JPH0616195B2 - 電子写真法 - Google Patents
電子写真法Info
- Publication number
- JPH0616195B2 JPH0616195B2 JP59064779A JP6477984A JPH0616195B2 JP H0616195 B2 JPH0616195 B2 JP H0616195B2 JP 59064779 A JP59064779 A JP 59064779A JP 6477984 A JP6477984 A JP 6477984A JP H0616195 B2 JPH0616195 B2 JP H0616195B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- switching element
- charge
- charging
- element layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G13/00—Electrographic processes using a charge pattern
- G03G13/04—Exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、メモリー効果を利用する電子写真法に関す
る。
る。
従来技術 従来、原稿の多数枚複製には、印刷技術の他に、操作の
手軽さ等の見地から、電子写真法による多数枚複写技術
が採用されるに至っている。この多数枚複写電子写真法
の代表的なものとして、光メモリー効果を有する光導電
性感光層を画像電光した後、帯電、現像、転写及びクリ
ーニングの諸工程を反復する、所謂リテンション型静電
印刷法が知られている。この方法は、感光層の露光部で
は光メモリー効果により導電性となり、この部分に電荷
がのりにくくなるという原理を使用するものであるが、
公知の感光体は、所望の光メモリー効果を与えるための
感度が低く、感光体を大出力の光源を用いて画像露光し
なければならないという不便さがある。
手軽さ等の見地から、電子写真法による多数枚複写技術
が採用されるに至っている。この多数枚複写電子写真法
の代表的なものとして、光メモリー効果を有する光導電
性感光層を画像電光した後、帯電、現像、転写及びクリ
ーニングの諸工程を反復する、所謂リテンション型静電
印刷法が知られている。この方法は、感光層の露光部で
は光メモリー効果により導電性となり、この部分に電荷
がのりにくくなるという原理を使用するものであるが、
公知の感光体は、所望の光メモリー効果を与えるための
感度が低く、感光体を大出力の光源を用いて画像露光し
なければならないという不便さがある。
最近に至って、光メモリー効果を利用する感光体の開発
も行われており、例えば井上教授等によって、ポリ−Ｎ
−ビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、２、４、７−トリニ
トロフルオレノン（ＴＮＦ）及びロイコ色素の混合溶液
をアルミニウム電極上に塗布した感光体、或いは上記混
合溶液塗布層の上に、ＰＶＫとＴＮＦとの組成物の層を
設けた複層感光体を使用し、これを一回画像露光するこ
とにより、感光体上にメモリー像（露光部の電荷受容性
の低下）を形成し、帯電−現像−転写のプロセスを繰り
返すことで多数枚の複写物を得る研究が行われている
（日本写真学会誌第４４巻２号第１０４乃至１１７頁
（１９８１）参照）。これらの感光体におけるメモリー
形成は、ＴＮＦとロイコ色素の作る電荷移動錯体の光吸
収後の化学反応に起因するものと言われている。
も行われており、例えば井上教授等によって、ポリ−Ｎ
−ビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、２、４、７−トリニ
トロフルオレノン（ＴＮＦ）及びロイコ色素の混合溶液
をアルミニウム電極上に塗布した感光体、或いは上記混
合溶液塗布層の上に、ＰＶＫとＴＮＦとの組成物の層を
設けた複層感光体を使用し、これを一回画像露光するこ
とにより、感光体上にメモリー像（露光部の電荷受容性
の低下）を形成し、帯電−現像−転写のプロセスを繰り
返すことで多数枚の複写物を得る研究が行われている
（日本写真学会誌第４４巻２号第１０４乃至１１７頁
（１９８１）参照）。これらの感光体におけるメモリー
形成は、ＴＮＦとロイコ色素の作る電荷移動錯体の光吸
収後の化学反応に起因するものと言われている。
発明の構成 本発明によれば、光化学反応によるメモリー像の形成と
は全く異なった原理によりメモリー像の形成が行われ、
しかも比較的少ない露光量でメモリー像の形成が可能で
ある電子写真法が提供される。
は全く異なった原理によりメモリー像の形成が行われ、
しかも比較的少ない露光量でメモリー像の形成が可能で
ある電子写真法が提供される。
