JPH06162497A - 可とう性コバルト／クロム薄層磁気媒体の製造法 - Google Patents
可とう性コバルト／クロム薄層磁気媒体の製造法Info
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- JPH06162497A JPH06162497A JP5198514A JP19851493A JPH06162497A JP H06162497 A JPH06162497 A JP H06162497A JP 5198514 A JP5198514 A JP 5198514A JP 19851493 A JP19851493 A JP 19851493A JP H06162497 A JPH06162497 A JP H06162497A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】コヒーレント、強磁性薄層コバルト／クロム層
がポリマー基質上に形成され、この工程において垂直保
磁力Ｈｃ，ｚおよび飽和磁化Ｍｓの両方を増加すること
が記録物性および再生レベルの向上に有効であり、この
改良が基質温度の上昇なしに達成されることができる磁
気記録媒体の製造方法を提供すること。 【構成】基質ポリマーフィルム、例えばポリイソプレン
フィルムが窒素、酸素またはアルゴン等またはこれらの
混合ガスを用いるイオンエッチングまたはプラズマエッ
チングの前処理にかけられ、これに続いて磁気金属層の
蒸着等が実施されることによる、磁気記録媒体の製造
法。
がポリマー基質上に形成され、この工程において垂直保
磁力Ｈｃ，ｚおよび飽和磁化Ｍｓの両方を増加すること
が記録物性および再生レベルの向上に有効であり、この
改良が基質温度の上昇なしに達成されることができる磁
気記録媒体の製造方法を提供すること。 【構成】基質ポリマーフィルム、例えばポリイソプレン
フィルムが窒素、酸素またはアルゴン等またはこれらの
混合ガスを用いるイオンエッチングまたはプラズマエッ
チングの前処理にかけられ、これに続いて磁気金属層の
蒸着等が実施されることによる、磁気記録媒体の製造
法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主としてもし必要なら
ば基質の表面に下塗り層が適用されているポリマー基質
および基質上に積層されたコヒーレント、強磁性薄層の
コバルト／クロム層および必要ならばその上に形成され
た保護層からなる磁気記録媒体の製造方法に関するもの
である。
ば基質の表面に下塗り層が適用されているポリマー基質
および基質上に積層されたコヒーレント、強磁性薄層の
コバルト／クロム層および必要ならばその上に形成され
た保護層からなる磁気記録媒体の製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】磁気層がコヒーレント、強磁性薄層の金
属層からなる磁気記録媒体は、よく知られている。長く
使用されていた微粒子状の磁気媒体と比べると、薄層媒
体はより高い記録密度を与えている。与えられた記録面
積当りで情報密度をこのように増加させることは、薄層
金属層の厚さがより小さいことおよび関連して消磁効果
が低いことと、単位容積当りの有効磁気素子数がより大
きい数値となっていることとの両方から由来している。
さらに記録密度を増加させるためには、縦記録から斜角
または垂直記録に変えることで達成され、従って適当に
斜角の磁化方向または好適には垂直の磁化方向を有する
磁気記録媒体が特に重要である。
属層からなる磁気記録媒体は、よく知られている。長く
使用されていた微粒子状の磁気媒体と比べると、薄層媒
体はより高い記録密度を与えている。与えられた記録面
積当りで情報密度をこのように増加させることは、薄層
金属層の厚さがより小さいことおよび関連して消磁効果
が低いことと、単位容積当りの有効磁気素子数がより大
きい数値となっていることとの両方から由来している。
さらに記録密度を増加させるためには、縦記録から斜角
または垂直記録に変えることで達成され、従って適当に
