JPS60207144A - 電子写真多層感光体 - Google Patents
電子写真多層感光体Info
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- JPS60207144A JPS60207144A JP6217384A JP6217384A JPS60207144A JP S60207144 A JPS60207144 A JP S60207144A JP 6217384 A JP6217384 A JP 6217384A JP 6217384 A JP6217384 A JP 6217384A JP S60207144 A JPS60207144 A JP S60207144A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- switching element
- element layer
- charge
- complex
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/047—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure characterised by the charge-generation layers or charge transport layers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、電子写真感光体に関するもので、より詳細に
は感光体のメモリー効果を利用して静電像の反復形成を
行うための電子写真感光体に関する０ 従来波−術 従来、原稿の多数枚複製には、印刷技術の他に、操作の
手軽さ等の見地から、電子写真法による多数枚複写技術
が採用されるに至っている。この多数枚複写電子写真法
の代表的なものとＥ−て、光メモリー効果を有する光導
電性感光層を画像露光した後、帯電、現像、転写及びク
リーニングの諸工程を反復する、所謂リテンション型静
電印刷法が知られている。この方法は、感光層の露光部
では光メモリー効果により導電性となり、この部分に電
荷がのりに〈（なるという原理を使用するものであるが
、公知の感光体は、所望の光メモリー効果を与えるため
の感度が低く、感光体を大出力の光源を用いて画像露光
しなければならないという不便さがある。
は感光体のメモリー効果を利用して静電像の反復形成を
行うための電子写真感光体に関する０ 従来波−術 従来、原稿の多数枚複製には、印刷技術の他に、操作の
手軽さ等の見地から、電子写真法による多数枚複写技術
が採用されるに至っている。この多数枚複写電子写真法
の代表的なものとＥ−て、光メモリー効果を有する光導
電性感光層を画像露光した後、帯電、現像、転写及びク
リーニングの諸工程を反復する、所謂リテンション型静
電印刷法が知られている。この方法は、感光層の露光部
では光メモリー効果により導電性となり、この部分に電
荷がのりに〈（なるという原理を使用するものであるが
、公知の感光体は、所望の光メモリー効果を与えるため
の感度が低く、感光体を大出力の光源を用いて画像露光
しなければならないという不便さがある。
最近に至って、光メモリー効果を利用する感光体の開発
も行われており、例えば弁上教授等によって、ポリ−Ｎ
−ビニルカルバゾールＣＰＶＫ）、２．４．７−）リニ
トロフルオレノン（ＴＮＦ）及びロイコ色素の混合溶液
をアルミニウム電極上に塗布した感光体、或いは上記混
合溶液塗布層の上に、ＰＶＫとＴＮＦとの組成物の層を
設けた複層感光体を使用し、これを−同側像露光するこ
とにより、感光体上にメモリー像（露光部の電荷受容性
の低下）を形成し、帯電°−現像−転写のプロセスを繰
り返すことで多数枚の複写物を得る研究が行われている
（日本写真学会誌第４４巻２号第１０４乃至１１７頁（
１９８１）参照）。これらの感光体におけるメモリー形
成は、ＴＮＦとロイコ色素の作る電荷移動錯体の光吸収
後の化学反応に起因するものと言われている。
も行われており、例えば弁上教授等によって、ポリ−Ｎ
−ビニルカルバゾールＣＰＶＫ）、２．４．７−）リニ
トロフルオレノン（ＴＮＦ）及びロイコ色素の混合溶液
をアルミニウム電極上に塗布した感光体、或いは上記混
合溶液塗布層の上に、ＰＶＫとＴＮＦとの組成物の層を
設けた複層感光体を使用し、これを−同側像露光するこ
とにより、感光体上にメモリー像（露光部の電荷受容性
の低下）を形成し、帯電°−現像−転写のプロセスを繰
り返すことで多数枚の複写物を得る研究が行われている
（日本写真学会誌第４４巻２号第１０４乃至１１７頁（
１９８１）参照）。これらの感光体におけるメモリー形
