JPH06157450A - イソシアネ―ト系架橋剤と磁気記録媒体 - Google Patents
イソシアネ―ト系架橋剤と磁気記録媒体Info
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- JPH06157450A JPH06157450A JP4335497A JP33549792A JPH06157450A JP H06157450 A JPH06157450 A JP H06157450A JP 4335497 A JP4335497 A JP 4335497A JP 33549792 A JP33549792 A JP 33549792A JP H06157450 A JPH06157450 A JP H06157450A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 イソシアネ―ト系架橋剤、とくに磁気記録媒
体の磁性層用の架橋剤として、再生温度が低くてかつマ
スク剤に起因した安全性の問題や架橋生成物の物性低下
の問題のないブロツク化ポリイソシアネ―トを提供す
る。 【構成】 ブロツク化ポリイソシアネ―トのマスク剤と
して、下記の式（１）または（２）； ＨＯ−ＣＨ2 Ｃn Ｆ2n+1-mＨm …（１） （式中、ｎ，ｉ＝１〜７の整数、ｍ＝０〜２ｎ、ｊ＝０
〜２ｉである）で表されるフツ化アルコ―ルを使用す
る。
体の磁性層用の架橋剤として、再生温度が低くてかつマ
スク剤に起因した安全性の問題や架橋生成物の物性低下
の問題のないブロツク化ポリイソシアネ―トを提供す
る。 【構成】 ブロツク化ポリイソシアネ―トのマスク剤と
して、下記の式（１）または（２）； ＨＯ−ＣＨ2 Ｃn Ｆ2n+1-mＨm …（１） （式中、ｎ，ｉ＝１〜７の整数、ｍ＝０〜２ｎ、ｊ＝０
〜２ｉである）で表されるフツ化アルコ―ルを使用す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、イソシアネ―ト系架
橋剤と、これを用いた磁気デイスクや磁気テ―プなどの
磁気記録媒体に関するものである。
橋剤と、これを用いた磁気デイスクや磁気テ―プなどの
磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】１分子中にイソシアネ―ト基を２個以上
持つポリイソシアネ―ト化合物、たとえば、トリメチロ
―ルプロパンのトリレンジイソシアネ―ト３モル付加物
などは、活性水素を２個以上持つ高分子化合物の架橋剤
として、広く用いられている。しかし、このポリイソシ
アネ―ト化合物は、反応性があまりに高すぎるため、大
気中の水分または他の材料中に含まれている水分などと
反応して、失活してしまうなどの不便な点もある。
持つポリイソシアネ―ト化合物、たとえば、トリメチロ
―ルプロパンのトリレンジイソシアネ―ト３モル付加物
などは、活性水素を２個以上持つ高分子化合物の架橋剤
として、広く用いられている。しかし、このポリイソシ
アネ―ト化合物は、反応性があまりに高すぎるため、大
気中の水分または他の材料中に含まれている水分などと
反応して、失活してしまうなどの不便な点もある。
【０００３】そこで、反応性に富むイソシアネ―ト基を
種々のマスク剤で一時的にブロツク化したブロツク化ポ
リイソシアネ―ト、たとえば、前記したトリメチロ―ル
プロパンのトリレンジイソシアネ―ト３モル付加物にお
ける３個のイソシアネ―ト基を、マスク剤としてフエノ
―ルを用いて、ブロツク化したものなどを、前記の架橋
剤として使用する試みがある。
種々のマスク剤で一時的にブロツク化したブロツク化ポ
リイソシアネ―ト、たとえば、前記したトリメチロ―ル
プロパンのトリレンジイソシアネ―ト３モル付加物にお
ける３個のイソシアネ―ト基を、マスク剤としてフエノ
―ルを用いて、ブロツク化したものなどを、前記の架橋
剤として使用する試みがある。
【０００４】このブロツク化ポリイソシアネ―トは、使
用に際し、熱分解などによつてイソシアネ―ト基を再生
するものであるが、マスク剤として上記したフエノ―ル
を用いたものでは、フエノ―ルを脱離させてイソシアネ
―ト基を再生するのに、１７０℃以上の高温に加熱する
必要がある。このため、高温にさらすことができないよ
うな用途目的には、適さない。
用に際し、熱分解などによつてイソシアネ―ト基を再生
するものであるが、マスク剤として上記したフエノ―ル
を用いたものでは、フエノ―ルを脱離させてイソシアネ
―ト基を再生するのに、１７０℃以上の高温に加熱する
