JPH0615634A - ウエハのスライシング方法 - Google Patents
ウエハのスライシング方法Info
- Publication number
- JPH0615634A JPH0615634A JP17573292A JP17573292A JPH0615634A JP H0615634 A JPH0615634 A JP H0615634A JP 17573292 A JP17573292 A JP 17573292A JP 17573292 A JP17573292 A JP 17573292A JP H0615634 A JPH0615634 A JP H0615634A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor material
- grindstone
- wafer
- face
- grinding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D1/00—Working stone or stone-like materials, e.g. brick, concrete or glass, not provided for elsewhere; Machines, devices, tools therefor
- B28D1/003—Multipurpose machines; Equipment therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
- B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
- B28D5/028—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with a ring blade having an inside cutting edge
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mining & Mineral Resources (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スライシング工程中にインゴット端面を凹面
状に加工する。 【構成】 砥石軸１６が、インゴット１４の中心軸線上
の一点２０を中心に揺動自在に構成される。インゴット
１４の端面は切断と同時に、又は切断後に揺動自在な砥
石１８により凹面に加工される。これにより切断された
ウエハの一面は凹面に形成され、後処理加工が容易とな
る。
状に加工する。 【構成】 砥石軸１６が、インゴット１４の中心軸線上
の一点２０を中心に揺動自在に構成される。インゴット
１４の端面は切断と同時に、又は切断後に揺動自在な砥
石１８により凹面に加工される。これにより切断された
ウエハの一面は凹面に形成され、後処理加工が容易とな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハのスライ
シング方法に係り、特にスライシングのウエハの後処理
に有利となる半導体ウエハのスライシング方法に関す
る。
シング方法に係り、特にスライシングのウエハの後処理
に有利となる半導体ウエハのスライシング方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハはエピタキシャル処理によ
り上方に凹面となる反り形状となる傾向がある。このよ
うな反り形状は後処理加工に不利である。また、特開平
2-139163号公報で紹介されているように、半導体ウエハ
のパターンが形成されない面は、真空吸着テーブルで吸
着される関係上、下側が凹面となる形状の方が有利であ
る。このような事情から特開平2-139163号公報ではウエ
ハ吸着テーブルの軸芯と砥石軸との軸芯を傾けて配置
し、この状態で砥石でウエハ吸着テーブルのウエハの表
面を凹面に形成するウエハの加工方法が提案されてい
る。
り上方に凹面となる反り形状となる傾向がある。このよ
うな反り形状は後処理加工に不利である。また、特開平
2-139163号公報で紹介されているように、半導体ウエハ
のパターンが形成されない面は、真空吸着テーブルで吸
着される関係上、下側が凹面となる形状の方が有利であ
る。このような事情から特開平2-139163号公報ではウエ
ハ吸着テーブルの軸芯と砥石軸との軸芯を傾けて配置
し、この状態で砥石でウエハ吸着テーブルのウエハの表
面を凹面に形成するウエハの加工方法が提案されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記ウ
エハの加工方法は、いったんウエハに切断した後からの
加工方法であり、スライシング工程で半導体材料の端面
を凹面状に加工できれば便利である。本発明はこのよう
な事情に鑑みてなされたもので、スライシング工程で半
導体材料の端面を凹面状に加工する半導体ウエハのスラ
イシング方法を提案することを目的とする。
エハの加工方法は、いったんウエハに切断した後からの
加工方法であり、スライシング工程で半導体材料の端面
を凹面状に加工できれば便利である。本発明はこのよう
な事情に鑑みてなされたもので、スライシング工程で半