成は、ＴＮＦとロイコ色素の作る電荷移動錯体の光吸収
後の化学反応に起因するものと言われている。
発明の構成
本発明によれば、光化学反応によるメモリー効果とは全
く異なった原理によりメモリー像の形成が行われる電子
写真感光体が提供される。 。
く異なった原理によりメモリー像の形成が行われる電子
写真感光体が提供される。 。
また、本発明によれば、従来の感光体とは層構成の全く
異なる新規複層構成を有する電子写真感光体が提供され
る。
異なる新規複層構成を有する電子写真感光体が提供され
る。
即ち、本発明け、導電性基質、該導電性基質上に形成さ
れたスイッチング素子層及び該スイッチング素子層上に
形成された電荷発生輸送乃至電荷受容層から成り、該ス
イッチング素子層は、シアン基含有電子受容性化合物と
銅又は銀との錯体がら成る微結晶性粒子を、ポリアルキ
レンポリオールを分散媒としてボリアリレート樹脂中に
分散した組成物から成ることを特徴とする電子写真多層
感光体が提供される。
れたスイッチング素子層及び該スイッチング素子層上に
形成された電荷発生輸送乃至電荷受容層から成り、該ス
イッチング素子層は、シアン基含有電子受容性化合物と
銅又は銀との錯体がら成る微結晶性粒子を、ポリアルキ
レンポリオールを分散媒としてボリアリレート樹脂中に
分散した組成物から成ることを特徴とする電子写真多層
感光体が提供される。
本発明を添付図面を参照しつつ以下に詳細に説明する。
この感光体の断面構造を示す第１図において、導電性基
質１の上にはスイッチング素子層２が設けられ、この層
２の上に更に電荷発生輸送層乃至は電荷受容層６が設け
られる。図示していないが、導電性基質１とスイッチン
グ素子層２との間には、所望に応じ、電荷注入バリヤ一
層或すは接着力を増強させるためのアンダ一層等が設け
られていてもよい。
質１の上にはスイッチング素子層２が設けられ、この層
２の上に更に電荷発生輸送層乃至は電荷受容層６が設け
られる。図示していないが、導電性基質１とスイッチン
グ素子層２との間には、所望に応じ、電荷注入バリヤ一
層或すは接着力を増強させるためのアンダ一層等が設け
られていてもよい。
本発明の重要な特徴は、このスイッチング素子層とＩ−
て、シアノ基含有電子受容性化合物と鋼又は銀との錯体
から成る微結晶性粒子を、ポリアルキレンポリオールを
分散媒としてポリアリ１ノート樹脂中に分散した組成物
を用いる点にある。この組成物、特に前記錯体は、高電
場で高電導状態となり且つこの高電導状態が維持される
スイッチング機能及びメモリー機能を有（−１ている。
て、シアノ基含有電子受容性化合物と鋼又は銀との錯体
から成る微結晶性粒子を、ポリアルキレンポリオールを
分散媒としてポリアリ１ノート樹脂中に分散した組成物
を用いる点にある。この組成物、特に前記錯体は、高電
場で高電導状態となり且つこの高電導状態が維持される
スイッチング機能及びメモリー機能を有（−１ている。
本発明の感光体のメモリー像の形成原理及び静電像の形
成原理を第２−Ａ乃至２−Ｄ図に基づき以下に説明する
。
成原理を第２−Ａ乃至２−Ｄ図に基づき以下に説明する
。
先ず、第２−Ａ図の帯電画像露光工程において、感光体
４の表面を、コロナチャージャ５により一定極性の電荷
に帯電させ、次いで光源６によりこの表面を画像露光さ
せる。図の具体例では、電荷受容層乙の表面は正電荷に
帯電され、導電性基質１には負電荷が誘起される。
４の表面を、コロナチャージャ５により一定極性の電荷
に帯電させ、次いで光源６によりこの表面を画像露光さ
せる。図の具体例では、電荷受容層乙の表面は正電荷に
帯電され、導電性基質１には負電荷が誘起される。
メモリー像形成の第１段階を示す第２−Ｂ図において、
暗部りでは表面電荷はその寸寸であるが、明部りでは、
電荷受容層６中に電荷（キャリヤ）が発生し、生じたホ
ール（十）が積層界面、即ちスイッチング素子層２との
界面迄移動して、そこに蓄積され、その結果として明部
りでは、スイッチング素子層２に高電場が印加されるこ
とになる。
暗部りでは表面電荷はその寸寸であるが、明部りでは、
電荷受容層６中に電荷（キャリヤ）が発生し、生じたホ
ール（十）が積層界面、即ちスイッチング素子層２との
界面迄移動して、そこに蓄積され、その結果として明部
りでは、スイッチング素子層２に高電場が印加されるこ
とになる。
メモリー像形成の第２段階を示す第２−Ｃ図において、
スイッチング素子層２の明部りでは、印加される高電場
により高電導状態（ＯＮ ５ＴＡＴＥ）、即ち低抵抗状
態に誘起される。スイッチング素子層２の暗部りでは、
高抵抗状！ｐＡ（ＯＦＦ ５ＴＡＴＥ ）のまま残り、
スイッチング素子層２には、上述１゜た状態が継続１−
で維持され、その結果として、明部りでは導電１性基質
１がらの電子の注入が容易な状態となる。