本発明によれば更に、従来の感光体とは層構成の全く異
なる複層構成の感光体を使用し、前帯電−露光と主帯電
−画像露光とを組合せによりメモリー像の形成を行う電
子写真法が提供される。
なる複層構成の感光体を使用し、前帯電−露光と主帯電
−画像露光とを組合せによりメモリー像の形成を行う電
子写真法が提供される。
即ち、本発明は、導電性基質、該導電性基質上に設けら
れ、高電場で高電導状態となり且つ高電導状態が維持さ
れるスイッチング素子層、及び該スイッチング素子層上
に設けられた電荷発生輸送乃至は電荷受容層から成る電
子写真感光体に対して、スイッチング素子に高電場が印
加されない限度内において、前帯電と前一様露光とを行
い、次いで前帯電と同極の主帯電と画像露光とを行って
感光体上にメモリー像を形成させることを特徴とする電
子写真法が提供される。
れ、高電場で高電導状態となり且つ高電導状態が維持さ
れるスイッチング素子層、及び該スイッチング素子層上
に設けられた電荷発生輸送乃至は電荷受容層から成る電
子写真感光体に対して、スイッチング素子に高電場が印
加されない限度内において、前帯電と前一様露光とを行
い、次いで前帯電と同極の主帯電と画像露光とを行って
感光体上にメモリー像を形成させることを特徴とする電
子写真法が提供される。
本発明を添付図面を参照しつつ以下に詳細に説明する。
本発明に用いる感光体の断面構造を示す第１図におい
て、導電性基質１の上にはスイッチング素子層２が設け
られ、この層２の上に更に電荷発生輸送層乃至は電荷受
容層３が設けられる。図示していないが、導電性基質１
とスイッチング素子層２との間には、所望に応じ電荷注
入バリヤー層或いは接着力を増強させるためのアンダー
層等が設けられていてもよい。
て、導電性基質１の上にはスイッチング素子層２が設け
られ、この層２の上に更に電荷発生輸送層乃至は電荷受
容層３が設けられる。図示していないが、導電性基質１
とスイッチング素子層２との間には、所望に応じ電荷注
入バリヤー層或いは接着力を増強させるためのアンダー
層等が設けられていてもよい。
本発明の重要な特徴の一つは、このスイッチング層２と
して、高電場で高電導状態となり且つこの高電導状態が
維持されるスイッチング素子層を用いる点にある。
して、高電場で高電導状態となり且つこの高電導状態が
維持されるスイッチング素子層を用いる点にある。
本発明による感光体のメモリー像の形成原理及び静電像
の形成原理を第２−Ａ乃至２−Ｆ図に基づき以下に説明
する。
の形成原理を第２−Ａ乃至２−Ｆ図に基づき以下に説明
する。
先ず、第２−Ａ図の前帯電工程において、感光体４の表
面を、コロナチャージャ５により一定極性の電荷に帯電
させる。図の具体例では、電荷受容層３の表面は正電荷
に帯電され、導電性基質１には負電荷が誘起される。
面を、コロナチャージャ５により一定極性の電荷に帯電
させる。図の具体例では、電荷受容層３の表面は正電荷
に帯電され、導電性基質１には負電荷が誘起される。
次いで、前一様露光工程を示す第２−Ｂ図において、表
面が帯電された感光体４を光源６により一様に前露光す
る。この前露光により、電荷受容層３中に電荷（キャリ
ヤ）が発生し、生じたホール（＋）が積層界面、即ちス
イッチング素子層２との界面迄移動して、そこに蓄積さ
れる。
面が帯電された感光体４を光源６により一様に前露光す
る。この前露光により、電荷受容層３中に電荷（キャリ
ヤ）が発生し、生じたホール（＋）が積層界面、即ちス
イッチング素子層２との界面迄移動して、そこに蓄積さ
れる。
本発明においては、上述した前帯電及び前一様露光工程
を、スイッチング素子層２に高電場が印加されない限定
において行う。かくして、電荷受容層３とスイッチング
素子層２との界面には、或る程度の正電荷が蓄積されて
はいるが、スイッチング素子層２には未だ高抵抗状態
（ＯＦＦ ＳＴＡＴＥ）に維持されている。主電荷及び
画像露光工程を示す第２−Ｃ図において、前帯電及び前
露光が行われた感光体４を、コロナチャージャ５′によ
り一定極性の電荷に帯電させ、次いで光源６′によりこ
の表面を画像露光させる。
を、スイッチング素子層２に高電場が印加されない限定
において行う。かくして、電荷受容層３とスイッチング
素子層２との界面には、或る程度の正電荷が蓄積されて
はいるが、スイッチング素子層２には未だ高抵抗状態
（ＯＦＦ ＳＴＡＴＥ）に維持されている。主電荷及び
画像露光工程を示す第２−Ｃ図において、前帯電及び前
露光が行われた感光体４を、コロナチャージャ５′によ
り一定極性の電荷に帯電させ、次いで光源６′によりこ
の表面を画像露光させる。
メモリー像形成の第１段階を示す第２−Ｄ図において、
暗部Ｄでは表面電荷はそのままであるが、明部Ｌでは第
２−Ｂ図に示したのと同様に電荷受容層３中に電荷（キ
ャリヤ）の発生と、ホール（＋）のスイッチング素子層
２との界面への移動とを生じ、電荷の蓄積が前述した限