必要がある。このため、高温にさらすことができないよ
うな用途目的には、適さない。
【０００５】たとえば、磁気記録媒体では、非磁性支持
体上に磁性粉末と結合剤を含む磁性層を設ける際、結合
剤として活性水素を２個以上持つ高分子樹脂を用い、そ
の架橋剤としてイソシアネ―ト系架橋剤を用いて、耐溶
剤性や機械的強度の良好な磁性層を形成しているが、か
かる磁性層の形成工程では、非磁性支持体の劣化や磁気
特性の劣化を防ぐため、１００℃以下、より好ましくは
６０℃以下で行う必要がある。このため、前記したフエ
ノ―ルをマスク剤としたブロツク化ポリイソシアネ―ト
は、この種の用途目的には使用できない。
体上に磁性粉末と結合剤を含む磁性層を設ける際、結合
剤として活性水素を２個以上持つ高分子樹脂を用い、そ
の架橋剤としてイソシアネ―ト系架橋剤を用いて、耐溶
剤性や機械的強度の良好な磁性層を形成しているが、か
かる磁性層の形成工程では、非磁性支持体の劣化や磁気
特性の劣化を防ぐため、１００℃以下、より好ましくは
６０℃以下で行う必要がある。このため、前記したフエ
ノ―ルをマスク剤としたブロツク化ポリイソシアネ―ト
は、この種の用途目的には使用できない。
【０００６】イソシアネ―ト基を低温で再生できるマス
ク剤として、シアン化水素、酸性亜硫酸ナトリウムなど
を用いたブロツク化ポリイソシアネ―トも、知られてい
る。しかし、シアン化水素では毒性が高く、実用的でな
い。また、酸性亜硫酸ナトリウムでは、イソシアネ―ト
基を再生したのちも反応系に留まるため、架橋生成物の
物性に悪影響を与え、たとえば、磁性粉末と結合剤を含
む磁性層では、磁気特性や耐久性を劣化させる問題があ
る。
ク剤として、シアン化水素、酸性亜硫酸ナトリウムなど
を用いたブロツク化ポリイソシアネ―トも、知られてい
る。しかし、シアン化水素では毒性が高く、実用的でな
い。また、酸性亜硫酸ナトリウムでは、イソシアネ―ト
基を再生したのちも反応系に留まるため、架橋生成物の
物性に悪影響を与え、たとえば、磁性粉末と結合剤を含
む磁性層では、磁気特性や耐久性を劣化させる問題があ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来公知
のブロツク化ポリイソシアネ―トは、イソシアネ―ト基
の再生温度が高すぎるか、あるいは再生後にマスク剤に
起因した安全性の問題や架橋生成物の物性低下の問題が
あり、イソシアネ―ト系架橋剤として、とくに磁気記録
媒体用の架橋剤として、有効利用できなかつた。
のブロツク化ポリイソシアネ―トは、イソシアネ―ト基
の再生温度が高すぎるか、あるいは再生後にマスク剤に
起因した安全性の問題や架橋生成物の物性低下の問題が
あり、イソシアネ―ト系架橋剤として、とくに磁気記録
媒体用の架橋剤として、有効利用できなかつた。
【０００８】この発明は、上記従来の事情に鑑み、イソ
シアネ―ト系架橋剤として、再生温度が低くてかつマス
ク剤に起因した安全性の問題や架橋生成物の物性低下の
問題のないブロツク化ポリイソシアネ―トを提供するこ
と、またこれを用いた磁気記録媒体を提供することを目
的としている。
シアネ―ト系架橋剤として、再生温度が低くてかつマス
ク剤に起因した安全性の問題や架橋生成物の物性低下の
問題のないブロツク化ポリイソシアネ―トを提供するこ
と、またこれを用いた磁気記録媒体を提供することを目
的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明者らは、上記の
目的に対して、まず、ブロツク化ポリイソシアネ―トの
再生反応の機構について考察した。この機構の詳細は不
明であるが、一般には、つぎのような熱分解反応と考え
られている。
目的に対して、まず、ブロツク化ポリイソシアネ―トの
再生反応の機構について考察した。この機構の詳細は不
明であるが、一般には、つぎのような熱分解反応と考え
られている。
【００１０】
【００１１】ここで、再生温度を低下させるためには、
Ｃ−Ｘ結合の結合エネルギ―を小さくして、上記の反応
を起こりやすくするとともに、マスク剤ＨＸの沸点が低
く、反応を右方向に進みやすくすることが肝要である。
また、マスク剤ＨＸの沸点が低いことは、最終の架橋生
成物中にマスク剤が残留しなくなるという点からも、重
要なことである。
Ｃ−Ｘ結合の結合エネルギ―を小さくして、上記の反応
を起こりやすくするとともに、マスク剤ＨＸの沸点が低
く、反応を右方向に進みやすくすることが肝要である。
また、マスク剤ＨＸの沸点が低いことは、最終の架橋生
