なろう
付が行いうるＮｉろう、ＣｕろうまたはＡｇろうを用い
てSiC又はSi3N４とをろう付することで、高強度の継手
強度を得ることができる。
なお、上記インサート材を用いると、インサート組合せ
でＣｒとＮｉ、ＣｒとＣｕ、Ｃｒと上記ろう材、Ｎｉと
上記ろう材、Ｃｕと上記ろう材の接合組合せがでてくる
が、これらは互いに固溶しあうか、脆い金属間化合物を
生成しないですぐれた冶金的接合ができる組合せであ
り、良好な継手を得ることができる。
でＣｒとＮｉ、ＣｒとＣｕ、Ｃｒと上記ろう材、Ｎｉと
上記ろう材、Ｃｕと上記ろう材の接合組合せがでてくる
が、これらは互いに固溶しあうか、脆い金属間化合物を
生成しないですぐれた冶金的接合ができる組合せであ
り、良好な継手を得ることができる。
第２発明の一実施態様を第２図によつて詳述する。
先ず、Ｍｏ又はＷ基材１にＣｒ被覆層３を配設する。
｛工程Ａ−(a)；Ｃｒ単層被覆層の場合｝その方法は、
Ｃｒメツキ、Ｃｒ蒸着、Ｃｒ溶射等による。
｛工程Ａ−(a)；Ｃｒ単層被覆層の場合｝その方法は、
Ｃｒメツキ、Ｃｒ蒸着、Ｃｒ溶射等による。
あるいは、更にＣｒ被覆層３の上に、Ｎｉ被覆層４また
はＣｕ被覆層５を配設する。（工程Ａの(b)）その方法
は、ＮｉまたはＣｕメツキ、NiまたはＣｕ蒸着、Ｎｉま
たはＣｕ溶射、ＮｉまたはＣｕ箔の配設等による。
はＣｕ被覆層５を配設する。（工程Ａの(b)）その方法
は、ＮｉまたはＣｕメツキ、NiまたはＣｕ蒸着、Ｎｉま
たはＣｕ溶射、ＮｉまたはＣｕ箔の配設等による。
Ｍｏ又はＷ基材１上に上記インサート材を配設したもの
を、真空中あるいはＡｒ中で、Ｍｏ又はＷおよびインサ
ート材のいずれの融点よりも低い温度に加熱、加圧して
インサート材とＭｏ又はＷ基材１を固相接合する。
を、真空中あるいはＡｒ中で、Ｍｏ又はＷおよびインサ
ート材のいずれの融点よりも低い温度に加熱、加圧して
インサート材とＭｏ又はＷ基材１を固相接合する。
次いで、上記インサート材が接合したＭｏ又はＷ基材と
SiC又はSi3N４基材２とをＮｉろう、Ｃｕろう又はＡｇ
ろう６を用いて、真空中あるいはＡｒ中でろう付する。
（工程Ｂ） 第１発明の好ましい態様 Ｍｏ又はＷとSiC又はSi3N４の接合において、Ｍｏ又は
Ｗと接合面を含む全表面に、前述したＭｏ又はＷと良好
な冶金的接合の得られるＣｒをコーテイングしたあと、
その上にＣｒと固溶し合つてすぐれた接合性を示すＮｉ
を全面コーテイングし、次いで、Ｎｉコーテイング層全
面にＣｒ拡散メツキ処理したあと、SiC又はSi3N４とを
真空中あるいはＡｒ中で加熱、加圧して固相接合するこ
とで、高強度の継手強度を得ることができる。
SiC又はSi3N４基材２とをＮｉろう、Ｃｕろう又はＡｇ
ろう６を用いて、真空中あるいはＡｒ中でろう付する。
（工程Ｂ） 第１発明の好ましい態様 Ｍｏ又はＷとSiC又はSi3N４の接合において、Ｍｏ又は
Ｗと接合面を含む全表面に、前述したＭｏ又はＷと良好
な冶金的接合の得られるＣｒをコーテイングしたあと、
その上にＣｒと固溶し合つてすぐれた接合性を示すＮｉ
を全面コーテイングし、次いで、Ｎｉコーテイング層全
面にＣｒ拡散メツキ処理したあと、SiC又はSi3N４とを
真空中あるいはＡｒ中で加熱、加圧して固相接合するこ
とで、高強度の継手強度を得ることができる。
この方法の特徴は、Ｍｏ又はＷの最表面にNi・Cr合金層
（Ｎｉコーテイング層にＣｒ拡散メツキ処理することで
得られる）が生成し、耐酸化性はもちろん、各種の高温
耐食性にすぐれ、Ｍｏ又はＷとSiC又はSi3N４継手の適
用範囲を大きく拡大することにある。
（Ｎｉコーテイング層にＣｒ拡散メツキ処理することで
得られる）が生成し、耐酸化性はもちろん、各種の高温
耐食性にすぐれ、Ｍｏ又はＷとSiC又はSi3N４継手の適
用範囲を大きく拡大することにある。
上記方法の一実施態様を第３図によつて詳述する。
先ず、Ｍｏ又はＷ基材１の全表面にＣｒ被覆層３を配設
する。その方法は、Ｃｒメツキ、Ｃｒ蒸着、Ｃｒ溶射等
による。続いて、Ｃｒ被覆層３の全表面にＮｉ被覆層４
を配設する。その方法は、Ｎｉメツキ、Ｎｉ蒸着、Ｎｉ
溶射等による。次いで、Ｎｉ被覆層４の全表面にＣｒ拡
散メツキ７処理を行う。