度を越え、素子層２には高電場が印加されるに至る。
暗部Ｄでは表面電荷はそのままであるが、明部Ｌでは第
２−Ｂ図に示したのと同様に電荷受容層３中に電荷（キ
ャリヤ）の発生と、ホール（＋）のスイッチング素子層
２との界面への移動とを生じ、電荷の蓄積が前述した限
度を越え、素子層２には高電場が印加されるに至る。
第２−Ｅ図において、スイッチング素子層２の明部Ｌで
は、印加される高電場により高電導状態（ＯＮ ＳＴＡ
ＴＥ）、即ち低抵抗状態に誘起される。スイッチング素
子層２の暗部Ｄでは、高抵抗状態（ＯＦＦ ＳＴＡＴ
Ｅ）のまま残り、スイッチング素子層２には、上述した
状態が継続して維持され、その結果として、明部Ｌでは
導電性基質１からの電子の注入が容易な状態となる。
は、印加される高電場により高電導状態（ＯＮ ＳＴＡ
ＴＥ）、即ち低抵抗状態に誘起される。スイッチング素
子層２の暗部Ｄでは、高抵抗状態（ＯＦＦ ＳＴＡＴ
Ｅ）のまま残り、スイッチング素子層２には、上述した
状態が継続して維持され、その結果として、明部Ｌでは
導電性基質１からの電子の注入が容易な状態となる。
静電像形成工程を示す第２−Ｆ図において、一度露光が
行われた部分Ｌでは、その後の正帯電に対して注入が容
易となった電子（−）が高電導状態のスイッチング層２
を介して電荷発生輸送乃至は電荷受容層３に注入され、
該層３を通って表面に到達し、表面の正電荷（＋）を消
去することにより、電荷像の形成が行われる。図示して
いないが、この電荷像を、それ自体公知の方法により、
トナーで現像し、形成されるトナー像を紙等に転写する
ことにより、複写物乃至印刷物を得ることができる。か
くして、第２−Ａ乃至２−Ｅ図に示す１回のメモリー像
形成の後に、第２−Ｆ図に示す所望回数の帯電工程を行
うことにより、所望枚数の複写が可能となる。
行われた部分Ｌでは、その後の正帯電に対して注入が容
易となった電子（−）が高電導状態のスイッチング層２
を介して電荷発生輸送乃至は電荷受容層３に注入され、
該層３を通って表面に到達し、表面の正電荷（＋）を消
去することにより、電荷像の形成が行われる。図示して
いないが、この電荷像を、それ自体公知の方法により、
トナーで現像し、形成されるトナー像を紙等に転写する
ことにより、複写物乃至印刷物を得ることができる。か
くして、第２−Ａ乃至２−Ｅ図に示す１回のメモリー像
形成の後に、第２−Ｆ図に示す所望回数の帯電工程を行
うことにより、所望枚数の複写が可能となる。
本発明では、上述した説明から明らかな通り、光は電荷
発生輸送層乃至は電荷受容層３の電荷発生、換言すれ
ば、スイッチング素子層２への高電場印加の目的にのみ
使用されるという特徴がある。即ち、従来の複層感光体
では、電荷輸送層或いは電荷受容層を介してメモリー形
成層をも露光し、該メモリー形成層中に光化学変化を起
こさせる必要があったのに対して、本発明では、電荷発
生輸送層乃至は電荷受容層中に電荷（キャリヤ）を発生
させることのみが要求されるものであるから、従来法に
比して著しく少ない露光量でメモリー像の形成が可能と
なるという利点が達成されるものである。
発生輸送層乃至は電荷受容層３の電荷発生、換言すれ
ば、スイッチング素子層２への高電場印加の目的にのみ
使用されるという特徴がある。即ち、従来の複層感光体
では、電荷輸送層或いは電荷受容層を介してメモリー形
成層をも露光し、該メモリー形成層中に光化学変化を起
こさせる必要があったのに対して、本発明では、電荷発
生輸送層乃至は電荷受容層中に電荷（キャリヤ）を発生
させることのみが要求されるものであるから、従来法に
比して著しく少ない露光量でメモリー像の形成が可能と
なるという利点が達成されるものである。
更に、本発明では、主帯電及び画像露光に先立って、ス
イッチング素子層に高電場が印加されない限度内におい
て前帯電及び前一様露光を行うことにより、電荷発生輸
送層乃至は電荷受容層とスイッチング素子層との界面
に、予め前記限度内の電荷を蓄積させておくことが可能
となり、次いで行う画像露光工程で行われる界面への電
荷輸送量が比較的少ない場合にも、スイッチング素子層
におけるスイッチング操作を有効に且つ円滑に行わせる
ことが可能となる。このことは、画像露光工程における
露光量が著しく節約され、その結果として、通常の複写
機に使用される光源や露光システムを用いて露光操作が
簡単に行い得ることを意味する。
イッチング素子層に高電場が印加されない限度内におい
て前帯電及び前一様露光を行うことにより、電荷発生輸
送層乃至は電荷受容層とスイッチング素子層との界面
に、予め前記限度内の電荷を蓄積させておくことが可能
となり、次いで行う画像露光工程で行われる界面への電
荷輸送量が比較的少ない場合にも、スイッチング素子層
におけるスイッチング操作を有効に且つ円滑に行わせる
ことが可能となる。このことは、画像露光工程における