斜角の磁化方向または好適には垂直の磁化方向を有する
磁気記録媒体が特に重要である。
【０００３】通常の薄層製造に用いられるＰＶＤ（物理
的蒸着）法による強磁性金属層の適用は、工程パラメー
タの選択によって磁気層が望ましい形態および結晶学的
方向性になるように設計されなければならない。垂直記
録のためのコバルト／クロム層の場合には、望ましい金
属層の成長は、下塗り層、例えばケイ素（Ｓｉ）、ゲル
マニウム（Ｇｅ）またはチタン（Ｔｉ）の適用によって
か［オー．キタカミ（Ｏ．Ｋｉｔａｋａｍｉ）および共
同研究者、ＩＥＥＥ（アメリカ電気・電子通信学会）磁
気会報（Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．）２５（３）（１９８
９），２６０７］、またはコーティング中の基質温度を
２００から２５０℃の高温にすることによってか［アー
ル．スギタ（Ｒ．Ｓｕｇｉｔａ）および共同研究者、Ｉ
ＥＥＥ（アメリカ電気・電子通信学会）磁気会報（Ｔｒ
ａｎｓ．Ｍａｇｎ．）２６（５）（１９９０），２２８
６；ケー．トーマ（Ｋ．Ｔｏｈｍａ）および共同研究
者、ＩＥＥＥ（アメリカ電気・電子通信学会）翻訳、日
本磁気学会誌（Ｊ．Ｍａｇｎ．Ｊａｐ．）５（１０）
（１９９０），８４９］、いずれかによって得られる。
コーティング中に基質を高温にすることは、磁気層中の
個々のカラム（ｃｏｌｕｍｎ）の末端でクロムの偏析
（ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ）が起こり、従ってカラム
（ｃｏｌｕｍｎ）内でのクロム含量が低下することにな
る［ワイ．マエダ（Ｙ．Ｍａｅｄａ）および共同研究
者、日本磁気協会誌（Ｊ．Ｍａｇｎ．Ｓｏｃ．Ｊａ
ｐ．）１５（Ｓ２）（１９９１），４５７］。個々のコ
バルト／クロムカラムは唯弱い磁性であるクロムカラム
によって磁気的に相互に分離されており、その結果とし
て垂直保磁力Ｈｃ，ｚの増加につながる。これに加え
て、カラム内部におけるクロム含量が低下することは飽
和磁化Ｍｓの増加となる。Ｈｃ，ｚの増加およびＭｓの
増加は、このような磁気層の記録物性に有利な効果を有
している。しかしながら、欠点としてはコーティング中
の高い基質温度のために、ポリマー基質中に含まれてい
る水が放出されて、その結果として磁気層の結晶構造形
成が妨げられ磁気物性がより貧弱になるという事実があ
る［アール．スギタ（Ｒ．Ｓｕｇｉｔａ）および共同研
究者、日本磁気学会誌（Ｊ．Ｍａｇｎ．Ｓｏｃ．Ｊａ
ｐ．）１３（Ｓ１）（１９８９），６４５］。
的蒸着）法による強磁性金属層の適用は、工程パラメー
タの選択によって磁気層が望ましい形態および結晶学的
方向性になるように設計されなければならない。垂直記
録のためのコバルト／クロム層の場合には、望ましい金
属層の成長は、下塗り層、例えばケイ素（Ｓｉ）、ゲル
マニウム（Ｇｅ）またはチタン（Ｔｉ）の適用によって
か［オー．キタカミ（Ｏ．Ｋｉｔａｋａｍｉ）および共
同研究者、ＩＥＥＥ（アメリカ電気・電子通信学会）磁
気会報（Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．）２５（３）（１９８
９），２６０７］、またはコーティング中の基質温度を
２００から２５０℃の高温にすることによってか［アー
ル．スギタ（Ｒ．Ｓｕｇｉｔａ）および共同研究者、Ｉ
ＥＥＥ（アメリカ電気・電子通信学会）磁気会報（Ｔｒ
ａｎｓ．Ｍａｇｎ．）２６（５）（１９９０），２２８
６；ケー．トーマ（Ｋ．Ｔｏｈｍａ）および共同研究
者、ＩＥＥＥ（アメリカ電気・電子通信学会）翻訳、日
本磁気学会誌（Ｊ．Ｍａｇｎ．Ｊａｐ．）５（１０）
（１９９０），８４９］、いずれかによって得られる。
コーティング中に基質を高温にすることは、磁気層中の
個々のカラム（ｃｏｌｕｍｎ）の末端でクロムの偏析
（ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ）が起こり、従ってカラム
（ｃｏｌｕｍｎ）内でのクロム含量が低下することにな
る［ワイ．マエダ（Ｙ．Ｍａｅｄａ）および共同研究