する。その方法は、Ｃｒメツキ、Ｃｒ蒸着、Ｃｒ溶射等
による。続いて、Ｃｒ被覆層３の全表面にＮｉ被覆層４
を配設する。その方法は、Ｎｉメツキ、Ｎｉ蒸着、Ｎｉ
溶射等による。次いで、Ｎｉ被覆層４の全表面にＣｒ拡
散メツキ７処理を行う。
しかる後、上記処理を行つたＭｏ又はＷ基材１とSiC又
はSi3N４基材２とを重ね合せ、真空中あるいはＡｒ中
で、Ｍｏ又はＷ、SiC又はSi3N４およびインサート材の
いずれの融点よりも低い温度に加熱し、加圧して固相接
合する。
はSi3N４基材２とを重ね合せ、真空中あるいはＡｒ中
で、Ｍｏ又はＷ、SiC又はSi3N４およびインサート材の
いずれの融点よりも低い温度に加熱し、加圧して固相接
合する。
第２発明の好ましい態様 Ｍｏ又はＷとSiC又はSi3N４の接合において、Ｍｏ又は
Ｗと接合面を含む全表面に、上記第１発明の好ましい態
様で説明したコーテイング並びにＣｒ拡散メツキ処理し
た後、SiC又はSi3N４とを前記第２発明で説明したろう
付により、高強度の継手強度を得ることができる。
Ｗと接合面を含む全表面に、上記第１発明の好ましい態
様で説明したコーテイング並びにＣｒ拡散メツキ処理し
た後、SiC又はSi3N４とを前記第２発明で説明したろう
付により、高強度の継手強度を得ることができる。
この方法の特徴は、上記第１発明の好ましい態様で説明
したと同様に、Ｍｏ又はＷの最表面に、耐酸化性、各種
高温耐食性にすぐれたNi・Ｃｒ合金層が生成し、Ｍｏ又
はＷとSiC又はSi3N４継手の適用範囲を大きく拡大する
ことにある。
したと同様に、Ｍｏ又はＷの最表面に、耐酸化性、各種
高温耐食性にすぐれたNi・Ｃｒ合金層が生成し、Ｍｏ又
はＷとSiC又はSi3N４継手の適用範囲を大きく拡大する
ことにある。
上記方法の一実施態様を第４図によつて詳述する。
先ず、Ｍｏ又はＷ基材１の全表面に、Ｃｒ被覆層３を配
設する。その方法は、Ｃｒメツキ、Ｃｒ蒸着、Ｃｒ溶射
等による。続いて、Ｃｒ被覆層３の全表面にＮｉ被覆層
４を配設する。その方法は、Ｎｉメツキ、Ｎｉ蒸着、Ｎ
ｉ溶射等による。次いで、Ｎｉ被覆層４の全表面にＣｒ
拡散メツキ７処理を行う。
設する。その方法は、Ｃｒメツキ、Ｃｒ蒸着、Ｃｒ溶射
等による。続いて、Ｃｒ被覆層３の全表面にＮｉ被覆層
４を配設する。その方法は、Ｎｉメツキ、Ｎｉ蒸着、Ｎ
ｉ溶射等による。次いで、Ｎｉ被覆層４の全表面にＣｒ
拡散メツキ７処理を行う。
しかる後、上記処理を行つたＭｏ又はＷ基材１とSiC又
はSi3N４基材２とをNiろう、CuろうまたはＡｇろう６を
用いて、真空中あるいはＡｒ中でろう付する。
はSi3N４基材２とをNiろう、CuろうまたはＡｇろう６を
用いて、真空中あるいはＡｒ中でろう付する。
なお、上記第１及び第２発明の好ましい態様において、
Ｍｏ又はＷの接合面を含む全表面に、インサート材のＣ
ｒ、ＣｒとＮｉ、あるいはＣｒとＣｕをコーテイング
し、高強度継手を得ると共に、Ｍｏ又はＷより耐酸化性
にすぐれるこのコーテイング層の存在で、Ｍｏ又はＷと
SiC又はSi3N４継手の適用範囲を拡大することもでき
る。
Ｍｏ又はＷの接合面を含む全表面に、インサート材のＣ
ｒ、ＣｒとＮｉ、あるいはＣｒとＣｕをコーテイング
し、高強度継手を得ると共に、Ｍｏ又はＷより耐酸化性
にすぐれるこのコーテイング層の存在で、Ｍｏ又はＷと
SiC又はSi3N４継手の適用範囲を拡大することもでき
る。
(1) Ｍｏ又はＷとSiC又はSi3N４を適正なインサート材
を用いることで、強固に接合することができる。
を用いることで、強固に接合することができる。
(2) Ｍｏ又はＷとSiC又はSi3N４の継手は、SiC又はSi3
N４のすぐれた耐熱性に律則されて、高温で使用される
ことが多い。且つ、その場合、酸化雰囲気のケースが多
く、そうした環境下では、Ｍｏ又はＷは激しい酸化を起
こし、使用に耐えられない。これに対し、本発明の接合
用インサート材は、耐酸化性はもちろん、耐食性にもす
ぐれ、これをＭｏ又はＷの全表面にコーテイングするこ
とで、Ｍｏ又はＷとSiC又はSi3N４継手の適用範囲を拡
大することができる。
N４のすぐれた耐熱性に律則されて、高温で使用される
ことが多い。且つ、その場合、酸化雰囲気のケースが多