露光量が著しく節約され、その結果として、通常の複写
機に使用される光源や露光システムを用いて露光操作が
簡単に行い得ることを意味する。
第３図では、本発明に使用するスイッチング素子層の或
るもの（後述するＣｕ・ＴＣＮＱ）について、印加電圧
と電流との関係を示したものであり、曲線１は未処理の
スイッチング素子層についての電圧と電流との関係、曲
線２は高電圧印加後のスイッチング素子層について同様
の関係を調べたものである。曲線１から、このスイッチ
ング素子層は傾斜のゆるやかな高低抵抗状態Ａと傾斜の
極めて大きい低抵抗状態Ｂとが存在すること、及び曲線
２から一旦高電導状態（ＯＮ ＳＴＡＴＥ）となったス
イッチング素子層では、高抵抗状態Ａが殆ど消失してい
ることが明らかである。
るもの（後述するＣｕ・ＴＣＮＱ）について、印加電圧
と電流との関係を示したものであり、曲線１は未処理の
スイッチング素子層についての電圧と電流との関係、曲
線２は高電圧印加後のスイッチング素子層について同様
の関係を調べたものである。曲線１から、このスイッチ
ング素子層は傾斜のゆるやかな高低抵抗状態Ａと傾斜の
極めて大きい低抵抗状態Ｂとが存在すること、及び曲線
２から一旦高電導状態（ＯＮ ＳＴＡＴＥ）となったス
イッチング素子層では、高抵抗状態Ａが殆ど消失してい
ることが明らかである。
第４図は、後述するＣｕ・ＴＣＮＱをスイッチング素子
層、及びＰＶＫ・ＴＮＦ錯体を電荷発生輸送層乃至電荷
受容層とした感光体の表面電位と時間との関係を示す線
図であって、曲線（１）は未処理感光体の表面帯電電
位、曲線（２）は露光開始後の表面帯電電位、曲線
（２′）はスイッチング操作が行われない限度内で前帯
電−前一様露光を行った後、主帯電及び露光を行った際
の表面帯電電位（ただし、主帯電後の感光体の表面電位
が同じになるように印加電圧を調整してある）、曲線
（３）は帯電露光によりスイッチング素子層が高電導状
態となった感光体を再帯電した際の表面帯電電位を示
す。第４図中、Ｖ0は高抵抗状態（ＯＦＦ ＳＴＡＴ
Ｅ）でのスイッチング層を備えた感光体の初期飽和帯電
電位であり、Ｖ1は高電導状態（ＯＮ ＳＴＡＴＥ）で
のスイッチング層を備えた感光体の飽和帯電電位であ
り、メモリー効果（Ｆ）は下記式 で表される。
層、及びＰＶＫ・ＴＮＦ錯体を電荷発生輸送層乃至電荷
受容層とした感光体の表面電位と時間との関係を示す線
図であって、曲線（１）は未処理感光体の表面帯電電
位、曲線（２）は露光開始後の表面帯電電位、曲線
（２′）はスイッチング操作が行われない限度内で前帯
電−前一様露光を行った後、主帯電及び露光を行った際
の表面帯電電位（ただし、主帯電後の感光体の表面電位
が同じになるように印加電圧を調整してある）、曲線
（３）は帯電露光によりスイッチング素子層が高電導状
態となった感光体を再帯電した際の表面帯電電位を示
す。第４図中、Ｖ0は高抵抗状態（ＯＦＦ ＳＴＡＴ
Ｅ）でのスイッチング層を備えた感光体の初期飽和帯電
電位であり、Ｖ1は高電導状態（ＯＮ ＳＴＡＴＥ）で
のスイッチング層を備えた感光体の飽和帯電電位であ
り、メモリー効果（Ｆ）は下記式 で表される。
第４図の結果を参照すると、主帯電−画像露光に先立っ
て、前帯電及び前一様露光を前述した限度内で行うこと
により、光照射後の光減衰が急で、見掛上感度の著しい
上昇がもたらされることが明白であろう。
て、前帯電及び前一様露光を前述した限度内で行うこと
により、光照射後の光減衰が急で、見掛上感度の著しい
上昇がもたらされることが明白であろう。
本発明に用いるスイッチング素子層は、高抵抗状態（Ｏ
ＦＦ ＳＴＡＴＥ）の電気抵抗（ＲH）が１０8乃至１０
14Ω−cm、特に１０9乃至１０11Ω−cmの範囲にあるこ
とが電荷保持性の点で望ましく、一方ＲHと低抵抗状態
（ＯＮ ＳＴＡＴＥ）の電気抵抗（ＲL：Ω−cm）との
比（ＲH／ＲL）は、１×１０1乃至１×１０5の範囲内に
あることが、コントラストの面で望ましい。
ＦＦ ＳＴＡＴＥ）の電気抵抗（ＲH）が１０8乃至１０
14Ω−cm、特に１０9乃至１０11Ω−cmの範囲にあるこ
とが電荷保持性の点で望ましく、一方ＲHと低抵抗状態
（ＯＮ ＳＴＡＴＥ）の電気抵抗（ＲL：Ω−cm）との
比（ＲH／ＲL）は、１×１０1乃至１×１０5の範囲内に
あることが、コントラストの面で望ましい。
前述した特性を有するスイッチング素子としては、テト
ラシアノエチレン（ＴＣＮＥ）、テトラシアノキノジメ
タン（ＴＣＮＱ）、テトラシアノナフトキノジメタン
（ＴＮＡＰ）、２，３，５，６−テトラフルオロー７，
７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ
Ｆ4）等のシアノ基含有電子受容性物質と、銅又は銀と
の錯体が好適に使用されるが、同様の特性を有する他の
スイッチング素子をも用いることができる。
ラシアノエチレン（ＴＣＮＥ）、テトラシアノキノジメ