導体材料の端面を凹面状に加工する半導体ウエハのスラ
イシング方法を提案することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決する為の手段】本発明は、回転する中空ス
ピンドルに内周刃を取付け、前記中空スピンドル内に半
導体材料の端面を研削する砥石を取付けた砥石軸を配置
し、前記砥石による半導体材料の端面の研削位置を前記
内周刃による半導体材料の切込み位置より先行させた状
態で、研削する工程と切断する工程とを同時に行なうウ
エハのスライシング方法に於いて、前記砥石軸を半導体
材料の軸芯上の点を揺動支点として揺動自在に配置し、
この状態で研削して半導体材料の端面を凹面状に形成す
ることを特徴とする。
ピンドルに内周刃を取付け、前記中空スピンドル内に半
導体材料の端面を研削する砥石を取付けた砥石軸を配置
し、前記砥石による半導体材料の端面の研削位置を前記
内周刃による半導体材料の切込み位置より先行させた状
態で、研削する工程と切断する工程とを同時に行なうウ
エハのスライシング方法に於いて、前記砥石軸を半導体
材料の軸芯上の点を揺動支点として揺動自在に配置し、
この状態で研削して半導体材料の端面を凹面状に形成す
ることを特徴とする。
【０００５】また、本発明は、回転するスピンドルに内
周刃を取付け、前記スピンドルの外側に半導体材料の端
面を研削する砥石を取付けた砥石軸を配置し、前記砥石
で半導体材料の端面を研削する研削工程と、前記内周刃
によって半導体材料をウエハーに切断する工程と、の両
工程を交互に繰り返し行なうウエハのスライシング方法
に於いて、前記砥石軸を半導体材料の軸芯上の点を揺動
支点として揺動自在に配置し、この状態で研削して半導
体材料の端面を凹面状に形成することを特徴とする。
周刃を取付け、前記スピンドルの外側に半導体材料の端
面を研削する砥石を取付けた砥石軸を配置し、前記砥石
で半導体材料の端面を研削する研削工程と、前記内周刃
によって半導体材料をウエハーに切断する工程と、の両
工程を交互に繰り返し行なうウエハのスライシング方法
に於いて、前記砥石軸を半導体材料の軸芯上の点を揺動
支点として揺動自在に配置し、この状態で研削して半導
体材料の端面を凹面状に形成することを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明は中空スピンドル内に半導体材料の端面
を研削する砥石を取付けた砥石軸を配置し、砥石軸を半
導体材料の軸芯上の点を揺動支点として揺動自在に配置
し、前記砥石による半導体材料の端面の研削位置を前記
内周刃による半導体材料の切込み位置より先行させた状
態で研削する工程と切断する工程とを同時に行うので、
スライシング工程で半導体材料の端面を凹面状に形成で
きる。
を研削する砥石を取付けた砥石軸を配置し、砥石軸を半
導体材料の軸芯上の点を揺動支点として揺動自在に配置
し、前記砥石による半導体材料の端面の研削位置を前記
内周刃による半導体材料の切込み位置より先行させた状
態で研削する工程と切断する工程とを同時に行うので、
スライシング工程で半導体材料の端面を凹面状に形成で
きる。
【０００７】また、本発明はスピンドルの外側に半導体
材料の端面を研削する砥石を取付けた砥石軸を配置し、
前記砥石軸を半導体材料の軸芯上の点を揺動支点として
揺動自在に前記砥石で半導体材料の端面を研削する研削
工程と、前記内周刃によって半導体材料をウエハに切断
する工程と、の両工程を交互に繰り返し行うのでスライ
シング工程で半導体材料の端面を凹面状に形成できる。
材料の端面を研削する砥石を取付けた砥石軸を配置し、
前記砥石軸を半導体材料の軸芯上の点を揺動支点として
揺動自在に前記砥石で半導体材料の端面を研削する研削
工程と、前記内周刃によって半導体材料をウエハに切断
する工程と、の両工程を交互に繰り返し行うのでスライ
シング工程で半導体材料の端面を凹面状に形成できる。
【０００８】
【実施例】以下、添付図面に従って本発明に係る半導体
ウエハのスライシング方法の好ましい実施例を詳説す
る。図１に於いて中空スピンドル１０には内周刃ブレー
ド１２が張設され、この中空スピンドル１０は高速回転
される。半導体インゴット１４は図示しない保持機構、
送り機構により矢印Ａ方向に移動し、内周刃１２Ａによ
り薄片状のウエハーに切断される。
ウエハのスライシング方法の好ましい実施例を詳説す
る。図１に於いて中空スピンドル１０には内周刃ブレー
ド１２が張設され、この中空スピンドル１０は高速回転
される。半導体インゴット１４は図示しない保持機構、
送り機構により矢印Ａ方向に移動し、内周刃１２Ａによ
り薄片状のウエハーに切断される。
【０００９】スライシング機の同一機上の中空スピンド
ル１０内に砥石軸１６が回転自在に配置され、砥石軸１
６の先端に砥石１８が設けられて回転される。砥石軸１
６はインゴット１４の中心軸上に揺動支点２０を中心に
揺動自在に配置される。ウエハー切断時半導体インゴッ
ト１４の端面６に対して、端面研削用の回転する砥石１
８を当て、半導体インゴット１４を矢印Ａ方向に移動さ
せると、まず端面６が砥石１８によって研削され、次に
内周刃１２Ａが半導体インゴット１４に切り込んでウエ
ハーに切断する。この時、砥石１８は、研削位置がイン
