JPH06163201A - 抵抗薄膜 - Google Patents
抵抗薄膜Info
- Publication number
- JPH06163201A JPH06163201A JP5143759A JP14375993A JPH06163201A JP H06163201 A JPH06163201 A JP H06163201A JP 5143759 A JP5143759 A JP 5143759A JP 14375993 A JP14375993 A JP 14375993A JP H06163201 A JPH06163201 A JP H06163201A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- atomic
- metal
- carbon
- resistive thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/006—Thin film resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin-film techniques
- H01C17/12—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin-film techniques by sputtering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 1000μΩcmより大きい固有抵抗と−100 〜＋
100ppm／Ｋの範囲の温度係数ＴＣとを併せ有する抵抗薄
膜を提供する。 【構成】 40〜95原子％の炭素、４〜60原子％の１種ま
たは２種以上の金属および１〜30原子％の水素を含有し
ていて、炭化物の形成が起こっていない抵抗薄膜。炭素
の１〜95％は、ケイ素、ホウ素および窒素からなる群か
ら選択した１種または２種以上によって部分置換するこ
とができ、これにより抵抗値は一層大きくなる。金属は
元素の周期律表の第１亜族および第８亜族から選択した
１種または２種以上の金属であるかが好ましく、特にＡ
ｇ，Ｐｔ，Ａｕおよび／またはＣｕが好ましい。 【効果】 ＣｒＳｉの場合より大きい固有抵抗を同じ温
度係数において得ることができ、また長期安定性が著し
く改善される。
100ppm／Ｋの範囲の温度係数ＴＣとを併せ有する抵抗薄
膜を提供する。 【構成】 40〜95原子％の炭素、４〜60原子％の１種ま
たは２種以上の金属および１〜30原子％の水素を含有し
ていて、炭化物の形成が起こっていない抵抗薄膜。炭素
の１〜95％は、ケイ素、ホウ素および窒素からなる群か
ら選択した１種または２種以上によって部分置換するこ
とができ、これにより抵抗値は一層大きくなる。金属は
元素の周期律表の第１亜族および第８亜族から選択した
１種または２種以上の金属であるかが好ましく、特にＡ
ｇ，Ｐｔ，Ａｕおよび／またはＣｕが好ましい。 【効果】 ＣｒＳｉの場合より大きい固有抵抗を同じ温
度係数において得ることができ、また長期安定性が著し
く改善される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、炭素および金属を含有
する抵抗薄膜、およびこの抵抗薄膜を設けた抵抗に関す
るものである。
する抵抗薄膜、およびこの抵抗薄膜を設けた抵抗に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の抵抗は既知である。西独国特許
出願公開（DE−OS）第25,09,623 公報には、陰極スパッ
タによってＴａ−Ｃｘ（ただし、0.35＞×＞0.8 ）から
なる抵抗薄膜を製造する方法が記載されている。
出願公開（DE−OS）第25,09,623 公報には、陰極スパッ
タによってＴａ−Ｃｘ（ただし、0.35＞×＞0.8 ）から
なる抵抗薄膜を製造する方法が記載されている。
【０００３】この方法は、例えば、前記公報の図３に示
されているように、Ｔａ−Ｃ系において、−25 ppm／Ｋ