成物中にマスク剤が残留しなくなるという点からも、重
要なことである。
【００１２】このような観点から、各種のマスク剤につ
いて検討した結果、フツ化アルコ―ル類が適しているこ
とを見いだした。一般のアルコ―ル類は、フエノ―ル類
より沸点は低いものの、イソシアネ―ト基と結合した場
合のＣ−Ｏ結合エネルギ―が高く、再生温度は２００℃
以上である。しかし、フツ化アルコ―ルであれば、フツ
素原子が電子を吸引するため、Ｃ−Ｏ結合は弱くなる。
また、フツ化炭素鎖は分子間力が小さく、パ―フルオロ
化合物は一般に沸点が低い。このため、適当な鎖長のフ
ツ化アルコ―ルでブロツクしたポリイソシアネ―トは、
６０℃以下でイソシアネ―ト基を再生することができ
る。
いて検討した結果、フツ化アルコ―ル類が適しているこ
とを見いだした。一般のアルコ―ル類は、フエノ―ル類
より沸点は低いものの、イソシアネ―ト基と結合した場
合のＣ−Ｏ結合エネルギ―が高く、再生温度は２００℃
以上である。しかし、フツ化アルコ―ルであれば、フツ
素原子が電子を吸引するため、Ｃ−Ｏ結合は弱くなる。
また、フツ化炭素鎖は分子間力が小さく、パ―フルオロ
化合物は一般に沸点が低い。このため、適当な鎖長のフ
ツ化アルコ―ルでブロツクしたポリイソシアネ―トは、
６０℃以下でイソシアネ―ト基を再生することができ
る。
【００１３】このように、この発明者らは、マスク剤と
して特定鎖長のフツ化アルコ―ルを用いたブロツク化ポ
リイソシアネ―トが、フエノ―ルをマスク剤とした従来
のものに比べて、より低い温度でイソシアネ―ト基を再
生でき、かつ再生後に上記マスク剤が安全性の問題や架
橋生成物の物性低下の問題を引き起こすことがなく、と
くに磁気記録媒体用の架橋剤として用いると、磁気特性
や耐久性にすぐれる磁性層を形成できることを知り、こ
の発明を完成するに至つた。
して特定鎖長のフツ化アルコ―ルを用いたブロツク化ポ
リイソシアネ―トが、フエノ―ルをマスク剤とした従来
のものに比べて、より低い温度でイソシアネ―ト基を再
生でき、かつ再生後に上記マスク剤が安全性の問題や架
橋生成物の物性低下の問題を引き起こすことがなく、と
くに磁気記録媒体用の架橋剤として用いると、磁気特性
や耐久性にすぐれる磁性層を形成できることを知り、こ
の発明を完成するに至つた。
【００１４】すなわち、この発明の第１は、１分子中に
イソシアネ―ト基を２個以上持つポリイソシアネ―ト化
合物の上記イソシアネ―ト基がマスク剤にてブロツクさ
れたブロツク化ポリイソシアネ―トからなるイソシアネ
―ト系架橋剤において、上記のマスク剤が、下記の式
（１）または（２）； ＨＯ−ＣＨ2 Ｃn Ｆ2n+1-mＨm …（１） （式中、ｎ，ｉ＝１〜７の整数、ｍ＝０〜２ｎ、ｊ＝０
〜２ｉである）で表されるフツ化アルコ―ルからなるイ
ソシアネ―ト系架橋剤に係り、またこの発明の第２は、
非磁性支持体上に磁性粉末と結合剤を含む磁性層が設け
られてなる磁気記録媒体において、上記結合剤の架橋剤
として、上記第１の発明のイソシアネ―ト系架橋剤を用
いてなる磁気記録媒体に係るものである。
イソシアネ―ト基を２個以上持つポリイソシアネ―ト化
合物の上記イソシアネ―ト基がマスク剤にてブロツクさ
れたブロツク化ポリイソシアネ―トからなるイソシアネ
―ト系架橋剤において、上記のマスク剤が、下記の式
（１）または（２）； ＨＯ−ＣＨ2 Ｃn Ｆ2n+1-mＨm …（１） （式中、ｎ，ｉ＝１〜７の整数、ｍ＝０〜２ｎ、ｊ＝０
〜２ｉである）で表されるフツ化アルコ―ルからなるイ
ソシアネ―ト系架橋剤に係り、またこの発明の第２は、
非磁性支持体上に磁性粉末と結合剤を含む磁性層が設け
られてなる磁気記録媒体において、上記結合剤の架橋剤
として、上記第１の発明のイソシアネ―ト系架橋剤を用
いてなる磁気記録媒体に係るものである。
【００１５】
【発明の構成・作用】この発明においてマスク剤として
用いるフツ化アルコ―ルは、前記の式（１）または
（２）で表されるフツ化炭素鎖を１分子中に１個または
２個有する化合物であり、両式中、ｎ，ｉ＝１〜７とし
ているのは、８以上となると、脱離するフツ化アルコ―
ルの沸点が高くなるためである。
用いるフツ化アルコ―ルは、前記の式（１）または
（２）で表されるフツ化炭素鎖を１分子中に１個または
２個有する化合物であり、両式中、ｎ，ｉ＝１〜７とし
ているのは、８以上となると、脱離するフツ化アルコ―
ルの沸点が高くなるためである。
【００１６】この発明に用いるポリイソシアネ―ト化合
物は、１分子中に２個以上のイソシアネ―ト基を有する
ものであればよく、脂肪族系、芳香族系、脂環族系のい