スイッチング素子層２の明部りでは、印加される高電場
により高電導状態（ＯＮ ５ＴＡＴＥ）、即ち低抵抗状
態に誘起される。スイッチング素子層２の暗部りでは、
高抵抗状！ｐＡ（ＯＦＦ ５ＴＡＴＥ ）のまま残り、
スイッチング素子層２には、上述１゜た状態が継続１−
で維持され、その結果として、明部りでは導電１性基質
１がらの電子の注入が容易な状態となる。
静電像形成工程を示す第２−Ｄ図において、一度露光が
行わ第１．た部分りでは、その後の正帯電に対して注入
が容易となった電子（−）が高導電状態のスイッチング
層２を介Ｅ−で電荷受容層６に注入され、該層６を通っ
て表面に到達し、表面の正電荷（＋）を消去することに
より、電荷像の形成が行われる。図示していないが、こ
の電荷像を、それ自体公知の方法により、トナーで現像
し、形成されるトナー像を紙等に転写することにより、
複写物乃至印刷物を得ることができる。がくして、第２
−Ａ乃至２−Ｃ図に示す１回のメモリー像形成の後に、
第２−Ｄ図に示す所望回数の帯電工程を行うことにより
、所望枚数の複写が可能となる。
行わ第１．た部分りでは、その後の正帯電に対して注入
が容易となった電子（−）が高導電状態のスイッチング
層２を介Ｅ−で電荷受容層６に注入され、該層６を通っ
て表面に到達し、表面の正電荷（＋）を消去することに
より、電荷像の形成が行われる。図示していないが、こ
の電荷像を、それ自体公知の方法により、トナーで現像
し、形成されるトナー像を紙等に転写することにより、
複写物乃至印刷物を得ることができる。がくして、第２
−Ａ乃至２−Ｃ図に示す１回のメモリー像形成の後に、
第２−Ｄ図に示す所望回数の帯電工程を行うことにより
、所望枚数の複写が可能となる。
本発明では、上述した説明から明らかな通り、光は電荷
発生輸送層乃至は電荷受容層６の電荷発生、換言すれば
、スイッチング素子層２への高電場印加の目的にのみ使
用されるというｌ待機がある。
発生輸送層乃至は電荷受容層６の電荷発生、換言すれば
、スイッチング素子層２への高電場印加の目的にのみ使
用されるというｌ待機がある。
即ち、従来の複層感光体では、電荷輸送層或いは電荷受
容層を介してメモリー形成層をも露光し、該メモリー形
成１の中に光化学変化を起させる必要があったのに対し
て、本発明では、電荷発生輸送層或いｆｄ電荷輸送層中
に電荷（キャリヤ〕を発生させることのみが要求される
ものであるから、従来法に比１７て著しく少ない露光量
でメモリー像の形成が可能となるという利点が達成され
るものである。
容層を介してメモリー形成層をも露光し、該メモリー形
成１の中に光化学変化を起させる必要があったのに対し
て、本発明では、電荷発生輸送層或いｆｄ電荷輸送層中
に電荷（キャリヤ〕を発生させることのみが要求される
ものであるから、従来法に比１７て著しく少ない露光量
でメモリー像の形成が可能となるという利点が達成され
るものである。
第３図は、本発明に使用するスイッチング素子層の成る
もの（後述するＣｕ−ＴＣＮＱ ）について、印加電圧
と電流との関係を示したものであり、曲線１は未処理の
スイッチング素子層についての電圧と電流との関係、曲
線２は高電圧印加後のスイッチング素子層について同様
の関係を調べたものである。曲線１から、このスイッチ
ング素子層は傾斜のゆるやかな高抵抗状態Ａと傾斜の極
めて大きい低抵抗状態Ｂとが存在すること、及び曲線２
から一旦高電導状態（ＯＮ ＳＴ、４ＴＥ）となったス
イッチング素子層では、高抵抗状ｆｆＭＡが殆んど消失
していることが明らかである。
もの（後述するＣｕ−ＴＣＮＱ ）について、印加電圧
と電流との関係を示したものであり、曲線１は未処理の
スイッチング素子層についての電圧と電流との関係、曲
線２は高電圧印加後のスイッチング素子層について同様
の関係を調べたものである。曲線１から、このスイッチ
ング素子層は傾斜のゆるやかな高抵抗状態Ａと傾斜の極
めて大きい低抵抗状態Ｂとが存在すること、及び曲線２
から一旦高電導状態（ＯＮ ＳＴ、４ＴＥ）となったス
イッチング素子層では、高抵抗状ｆｆＭＡが殆んど消失
していることが明らかである。
本発明に用いるスイッチング素子層は、高抵抗状明（Ｏ
ＦＦ ５ＴＡＴＥ）の電気抵抗＜Ｒ１１）が１０８乃至
１０１４Ω−Ｏｎ、特に１０９乃至ｉ ＱｌｌΩ−ｍの
範囲にあることが電荷保持性の点で望捷しく、一方ＲＨ
と低抵抗状態（ＯＮ ５ＴＡＴＥ）の電気抵抗（ＲＬ−
Ω−鋸との比（ＲＨ／ＲＬ）は、Ｉ Ｘ １０’乃至Ｉ
Ｘ Ｉ Ｑ５ の範囲内にあることが、コントラスト
の面で望ましい。
ＦＦ ５ＴＡＴＥ）の電気抵抗＜Ｒ１１）が１０８乃至
１０１４Ω−Ｏｎ、特に１０９乃至ｉ ＱｌｌΩ−ｍの
範囲にあることが電荷保持性の点で望捷しく、一方ＲＨ