の低い温度係数（ＴＣ）と 200〜300 μΩcmの固有抵抗
とが組み合わされていることを示している。従って、こ
の抵抗薄膜は高抵抗値の精密抵抗、すなわち1000μΩcm
より大きい固有抵抗を有する精密抵抗には不適当であ
る。
されているように、Ｔａ−Ｃ系において、−25 ppm／Ｋ
の低い温度係数（ＴＣ）と 200〜300 μΩcmの固有抵抗
とが組み合わされていることを示している。従って、こ
の抵抗薄膜は高抵抗値の精密抵抗、すなわち1000μΩcm
より大きい固有抵抗を有する精密抵抗には不適当であ
る。
【０００４】また、欧州特許出願（ＥＰ）第247,413 号
（Ａ−１）明細書には、反応性ガス雰囲気中で、ジルコ
ニウム／パラジウム、チタン／金、ジルコニウム／金、
ハフニウム／金、またはチタン／パラジウムをスパッタ
することによって製造した抵抗薄膜が記載されている。
この明細書の第３欄第16〜19行および請求項３に記載さ
れている教示によれば、窒化物、炭化物、または窒化炭
化物（carbonitride）からなる薄膜のみが製造されてい
る筈である。
（Ａ−１）明細書には、反応性ガス雰囲気中で、ジルコ
ニウム／パラジウム、チタン／金、ジルコニウム／金、
ハフニウム／金、またはチタン／パラジウムをスパッタ
することによって製造した抵抗薄膜が記載されている。
この明細書の第３欄第16〜19行および請求項３に記載さ
れている教示によれば、窒化物、炭化物、または窒化炭
化物（carbonitride）からなる薄膜のみが製造されてい
る筈である。
【０００５】従って、前記欧州特許出願明細書記載の方
法によって製造した抵抗薄膜は、金属系導電性マトリッ
クス（炭化物または窒化物）と、このなかの金属系導電
性介在物（金、パラジウムまたは白金）とからなる。こ
のような金属複合体フィルムは、高導電性であるので、
高い固有抵抗を有する薄膜として使用するのには不適当
である。この抵抗の温度依存性は特定されていない。
法によって製造した抵抗薄膜は、金属系導電性マトリッ
クス（炭化物または窒化物）と、このなかの金属系導電
性介在物（金、パラジウムまたは白金）とからなる。こ
のような金属複合体フィルムは、高導電性であるので、
高い固有抵抗を有する薄膜として使用するのには不適当
である。この抵抗の温度依存性は特定されていない。
【０００６】しかし、今日のマイクロエレクトロニクス
分野では、抵抗の最抵可能温度係数（ＴＣ）において１
μΩより大きい抵抗値が必要とされている。このような
部品を実現するのに予め必要である条件は、抵抗薄膜材
料が極めて低い温度係数において1000μΩcm以上の高い
固有抵抗を有することである。今日の技術によって得ら
れる金属- 金属炭化物の薄膜はこのような要件を満たす
ことができない。このため、現在高抵抗値の薄膜抵抗に
使用するためにＣｒ−Ｓｉ系が実現されている。これら
の薄膜は従来使用されている堆積炭素抵抗より改善され
ているが、これら薄膜の性質は、温度係数および長期安
定性に関しては、マイクロエレクトロニクス分野におい
て精密抵抗として使用される薄膜系が満たす必要のある
要件に合致しない。
分野では、抵抗の最抵可能温度係数（ＴＣ）において１
μΩより大きい抵抗値が必要とされている。このような
部品を実現するのに予め必要である条件は、抵抗薄膜材
料が極めて低い温度係数において1000μΩcm以上の高い
固有抵抗を有することである。今日の技術によって得ら
れる金属- 金属炭化物の薄膜はこのような要件を満たす
ことができない。このため、現在高抵抗値の薄膜抵抗に
使用するためにＣｒ−Ｓｉ系が実現されている。これら
の薄膜は従来使用されている堆積炭素抵抗より改善され
ているが、これら薄膜の性質は、温度係数および長期安
定性に関しては、マイクロエレクトロニクス分野におい
て精密抵抗として使用される薄膜系が満たす必要のある
要件に合致しない。
【０００７】個々の抵抗の抵抗値は、微細構造処理（円
筒形抵抗体の場合にはコイル状に巻回し、平坦な抵抗体
の場合には蛇行させること）により、増大することがで
きる。しかし、抵抗の全表面は限られているので、この