ずれのものも使用できる。前記したトリメチロ―ルプロ
パンのトリレンジイソシアネ―ト３モル付加物も、ポリ
イソシアネ―ト化合物の代表的なものとして使用できる
が、その化学構造は、下記の式（３）に示すとおりであ
る。
物は、１分子中に２個以上のイソシアネ―ト基を有する
ものであればよく、脂肪族系、芳香族系、脂環族系のい
ずれのものも使用できる。前記したトリメチロ―ルプロ
パンのトリレンジイソシアネ―ト３モル付加物も、ポリ
イソシアネ―ト化合物の代表的なものとして使用できる
が、その化学構造は、下記の式（３）に示すとおりであ
る。
【００１７】
【化１】
【００１８】この発明においては、上記のポリイソシア
ネ―ト化合物と、マスク剤としての前記の式（１）また
は（２）で表されるフツ化アルコ―ルとを、イソシアネ
―ト基と水酸基とのウレタン化反応によつて、イソシア
ネ―ト基がブロツクされたブロツク化ポリイソシアネ―
トとする。この反応は、イソシアネ―ト基に対して水酸
基が当量ないしやや多くなる反応比率で、必要によりオ
クチル酸スズなどの公知のウレタン化触媒を用いて行え
ばよい。
ネ―ト化合物と、マスク剤としての前記の式（１）また
は（２）で表されるフツ化アルコ―ルとを、イソシアネ
―ト基と水酸基とのウレタン化反応によつて、イソシア
ネ―ト基がブロツクされたブロツク化ポリイソシアネ―
トとする。この反応は、イソシアネ―ト基に対して水酸
基が当量ないしやや多くなる反応比率で、必要によりオ
クチル酸スズなどの公知のウレタン化触媒を用いて行え
ばよい。
【００１９】このようにして得られるブロツク化ポリイ
ソシアネ―トは、１分子中に下記の式（１１）または
（１２）で表されるウレタン構造部分を２個以上有し、
この部分が１００℃以下、好ましくは６０℃以下の温度
で熱分解して、イソシアネ―ト基を再生するとともに、
式（１）または（２）で表されるフツ化アルコ―ルを脱
離する。このように脱離したフツ化アルコ―ルは、沸点
が低くて、容易に除去できるため、架橋生成物に悪影響
を与えることはなく、しかもシアン化水素のような毒性
の心配もない。
ソシアネ―トは、１分子中に下記の式（１１）または
（１２）で表されるウレタン構造部分を２個以上有し、
この部分が１００℃以下、好ましくは６０℃以下の温度
で熱分解して、イソシアネ―ト基を再生するとともに、
式（１）または（２）で表されるフツ化アルコ―ルを脱
離する。このように脱離したフツ化アルコ―ルは、沸点
が低くて、容易に除去できるため、架橋生成物に悪影響
を与えることはなく、しかもシアン化水素のような毒性
の心配もない。
【００２０】 （式中、ｎ，ｉ，ｍ，ｊは前記と同じである）
【００２１】このようなブロツク化ポリイソシアネ―ト
の一例として、前記したトリメチロ―ルプロパンのトリ
レンジイソシアネ―ト３モル付加物に、マスク剤として
トリフルオロエタノ―ル３モルがウレタン化反応したブ
ロツク体が挙げられるが、その化学構造は、下記の式
（４）に示すとおりである。
の一例として、前記したトリメチロ―ルプロパンのトリ
レンジイソシアネ―ト３モル付加物に、マスク剤として
トリフルオロエタノ―ル３モルがウレタン化反応したブ
ロツク体が挙げられるが、その化学構造は、下記の式
（４）に示すとおりである。
【００２２】
【化２】
【００２３】この発明の磁気記録媒体は、磁性粉末、結
合剤、さらに通常有機溶剤およびその他の添加剤を混合
した磁性塗料中に、上記のブロツク化ポリイソシアネ―
トからなるイソシアネ―ト系架橋剤を添加し、この塗料
をポリエステルフイルムなどの非磁性支持体上に直接塗
着するか、あるいはいつたん剥離性支持体上に塗着した
のち非磁性支持体上に転着することにより、製造され
る。
合剤、さらに通常有機溶剤およびその他の添加剤を混合
した磁性塗料中に、上記のブロツク化ポリイソシアネ―
トからなるイソシアネ―ト系架橋剤を添加し、この塗料
をポリエステルフイルムなどの非磁性支持体上に直接塗
着するか、あるいはいつたん剥離性支持体上に塗着した
のち非磁性支持体上に転着することにより、製造され
る。
【００２４】この製造工程において、通常非磁性支持体
または剥離性支持体への塗着後に、上記架橋剤中のイソ
シアネ―ト基を再生する熱処理を施し、この再生イソシ
アネ―ト基による結合剤の架橋を十分に生起させること
により、耐久性などにすぐれる３次元網目構造の磁性層
を形成することができる。
または剥離性支持体への塗着後に、上記架橋剤中のイソ
シアネ―ト基を再生する熱処理を施し、この再生イソシ