者、日本磁気協会誌（Ｊ．Ｍａｇｎ．Ｓｏｃ．Ｊａ
ｐ．）１５（Ｓ２）（１９９１），４５７］。個々のコ
バルト／クロムカラムは唯弱い磁性であるクロムカラム
によって磁気的に相互に分離されており、その結果とし
て垂直保磁力Ｈｃ，ｚの増加につながる。これに加え
て、カラム内部におけるクロム含量が低下することは飽
和磁化Ｍｓの増加となる。Ｈｃ，ｚの増加およびＭｓの
増加は、このような磁気層の記録物性に有利な効果を有
している。しかしながら、欠点としてはコーティング中
の高い基質温度のために、ポリマー基質中に含まれてい
る水が放出されて、その結果として磁気層の結晶構造形
成が妨げられ磁気物性がより貧弱になるという事実があ
る［アール．スギタ（Ｒ．Ｓｕｇｉｔａ）および共同研
究者、日本磁気学会誌（Ｊ．Ｍａｇｎ．Ｓｏｃ．Ｊａ
ｐ．）１３（Ｓ１）（１９８９），６４５］。
【０００４】さらに、層形成の間に熱作用による基質ポ
リマーの変形または分解を避けるためには、これらの層
の製造において熱安定性基質が使用されなければならな
い。多くの耐熱性ポリマーが非常に高価であるという事
実が、ここでは不利な点となる。
リマーの変形または分解を避けるためには、これらの層
の製造において熱安定性基質が使用されなければならな
い。多くの耐熱性ポリマーが非常に高価であるという事
実が、ここでは不利な点となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、コヒ
ーレント、強磁性薄層コバルト／クロム層がポリマー基
質上に形成され、この工程において垂直保磁力Ｈｃ，ｚ
および飽和磁化Ｍｓの両方を増加することが基質温度の
上昇なしに達成されることができるように磁気記録媒体
の製造方法を提供することである。
ーレント、強磁性薄層コバルト／クロム層がポリマー基
質上に形成され、この工程において垂直保磁力Ｈｃ，ｚ
および飽和磁化Ｍｓの両方を増加することが基質温度の
上昇なしに達成されることができるように磁気記録媒体
の製造方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】我々は、この目的が主と
してポリマー基質、必要ならばこの基質の表面に下塗り
層が適用されることがあるポリマー基質、およびこの基
質上に積層されるコヒーレント、強磁性薄層のコバルト
／クロム層、および必要ならばその上に形成される保護
層からなり、もしポリマー基質がプラズマ前処理にかけ
られるならば磁気層中のコバルト原子当りの平均磁気モ
ーメントが増加されることができるような磁気記録媒体
の製造方法によって達成されることを見出したものであ
る。
してポリマー基質、必要ならばこの基質の表面に下塗り
層が適用されることがあるポリマー基質、およびこの基
質上に積層されるコヒーレント、強磁性薄層のコバルト
／クロム層、および必要ならばその上に形成される保護
層からなり、もしポリマー基質がプラズマ前処理にかけ
られるならば磁気層中のコバルト原子当りの平均磁気モ
ーメントが増加されることができるような磁気記録媒体
の製造方法によって達成されることを見出したものであ
る。
【０００７】本発明の目的のためには、プラズマ前処理
が工程ガスとして窒素または酸素含有ガスを用いるイオ
ンエッチングまたはプラズマエッチングである。
が工程ガスとして窒素または酸素含有ガスを用いるイオ
ンエッチングまたはプラズマエッチングである。
【０００８】イオンエッチングにおいては、加熱カソー
ドから出てくるエレクトロンが電場および磁場によって
加速される。アノードに向う過程において、エレクトロ
ンが導入されたガス、例えばアルゴン（Ａｒ）、窒素
（Ｎ2 ）または酸素（Ｏ2 ）の粒子をイオン化する。陽
荷電ガスイオンおよび若干量のエレクトロン（電荷中
和）が、ポリマー基質に向って加速される。典型的なイ
オンエネルギーは、１０から２，０００ｅＶの範囲であ
る。
ドから出てくるエレクトロンが電場および磁場によって
加速される。アノードに向う過程において、エレクトロ
ンが導入されたガス、例えばアルゴン（Ａｒ）、窒素
（Ｎ2 ）または酸素（Ｏ2 ）の粒子をイオン化する。陽