く、そうした環境下では、Ｍｏ又はＷは激しい酸化を起
こし、使用に耐えられない。これに対し、本発明の接合
用インサート材は、耐酸化性はもちろん、耐食性にもす
ぐれ、これをＭｏ又はＷの全表面にコーテイングするこ
とで、Ｍｏ又はＷとSiC又はSi3N４継手の適用範囲を拡
大することができる。
（実施例１） ５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）のＭｏ
板と５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）の
SiC板の接合において、Moの接合面にＣｒメツキ２０μ
を施こしたあと、SiCを重ね合せ、１０-4 Torr下で、１
１００℃×０．５kg／mm2×３０分の拡散溶接を行つ
た。その結果、SiCに割れ等の発生もなく、強固な接合
継手が得られた。
板と５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）の
SiC板の接合において、Moの接合面にＣｒメツキ２０μ
を施こしたあと、SiCを重ね合せ、１０-4 Torr下で、１
１００℃×０．５kg／mm2×３０分の拡散溶接を行つ
た。その結果、SiCに割れ等の発生もなく、強固な接合
継手が得られた。
（実施例２） ５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）のＭｏ
板と５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）の
SiC板の接合において、Moの接合面にＣｒ蒸着１０μを
行い、続いて、Ni溶射３０μを施したあと、SiCを重ね
合せ、Ar雰囲気中で、８５０℃×１００kg／mm2×１時
間の拡散溶接を行つた。その結果、SiCに割れ等の発生
もなく、強固な接合継手が得られた。
板と５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）の
SiC板の接合において、Moの接合面にＣｒ蒸着１０μを
行い、続いて、Ni溶射３０μを施したあと、SiCを重ね
合せ、Ar雰囲気中で、８５０℃×１００kg／mm2×１時
間の拡散溶接を行つた。その結果、SiCに割れ等の発生
もなく、強固な接合継手が得られた。
（実施例３） ５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）のＭｏ
板と５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）の
SiC板の接合において、Mo接合面にＣｒ溶射３０μを行
い、続いてＣｕメツキ４０μを施こしたあと、SiCを重
ね合せ、１０-4 Torr下で、１０５０℃×０．５kg／mm2
×３０分の拡散溶接を行つた。その結果、SiCに割れ等
の発生もなく、強固な接合継手が得られた。
板と５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）の
SiC板の接合において、Mo接合面にＣｒ溶射３０μを行
い、続いてＣｕメツキ４０μを施こしたあと、SiCを重
ね合せ、１０-4 Torr下で、１０５０℃×０．５kg／mm2
×３０分の拡散溶接を行つた。その結果、SiCに割れ等
の発生もなく、強固な接合継手が得られた。
（実施例４） ３mm（板厚）×２５mm（幅）×２５mm（長さ）のＷ板と
３mm（板厚）×２５mm（幅）×２５mm（長さ）のSiC板
の接合において、Ｗの接合面にＣｒメツキ３０μを行つ
たあと、Ｃｕ箔５０μを挿入してSiCを重ね合せ、１０
-4 Torr下で、１０５０℃×０．５kg／mm2×３０分の拡
散溶接を行つた。その結果、Si3N４に割れ等の発生もな
く、強固な接合継手が得られた。
３mm（板厚）×２５mm（幅）×２５mm（長さ）のSiC板
の接合において、Ｗの接合面にＣｒメツキ３０μを行つ
たあと、Ｃｕ箔５０μを挿入してSiCを重ね合せ、１０
-4 Torr下で、１０５０℃×０．５kg／mm2×３０分の拡
散溶接を行つた。その結果、Si3N４に割れ等の発生もな
く、強固な接合継手が得られた。