処理で達成される最終値／基本値の比には上限がある。
この理由は、導電路を最小幅にしなければならないから
である。しかし、個々の抵抗の開発傾向は小型化に向か
っている。現在、最小部品の表面積は約１×２mm2 にす
ぎない。従って、高インピーダンスの要件は使用する薄
膜材料の固有抵抗を増大することによってのみ満たすこ
とができる。
筒形抵抗体の場合にはコイル状に巻回し、平坦な抵抗体
の場合には蛇行させること）により、増大することがで
きる。しかし、抵抗の全表面は限られているので、この
処理で達成される最終値／基本値の比には上限がある。
この理由は、導電路を最小幅にしなければならないから
である。しかし、個々の抵抗の開発傾向は小型化に向か
っている。現在、最小部品の表面積は約１×２mm2 にす
ぎない。従って、高インピーダンスの要件は使用する薄
膜材料の固有抵抗を増大することによってのみ満たすこ
とができる。
【０００８】従って、本発明の目的は、1000μΩcmより
大きい固有抵抗と−100 〜＋100ppm／Ｋの範囲の温度係
数ＴＣとを併せ有する薄膜抵抗材料を提供することにあ
る。本発明の他の目的は、個々の部品として適当に使用
できる対応する抵抗を提供することにある。
大きい固有抵抗と−100 〜＋100ppm／Ｋの範囲の温度係
数ＴＣとを併せ有する薄膜抵抗材料を提供することにあ
る。本発明の他の目的は、個々の部品として適当に使用
できる対応する抵抗を提供することにある。
【０００９】本発明の目的は、40〜95原子％の炭素、４
〜60原子％の１種または２種以上の金属、および１〜30
原子％の水素を含有していて、炭化物の形成が起ってい
ない抵抗薄膜によって達成される。この抵抗薄膜は、好
ましくは、1000μΩcmより大きい固有抵抗および−100
〜＋100ppm／Ｋの範囲の温度係数を有する。本発明にお
いては、驚くべきことに、あるＭｅ−Ｃ：Ｈ薄膜が、金
属と炭素との間で炭化物の形成が起っていない場合に、
1000μΩcmより大きい固有抵抗および−50〜＋50ppm ／
Ｋ の範囲の温度係数ＴＣを有することを見い出した。
〜60原子％の１種または２種以上の金属、および１〜30
原子％の水素を含有していて、炭化物の形成が起ってい
ない抵抗薄膜によって達成される。この抵抗薄膜は、好
ましくは、1000μΩcmより大きい固有抵抗および−100
〜＋100ppm／Ｋの範囲の温度係数を有する。本発明にお
いては、驚くべきことに、あるＭｅ−Ｃ：Ｈ薄膜が、金
属と炭素との間で炭化物の形成が起っていない場合に、
1000μΩcmより大きい固有抵抗および−50〜＋50ppm ／
Ｋ の範囲の温度係数ＴＣを有することを見い出した。
【００１０】本発明の好適例では、金属は元素の周期律
表の第１亜族および第８亜族からなる群から選択した１
種または２種以上の金属であるのが好ましい。本発明に
おいては、金属としてＡｇ，Ｐｔ，Ａｕおよび／又はＣ
ｕが極めて適当であることが分かった。本発明の他の好
適例では、抵抗薄膜は60〜75原子％の炭素、25〜30原子
％の１種又は２種以上の金属および５〜８原子％の水素
を含有するのが好ましい。
表の第１亜族および第８亜族からなる群から選択した１
種または２種以上の金属であるのが好ましい。本発明に
おいては、金属としてＡｇ，Ｐｔ，Ａｕおよび／又はＣ
ｕが極めて適当であることが分かった。本発明の他の好
適例では、抵抗薄膜は60〜75原子％の炭素、25〜30原子
％の１種又は２種以上の金属および５〜８原子％の水素
を含有するのが好ましい。
【００１１】本発明のさらに他の好適例では、炭素はケ
イ素、ホウ素および窒素からなる群から選択した１種ま
たは２種以上によって部分置換されている。１〜95％、
好ましくは１〜40％の炭素をケイ素、ホウ素および窒素
からなる群から選択した１種または２種以上によって置
換するのが有利である。この手段は抵抗値を一層大きく
する。
イ素、ホウ素および窒素からなる群から選択した１種ま
たは２種以上によって部分置換されている。１〜95％、
好ましくは１〜40％の炭素をケイ素、ホウ素および窒素