荷電ガスイオンおよび若干量のエレクトロン（電荷中
和）が、ポリマー基質に向って加速される。典型的なイ
オンエネルギーは、１０から２，０００ｅＶの範囲であ
る。
【０００９】プラズマエッチングにおいては、プラズマ
が基質と反対電極との間の空間で放電され、この場合の
電圧は例えば１３．５６ＭＨｚおよび１００から１，０
００Ｗの電力が基質担体素子に加えられ、同時にガス、
例えばアルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ2 ）または酸素（Ｏ
2 ）が導入される。プラズマが発熱している間には、基
質がイオン、エレクトロンおよび光量子等で衝撃を与え
られる。
が基質と反対電極との間の空間で放電され、この場合の
電圧は例えば１３．５６ＭＨｚおよび１００から１，０
００Ｗの電力が基質担体素子に加えられ、同時にガス、
例えばアルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ2 ）または酸素（Ｏ
2 ）が導入される。プラズマが発熱している間には、基
質がイオン、エレクトロンおよび光量子等で衝撃を与え
られる。
【００１０】イオンエッチングおよびプラズマエッチン
グは、フィルム表面の科学的組成および形態学的構成の
純化と変性を与えることになる。
グは、フィルム表面の科学的組成および形態学的構成の
純化と変性を与えることになる。
【００１１】磁気記録媒体の新規製造法においては、用
いられる基質がポリマー基質であり、特にＰＥＴ，ＰＥ
Ｎ，ポリスルホン，ＰＩ，ＰＡおよびＰＥＥＫからなる
群から選ばれる。この基質の少なくとも１つの主要表面
が、次にイオンエッチングおよびプラズマエッチングか
らなる群からのプラズマ法によって処理される。
いられる基質がポリマー基質であり、特にＰＥＴ，ＰＥ
Ｎ，ポリスルホン，ＰＩ，ＰＡおよびＰＥＥＫからなる
群から選ばれる。この基質の少なくとも１つの主要表面
が、次にイオンエッチングおよびプラズマエッチングか
らなる群からのプラズマ法によって処理される。
【００１２】次にこの方法で前処理された基質に、既知
のＰＶＤ法によってコバルト／クロム層が適用される。
特別の具体化方法においては、コバルト／クロム層がさ
らにＮｉ，Ｔａ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｗ，Ｃ，Ｐ，Ｂ，
Ｖ，Ｍｏ，Ｆｅ，Ｐｔ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｐｒ，
Ｇｄ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ａｇおよ
びＺｒからの群から選ばれる元素を含むことができる。
のＰＶＤ法によってコバルト／クロム層が適用される。
特別の具体化方法においては、コバルト／クロム層がさ
らにＮｉ，Ｔａ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｗ，Ｃ，Ｐ，Ｂ，
Ｖ，Ｍｏ，Ｆｅ，Ｐｔ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｐｒ，
Ｇｄ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ａｇおよ
びＺｒからの群から選ばれる元素を含むことができる。
【００１３】ここでの特別な特徴は、上述のように前処
理された基質を用いて、垂直磁化に適した磁気層が低い
基質温度、すなわち−２０から１００℃までの温度でさ
えも適用されることができることである。この処理によ
って得られる磁気層は、本質的に改良された記録特性を
有している。
理された基質を用いて、垂直磁化に適した磁気層が低い
基質温度、すなわち−２０から１００℃までの温度でさ
えも適用されることができることである。この処理によ
って得られる磁気層は、本質的に改良された記録特性を
有している。
【００１４】実施例および比較実験例が以下に示され、
これらが本発明を詳細に説明している。
これらが本発明を詳細に説明している。
【００１５】