アネ―ト基による結合剤の架橋を十分に生起させること
により、耐久性などにすぐれる３次元網目構造の磁性層
を形成することができる。
【００２５】磁性粉末としては、γ−Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｃｏ
含有γ−Ｆｅ2 Ｏ3 、バリウムフエライトなどの酸化物
系磁性粉末のほか、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｍｎまたはこれらの合
金などの金属系磁性粉末など、従来公知のものが広く使
用可能である。また、結合剤としては、ポリウレタン系
樹脂、ポリエステル系樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル系
共重合体、繊維素系樹脂など、従来より磁性層用として
知られるものを単独でまたは２種以上を併用でき、その
少なくとも１種については、分子中に活性水素を２個以
上持つものが好ましく用いられる。
含有γ−Ｆｅ2 Ｏ3 、バリウムフエライトなどの酸化物
系磁性粉末のほか、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｍｎまたはこれらの合
金などの金属系磁性粉末など、従来公知のものが広く使
用可能である。また、結合剤としては、ポリウレタン系
樹脂、ポリエステル系樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル系
共重合体、繊維素系樹脂など、従来より磁性層用として
知られるものを単独でまたは２種以上を併用でき、その
少なくとも１種については、分子中に活性水素を２個以
上持つものが好ましく用いられる。
【００２６】なお、この発明では、前記のブロツク化ポ
リイソシアネ―トを、上述のように、イソシアネ―ト系
架橋剤、とくに磁気記録媒体における磁性層用の架橋剤
として用いることを特徴としているが、この架橋剤とは
別に、たとえば、ポリオ―ル類と混合して直接３次元網
目構造を持つポリウレタンを合成する、ポリマ―原料な
どとして利用することも可能である。
リイソシアネ―トを、上述のように、イソシアネ―ト系
架橋剤、とくに磁気記録媒体における磁性層用の架橋剤
として用いることを特徴としているが、この架橋剤とは
別に、たとえば、ポリオ―ル類と混合して直接３次元網
目構造を持つポリウレタンを合成する、ポリマ―原料な
どとして利用することも可能である。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、この発明においては、マ
スク剤として特定炭素鎖長のフツ化アルコ―ルを用いた
ことにより、イソシアネ―ト系架橋剤として、再生温度
が低くてかつマスク剤に起因した安全性の問題や架橋生
成物の物性低下の問題のないブロツク化ポリイソシアネ
―トを得ることができ、また、このブロツク化ポリイソ
シアネ―トを磁性層用の架橋剤として用いることによ
り、磁気特性や耐久性にすぐれる磁気記録媒体を得るこ
とができる。
スク剤として特定炭素鎖長のフツ化アルコ―ルを用いた
ことにより、イソシアネ―ト系架橋剤として、再生温度
が低くてかつマスク剤に起因した安全性の問題や架橋生
成物の物性低下の問題のないブロツク化ポリイソシアネ
―トを得ることができ、また、このブロツク化ポリイソ
シアネ―トを磁性層用の架橋剤として用いることによ
り、磁気特性や耐久性にすぐれる磁気記録媒体を得るこ
とができる。
【００２８】
【実施例】つぎに、この発明の実施例を記載して、より
具体的に説明する。なお、以下において、部とあるのは
重量部を意味する。
具体的に説明する。なお、以下において、部とあるのは
重量部を意味する。
【００２９】実施例１ ポリイソシアネ―ト化合物として、日本ポリウレタン工
業（株）製のコロネ―トＬ（トリメチロ―ルプロパンの
トリレンジイソシアネ―ト３モル付加物）を用いた。こ
のコロネ―トＬの２５重量％酢酸エチル溶液９０部と、
トリフルオロエタノ―ル１０部と、オクチル酸スズ０．
０２部とを、冷却器を取り付けたフラスコに入れ、十分
に窒素置換したのち、よく撹拌しながら、室温で２０時
間反応させ、ブロツク化ポリイソシアネ―トＡを得た。
業（株）製のコロネ―トＬ（トリメチロ―ルプロパンの
トリレンジイソシアネ―ト３モル付加物）を用いた。こ
のコロネ―トＬの２５重量％酢酸エチル溶液９０部と、
トリフルオロエタノ―ル１０部と、オクチル酸スズ０．
０２部とを、冷却器を取り付けたフラスコに入れ、十分