タン（ＴＣＮＱ）、テトラシアノナフトキノジメタン
（ＴＮＡＰ）、２，３，５，６−テトラフルオロー７，
７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ
Ｆ4）等のシアノ基含有電子受容性物質と、銅又は銀と
の錯体が好適に使用されるが、同様の特性を有する他の
スイッチング素子をも用いることができる。
これらの錯体は、蒸着等の手段で導電性基質上に結晶薄
膜の形で直接形成されることもできるし、或いは微結晶
のものを樹脂バインダー中に分散させて導電性基質上に
設けることもできる。樹脂バインダーとしては、電気絶
縁性の樹脂、例えばポリエステル樹脂、アクリル樹脂、
スチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル−酢
酸ビニル共重合体、フエノキシ樹脂、エポキシ樹脂、シ
リコーン樹脂、アルキド樹脂等が使用される。微結晶錯
体と樹脂バインダーとは、１：４乃至４：１の重量比で
使用される。これらの樹脂バインダーを、テトラヒドロ
フラン、クロロホルム、ジオキサン、ジメチルアセトア
ミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等
の溶媒に溶解し、微結晶錯体を分散させ、導電性基質上
に塗布し、乾燥してスイッチング素子層を形成させる。
膜の形で直接形成されることもできるし、或いは微結晶
のものを樹脂バインダー中に分散させて導電性基質上に
設けることもできる。樹脂バインダーとしては、電気絶
縁性の樹脂、例えばポリエステル樹脂、アクリル樹脂、
スチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル−酢
酸ビニル共重合体、フエノキシ樹脂、エポキシ樹脂、シ
リコーン樹脂、アルキド樹脂等が使用される。微結晶錯
体と樹脂バインダーとは、１：４乃至４：１の重量比で
使用される。これらの樹脂バインダーを、テトラヒドロ
フラン、クロロホルム、ジオキサン、ジメチルアセトア
ミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等
の溶媒に溶解し、微結晶錯体を分散させ、導電性基質上
に塗布し、乾燥してスイッチング素子層を形成させる。
本発明に用いる電荷発生輸送層乃至電荷受容層は、光照
射により電荷（キャリヤ）を発生し、界面へこれを移送
すると共に、スイッチング素子から注入される電荷を表
面迄移送するものでなければならない。かかる見地から
は、この層は正孔及び電子の両方を移送させ得るもので
なければならない。
射により電荷（キャリヤ）を発生し、界面へこれを移送
すると共に、スイッチング素子から注入される電荷を表
面迄移送するものでなければならない。かかる見地から
は、この層は正孔及び電子の両方を移送させ得るもので
なければならない。
この目的のために、正孔輸送物と電子輸送物との混合物
乃至は電荷輸送錯体が有利に使用される。
乃至は電荷輸送錯体が有利に使用される。
適当な正孔輸送物質の例は、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾ
ール、フエナントレン、Ｎ−エチルカルバゾール、２，
５−ジフエニル−１，３，４−オキサジアゾール、２，
５−ビス−（４−ジエチルアミノフエニル）−１，３，
４−オキサジアゾール、ビス−ジエチルアミノフエニル
−１，３，６−オキサジアゾール、４，４′−ビス（ジ
エチルアミノ−２，２′−ジメチルトリフエニルメタ
ン、２，４，５−トリアミノフエニルメタゾール、２，
５−ビス（４−ジエチルアミノフエニル）−１，３，４
−トリアゾール、１−フエニル−３−（４−ジエチルア
ミノスチリル）−５−（４−ジエチルアミノフエニル）
−２−ピラゾリン、ｐ−ジエチルアミノベンツアルデヒ
ド−（ジフエニルヒドラゾン）などであり、適当な電子
輸送物質の例は２−ニトロ−９−フルオレノン、２，７
−ジニトロ−９−フルオレノン、２，４，７−トリニト
ロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ
−９−フルオレノン、２−ニトロベンゾチオフエン、
２，４，８−トリニトロチオキサントン、ジニトロアン
トラセン、ジニトロアクリジン、ジニトロアントラキノ
ン、テトラシアノキノジメタンなどである。
ール、フエナントレン、Ｎ−エチルカルバゾール、２，
５−ジフエニル−１，３，４−オキサジアゾール、２，
５−ビス−（４−ジエチルアミノフエニル）−１，３，
４−オキサジアゾール、ビス−ジエチルアミノフエニル
−１，３，６−オキサジアゾール、４，４′−ビス（ジ
エチルアミノ−２，２′−ジメチルトリフエニルメタ
ン、２，４，５−トリアミノフエニルメタゾール、２，
５−ビス（４−ジエチルアミノフエニル）−１，３，４