（実施例５） ５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）のＭｏ
板と５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）の
Si3N４板の接合において、Ｍｏの接合面にＣｒメツキ２
０μを施こしたあと、Si3N４を重ね合せ、１０-4 Torr
下で、１２００℃×０．５kg／mm2×３０分の拡散溶接
を行つた。その結果、Si3N４に割れ等の発生もなく、強
固な接合継手が得られた。
板と５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）の
Si3N４板の接合において、Ｍｏの接合面にＣｒメツキ２
０μを施こしたあと、Si3N４を重ね合せ、１０-4 Torr
下で、１２００℃×０．５kg／mm2×３０分の拡散溶接
を行つた。その結果、Si3N４に割れ等の発生もなく、強
固な接合継手が得られた。
（実施例６） ３mm（板厚）×２５mm（幅）×２５mm（長さ）のＷ板と
３mm（板厚）×２５mm（幅）×２５mm（長さ）のSi3W４
板の接合において、Ｗの接合面にＣｒメツキ２０μを行
い、続いてＮｉメツキ２０μを施こしたあと、Si3N４を
重ね合せ、１０-4 Torr下で、１２００℃×０．５kg／m
m2×１Ｈの拡散溶接を行つた。その結果、Si3N４に割れ
等の発生もなく、強固な接合継手が得られた。
３mm（板厚）×２５mm（幅）×２５mm（長さ）のSi3W４
板の接合において、Ｗの接合面にＣｒメツキ２０μを行
い、続いてＮｉメツキ２０μを施こしたあと、Si3N４を
重ね合せ、１０-4 Torr下で、１２００℃×０．５kg／m
m2×１Ｈの拡散溶接を行つた。その結果、Si3N４に割れ
等の発生もなく、強固な接合継手が得られた。
（実施例７） ５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）のＭｏ
板と５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）の
SiC板の接合において、Moの接合面にＣｒメツキ３０μ
を施こしたあと、１０-4 Torr下で、１０００℃×０．
０１kg／mm2×２時間の拡散溶接を行い、次いで、真空
中で、Ｎｉろう（BNi−２）を用いて、SiCと1050℃×１
０分でろう付を行つた。その結果、SiCに割れ等の発生
もなく、強固な接合継手が得られた。
板と５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）の
SiC板の接合において、Moの接合面にＣｒメツキ３０μ
を施こしたあと、１０-4 Torr下で、１０００℃×０．
０１kg／mm2×２時間の拡散溶接を行い、次いで、真空
中で、Ｎｉろう（BNi−２）を用いて、SiCと1050℃×１
０分でろう付を行つた。その結果、SiCに割れ等の発生
もなく、強固な接合継手が得られた。
（実施例８） ３mm（板厚）×２５mm（幅）×２５mm（長さ）のＷ板と
３mm（板厚）×２５mm（幅）×２５mm（長さ）のSiC板
の接合において、Ｗの接合面にＣｒメツキ３０μを施こ
したあと、５０μのＮｉ箔を１０-4 Torr下で、９００
℃×２kg/mm2×１時間の拡散溶接を行い、次いで、真空
中で、Ａｇろう（BAg−８）を用いて、SiCと８００℃×
１０分でろう付を行つた。その結果、SiCに割れ等の発
生もなく、強固な接合継手が得られた。
３mm（板厚）×２５mm（幅）×２５mm（長さ）のSiC板
の接合において、Ｗの接合面にＣｒメツキ３０μを施こ
したあと、５０μのＮｉ箔を１０-4 Torr下で、９００
℃×２kg/mm2×１時間の拡散溶接を行い、次いで、真空
中で、Ａｇろう（BAg−８）を用いて、SiCと８００℃×
１０分でろう付を行つた。その結果、SiCに割れ等の発
生もなく、強固な接合継手が得られた。
（実施例９） ５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）のＭｏ
板と５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）の