に窒素置換したのち、よく撹拌しながら、室温で２０時
間反応させ、ブロツク化ポリイソシアネ―トＡを得た。
【００３０】このブロツク化ポリイソシアネ―トＡは、
13Ｃ−ＮＭＲ分析により、分子中のイソシアネ―ト基
（１２８ppm ）が完全に消失し、代わりに、１５１ppm
付近につぎの式； で表されるウレタン構造部分の＊印のＣを示す特性吸収
が新たに出現することから、前記の式（４）に示す化学
構造を有するブロツク化ポリイソシアネ―トであること
がわかつた。
13Ｃ−ＮＭＲ分析により、分子中のイソシアネ―ト基
（１２８ppm ）が完全に消失し、代わりに、１５１ppm
付近につぎの式； で表されるウレタン構造部分の＊印のＣを示す特性吸収
が新たに出現することから、前記の式（４）に示す化学
構造を有するブロツク化ポリイソシアネ―トであること
がわかつた。
【００３１】このようにして得られたブロツク化ポリイ
ソシアネ―トＡを、この発明のイソシアネ―ト系架橋剤
とした。この架橋剤は、イソシアネ―ト基の再生温度が
５０℃と低いため、架橋に寄与させるイソシアネ―ト基
の再生が容易で、しかもその際に脱離するトリフルオロ
エタノ―ルは沸点が７７℃と低いため、必要により容易
に除去することが可能であつた。
ソシアネ―トＡを、この発明のイソシアネ―ト系架橋剤
とした。この架橋剤は、イソシアネ―ト基の再生温度が
５０℃と低いため、架橋に寄与させるイソシアネ―ト基
の再生が容易で、しかもその際に脱離するトリフルオロ
エタノ―ルは沸点が７７℃と低いため、必要により容易
に除去することが可能であつた。
【００３２】実施例２ ポリイソシアネ―ト化合物として、日本ポリウレタン工
業（株）製のコロネ―トＨＬ（トリメチロ―ルプロパン
のヘキサメチレンジイソシアネ―ト３モル付加物）を用
いた。このコロネ―トＨＬの２５重量％酢酸エチル溶液
９２部と、トリフルオロエタノ―ル８部と、オクチル酸
スズ０．０２部とを、冷却器を取り付けたフラスコに入
れ、十分に窒素置換したのち、よく撹拌しながら、室温
で２０時間反応させ、ブロツク化ポリイソシアネ―トＢ
を得た。
業（株）製のコロネ―トＨＬ（トリメチロ―ルプロパン
のヘキサメチレンジイソシアネ―ト３モル付加物）を用
いた。このコロネ―トＨＬの２５重量％酢酸エチル溶液
９２部と、トリフルオロエタノ―ル８部と、オクチル酸
スズ０．０２部とを、冷却器を取り付けたフラスコに入
れ、十分に窒素置換したのち、よく撹拌しながら、室温
で２０時間反応させ、ブロツク化ポリイソシアネ―トＢ
を得た。
【００３３】このブロツク化ポリイソシアネ―トＢは、
ＮＭＲ分析により、分子中のイソシアネ―ト基が完全に
消失し、代わりに、つぎの式； で表されるウレタン構造部分を示す特性吸収として、ブ
ロツク化ポリイソシアネ―トＡの場合と同様の特性吸収
がみられた。
ＮＭＲ分析により、分子中のイソシアネ―ト基が完全に
消失し、代わりに、つぎの式； で表されるウレタン構造部分を示す特性吸収として、ブ
ロツク化ポリイソシアネ―トＡの場合と同様の特性吸収
がみられた。
【００３４】このようにして得られたブロツク化ポリイ
ソシアネ―トＢを、この発明のイソシアネ―ト系架橋剤
とした。この架橋剤は、イソシアネ―ト基の再生温度が
５０℃と低いため、架橋に寄与させるイソシアネ―ト基
の再生が容易で、しかもその際に脱離するトリフルオロ
エタノ―ルは既述のように低い沸点を有するため、必要
により容易に除去することができた。
ソシアネ―トＢを、この発明のイソシアネ―ト系架橋剤
とした。この架橋剤は、イソシアネ―ト基の再生温度が
５０℃と低いため、架橋に寄与させるイソシアネ―ト基
の再生が容易で、しかもその際に脱離するトリフルオロ
エタノ―ルは既述のように低い沸点を有するため、必要
により容易に除去することができた。
【００３５】実施例３ バリウムフエライト粉末 ３００部 リン酸変性塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコ―ル共重合体 ３０部 ポリエステルポリウレタン ８部 カ―ボンブラツク １２部 アルミナ粉末 ４５部 シクロヘキサノン ３９５部 トルエン ３９５部
【００３６】上記の組成物を、サンドグラインダミルで
２時間混合分散し、これにイソシアネ―ト系架橋剤とし
てブロツク化ポリイソシアネ―トＡ１６部を添加し、さ
らに１５分混合して、磁性塗料を調製した。
２時間混合分散し、これにイソシアネ―ト系架橋剤とし
てブロツク化ポリイソシアネ―トＡ１６部を添加し、さ
らに１５分混合して、磁性塗料を調製した。