比較実験例 約３２０ｎｍ厚さのＣｏ74Ｃｒ26磁気層が、通常の蒸着
装置中で室温に保持された基質の５０μｍ厚さＰＩ（ポ
リイソプレン）基質フィルムに蒸着法によって適用され
た。次に２０ｎｍ厚さの耐摩耗炭素層が、スパッタリン
グ法によって同上の磁気層に適用された。
装置中で室温に保持された基質の５０μｍ厚さＰＩ（ポ
リイソプレン）基質フィルムに蒸着法によって適用され
た。次に２０ｎｍ厚さの耐摩耗炭素層が、スパッタリン
グ法によって同上の磁気層に適用された。
【００１６】得られた積層体の磁気物性が、表１におい
て示されている。Ｍｓは飽和磁化であり、ｔはＣｏ−Ｃ
ｒ層の厚さである。Ｚは、電子プローブマイクロアナラ
イザー（ＥＰＭＡ）により得られたＣｏカウント数であ
る［ジェオル スーパープローブ（Ｊｅｏｌ Ｓｕｐｅ
ｒｐｒｏｂｅ）ＪＸＡ８６００，一次エレクトロンのエ
ネルギー：２０ｋｅＶ，一次エレクトロン流：２．５ｎ
Ａ，測定スポットＡ＝１ｍｍ2 ，測定時間：３００
秒］。Ｚは磁気層中のＣｏ核の数に比例し、すなわち薄
層磁気層の厚さおよび磁気層合金中のＣｏ含量に比例し
ている。従ってパラメータｍ＝Ｍｓ・Ａ・ｔ／ｚは、磁
気層のＣｏ原子当りの平均磁気モーメントの測定値であ
る。測定スポットＡは直径が僅かに約５０−１００ｎｍ
の直径を有する磁気層中のカラムよりも本質的により大
きな直径を有しているので、パラメータは大多数のカラ
ム以上の平均値である。従って、存在するＣｒの偏析は
明らかにｍにおける増加となる。最後に、Ｈｃ，ｚは積
層体の垂直保磁力である。
て示されている。Ｍｓは飽和磁化であり、ｔはＣｏ−Ｃ
ｒ層の厚さである。Ｚは、電子プローブマイクロアナラ
イザー（ＥＰＭＡ）により得られたＣｏカウント数であ
る［ジェオル スーパープローブ（Ｊｅｏｌ Ｓｕｐｅ
ｒｐｒｏｂｅ）ＪＸＡ８６００，一次エレクトロンのエ
ネルギー：２０ｋｅＶ，一次エレクトロン流：２．５ｎ
Ａ，測定スポットＡ＝１ｍｍ2 ，測定時間：３００
秒］。Ｚは磁気層中のＣｏ核の数に比例し、すなわち薄
層磁気層の厚さおよび磁気層合金中のＣｏ含量に比例し
ている。従ってパラメータｍ＝Ｍｓ・Ａ・ｔ／ｚは、磁
気層のＣｏ原子当りの平均磁気モーメントの測定値であ
る。測定スポットＡは直径が僅かに約５０−１００ｎｍ
の直径を有する磁気層中のカラムよりも本質的により大
きな直径を有しているので、パラメータは大多数のカラ
ム以上の平均値である。従って、存在するＣｒの偏析は
明らかにｍにおける増加となる。最後に、Ｈｃ，ｚは積
層体の垂直保磁力である。
【００１７】積層体の記録物性は、図１のカーブ（ａ）
において示されている。これらは、ギャップ（ｇａｐ）
幅０．２３μｍ、クラック（ｃｒａｃｋ）幅２７μｍお
よびヘッド／ミディアム（ｈｅａｄ／ｍｅｄｉｕｍ）相
対速度１．２ｍ／秒の１８ワインディング（ｗｉｎｄｉ
ｎｇ）を有する標準的なビデオ リング コア ヘッド
（ｖｉｄｅｏ ｒｉｎｇ ｃｏｒｅ ｈｅａｄ）を用い
て測定された。描かれたデータの各点は、ギャップ ロ
ス（ｇａｐ ｌｏｓｓ）に対して訂正されている。図１
は、ｋｆｃｉ（インチ当りのキロフラックス変化）にお
ける記録密度Ｄに対する標準的な再生（ｐｌａｙｂａｃ
ｋ）レベルＵ［ｎＶｐ−ｐ（μｍ・ターン（ｔｕｒｎ）
ｍ／秒）］を示している。
において示されている。これらは、ギャップ（ｇａｐ）
幅０．２３μｍ、クラック（ｃｒａｃｋ）幅２７μｍお
よびヘッド／ミディアム（ｈｅａｄ／ｍｅｄｉｕｍ）相
対速度１．２ｍ／秒の１８ワインディング（ｗｉｎｄｉ
ｎｇ）を有する標準的なビデオ リング コア ヘッド
（ｖｉｄｅｏ ｒｉｎｇ ｃｏｒｅ ｈｅａｄ）を用い
て測定された。描かれたデータの各点は、ギャップ ロ
ス（ｇａｐ ｌｏｓｓ）に対して訂正されている。図１
は、ｋｆｃｉ（インチ当りのキロフラックス変化）にお
ける記録密度Ｄに対する標準的な再生（ｐｌａｙｂａｃ
ｋ）レベルＵ［ｎＶｐ−ｐ（μｍ・ターン（ｔｕｒｎ）
ｍ／秒）］を示している。
【００１８】実施例１ 操作は比較実験例において記載されているように処理さ
れたが、異なる点はポリイソプレン（ＰＩ）基質フィル