と低抵抗状態（ＯＮ ５ＴＡＴＥ）の電気抵抗（ＲＬ−
Ω−鋸との比（ＲＨ／ＲＬ）は、Ｉ Ｘ １０’乃至Ｉ
Ｘ Ｉ Ｑ５ の範囲内にあることが、コントラスト
の面で望ましい。
前述した特性を有するスイッチング素子と（−では、テ
トラシアノエチレン（ＴＣＮＥ）、テトラシアノキノジ
メタン（ＴＣＮＱ）、テトラシアノナフトキノジメタン
（ＴＮＡｐ）、テトラシアノジメチルキノメタン（Ｔ
ＣＮＱ （Ｊｆ’ ）２）、テトラシアノジ゛メトキシ
キノメタン（ＴＣＮＱ（ＯＨす、）、２．３゜５．６−
チトラフルオロー７．７，８．８−テトラシアノキノジ
メタン＜ＴＣＮＱＦ、）等の電子受容性物質と、銅又は
銀との錯体が好適に使用される。
トラシアノエチレン（ＴＣＮＥ）、テトラシアノキノジ
メタン（ＴＣＮＱ）、テトラシアノナフトキノジメタン
（ＴＮＡｐ）、テトラシアノジメチルキノメタン（Ｔ
ＣＮＱ （Ｊｆ’ ）２）、テトラシアノジ゛メトキシ
キノメタン（ＴＣＮＱ（ＯＨす、）、２．３゜５．６−
チトラフルオロー７．７，８．８−テトラシアノキノジ
メタン＜ＴＣＮＱＦ、）等の電子受容性物質と、銅又は
銀との錯体が好適に使用される。
本発明において、上記錯体の微結晶粒子を、ポリアルキ
レンポリオールを分散媒として、ボリアリレート中に分
散させ、この分散体をスイッチング素子層とする。
レンポリオールを分散媒として、ボリアリレート中に分
散させ、この分散体をスイッチング素子層とする。
ボリアリレートは、下記構造
を基本とする熱可塑性樹脂であり、日本国内ではＵ−ポ
リマーの商品名でユニチカ■より市販されている。この
樹脂は、主鎖に高密度で芳香環を含有することから、耐
熱性に優れており、他の熱可塑性樹脂には認められない
高い熱変形温度（約１７５ｔＺ’）を有すると共に、高
い体積抵抗率（約２ Ｘ １０′６０−ｃｍ）と耐電圧
（約４００ ＫＶ／ｃｍ）を有り、ている。
リマーの商品名でユニチカ■より市販されている。この
樹脂は、主鎖に高密度で芳香環を含有することから、耐
熱性に優れており、他の熱可塑性樹脂には認められない
高い熱変形温度（約１７５ｔＺ’）を有すると共に、高
い体積抵抗率（約２ Ｘ １０′６０−ｃｍ）と耐電圧
（約４００ ＫＶ／ｃｍ）を有り、ている。
本発明の感光体においては、スイッチング素子層に高Ｍ
、場が印加されるが、樹脂バインダーとして耐電圧の高
いボリアリレートを用することにより、スイッチング素
子層の絶縁破壊等のトラブルを解消し得る。捷だ、前述
した錯塩が高抵抗状態と高電導状態のスイッチング機能
を示すのは、例えば下記式 ％式％ ） で表わされるように、左辺の低電導性のシンプル塩が、
閾値以上の電圧印加で部分的に中性分子が生成（−１所
謂高電導性のコンプレックス塩ができるための電導度変
化に起因すると理解されているが、この高電導性のコン
プレックス塩を高抵抗状態のシンプル塩に復帰させるに
は、該塩を高温に加熱することが必要になる。本発明に
よれば、結着剤樹脂としてボリアリレートを用いること
により、高温の加熱にも耐えられるという利点がある。
、場が印加されるが、樹脂バインダーとして耐電圧の高
いボリアリレートを用することにより、スイッチング素
子層の絶縁破壊等のトラブルを解消し得る。捷だ、前述
した錯塩が高抵抗状態と高電導状態のスイッチング機能
を示すのは、例えば下記式 ％式％ ） で表わされるように、左辺の低電導性のシンプル塩が、
閾値以上の電圧印加で部分的に中性分子が生成（−１所
謂高電導性のコンプレックス塩ができるための電導度変
化に起因すると理解されているが、この高電導性のコン
プレックス塩を高抵抗状態のシンプル塩に復帰させるに
は、該塩を高温に加熱することが必要になる。本発明に
よれば、結着剤樹脂としてボリアリレートを用いること
により、高温の加熱にも耐えられるという利点がある。
更に、前述した錯塩の微結晶粒子は、ボリアリレート中
に分散困難であり、分散状態の均質な分散相を形成させ
ることが困難であるが、本発明によれば、ポリアルキレ
ンポリオールを分散媒とすることにより、組成が全体、
にわたって均質なスイッチング素子層の形成が可能とな
る。
に分散困難であり、分散状態の均質な分散相を形成させ
ることが困難であるが、本発明によれば、ポリアルキレ
ンポリオールを分散媒とすることにより、組成が全体、
にわたって均質なスイッチング素子層の形成が可能とな
る。
これはポリアルキレンポリオール、例えばポリエチレン
グリコールＣＰＥＧ）のような親水性ポリマーが、スイ
ッチング素子層として用いるシアン基含有の電子受容性
化合物の銅又は銀錯体、例えばＣｕ−ＴＣＮＱのような
イオン性の添加物に対しての分散剤として働く場合、親
水性ポリマー自身が界面活性剤的な役割を果たし、錯体