SiC板の接合において、Mo接合面にＣｒ蒸着１０μを施
こしたあと、50μのＣｕ箔をＡｒ中で、９００℃×２kg
/mm2×１時間の拡散溶接を行い、次いで、Ａｒ中でCuろ
う（BCuP−３）を用いて、SiCと８００℃×１５分でろ
う付を行つた。その結果、SiCに割れ等の発生もなく、
強固な接合継手が得られた。
板と５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）の
SiC板の接合において、Mo接合面にＣｒ蒸着１０μを施
こしたあと、50μのＣｕ箔をＡｒ中で、９００℃×２kg
/mm2×１時間の拡散溶接を行い、次いで、Ａｒ中でCuろ
う（BCuP−３）を用いて、SiCと８００℃×１５分でろ
う付を行つた。その結果、SiCに割れ等の発生もなく、
強固な接合継手が得られた。
（実施例１０） ３mm（板厚）×２５mm（幅）×２５mm（長さ）のＷ板と
３mm（板厚）×２５mm（幅）×２５mm（長さ）のSi3N４
板の接合において、Ｗの接合面にＣｒメツキ２０μを施
こしたあと、１０-4 Torr下で、１０００℃×０．０１k
g/mm2×２時間の拡散溶接を行い、次いで、真空中で、
Ｎｉろう（BNi−２）を用いて、Si3N４と１１００℃×
１０美でろう付を行つた。その結果、Si3N４に割れ等の
発生もなく、強固な接合継手が得られた。
３mm（板厚）×２５mm（幅）×２５mm（長さ）のSi3N４
板の接合において、Ｗの接合面にＣｒメツキ２０μを施
こしたあと、１０-4 Torr下で、１０００℃×０．０１k
g/mm2×２時間の拡散溶接を行い、次いで、真空中で、
Ｎｉろう（BNi−２）を用いて、Si3N４と１１００℃×
１０美でろう付を行つた。その結果、Si3N４に割れ等の
発生もなく、強固な接合継手が得られた。
（実施例１１） ５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）のＭｏ
板と５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）の
Si3N４板の接合において、Ｍｏの接合面にＣｒメツキ２
０μを行い、続いて、Ｃｕメツキ２０μｍを施こしたあ
と、１０-4 Torr下で、１０００℃×０．０１kg/mm2×
２時間の拡散溶接を行い、次いで、Ａｒ中で、Ｃｕろう
（BCuP−３）を用いて、Si3N４と１１００℃×１０分で
ろう付を行つた。その結果、SiCに割れ等の発生もな
く、強固な接合継手が得られた。
板と５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）の
Si3N４板の接合において、Ｍｏの接合面にＣｒメツキ２
０μを行い、続いて、Ｃｕメツキ２０μｍを施こしたあ
と、１０-4 Torr下で、１０００℃×０．０１kg/mm2×
２時間の拡散溶接を行い、次いで、Ａｒ中で、Ｃｕろう
（BCuP−３）を用いて、Si3N４と１１００℃×１０分で
ろう付を行つた。その結果、SiCに割れ等の発生もな
く、強固な接合継手が得られた。
（実施例１２） ５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）のＭｏ
板と５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）の
SiC板の接合において、Mo板の全表面にＣｒメツキ２０
μを行つたあと、その上にＮｉメツキ５０μを全面に行
い、次いで、Ｎｉメツキ層全面にＣｒ拡散メツキ（金属
Ｃｒ＋Al2O3＋NH4Cl中で、１１００℃×５時間の拡散メ
ツキ処理）を行つたあと、SiCを重ね合せ、１０-4 Torr
下で、９００℃×２kg／mm2×１時間の拡散溶接を行つ
た。その結果、SiCに割れ等の発生もなく、強固な接合
継手が得られた。
板と５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）の
SiC板の接合において、Mo板の全表面にＣｒメツキ２０
μを行つたあと、その上にＮｉメツキ５０μを全面に行
い、次いで、Ｎｉメツキ層全面にＣｒ拡散メツキ（金属
Ｃｒ＋Al2O3＋NH4Cl中で、１１００℃×５時間の拡散メ