からなる群から選択した１種または２種以上によって置
換するのが有利である。この手段は抵抗値を一層大きく
する。
【００１２】本発明の抵抗薄膜は、高度に交差結合した
炭化水素マトリックスと、好ましくは、このなかに埋め
込まれた金属系の導電性微小結晶粒子とからなる。この
粒子の電気的性質に関しては、金属含有量が大きい場合
には、この粒子は金属のように挙動し（抵抗温度係数Ｔ
Ｃは＋）、金属含有量が十分に低い場合には、この粒子
は半導体のように挙動する（ＴＣ＜０）。
炭化水素マトリックスと、好ましくは、このなかに埋め
込まれた金属系の導電性微小結晶粒子とからなる。この
粒子の電気的性質に関しては、金属含有量が大きい場合
には、この粒子は金属のように挙動し（抵抗温度係数Ｔ
Ｃは＋）、金属含有量が十分に低い場合には、この粒子
は半導体のように挙動する（ＴＣ＜０）。
【００１３】従って、各Ｍｅ−Ｃ：ＨはＴＣ＝０となる
組成がある。内挿法によって推定されるように、ＴＣ＝
０の薄膜の有する固有抵抗は、薄膜系がチタンＣＨ、タ
ンタルＣＨおよびニオブＣＨである場合には約 200〜30
0 μΩcmであり、薄膜系が白金ＣＨ、金ＣＨおよび銅Ｃ
Ｈである場合には約10,000μΩcmである。従って、白
金、金および銅のような炭化物を形成しない成分を含有
する薄膜は、「Mooij の法則」として知られている周知
の経験則から著しくずれている。この法則によれば多く
の導体では−100 〜＋100ppm／ＫのＴＣと約 100〜200
μΩcmの固有抵抗とが組み合わされている。
組成がある。内挿法によって推定されるように、ＴＣ＝
０の薄膜の有する固有抵抗は、薄膜系がチタンＣＨ、タ
ンタルＣＨおよびニオブＣＨである場合には約 200〜30
0 μΩcmであり、薄膜系が白金ＣＨ、金ＣＨおよび銅Ｃ
Ｈである場合には約10,000μΩcmである。従って、白
金、金および銅のような炭化物を形成しない成分を含有
する薄膜は、「Mooij の法則」として知られている周知
の経験則から著しくずれている。この法則によれば多く
の導体では−100 〜＋100ppm／ＫのＴＣと約 100〜200
μΩcmの固有抵抗とが組み合わされている。
【００１４】Me−Ｃ：Ｈ薄膜は、ＣＶＤまたはＰＶＤの
ような従来方法によって製造される。次いで調質(tempe
ring) を好ましくは空気中で行うことにより、薄膜の性
質を安定化することができる（プレエージング）。調質
によって生じる薄膜構造の変化（粒度の増大、結晶格子
の修復、マトリックスの増加）ならびに化学的組成の変
化（酸素の混入、水素および炭素の除去）によっても、
電気的性質の変化が起こる。
ような従来方法によって製造される。次いで調質(tempe
ring) を好ましくは空気中で行うことにより、薄膜の性
質を安定化することができる（プレエージング）。調質
によって生じる薄膜構造の変化（粒度の増大、結晶格子
の修復、マトリックスの増加）ならびに化学的組成の変
化（酸素の混入、水素および炭素の除去）によっても、
電気的性質の変化が起こる。
【００１５】薄膜系および金属含有量によっては、適当
なエージング条件（温度、時間、周囲媒体）を使用する
ことにより、０ ppm／Ｋに近いＴＣを得ることができ
る。エージング中に、空気中からの酸素によって生じる
熱分解に対して薄膜を保護するために、抵抗薄膜上に追
加の不活性層を設けることができる。このためには、ケ
イ素含有炭素／水素層（ＣＳｉ：Ｈ) を使用するのが適
当である。
なエージング条件（温度、時間、周囲媒体）を使用する
ことにより、０ ppm／Ｋに近いＴＣを得ることができ
る。エージング中に、空気中からの酸素によって生じる
熱分解に対して薄膜を保護するために、抵抗薄膜上に追
加の不活性層を設けることができる。このためには、ケ
イ素含有炭素／水素層（ＣＳｉ：Ｈ) を使用するのが適
当である。
【００１６】従って、本発明の薄い薄膜材料によってＣ
ｒＳｉの場合（約1000μΩcm) より大きい固有抵抗を同
じ温度係数において得ることができる。さらに、本発明
の材料の特別な微細構造（緻密なアモルファス網状構