ゴット１４の中心部に行くに従って点２０を中心に反時
計方向に揺動し、中心部を境に研削完了位置に行くに従
って点２０を中心に時計方向に揺動させて、研削開始状
態まで連続的になめらかに往復揺動運動を行い、インゴ
ット端面は凹面状に加工される。
ル１０内に砥石軸１６が回転自在に配置され、砥石軸１
６の先端に砥石１８が設けられて回転される。砥石軸１
６はインゴット１４の中心軸上に揺動支点２０を中心に
揺動自在に配置される。ウエハー切断時半導体インゴッ
ト１４の端面６に対して、端面研削用の回転する砥石１
８を当て、半導体インゴット１４を矢印Ａ方向に移動さ
せると、まず端面６が砥石１８によって研削され、次に
内周刃１２Ａが半導体インゴット１４に切り込んでウエ
ハーに切断する。この時、砥石１８は、研削位置がイン
ゴット１４の中心部に行くに従って点２０を中心に反時
計方向に揺動し、中心部を境に研削完了位置に行くに従
って点２０を中心に時計方向に揺動させて、研削開始状
態まで連続的になめらかに往復揺動運動を行い、インゴ
ット端面は凹面状に加工される。
【００１０】その際、切断されるウエハーに欠けや割れ
やひびが生じないように、砥石１８で研削されている部
分には内周刃１２Ａの切り込み先端が達しないように内
周刃１２Ａと砥石１８を配設する。即ち、砥石１８によ
る半導体インゴット端面の研削位置は、内周刃１２Ａに
よる半導体インゴットの切り込み位置より先行させ、内
周刃１２Ａにより半導体インゴットの切り込み位置は半
導体インゴット端面の研削位置より常に遅れてなされ
る。
やひびが生じないように、砥石１８で研削されている部
分には内周刃１２Ａの切り込み先端が達しないように内
周刃１２Ａと砥石１８を配設する。即ち、砥石１８によ
る半導体インゴット端面の研削位置は、内周刃１２Ａに
よる半導体インゴットの切り込み位置より先行させ、内
周刃１２Ａにより半導体インゴットの切り込み位置は半
導体インゴット端面の研削位置より常に遅れてなされ
る。
【００１１】端面研削が終了した所で砥石１８は下降
し、半導体インゴット１４も原位置に復帰して次の加工
サイクルに入る。この方式では、半導体インゴット１４
の端面研削と切断が並行して、ほぼ同時に行なえるの
で、ロス時間がなく、極めて能率的である。図２では本
発明に係る第２実施例が示されている。
し、半導体インゴット１４も原位置に復帰して次の加工
サイクルに入る。この方式では、半導体インゴット１４
の端面研削と切断が並行して、ほぼ同時に行なえるの
で、ロス時間がなく、極めて能率的である。図２では本
発明に係る第２実施例が示されている。
【００１２】図に於いて、スライシング機に於いて、内
周刃１２Ａのブレード１２は高速回転するスピンドル１
０に張設され、高速回転される。半導体インゴット１４
は図示しない保持機構、送り機構により、矢印Ａ方向に
移動して薄片状のウエハーに切断される。スライシング
の同一機上で、ブレード１２のスピンドル１０の外側に
近接して砥石軸１６を設け、砥石軸１６の先端に端面研
削用砥石１８を設ける。砥石軸１６は、図１の第１実施
例と同様に揺動支点２０を中心に揺動自在となってい
る。
周刃１２Ａのブレード１２は高速回転するスピンドル１
０に張設され、高速回転される。半導体インゴット１４
は図示しない保持機構、送り機構により、矢印Ａ方向に
移動して薄片状のウエハーに切断される。スライシング
の同一機上で、ブレード１２のスピンドル１０の外側に
近接して砥石軸１６を設け、砥石軸１６の先端に端面研
削用砥石１８を設ける。砥石軸１６は、図１の第１実施
例と同様に揺動支点２０を中心に揺動自在となってい
る。
【００１３】半導体インゴット１４の移動機構の移動ス
トロークを大きくして、切断加工の直前に、半導体イン
ゴット１を、図２の１点鎖線で示すように砥石１８の位
置に移動させて、端面研削を行なう。この際砥石１８は
図１の実施例と同様に、支点２０を中心に揺動し、イン
ゴット１４の端面を凹面状に加工する。次に半導体イン
ゴット１４を矢印Ｂ、Ｃ、Ｄと移動させて、ブレード１
２の中央開口部に送り込み、矢印Ａ方向の送りにより内
周刃１２Ａが切り込んでウエハー切断を行なう。
トロークを大きくして、切断加工の直前に、半導体イン
ゴット１を、図２の１点鎖線で示すように砥石１８の位
置に移動させて、端面研削を行なう。この際砥石１８は
図１の実施例と同様に、支点２０を中心に揺動し、イン
ゴット１４の端面を凹面状に加工する。次に半導体イン
ゴット１４を矢印Ｂ、Ｃ、Ｄと移動させて、ブレード１
２の中央開口部に送り込み、矢印Ａ方向の送りにより内
周刃１２Ａが切り込んでウエハー切断を行なう。
【００１４】前記実施例で半導体インゴット１４の端面
を凹面状に形成したが、砥石１８の逆の揺動運動により
凸面状に形成してもよい。
を凹面状に形成したが、砥石１８の逆の揺動運動により
凸面状に形成してもよい。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るウエハ
のスライシング方法によれば、ウエハのスライシング工
程でインゴットの端面を凹面形状、又は凸面形状に形成
するので、作業が効率的であると共に、ウエハの後処理
加工が容易である。
のスライシング方法によれば、ウエハのスライシング工
程でインゴットの端面を凹面形状、又は凸面形状に形成