ツキ処理）を行つたあと、SiCを重ね合せ、１０-4 Torr
下で、９００℃×２kg／mm2×１時間の拡散溶接を行つ
た。その結果、SiCに割れ等の発生もなく、強固な接合
継手が得られた。
（実施例１３） ３mm（板厚）×２５mm（幅）×２５mm（長さ）のＷ板と
３mm（板厚）×２５mm（幅）×２５mm（長さ）のSi3N４
板の接合において、Ｗ板の全表面にＣｒメツキ２０μを
行つたあと、その上にＮｉ蒸着２０μを全面に行い、次
いで、Ｎｉ蒸着層全面にＣｒ拡散メツキ（金属Ｃｒ＋Al
2O3＋NH4Cl中で１１００℃×５時間の拡散メツキ処理）
を行つたあと、Si3N４を重ね合せ、１０-4 Torr下で、
１２００℃×０．５kg／mm2×１時間の拡散溶接を行つ
た。その結果、Si3N４に割れ等の発生もなく、強固な接
合継手が得られた。
３mm（板厚）×２５mm（幅）×２５mm（長さ）のSi3N４
板の接合において、Ｗ板の全表面にＣｒメツキ２０μを
行つたあと、その上にＮｉ蒸着２０μを全面に行い、次
いで、Ｎｉ蒸着層全面にＣｒ拡散メツキ（金属Ｃｒ＋Al
2O3＋NH4Cl中で１１００℃×５時間の拡散メツキ処理）
を行つたあと、Si3N４を重ね合せ、１０-4 Torr下で、
１２００℃×０．５kg／mm2×１時間の拡散溶接を行つ
た。その結果、Si3N４に割れ等の発生もなく、強固な接
合継手が得られた。
（実施例１４） ３mm（板厚）×２５mm（幅）×２５mm（長さ）のＷ板と
３mm（板厚）×２５mm（幅）×２５mm（長さ）のSiC板
の接合において、Ｗ板の全表面にＣｒメツキ２０μを行
つたあと、その上にＮｉメツキ５０μｍを全面に行い、
次いで、Ｎｉメツキ全面にＣｒ拡散メツキ（金属Ｃｒ＋
Al2O3＋NH4Cl中で、１１００℃×５時間の拡散メツキ処
理）を行つたあと、真空中で、Ｎｉろう（BNi−２）を
用いて、SiCと１０５０℃×１０分でろう付を行つた。
その結果、SiCに割れ等の発生もなく、強固な接合継手
が得られた。なお、Ａｇろう（BAg−８）を用いて、SiC
と８００℃×１０分、Ｃｕろう（BCuP−３）を用いて、
SiCと８００℃×１５分でろう付を行つた場合も、同様
の良好な接合結果が得られた。
３mm（板厚）×２５mm（幅）×２５mm（長さ）のSiC板
の接合において、Ｗ板の全表面にＣｒメツキ２０μを行
つたあと、その上にＮｉメツキ５０μｍを全面に行い、
次いで、Ｎｉメツキ全面にＣｒ拡散メツキ（金属Ｃｒ＋
Al2O3＋NH4Cl中で、１１００℃×５時間の拡散メツキ処
理）を行つたあと、真空中で、Ｎｉろう（BNi−２）を
用いて、SiCと１０５０℃×１０分でろう付を行つた。
その結果、SiCに割れ等の発生もなく、強固な接合継手
が得られた。なお、Ａｇろう（BAg−８）を用いて、SiC
と８００℃×１０分、Ｃｕろう（BCuP−３）を用いて、
SiCと８００℃×１５分でろう付を行つた場合も、同様
の良好な接合結果が得られた。
（実施例１５） ５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）のＭｏ
板と５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）の
Si3N４板の接合において、Ｍｏ板の全表面にＣｒメツキ
２０μを行つたあと、その上にＮｉ溶射５０μを全面に
行い、次いでＮｉ溶射面全面にＣｒ拡散メツキ（金属Ｃ
ｒ＋Al2O3＋NH4Cl中で、１１００℃×５時間の拡散メツ
キ処理）を行つたあと、真空中で、Ｎｉろう（BNi−
２）を用いて、Si3N４と１１００℃×１０分でろう付を
行つた。その結果、Si3N４に割れ等の発生もなく、強固
な接合継手が得られた。なお、Ｃｕろう（BCuP−３）を
用いて、Si3N４と１１００℃×１０分、Ａｇろう（BAg
−８）を用いて、Si3N４と８００℃×１０分でろう付を
行つた場合も、同様に良好な接合結果が得られた。
板と５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）の
Si3N４板の接合において、Ｍｏ板の全表面にＣｒメツキ
２０μを行つたあと、その上にＮｉ溶射５０μを全面に
行い、次いでＮｉ溶射面全面にＣｒ拡散メツキ（金属Ｃ