粒子をより微小に分散するためと考えられる。さらに、
そのためにスイッチング素子層と電荷発生輸送層乃至は
電荷受容層との界面において、電荷発生輸送層乃至は電
荷受容層中の電子輸送物質、例えばテトラニトロフルオ
レノン分子と錯体粒子との接触面積を増大させ、スイッ
チング素子層から電荷発生輸送層乃至は電荷受容層への
電子移動過程がより効率よく行なわれる。
グリコールＣＰＥＧ）のような親水性ポリマーが、スイ
ッチング素子層として用いるシアン基含有の電子受容性
化合物の銅又は銀錯体、例えばＣｕ−ＴＣＮＱのような
イオン性の添加物に対しての分散剤として働く場合、親
水性ポリマー自身が界面活性剤的な役割を果たし、錯体
粒子をより微小に分散するためと考えられる。さらに、
そのためにスイッチング素子層と電荷発生輸送層乃至は
電荷受容層との界面において、電荷発生輸送層乃至は電
荷受容層中の電子輸送物質、例えばテトラニトロフルオ
レノン分子と錯体粒子との接触面積を増大させ、スイッ
チング素子層から電荷発生輸送層乃至は電荷受容層への
電子移動過程がより効率よく行なわれる。
微結晶錯体とボリアリレートとは、１：４乃至４：１の
重量比、特に２：３乃至６：２の重量比で用いるのがよ
い。
重量比、特に２：３乃至６：２の重量比で用いるのがよ
い。
第６図は、スイッチング素子層における錯体含有量を変
化させた場合における、スイッチング機能の醒場閾値（
Ｖ／ｃｍ）並びに高抵抗状態及び高電導状態１／ｊおけ
るスイッチング素子層の体積抵抗を示す。これらの結果
から、上記範囲では安定な機能が達成されることが理解
されよう。
化させた場合における、スイッチング機能の醒場閾値（
Ｖ／ｃｍ）並びに高抵抗状態及び高電導状態１／ｊおけ
るスイッチング素子層の体積抵抗を示す。これらの結果
から、上記範囲では安定な機能が達成されることが理解
されよう。
ポリアルキレンポリオールとしては、ポリエチレングリ
コール、ポリプロピレングリコール、ポリ（エチレング
リコール／プロピレングリコール）、ポリブチレングリ
コールの他に、グリセリン、ソルビタン、マンニトール
等の多価アルコール類とエチレンオキサイド又はプロピ
レンオキザイドとの付加物が使用される。これらのポリ
アルキレンポリオールの重量平均分子量は５００乃至１
００．０００、特に６００乃至１０，０００の範囲にあ
ることが望ましい。
コール、ポリプロピレングリコール、ポリ（エチレング
リコール／プロピレングリコール）、ポリブチレングリ
コールの他に、グリセリン、ソルビタン、マンニトール
等の多価アルコール類とエチレンオキサイド又はプロピ
レンオキザイドとの付加物が使用される。これらのポリ
アルキレンポリオールの重量平均分子量は５００乃至１
００．０００、特に６００乃至１０，０００の範囲にあ
ることが望ましい。
この分子量に関しては後述する比較例に示す通りであり
、分子量が大きすぎるとポリアルキレンポリオールの親
水性が小さくなり、分散効果が減少し７、メモリー効果
は小さくなる傾向にある。
、分子量が大きすぎるとポリアルキレンポリオールの親
水性が小さくなり、分散効果が減少し７、メモリー効果
は小さくなる傾向にある。
ポリアルキレンポリオールの配合量は、結着剤樹脂当り
２乃至１０重ｔ％、特に４乃至７重＠係とすることが分
散性の点で望ましい。
２乃至１０重ｔ％、特に４乃至７重＠係とすることが分
散性の点で望ましい。
前述１〜だバインダーを、適当な溶媒、例えばテトラヒ
ドロフラン、クロロホルム、ジオキサン、ジメチルアセ
トアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド等の溶媒に溶解し、微結晶錯体を分散させ、導電性基
質上に塗布し、乾燥してスイッチング素子層を形成させ
る。
ドロフラン、クロロホルム、ジオキサン、ジメチルアセ
トアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド等の溶媒に溶解し、微結晶錯体を分散させ、導電性基
質上に塗布し、乾燥してスイッチング素子層を形成させ
る。
本発明に用いる電荷発生輸送層乃至電荷受容層は、光照
射により電荷（キャリヤ：正孔）を発生し、界面へこれ
を移送すると共に、スイッチング素子から注入される電
荷（電子）を表面迄移送するものでなければならない。
射により電荷（キャリヤ：正孔）を発生し、界面へこれ
を移送すると共に、スイッチング素子から注入される電
荷（電子）を表面迄移送するものでなければならない。
かかる見地からは、この層は正孔及び電子の両方を移送
させ得るものでなければならない。
させ得るものでなければならない。
この目的のために、正孔輸送物と電子輸送物質との混合
物乃至は電荷輸送錯体が有利に使用される。適当な正孔