ムがＮ2 により１０分間イオンエッチング現場処理され
てから、続いて蒸着法により磁気層の適用が行なわれた
（イオンエネルギー：６０ｅＶ，フィルム上の電力密
度：０．１７Ｗ／ｃｍ2 ）。Ｃｏ−Ｃｒ層の磁気物性
は、表１において記載されている。比較実験例と比較す
ると、ＭｓまたはｍおよびＨｃ，ｚが増加している。積
層体の記録物性は、図１の曲線（ｂ）において示されて
いる。これらは、本質的に比較実験例の曲線（ａ）の記
録物性よりも優れている。これは、表２に記載されてい
る数値によって定量的に示されている。同表において
は、Ｄ50は記憶密度をｋｆｃｉで示したものであり、こ
こで再生レベルは曲線中の最大測定レベルの半分である
（電子ノイズの上で測定）。
れたが、異なる点はポリイソプレン（ＰＩ）基質フィル
ムがＮ2 により１０分間イオンエッチング現場処理され
てから、続いて蒸着法により磁気層の適用が行なわれた
（イオンエネルギー：６０ｅＶ，フィルム上の電力密
度：０．１７Ｗ／ｃｍ2 ）。Ｃｏ−Ｃｒ層の磁気物性
は、表１において記載されている。比較実験例と比較す
ると、ＭｓまたはｍおよびＨｃ，ｚが増加している。積
層体の記録物性は、図１の曲線（ｂ）において示されて
いる。これらは、本質的に比較実験例の曲線（ａ）の記
録物性よりも優れている。これは、表２に記載されてい
る数値によって定量的に示されている。同表において
は、Ｄ50は記憶密度をｋｆｃｉで示したものであり、こ
こで再生レベルは曲線中の最大測定レベルの半分である
（電子ノイズの上で測定）。
【００１９】実施例２ 操作は実施例１と同様に処理されたが、異なる点はポリ
イソプレン（ＰＩ）基質フィルムがＯ2 により２分間イ
オンエッチングにかけられた。表１に示されている磁気
物性は、この場合においてもまたＭｓまたはｍおよびＨ
ｃ，ｚは比較実験例と比べてより高い値になっているこ
とを示している。記録物性〈図１の曲線（ｃ）〉は、ま
た本質的に比較実験例の記録物性よりも優れている。こ
れは、再び表２の数値によって定量的に示されているこ
とができる。
イソプレン（ＰＩ）基質フィルムがＯ2 により２分間イ
オンエッチングにかけられた。表１に示されている磁気
物性は、この場合においてもまたＭｓまたはｍおよびＨ
ｃ，ｚは比較実験例と比べてより高い値になっているこ
とを示している。記録物性〈図１の曲線（ｃ）〉は、ま
た本質的に比較実験例の記録物性よりも優れている。こ
れは、再び表２の数値によって定量的に示されているこ
とができる。
【００２０】実施例３ 操作は実施例１と同様に処理されたが、異なる点はポリ
イソプレン（ＰＩ）基質フィルムがＮ2 プラズマ中で１
０分間プラズマエッチングに現場処理されて（ＲＦ：１
３．５６ＭＨｚ，スパッタリング ガス圧：２・１０-3
ミリバール，フィルム上の電流密度：０．５Ｗ／ｃｍ
2 ）、続いて磁気層を積層された。蒸着法で処理された
Ｃｏ−Ｃｒ層の磁気物性は、表１に示されている。再び
Ｍｓ（ｍ）およびＨｃ，ｚの増加が本質的に、比較実験
例と比べて明らかになっている。また記録物性は前処理
〈図１の曲線（ｄ）〉によって改良されており、これは
表２に示されている数値によって定量化されている。
イソプレン（ＰＩ）基質フィルムがＮ2 プラズマ中で１
０分間プラズマエッチングに現場処理されて（ＲＦ：１
３．５６ＭＨｚ，スパッタリング ガス圧：２・１０-3
ミリバール，フィルム上の電流密度：０．５Ｗ／ｃｍ
2 ）、続いて磁気層を積層された。蒸着法で処理された
Ｃｏ−Ｃｒ層の磁気物性は、表１に示されている。再び
Ｍｓ（ｍ）およびＨｃ，ｚの増加が本質的に、比較実験
例と比べて明らかになっている。また記録物性は前処理
〈図１の曲線（ｄ）〉によって改良されており、これは
表２に示されている数値によって定量化されている。
【００２１】実施例４ 操作は実施例３と同様に処理されたが、異なる点はポリ
イソプレン（ＰＩ）基質フィルムがＡｒおよびＯ2 （容
量比５０：５０）からなるプラズマ中で１０分間プラズ
マエッチングにかけられた。この場合にもまた、表１の
磁気物性および図１の曲線（ｅ）、および表２からの記