【００３７】つぎに、この磁性塗料を、厚さが７０μｍ
のポリエチレンテレフタレ―トフイルム上に、乾燥後の
厚さが０．６μｍとなるように塗布，乾燥し、カレンダ
―処理後さらに５０℃で９６時間の熱処理を行つたの
ち、円盤状に打ち抜いて、磁気デイスクを作製した。
のポリエチレンテレフタレ―トフイルム上に、乾燥後の
厚さが０．６μｍとなるように塗布，乾燥し、カレンダ
―処理後さらに５０℃で９６時間の熱処理を行つたの
ち、円盤状に打ち抜いて、磁気デイスクを作製した。
【００３８】この磁気デイスクを、テトラヒドロフラン
中に超音波を照射しながら２時間浸漬して、磁性層の耐
溶剤性を調べてみたところ、溶解成分はほとんどみられ
ず、非常に良好な耐溶剤性を示した。この結果より、５
０℃という低温の熱処理で十分に架橋した磁性層が得ら
れていることがわかつた。また、磁気特性も良好で、記
録再生装置によりすぐれた電磁変換特性が得られること
も確認された。
中に超音波を照射しながら２時間浸漬して、磁性層の耐
溶剤性を調べてみたところ、溶解成分はほとんどみられ
ず、非常に良好な耐溶剤性を示した。この結果より、５
０℃という低温の熱処理で十分に架橋した磁性層が得ら
れていることがわかつた。また、磁気特性も良好で、記
録再生装置によりすぐれた電磁変換特性が得られること
も確認された。
【００３９】実施例４ イソシアネ―ト系架橋剤として、ブロツク化ポリイソシ
アネ―トＡに代えて、ブロツク化ポリイソシアネ―トＢ
１６部を用いた以外は、実施例１と同様にして、磁気デ
イスクを作製した。このデイスクについて、実施例３と
同様の耐溶剤性を調べたところ、溶解成分はほとんどみ
られず、非常に良好な耐溶剤性を示し、５０℃という低
温の熱処理で十分に架橋した磁性層が得られることがわ
かつた。また、磁気特性も良好で、記録再生装置により
すぐれた電磁変換特性が得られることも確認された。
アネ―トＡに代えて、ブロツク化ポリイソシアネ―トＢ
１６部を用いた以外は、実施例１と同様にして、磁気デ
イスクを作製した。このデイスクについて、実施例３と
同様の耐溶剤性を調べたところ、溶解成分はほとんどみ
られず、非常に良好な耐溶剤性を示し、５０℃という低
温の熱処理で十分に架橋した磁性層が得られることがわ
かつた。また、磁気特性も良好で、記録再生装置により
すぐれた電磁変換特性が得られることも確認された。
【００４０】比較例１ イソシアネ―ト系架橋剤として、ブロツク化ポリイソシ
アネ―トＡに代えて、日本ポリウレタン工業（株）製の
コロネ―トＬ１０部を用いた以外は、実施例１と同様に
して、磁気デイスクを作製した。このデイスクについ
て、実施例３と同様の耐溶剤性を調べてみたところ、か
なりの割合の溶剤抽出成分がみられ、耐溶剤性に非常に
劣つていた。
アネ―トＡに代えて、日本ポリウレタン工業（株）製の
コロネ―トＬ１０部を用いた以外は、実施例１と同様に
して、磁気デイスクを作製した。このデイスクについ
て、実施例３と同様の耐溶剤性を調べてみたところ、か
なりの割合の溶剤抽出成分がみられ、耐溶剤性に非常に
劣つていた。
【００４１】なお、上記の溶剤抽出成分は、ＩＲ分析よ
り、磁性層中の結合剤成分とウレア化合物で、後者のウ
レア化合物は、コロネ―トＬと水との反応物と推定され
た。また、磁性塗料の段階でＩＲ分析した結果より、コ
ロネ―トＬのイソシアネ―ト基の９９％以上が既に大気
中またはバリウムフエライト粉末表面の水分と反応して
いることも判明した。このため、磁性層の架橋反応がほ
とんど起こらず、耐溶剤性が不良になつたものと思われ
る。
り、磁性層中の結合剤成分とウレア化合物で、後者のウ
レア化合物は、コロネ―トＬと水との反応物と推定され
た。また、磁性塗料の段階でＩＲ分析した結果より、コ
ロネ―トＬのイソシアネ―ト基の９９％以上が既に大気
中またはバリウムフエライト粉末表面の水分と反応して
いることも判明した。このため、磁性層の架橋反応がほ
とんど起こらず、耐溶剤性が不良になつたものと思われ
る。
【００４２】比較例２ イソシアネ―ト系架橋剤として、ブロツク化ポリイソシ
アネ―トＡに代えて、日本ポリウレタン工業（株）製の
コロネ―トＡｐ〔トリメチロ―ルプロパンのトリレンジ
イソシアネ―ト３モル付加物にマスク剤としてフエノ―
ルをウレタン化反応させたブロツク体〕１０部を用いた
以外は、実施例１と同様にして、磁気デイスクを作製し
た。
アネ―トＡに代えて、日本ポリウレタン工業（株）製の
コロネ―トＡｐ〔トリメチロ―ルプロパンのトリレンジ
イソシアネ―ト３モル付加物にマスク剤としてフエノ―