造）によって、長期安定性が著しく改善される。
ｒＳｉの場合（約1000μΩcm) より大きい固有抵抗を同
じ温度係数において得ることができる。さらに、本発明
の材料の特別な微細構造（緻密なアモルファス網状構
造）によって、長期安定性が著しく改善される。
【００１７】さらに、本発明は個々の部品として使用さ
れる抵抗に関するものである。本発明においては、既知
方法により、上述の抵抗薄膜を厚さ10ｎｍ〜10μｍ；好
ましくは50ｎｍ〜５μｍの基板上に設けることができ
る。本発明の好適例では、AlN,ＢＮ，Al2O3, SiCまたは
ケイ酸塩からなる基板を使用する。
れる抵抗に関するものである。本発明においては、既知
方法により、上述の抵抗薄膜を厚さ10ｎｍ〜10μｍ；好
ましくは50ｎｍ〜５μｍの基板上に設けることができ
る。本発明の好適例では、AlN,ＢＮ，Al2O3, SiCまたは
ケイ酸塩からなる基板を使用する。
【００１８】
【実施例】次に、本発明を実施例について一層詳細に説
明する。 実施例１．Ａｕ−Ｃ：Ｈ 金ターゲット (15cm) を有する平行板ＲＦスパッタ装置
（13.56MHz, 800Ｗ,1.5 ＫＶ ＤＣ−バイアス）にお
いて、アルゴン (46sccm) およびエチレン（３sccm) か
らなるガス雰囲気中で 0.03 ミリバールの圧力下に、プ
ラズマを発生させた。なお、sccmは standard cubic ce
ntimeter per minute を意味し、標準状態下における c
m3／分に等しい。ターゲットから６cmの距離に配置した
石英基板上に厚さ 1.5μｍのＡｕ−Ｃ：Ｈが17分で堆積
した。元素分析（電子ビーム・マイクロプローブ(micro
probe)) から、金原子含有量は0.05原子％であり、全水
素原子含有量は30原子％未満であることが分かった。生
成した薄膜の電気的特性に関しては、固有抵抗は2500μ
Ωcmであり、ＴＣは常温において45 ppm／Ｋであった。
明する。 実施例１．Ａｕ−Ｃ：Ｈ 金ターゲット (15cm) を有する平行板ＲＦスパッタ装置
（13.56MHz, 800Ｗ,1.5 ＫＶ ＤＣ−バイアス）にお
いて、アルゴン (46sccm) およびエチレン（３sccm) か
らなるガス雰囲気中で 0.03 ミリバールの圧力下に、プ
ラズマを発生させた。なお、sccmは standard cubic ce
ntimeter per minute を意味し、標準状態下における c
m3／分に等しい。ターゲットから６cmの距離に配置した
石英基板上に厚さ 1.5μｍのＡｕ−Ｃ：Ｈが17分で堆積
した。元素分析（電子ビーム・マイクロプローブ(micro
probe)) から、金原子含有量は0.05原子％であり、全水
素原子含有量は30原子％未満であることが分かった。生
成した薄膜の電気的特性に関しては、固有抵抗は2500μ
Ωcmであり、ＴＣは常温において45 ppm／Ｋであった。
【００１９】実施例２．Ｐｔ−Ｃ：Ｈ ＲＦスパッタによりＰｔ−Ｃ：Ｈ薄膜を製造した。ター
ゲットと基板との間の距離は 5.5cmであり、全圧は 0.0
20ミリバールであった。気相のアセチレン含有量は２％
であった（残部：アルゴン）。ターゲット電圧は 1.5ｋ
Ｖ、基板バイアスは＋20Ｖであった。このようにして、
セラミック基板上に厚さ 0.5μｍの薄膜が30分で形成し
た。元素分析の結果、白金原子含有量は0.09原子％であ
り、全水素含有量は30原子％未満であった。調質処理
（空気中 300℃で１時間）後における電気特性に関して
は、固有抵抗は19,000μΩcmであり、ＴＣは常温で40 p
pm／Ｋであった。
ゲットと基板との間の距離は 5.5cmであり、全圧は 0.0
20ミリバールであった。気相のアセチレン含有量は２％
であった（残部：アルゴン）。ターゲット電圧は 1.5ｋ
Ｖ、基板バイアスは＋20Ｖであった。このようにして、
セラミック基板上に厚さ 0.5μｍの薄膜が30分で形成し
た。元素分析の結果、白金原子含有量は0.09原子％であ
り、全水素含有量は30原子％未満であった。調質処理