輸送物質の例は、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、フェ
ナントレン、■−エチルカルバゾール、２．５−ジフェ
ニル−１，ろ、４−オキサジアゾール、２．５−ビス−
（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサ
ジアゾール、ビス−ジエチルアミノフェニル−１，３゜
６−オキサジアゾール、４．４’−ビス（ジエチルアミ
ノ−２，２′−ジメチルトリフェニルメタン、２．４．
５１！Ｊアミノフエニルイミタソール、２．５−ビス＜
４−ジエチルアミノフェニル）＝１．３．４−）リアゾ
ール、１−フェニル−６−（４−ジエチルアミノスチリ
ル）−５−（４−ジエチルアミノフェニル）−２−ピラ
ゾリン、ｐ−ジエチルアミノベンツアルデヒド−（ジフ
ェニルヒドラゾン）などであり、適当な電子輸送物質の
例Ｆｉ２−ニトロー９−フルオレノン、２，７−シニト
ロー９−フルオレノン、２．４．７−１リニトロ−９−
フルオレノン、２，４．５．７−テトラニトロ−９−フ
ルオレノン、２−ニトロペンツチオフェン、２．４．８
−）リニトロチオキサントン、ジニトロアントラセン、
ジニトロアクリジン、ジニトロアントラキノン、テトラ
シアノキノジメタンなどである。
物乃至は電荷輸送錯体が有利に使用される。適当な正孔
輸送物質の例は、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、フェ
ナントレン、■−エチルカルバゾール、２．５−ジフェ
ニル−１，ろ、４−オキサジアゾール、２．５−ビス−
（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサ
ジアゾール、ビス−ジエチルアミノフェニル−１，３゜
６−オキサジアゾール、４．４’−ビス（ジエチルアミ
ノ−２，２′−ジメチルトリフェニルメタン、２．４．
５１！Ｊアミノフエニルイミタソール、２．５−ビス＜
４−ジエチルアミノフェニル）＝１．３．４−）リアゾ
ール、１−フェニル−６−（４−ジエチルアミノスチリ
ル）−５−（４−ジエチルアミノフェニル）−２−ピラ
ゾリン、ｐ−ジエチルアミノベンツアルデヒド−（ジフ
ェニルヒドラゾン）などであり、適当な電子輸送物質の
例Ｆｉ２−ニトロー９−フルオレノン、２，７−シニト
ロー９−フルオレノン、２．４．７−１リニトロ−９−
フルオレノン、２，４．５．７−テトラニトロ−９−フ
ルオレノン、２−ニトロペンツチオフェン、２．４．８
−）リニトロチオキサントン、ジニトロアントラセン、
ジニトロアクリジン、ジニトロアントラキノン、テトラ
シアノキノジメタンなどである。
これらの混合物乃至錯体が造膜性を有する場合には、こ
れを有機溶媒の溶液とり、で、スイッチング素子層上に
塗布すればよく、また造膜性を有しない場合には、前に
例示ｌ−た樹脂バインダーの溶液中に、前述［７た組合
せ物質を分散させ、これを塗布して、電荷発生輸送層乃
室電荷受容層を形成させればよい。
れを有機溶媒の溶液とり、で、スイッチング素子層上に
塗布すればよく、また造膜性を有しない場合には、前に
例示ｌ−た樹脂バインダーの溶液中に、前述［７た組合
せ物質を分散させ、これを塗布して、電荷発生輸送層乃
室電荷受容層を形成させればよい。
本発明において、導電性基質と１７ては、銅、アルミニ
ウム、ブリキ等の導電性金属基質や、導電処理１−た紙
、或いはネサ（ＮＥＳＡ ）ガラス等が使用され、これ
らはシート或いはドラムの形で用いられる。
ウム、ブリキ等の導電性金属基質や、導電処理１−た紙
、或いはネサ（ＮＥＳＡ ）ガラス等が使用され、これ
らはシート或いはドラムの形で用いられる。
本発明の感光体において、スイッチング素子層の厚みは
、一般に１乃至５μｍ１特に１．５乃至６．５μｍの範
囲にあり、電荷発生輸送層乃至電荷輸送層の厚みは一般
に６乃至２０μｍ、特に７乃至１２μｍの範囲にあるこ
とが、帯電時の表面電位を高いレベルに維持しつつ、【
２かもメモリー効果を最大限に利用する上で好ま１〜い
。
、一般に１乃至５μｍ１特に１．５乃至６．５μｍの範
囲にあり、電荷発生輸送層乃至電荷輸送層の厚みは一般
に６乃至２０μｍ、特に７乃至１２μｍの範囲にあるこ
とが、帯電時の表面電位を高いレベルに維持しつつ、【
２かもメモリー効果を最大限に利用する上で好ま１〜い
。
本発明の感光体は、−回露光での多数枚複写の電子写真
感光体として有用であると共に、読み出し可能な電子簀
己録体としての用途にも有用である。
感光体として有用であると共に、読み出し可能な電子簀
己録体としての用途にも有用である。
参考例
スイッチング素子層の形成
ホールミルにより粉砕した銅−テトラシアノキノジメタ