するので、作業が効率的であると共に、ウエハの後処理
加工が容易である。
【図１】本発明の第１実施例を示す説明図
【図２】本発明の第２実施例を示す説明図
１０…中空スピンドル １２…ブレード １２Ａ…内周刃 １４…インゴット １６…砥石軸 １８…砥石 ２０…揺動支点
Claims (2)
- 【請求項１】 回転する中空スピンドルに内周刃を取付
け、 前記中空スピンドル内に半導体材料の端面を研削する砥
石を取付けた砥石軸を配置し、 前記砥石による半導体材料の端面の研削位置を前記内周
刃による半導体材料の切込み位置より先行させた状態
で、研削する工程と切断する工程とを同時に行なうウエ
ハのスライシング方法に於いて、 前記砥石軸を半導体材料の軸芯上の点を揺動支点として
揺動自在に配置し、 この状態で研削して半導体材料の端面を凹面状、又は凸
面状に形成するウエハのスライシング方法。 - 【請求項２】 回転するスピンドルに内周刃を取付け、 前記スピンドルの外側に半導体材料の端面を研削する砥
石を取付けた砥石軸を配置し、 前記砥石で半導体材料の端面を研削する研削工程と、前
記内周刃によって半導体材料をウエハーに切断する工程
と、の両工程を交互に繰り返し行なうウエハのスライシ
ング方法に於いて、 前記砥石軸を半導体材料の軸芯上の点を揺動支点として
揺動自在に配置し、 この状態で研削して半導体材料の端面を凹面状、又は凸
面状に形成することを特徴とするウエハのスライシング
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17573292A JPH0615634A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | ウエハのスライシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17573292A JPH0615634A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | ウエハのスライシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0615634A true JPH0615634A (ja) | 1994-01-25 |
Family
ID=16001275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17573292A Pending JPH0615634A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | ウエハのスライシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0615634A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0750972A1 (en) * | 1995-06-30 | 1997-01-02 | Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. | Ingot slicing machine with built-in grinder |
| WO2011042057A1 (de) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | Komax Holding Ag | Vorrichtung und verfahren zum entschichten von solarmodulen |
| CN103144199A (zh) * | 2013-03-18 | 2013-06-12 | 陈松军 | 玉石的加工工艺 |
-
1992
- 1992-07-02 JP JP17573292A patent/JPH0615634A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0750972A1 (en) * | 1995-06-30 | 1997-01-02 | Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. | Ingot slicing machine with built-in grinder |
| US5836808A (en) * | 1995-06-30 | 1998-11-17 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Slicing machine with built-in grinder |
| WO2011042057A1 (de) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | Komax Holding Ag | Vorrichtung und verfahren zum entschichten von solarmodulen |
| CN103144199A (zh) * | 2013-03-18 | 2013-06-12 | 陈松军 | 玉石的加工工艺 |
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