−トリアゾール、１−フエニル−３−（４−ジエチルア
ミノスチリル）−５−（４−ジエチルアミノフエニル）
−２−ピラゾリン、ｐ−ジエチルアミノベンツアルデヒ
ド−（ジフエニルヒドラゾン）などであり、適当な電子
輸送物質の例は２−ニトロ−９−フルオレノン、２，７
−ジニトロ−９−フルオレノン、２，４，７−トリニト
ロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ
−９−フルオレノン、２−ニトロベンゾチオフエン、
２，４，８−トリニトロチオキサントン、ジニトロアン
トラセン、ジニトロアクリジン、ジニトロアントラキノ
ン、テトラシアノキノジメタンなどである。
これらの混合物乃至錯体が造膜性を有する場合には、こ
れを有機溶媒の溶液として、スイッチング素子層上に塗
布すればよく、また造膜性を有しない場合には、前に例
示した樹脂バインダーの溶液中に前述した組合せ物質を
分散させ、これを塗布して、電荷発生輸送層乃至電荷受
容層を形成させればよい。
れを有機溶媒の溶液として、スイッチング素子層上に塗
布すればよく、また造膜性を有しない場合には、前に例
示した樹脂バインダーの溶液中に前述した組合せ物質を
分散させ、これを塗布して、電荷発生輸送層乃至電荷受
容層を形成させればよい。
本発明において、導電性基質としては、銅、アルミニウ
ム、ブリキ等の導電性金属基質や、導電処理した紙、或
いはネサ（ＮＥＳＡ）ガラス等が使用され、これらはシ
ート或いはドラムの形で用いられる。
ム、ブリキ等の導電性金属基質や、導電処理した紙、或
いはネサ（ＮＥＳＡ）ガラス等が使用され、これらはシ
ート或いはドラムの形で用いられる。
本発明に用いる感光体において、スイッチング素子層の
厚みは、一般に１乃至５μｍ、特に1.5乃至3.5μｍの範
囲にあり、電荷発生輸送層乃至電荷受容層の厚みは一般
に６乃至２０μｍ、特に７乃至１２μｍの範囲にあるこ
とが、帯電時の表面電位を高いレベルに維持しつつ、し
かもメモリー効果を最大限に利用する上で好ましい。
厚みは、一般に１乃至５μｍ、特に1.5乃至3.5μｍの範
囲にあり、電荷発生輸送層乃至電荷受容層の厚みは一般
に６乃至２０μｍ、特に７乃至１２μｍの範囲にあるこ
とが、帯電時の表面電位を高いレベルに維持しつつ、し
かもメモリー効果を最大限に利用する上で好ましい。
本発明の電子写真法では、スイッチング素子層と電荷発
生輸送層乃至電荷受容層との組合せ或いはそれらの厚み
や厚み比を選択することにより、４０％以上、特に６０
％以上のメモリー効果（Ｆ）が得られる。
生輸送層乃至電荷受容層との組合せ或いはそれらの厚み
や厚み比を選択することにより、４０％以上、特に６０
％以上のメモリー効果（Ｆ）が得られる。
本発明の電子写真法において、感光体の帯電は、一般に
正極性のコロナチャージヤを用いて、飽和帯電電位が５
００乃至７００ボルトになるように帯電を行う。
正極性のコロナチャージヤを用いて、飽和帯電電位が５
００乃至７００ボルトになるように帯電を行う。
一方、感光体の前帯電及び前一様露光は、スイッチング
素子層のスイッチング操作が実質上行われない限定にお
いて行う。このために、前帯電の帯電量を主帯電のそれ
よりも少ない量で行う、前露光の露光量を画像露光のそ
れよりも少ない量で行う、或いはこれらの組合せを採用
する等の手段を採用する。より具体的には、前帯電の帯
電電位を主帯電の電位の１０乃至５０％の範囲とする、
或いは前一様露光の露光量を画像露光のそれの１乃至１
０％の範囲とする等の手段を採用する。本発明で規定し
た限度内の前帯電及び前露光が行われていることは、前
帯電の初期飽和帯電電位（ＶP）が主帯電の帯電電位
（ＶC）よりも高いとしても、その差が５０％以下であ
ることにより確認できる。
素子層のスイッチング操作が実質上行われない限定にお
いて行う。このために、前帯電の帯電量を主帯電のそれ
よりも少ない量で行う、前露光の露光量を画像露光のそ
れよりも少ない量で行う、或いはこれらの組合せを採用
する等の手段を採用する。より具体的には、前帯電の帯
電電位を主帯電の電位の１０乃至５０％の範囲とする、
或いは前一様露光の露光量を画像露光のそれの１乃至１
０％の範囲とする等の手段を採用する。本発明で規定し
た限度内の前帯電及び前露光が行われていることは、前
帯電の初期飽和帯電電位（ＶP）が主帯電の帯電電位
（ＶC）よりも高いとしても、その差が５０％以下であ
ることにより確認できる。
次いで、帯電された感光体を画像露光する。光源として
は、タングステンハロゲンランプのような通常の電子写
真用光源を使用し得るのが本発明の特徴である。必要な
露光量は、感光体の層構成によっても相違するが一般
に、0.1乃至１００ｍＷ／cm2の範囲から選択するのがよ
い。勿論、光源としては、ガスレーザー半導体レーザー
等のレーザービームを用いることができる。
は、タングステンハロゲンランプのような通常の電子写