ン錯体（ｃｕ−ＴＣＮＱ）１０重量部を、ボリアリレー
ト樹脂（Ｕ−ｐｏｌｙｍｅｒ ８Ｑ Ｑ Ｑ ユ＝チカ
製）１０重量部、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ１０
０〇三洋化成工業社製）０．５重量部、クロロホルム９
０重量部の組成から成る溶液と混合し、６０分間超音波
分散した後、銅基板上にワイヤーパーにより、塗布、乾
燥した。乾燥は８０Ｃで１５分間、さらに必要に応じて
６時間の真空乾燥を行ない、膜厚２μｍのスイッチング
素子層を形成した。
ン錯体（ｃｕ−ＴＣＮＱ）１０重量部を、ボリアリレー
ト樹脂（Ｕ−ｐｏｌｙｍｅｒ ８Ｑ Ｑ Ｑ ユ＝チカ
製）１０重量部、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ１０
０〇三洋化成工業社製）０．５重量部、クロロホルム９
０重量部の組成から成る溶液と混合し、６０分間超音波
分散した後、銅基板上にワイヤーパーにより、塗布、乾
燥した。乾燥は８０Ｃで１５分間、さらに必要に応じて
６時間の真空乾燥を行ない、膜厚２μｍのスイッチング
素子層を形成した。
スイッチング現象の測定
上記スイッチング素子層にＡｔを真空蒸着し、Ａｌ蒸着
膜と銅基板を電極としてサンドイッチ型セルを形成した
。
膜と銅基板を電極としてサンドイッチ型セルを形成した
。
次に、銅基板側に対し、＋３．０ Ｖ〜−３，０Ｖの電
圧を印加した。第１回目の電圧印加におけるＶ−１曲線
を第６図の曲線（Ｉｆに示す。さらに第２回目以降の電
圧印加におけるＶ−１曲線を曲線（２）に示すＯ 実施例 感光体の作製 参考例と同様な方法により、スイッチング素子層を銅基
板上に形成させた。
圧を印加した。第１回目の電圧印加におけるＶ−１曲線
を第６図の曲線（Ｉｆに示す。さらに第２回目以降の電
圧印加におけるＶ−１曲線を曲線（２）に示すＯ 実施例 感光体の作製 参考例と同様な方法により、スイッチング素子層を銅基
板上に形成させた。
次に、ポリビニルカルバゾール（Ｌｕｔｒｔｃａｎ Ｍ
−１７０ＢＡＳＦ社製） Ｉ Ｑ重量部にテトラヒド
ロフラン９０重量部を加えて１０％Ｉ） Ｖ Ｋ溶液を
作製した。この１０％ＰＶＫ溶液１０重量部に２．４゜
５．７−テトしニトロ−９−フルオレノン０．６重量部
及びテトラヒドロフラン２．０重量部を加え、超音波分
散機で充分に溶解させ、感光層塗布液を作製した。
−１７０ＢＡＳＦ社製） Ｉ Ｑ重量部にテトラヒド
ロフラン９０重量部を加えて１０％Ｉ） Ｖ Ｋ溶液を
作製した。この１０％ＰＶＫ溶液１０重量部に２．４゜
５．７−テトしニトロ−９−フルオレノン０．６重量部
及びテトラヒドロフラン２．０重量部を加え、超音波分
散機で充分に溶解させ、感光層塗布液を作製した。
この塗布液を先に形成させたスイッチング層上にワイヤ
ーバーにて塗布、乾燥を行ない、７μｍの感光層を形成
させ、感光体を得た。
ーバーにて塗布、乾燥を行ない、７μｍの感光層を形成
させ、感光体を得た。
複写テスト
上述の作製した感光体を表面電位光減衰装置にセット【
２、約′５０秒間正コロナ放電Ｃ＋６．０ＫＶ）を行な
った後、原稿露光を行なった。なお、照射光としてタン
グステンランプ（１４ｒｒｄＰ’／ｃｒｌ） ヲ用い約
１分間露光を行なった。
２、約′５０秒間正コロナ放電Ｃ＋６．０ＫＶ）を行な
った後、原稿露光を行なった。なお、照射光としてタン
グステンランプ（１４ｒｒｄＰ’／ｃｒｌ） ヲ用い約
１分間露光を行なった。
次に市販の静電写真複写機（ＤＣ’−１６’２：三田工
業社製）の感光体ドラムをアルマイトドラムに取り換え
、そこに露光後の本感光体を貼付Ｉ〜、銅基板を接地し
た後止コロナ放＠Ｃ＋６ＫＶ）、トナー現像、普通紙へ
の転写クリーニングのサイクルを連続的に繰り返し、静
電印刷を行なった。
業社製）の感光体ドラムをアルマイトドラムに取り換え
、そこに露光後の本感光体を貼付Ｉ〜、銅基板を接地し
た後止コロナ放＠Ｃ＋６ＫＶ）、トナー現像、普通紙へ
の転写クリーニングのサイクルを連続的に繰り返し、静
電印刷を行なった。
印刷を５０サイクルまで行なったところ、初期画像と比
較しても画像のノイズや、コントラストの乱れはほとん
ど観測されず、鮮明な印刷物が得られた。
較しても画像のノイズや、コントラストの乱れはほとん
ど観測されず、鮮明な印刷物が得られた。
比較例
実施例におけるスイッチング素子層中のポリエチレング
リコール（ＰＥＧ）を無添加、また、重量平均分子量を
＜ＳＯＤ 、１０００．２０００ 。
リコール（ＰＥＧ）を無添加、また、重量平均分子量を
＜ＳＯＤ 、１０００．２０００ 。
２００００．１０００００のものを使用し、実施例と同
様に１．て、６種の感光体を作製した。
様に１．て、６種の感光体を作製した。