ｒ＋Al2O3＋NH4Cl中で、１１００℃×５時間の拡散メツ
キ処理）を行つたあと、真空中で、Ｎｉろう（BNi−
２）を用いて、Si3N４と１１００℃×１０分でろう付を
行つた。その結果、Si3N４に割れ等の発生もなく、強固
な接合継手が得られた。なお、Ｃｕろう（BCuP−３）を
用いて、Si3N４と１１００℃×１０分、Ａｇろう（BAg
−８）を用いて、Si3N４と８００℃×１０分でろう付を
行つた場合も、同様に良好な接合結果が得られた。
（実施例１６） ５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）のＭｏ
板と５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）の
SiC板の接合において、Mo板の全表面にＣｒメツキ２０
μを行つたあと、その上にＮｉ合金（Ｎｉ５０％＋Ｃｒ
５０％）溶射２００μを全面に行い、次いで、Ｎｉ合金
溶射面全面にＣｒ拡散メツキ（金属Ｃｒ＋Al2O3＋NH4Cl
中で１１００℃×５時間の拡散メツキ処理）を行つたあ
と、真空中で、Ｎｉろう（BNi−２）を用いて、SiCと１
１００℃×１０分でろう付を行つた。その結果、SiCに
割れ等の発生もなく、強固な接合継手が得られた。な
お、Ｃｕろう（BCuP−３）を用いて、SiCと１１００℃
×１０分、Ａｇろう（BAg−８）を用いて、SiCと８００
℃×１０分でろう付を行つた場合も、同様に良好な接合
結果が得られた。
板と５mm（板厚）×５０mm（幅）×１００mm（長さ）の
SiC板の接合において、Mo板の全表面にＣｒメツキ２０
μを行つたあと、その上にＮｉ合金（Ｎｉ５０％＋Ｃｒ
５０％）溶射２００μを全面に行い、次いで、Ｎｉ合金
溶射面全面にＣｒ拡散メツキ（金属Ｃｒ＋Al2O3＋NH4Cl
中で１１００℃×５時間の拡散メツキ処理）を行つたあ
と、真空中で、Ｎｉろう（BNi−２）を用いて、SiCと１
１００℃×１０分でろう付を行つた。その結果、SiCに
割れ等の発生もなく、強固な接合継手が得られた。な
お、Ｃｕろう（BCuP−３）を用いて、SiCと１１００℃
×１０分、Ａｇろう（BAg−８）を用いて、SiCと８００
℃×１０分でろう付を行つた場合も、同様に良好な接合
結果が得られた。
（実施例１７） ３mm（板厚）×２５mm（幅）×２５mm（長さ）のＭｏ板
と３mm（板厚）×２５mm（幅）×２５mm（長さ）のSiC
板の接合において、Ｍｏの全表面にＣｒメツキ２０μを
行い、続いて、Ｃｕ合金（Ｃｕ７０％＋Ｎｉ３０％）溶
射２００μを全面に行つたあと、SiCを重ね合せ、１０
-4 Torr下で、１０００℃×０．５kg／mm2×３０分の拡
散溶接を行つた。その結果、SiCに割れ等の発生もな
く、強固な接合継手が得られた。
と３mm（板厚）×２５mm（幅）×２５mm（長さ）のSiC
板の接合において、Ｍｏの全表面にＣｒメツキ２０μを
行い、続いて、Ｃｕ合金（Ｃｕ７０％＋Ｎｉ３０％）溶
射２００μを全面に行つたあと、SiCを重ね合せ、１０
-4 Torr下で、１０００℃×０．５kg／mm2×３０分の拡
散溶接を行つた。その結果、SiCに割れ等の発生もな
く、強固な接合継手が得られた。
第１図乃至第４図は、本発明によるＭｏ又はＷとSiC又
はSi3N4の接合方法の工程を示す説明図である。
はSi3N4の接合方法の工程を示す説明図である。
Claims (4)
- 【請求項１】Ｍｏ又はＷ基材、該基材に被着される
第１のＣｒ被覆層、該Ｃｒ被覆層に被着されるＣｒ，
Ｎｉ及びＣｕのうちの少くとも１種の第２の金属被覆
層、及び該第２の金属被覆層に接して固着されるSiC
又はSi3N４基材よりなることを特徴とするSiC又はSi3N
４基材とＭｏ又はＷ基材との接合体。 - 【請求項２】第１のＣｒ被覆層及び第２の金属被覆層が
Ｍｏ又はＷ基材の全表面に被覆され、かつ第２の金属被
覆層の最外層がＣｒ拡散メツキ層であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項の接合体。 - 【請求項３】Ｍｏ又はＷ基材、該基材に被着される
第１のＣｒ被覆層、該Ｃｒ被覆層に被着されるＣｒ，