真用光源を使用し得るのが本発明の特徴である。必要な
露光量は、感光体の層構成によっても相違するが一般
に、0.1乃至１００ｍＷ／cm2の範囲から選択するのがよ
い。勿論、光源としては、ガスレーザー半導体レーザー
等のレーザービームを用いることができる。
メモリー像が形成された感光体を、前述したのと同様な
手段で帯電し、形成される静電潜像を、それ自体公知の
１成分系或いは２成分系の現像用トナーと接触させてト
ナー像を形成させ、トナーを紙等の転写シートに転移さ
せ、必要により定着して複写物或いは印刷物とする。ト
ナー転写後の感光体は、静電的或いは機械的にクリーニ
ングした後、上述した帯電、現像、転写、クリーニング
を必要枚数だけ反復する。
手段で帯電し、形成される静電潜像を、それ自体公知の
１成分系或いは２成分系の現像用トナーと接触させてト
ナー像を形成させ、トナーを紙等の転写シートに転移さ
せ、必要により定着して複写物或いは印刷物とする。ト
ナー転写後の感光体は、静電的或いは機械的にクリーニ
ングした後、上述した帯電、現像、転写、クリーニング
を必要枚数だけ反復する。
新たに、メモリー像を形成する場合には、感光体中のス
イッチング素子層を、赤外線ランプ照射、ジュール熱加
熱、強力なレーザー光照射、熱風吹付、熱ローラーとの
接触等の手段で加熱して、スイッチング素子層を、高抵
抗状態（ＯＦＦ ＳＴＡＴＥ）に復帰させ、しかる後前
述した操作を行えばよい。加熱温度は５０乃至２００℃
の範囲から適当な温度を選ぶ。
イッチング素子層を、赤外線ランプ照射、ジュール熱加
熱、強力なレーザー光照射、熱風吹付、熱ローラーとの
接触等の手段で加熱して、スイッチング素子層を、高抵
抗状態（ＯＦＦ ＳＴＡＴＥ）に復帰させ、しかる後前
述した操作を行えばよい。加熱温度は５０乃至２００℃
の範囲から適当な温度を選ぶ。
本発明を次の例で説明する。
参考例 スイッチング素子層の形成 ボールミルにより粉砕した銅−テトラシアノキノジメタ
ン錯体（Ｃｕ・ＴＣＮＱ）１０重量部を、ポリアリレー
ト樹脂（Ｕ−ｐｏｌｙｍｅｒ ８０００ ユニチカ製）
１０重量部、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ １００
０ 三洋化成工業社製） ０．５重量部、クロロホルム９０重量部の組成から成る
溶液と混合し、３０分間超音波分散した後、銅基板上に
ワイヤーバーにより、塗布、乾燥した。乾燥は８０℃で
１５分、さらに必要にて応じて６時間の真空乾燥を行
い、膜厚２μｍのスイッチング素子層を形成した。
ン錯体（Ｃｕ・ＴＣＮＱ）１０重量部を、ポリアリレー
ト樹脂（Ｕ−ｐｏｌｙｍｅｒ ８０００ ユニチカ製）
１０重量部、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ １００
０ 三洋化成工業社製） ０．５重量部、クロロホルム９０重量部の組成から成る
溶液と混合し、３０分間超音波分散した後、銅基板上に
ワイヤーバーにより、塗布、乾燥した。乾燥は８０℃で
１５分、さらに必要にて応じて６時間の真空乾燥を行
い、膜厚２μｍのスイッチング素子層を形成した。
スイッチング現象の測定 上記スイッチング素子層にＡｌを真空蒸着し、Ａｌ蒸着
膜と銅基板を電極としてサンドイッチ型セルを形成し
た。
膜と銅基板を電極としてサンドイッチ型セルを形成し
た。
次に、銅基板側に対し、＋3.0Ｖ〜−3.0Ｖの電圧を印加
した。第１回目の電圧印加におけるＶ−Ｉ曲線を第３図
の曲線（１）に示す。さらに第２回目以降の電圧印加に
おけるＶ−Ｉ曲線を曲線（２）に示す。
した。第１回目の電圧印加におけるＶ−Ｉ曲線を第３図
の曲線（１）に示す。さらに第２回目以降の電圧印加に
おけるＶ−Ｉ曲線を曲線（２）に示す。
実施例 感光体の作成 参考例と同様な方法により、スイッチング素子層を銅基
板上に形成させた。
板上に形成させた。
次に、ポリビニルカバルゾール（Luvi-canＭ−１７０
ＢＡＳＦ社製）１０重量部にテトラヒドロフラン９０重
量部を加えて１０％ＰＶＫ溶液を作製した。この１０％
ＰＶＫ溶液１０重量部に２，４，５，７−テトラニトロ
−９−フルオレノン0.6重量部及びテトラヒドロフラン
2.0重量部を加え、超音波分散機で充分に溶解させ、感
光層塗布液を作製した。
ＢＡＳＦ社製）１０重量部にテトラヒドロフラン９０重
量部を加えて１０％ＰＶＫ溶液を作製した。この１０％
ＰＶＫ溶液１０重量部に２，４，５，７−テトラニトロ
−９−フルオレノン0.6重量部及びテトラヒドロフラン
2.0重量部を加え、超音波分散機で充分に溶解させ、感
光層塗布液を作製した。
この塗布液を先に形成させたスイッチング層上にワイヤ
ーバーにて塗布、乾燥を行い、７μｍの感光層を形成さ
せ、感光体を得た。
ーバーにて塗布、乾燥を行い、７μｍの感光層を形成さ
せ、感光体を得た。