ルをウレタン化反応させたブロツク体〕１０部を用いた
以外は、実施例１と同様にして、磁気デイスクを作製し
た。
【００４３】このデイスクについて、実施例３と同様に
して耐溶剤性を調べたところ、かなりの割合の溶剤抽出
成分がみられ、耐溶剤性に劣つていた。上記の溶剤抽出
成分は、ＩＲ分析より、磁性層中の結合剤成分とコロネ
―トＡｐであることが判明した。これより、５０℃とい
う低温の熱処理ではコロネ―トＡｐのイソシアネ―ト基
が再生せず、結合剤の架橋が不十分となることがわかつ
た。
して耐溶剤性を調べたところ、かなりの割合の溶剤抽出
成分がみられ、耐溶剤性に劣つていた。上記の溶剤抽出
成分は、ＩＲ分析より、磁性層中の結合剤成分とコロネ
―トＡｐであることが判明した。これより、５０℃とい
う低温の熱処理ではコロネ―トＡｐのイソシアネ―ト基
が再生せず、結合剤の架橋が不十分となることがわかつ
た。
Claims (2)
- 【請求項１】 １分子中にイソシアネ―ト基を２個以上
持つポリイソシアネ―ト化合物の上記イソシアネ―ト基
がマスク剤にてブロツクされたブロツク化ポリイソシア
ネ―トからなるイソシアネ―ト系架橋剤において、上記
のマスク剤が、下記の式（１）または（２）； ＨＯ−ＣＨ2 Ｃn Ｆ2n+1-mＨm …（１） （式中、ｎ，ｉ＝１〜７の整数、ｍ＝０〜２ｎ、ｊ＝０
〜２ｉである）で表されるフツ化アルコ―ルからなるイ
ソシアネ―ト系架橋剤。 - 【請求項２】 非磁性支持体上に磁性粉末と結合剤を含
む磁性層が設けられてなる磁気記録媒体において、上記
結合剤の架橋剤として、請求項１に記載のイソシアネ―
ト系架橋剤を用いてなる磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4335497A JPH06157450A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | イソシアネ―ト系架橋剤と磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4335497A JPH06157450A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | イソシアネ―ト系架橋剤と磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06157450A true JPH06157450A (ja) | 1994-06-03 |
Family
ID=18289238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4335497A Withdrawn JPH06157450A (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | イソシアネ―ト系架橋剤と磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06157450A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021221084A1 (ja) * | 2020-04-30 | 2021-11-04 | 広栄化学株式会社 | ブロックイソシアネート組成物、熱硬化性樹脂組成物、硬化物及びその製造方法、アミデート化合物及びブロックイソシアネート用ブロック剤解離触媒 |
-
1992
- 1992-11-20 JP JP4335497A patent/JPH06157450A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021221084A1 (ja) * | 2020-04-30 | 2021-11-04 | 広栄化学株式会社 | ブロックイソシアネート組成物、熱硬化性樹脂組成物、硬化物及びその製造方法、アミデート化合物及びブロックイソシアネート用ブロック剤解離触媒 |
| JPWO2021221084A1 (ja) * | 2020-04-30 | 2021-11-04 | ||
| CN115515999A (zh) * | 2020-04-30 | 2022-12-23 | 广荣化学株式会社 | 封端异氰酸酯组合物、热固性树脂组合物、固化物及其制造方法、酰胺化物化合物及封端异氰酸酯用封端剂解离催化剂 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000201 |