Ｎｉ及びＣｕのうちの少くとも１種の第２の金属被覆
層、該第２の金属被覆層に被着されるＮｉろう、Ｃｕ
ろう及びＡｇろう材のうちの少くとも１種のろう材被覆
層及び該ろう材被覆層に接して固着されるSiC又はSi3
N４基材よりなることを特徴とするSiC又はSi3N４基材と
Ｍｏ又はＷ基材との接合体。 - 【請求項４】第１のＣｒ被覆層及び第２の金属被覆層が
Ｍｏ又はＷ基材の全表面に被覆され、かつ第２の金属被
覆層の最外層がＣｒ拡散メツキ層であることを特徴とす
る特許請求の範囲第３項の接合体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19608485A JPH0615426B2 (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | ＳｉＣ又はＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼基材とＭｏ又はＷ基材との接合体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19608485A JPH0615426B2 (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | ＳｉＣ又はＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼基材とＭｏ又はＷ基材との接合体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6259577A JPS6259577A (ja) | 1987-03-16 |
| JPH0615426B2 true JPH0615426B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=16351938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19608485A Expired - Lifetime JPH0615426B2 (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | ＳｉＣ又はＳｉ▲下３▼Ｎ▲下４▼基材とＭｏ又はＷ基材との接合体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0615426B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100621479B1 (ko) | 2002-10-09 | 2006-09-13 | 히다치 겡키 가부시키 가이샤 | 건설 기계의 트랙 프레임 |
| EP1566326B1 (en) | 2002-11-28 | 2008-03-12 | Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. | Track frame for construction machine |
| JP4526852B2 (ja) | 2003-05-20 | 2010-08-18 | 株式会社小松製作所 | 建設機械 |
| JP4394503B2 (ja) | 2003-05-20 | 2010-01-06 | 株式会社小松製作所 | 建設機械 |
| JP4617096B2 (ja) | 2003-05-20 | 2011-01-19 | 株式会社小松製作所 | 建設機械 |
| JP2016141572A (ja) * | 2015-01-29 | 2016-08-08 | 京セラ株式会社 | セラミック体と金属体との接合体、およびセラミック体と金属体との接合方法 |
-
1985
- 1985-09-06 JP JP19608485A patent/JPH0615426B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6259577A (ja) | 1987-03-16 |
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