複写テスト 上述の作製に感光体を表面電位光減衰装置にセットし約
１０秒間正コロナ放電（＋3.0ｋｖ）を行った後、タン
グステンランプ（１４ｍＷ／cm2）で一様露光を約５秒
間で行った。次いで約２０秒間正コロナ放電（＋6.0ｋ
ｖ）を行った後、原稿露光を行った。なお、照射光とし
てタングステンランプ（１４ｍＷ／cm2）を用い、約１
分間露光を行った。
１０秒間正コロナ放電（＋3.0ｋｖ）を行った後、タン
グステンランプ（１４ｍＷ／cm2）で一様露光を約５秒
間で行った。次いで約２０秒間正コロナ放電（＋6.0ｋ
ｖ）を行った後、原稿露光を行った。なお、照射光とし
てタングステンランプ（１４ｍＷ／cm2）を用い、約１
分間露光を行った。
次に市販の静電写真複写機（ＤＣ−１６２；三田工業社
製）の感光体ドラムをアルマイト・ドラムに取り換え、
そこに露光後の本感光体を貼付し、銅基板を接地した
後、正コロナ放電（＋６ｋｖ）、トナー現像、普通紙へ
の転写、クリーニングのサイクルを連続的に繰り返し、
静電印刷を行った。
製）の感光体ドラムをアルマイト・ドラムに取り換え、
そこに露光後の本感光体を貼付し、銅基板を接地した
後、正コロナ放電（＋６ｋｖ）、トナー現像、普通紙へ
の転写、クリーニングのサイクルを連続的に繰り返し、
静電印刷を行った。
印刷を５０サイクルまで行ったところ、初期画像と比較
しても画像のノイズや、コントラストの乱れはほとんど
観測されず、鮮明な印刷物が得られた。
しても画像のノイズや、コントラストの乱れはほとんど
観測されず、鮮明な印刷物が得られた。
第１図は本発明に用いる感光体の断面構造を示し第２−
Ａ乃至２−Ｆ図は本発明の方法による感光体のメモリー
像の形成原理及び静電像の形成原理を示し、 第３図は本発明に使用するスイッチング素子層について
印加電圧と電流との関係を示し、 第４図は本発明に用いる感光体の表面電位と時間の関係
を示したものである。 １……導電製基質 ２……スイッチング素子層 ３……電荷発生輸送乃至電荷受容層
Ａ乃至２−Ｆ図は本発明の方法による感光体のメモリー
像の形成原理及び静電像の形成原理を示し、 第３図は本発明に使用するスイッチング素子層について
印加電圧と電流との関係を示し、 第４図は本発明に用いる感光体の表面電位と時間の関係
を示したものである。 １……導電製基質 ２……スイッチング素子層 ３……電荷発生輸送乃至電荷受容層
Claims (1)
- 【請求項１】導電性基質、該導電性基質上に設けられ、
高電場で高電導状態となり且つ高電導状態が維持される
スイッチング素子層、及び該スイッチング素子層上に設
けられた電荷発生輸送乃至は電子受容層から成る電子写
真感光体に対して、スイッチング素子層に高電場が印加
されない限度内において、前帯電と前一様露光とを行
い、次いで前帯電と同極の主帯電と画像露光とを行って
感光体上にメモリー像を形成させることを特徴とする電
子写真法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59064779A JPH0616195B2 (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 電子写真法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59064779A JPH0616195B2 (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 電子写真法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60208771A JPS60208771A (ja) | 1985-10-21 |
| JPH0616195B2 true JPH0616195B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=13268035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59064779A Expired - Lifetime JPH0616195B2 (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 電子写真法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0616195B2 (ja) |
-
1984
- 1984-03-31 JP JP59064779A patent/JPH0616195B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60208771A (ja) | 1985-10-21 |
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