次に、これら６種の感光体に対し正コロナ放電Ｃ＋６．
０ＫＶ）を行ない、初期表面電位ＣＶＯ）を測定１〜だ
。さらに、コロナ放電後の感光体にタングステンランプ
（１４ｒｒｄＶ／ｃｒｌ ）により、約１分間の露光を
行なった。その後、再び、正コロナ放電（＋６．０ＫＶ
）を行ない表面電位（Ｖ、）を測定１．た。
０ＫＶ）を行ない、初期表面電位ＣＶＯ）を測定１〜だ
。さらに、コロナ放電後の感光体にタングステンランプ
（１４ｒｒｄＶ／ｃｒｌ ）により、約１分間の露光を
行なった。その後、再び、正コロナ放電（＋６．０ＫＶ
）を行ない表面電位（Ｖ、）を測定１．た。
×１００）をめた。
その結果を下記第１表に示した。
なお、表面電位の測定には市販の表面型１付酎（ｆｒｅ
ｋ Ｃｏ Ｍｏｄｅｌ ３６０ ）を用いた。
ｋ Ｃｏ Ｍｏｄｅｌ ３６０ ）を用いた。
第１表
第１表の結果からｐＥＧの分子量は比較的低分子量であ
るほどメモリー効果に顕著な効果を示した０
るほどメモリー効果に顕著な効果を示した０
第１図は、本発明の感光体の断面構造を示（−２第２−
Δ乃至２−Ｄ図は、本発明の感光体のメモリー像の形成
原理及び静電像の形成原理を示し、第６図は、本発明に
使用するスイッチング素子層について印加電圧と電流と
の関係を示したものである。 １・・・・・・導電性基質、２・・・・・・スイッチン
グ素子層、６・・・・・・電荷発生輸送乃至電荷受容層
。 特許出願人 三田工業株式会社 第１図 第３図
Δ乃至２−Ｄ図は、本発明の感光体のメモリー像の形成
原理及び静電像の形成原理を示し、第６図は、本発明に
使用するスイッチング素子層について印加電圧と電流と
の関係を示したものである。 １・・・・・・導電性基質、２・・・・・・スイッチン
グ素子層、６・・・・・・電荷発生輸送乃至電荷受容層
。 特許出願人 三田工業株式会社 第１図 第３図
Claims (1)
- （１）導電性基質、該導電性基質上に形成されたスイッ
チング素子層及び該スイッチング素子層上に形成された
電荷発生輸送乃至電荷受容層から成り、該スイッチング
素子層は、シアン基含有電子受容性化合物と銅又は銀と
の錯体から成る微結晶性粒子を、ポリアルキレンポリオ
ールを分散媒としてボリアリレート樹脂中に分散した組
成物から成ることを特徴とする電子写真多層感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6217384A JPS60207144A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 電子写真多層感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6217384A JPS60207144A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 電子写真多層感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60207144A true JPS60207144A (ja) | 1985-10-18 |
| JPH0554672B2 JPH0554672B2 (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=13192465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6217384A Granted JPS60207144A (ja) | 1984-03-31 | 1984-03-31 | 電子写真多層感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60207144A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01229259A (ja) * | 1988-03-09 | 1989-09-12 | Seikosha Co Ltd | 感光体 |
-
1984
- 1984-03-31 JP JP6217384A patent/JPS60207144A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01229259A (ja) * | 1988-03-09 | 1989-09-12 | Seikosha Co Ltd | 感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0554672B2 (ja) | 1993-08-13 |
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