録物性が、本質的に比較実験例の両物性よりも優れてい
る。
イソプレン（ＰＩ）基質フィルムがＡｒおよびＯ2 （容
量比５０：５０）からなるプラズマ中で１０分間プラズ
マエッチングにかけられた。この場合にもまた、表１の
磁気物性および図１の曲線（ｅ）、および表２からの記
録物性が、本質的に比較実験例の両物性よりも優れてい
る。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】
【図１】ｋｆｃｉ（インチ当りのキロフラックス変化）
における記録密度Ｄに対する標準的な再生レベルＵを示
す。
における記録密度Ｄに対する標準的な再生レベルＵを示
す。
【符号の説明】 （ａ）：比較実験例 （ｂ）：実施例１ （ｃ）：実施例２ （ｄ）：実施例３ （ｅ）：実施例４
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アルフレート、ハーゲマイァー ドイツ連邦共和国、6700、ルートヴィヒス ハーフェン、アン、デァ、フロシュラヘ、 23 (72)発明者 ゲールハルト、コックス ドイツ連邦共和国、6702、バート、デュル クハイム、マンハイマー、シュトラーセ、 28 (72)発明者 ハルトムート、ヒブスト ドイツ連邦共和国、6905、シュリースハイ ム、ブラーニヒシュトラーセ、23
Claims (3)
- 【請求項１】 主としてポリマー基質、必要ならば同基
質の表面上に下塗り層が適用され、およびその基質上に
積層されたコヒーレント強磁性薄層のコバルト／クロム
層および、必要ならばその上に形成された保護層から成
る磁気記録媒体において、ポリマー基質が磁気層中のコ
バルト原子当りの平均磁気モーメントおよび垂直保磁力
を増大させるためにプラズマ前処理にかけられることを
特徴とする、磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 プラズマ前処理がイオンエッチングの方
法によって実施されることを特徴とする、請求項１記載
の方法。 - 【請求項３】 プラズマ前処理がプラズマエッチングの
方法によって実施されることを特徴とする、請求項１記
載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4226910.5 | 1992-08-14 | ||
| DE4226910A DE4226910A1 (de) | 1992-08-14 | 1992-08-14 | Verfahren zur Herstellung von flexiblen Kobalt/Chrom-Dünnschichtmagnetmedien |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06162497A true JPH06162497A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=6465537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5198514A Pending JPH06162497A (ja) | 1992-08-14 | 1993-08-10 | 可とう性コバルト／クロム薄層磁気媒体の製造法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06162497A (ja) |
| DE (1) | DE4226910A1 (ja) |
-
1992
- 1992-08-14 DE DE4226910A patent/DE4226910A1/de not_active Withdrawn
-
1993
- 1993-08-10 JP JP5198514A patent/JPH06162497A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4226910A1 (de) | 1994-02-17 |
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