（空気中 300℃で１時間）後における電気特性に関して
は、固有抵抗は19,000μΩcmであり、ＴＣは常温で40 p
pm／Ｋであった。
【００２０】実施例３．Ｐｔ−Ｓｉ−Ｃ：Ｈ テトラメチルシラン（ＴＭＳ）を使用して反応ＲＦスパ
ッタにより、Ｐｔ−Ｓｉ−Ｃ：Ｈ薄膜を製造した。ター
ゲットと基板との間の距離は 5.5cmであり、ターゲット
電圧は 2.0ｋＶであった。0.01ミリバールの圧力におい
て、ＴＭＳ分圧は 0.001ミリバール（残部：アルゴン）
であった。コーティング処理を１時間行って厚さ２μｍ
の薄膜を製造した。元素分析の結果、白金原子含有量は
0.33原子％であり、ケイ素原子含有量は0.12原子％であ
り、炭化水素原子含有量は0.55原子％であることが分か
った。全水素含有量は30原子％未満であった。調質処理
（空気中 300℃で８時間）後の電気的特性に関しては、
固有抵抗は63,000μΩcmであり、ＴＣは常温において−
46 ppm／Ｋであった。
ッタにより、Ｐｔ−Ｓｉ−Ｃ：Ｈ薄膜を製造した。ター
ゲットと基板との間の距離は 5.5cmであり、ターゲット
電圧は 2.0ｋＶであった。0.01ミリバールの圧力におい
て、ＴＭＳ分圧は 0.001ミリバール（残部：アルゴン）
であった。コーティング処理を１時間行って厚さ２μｍ
の薄膜を製造した。元素分析の結果、白金原子含有量は
0.33原子％であり、ケイ素原子含有量は0.12原子％であ
り、炭化水素原子含有量は0.55原子％であることが分か
った。全水素含有量は30原子％未満であった。調質処理
（空気中 300℃で８時間）後の電気的特性に関しては、
固有抵抗は63,000μΩcmであり、ＴＣは常温において−
46 ppm／Ｋであった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クラウス−ペーター クラゲス ドイツ連邦共和国 2000 ハンブルク 76 カナルシュトラーセ 18 (72)発明者 ライナー ベイル ドイツ連邦共和国 2000 ハイデ オスト ローア ヴェーク 74 (72)発明者 クラウス タウベ ドイツ連邦共和国 2000 ハンブルク 53 ゴーサッカー ９ (72)発明者 ルドルフ ティエン ドイツ連邦共和国 2309 ボスカンプ ホ フ ボスカンプ 番地なし (72)発明者 フベルツス ヒュブシュ ドイツ連邦共和国 2000 ハンブルク 63 レントリスヴェーク 61 (72)発明者 エッカルト ベトガー ドイツ連邦共和国 3040 ソルタウ ステ ュベクショルン 17
Claims (7)
- 【請求項１】 炭素および金属を含有する抵抗薄膜にお
いて、 前記抵抗薄膜は40〜95原子％の炭素、４〜60原子％の１
種または２種以上の金属、および１〜30原子％の水素を
含有することを特徴とする抵抗薄膜。 - 【請求項２】 前記抵抗薄膜は好ましくは約60〜75原子
％の炭素、約25〜30原子％の金属および５〜８原子％の
水素を含有することを特徴とする請求項１記載の抵抗薄
膜。 - 【請求項３】 炭素の１〜95％は、ケイ素、ホウ素およ
び窒素からなる群から選択した１種または２種以上によ
って置換されていることを特徴とする請求項１または２
記載の抵抗薄膜。 - 【請求項４】 金属は、元素の周期律表の第１亜族およ
び第８亜族からなる群から選択した１種または２種以上
の金属である請求の範囲１〜３のいずれか一つの項に記
載の抵抗薄膜。 - 【請求項５】 金属はナノメータ範囲の粒径を有する粒
子の形態で存在している請求の範囲１〜４のいずれか一
つの項に記載の抵抗薄膜。 - 【請求項６】 個々の部品として使用される抵抗におい
て、 厚さ50ｎｍ〜５μｍの請求項１〜５のいずれか一つの項
に記載の抵抗薄膜が基板に被着されていることを特徴と
する抵抗。 - 【請求項７】 基板はＡｌＮ，ＢＮ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ
Ｃおよびケイ酸塩からなる群から選択したセラミック材
料からなることを特徴とする請求項6 記載の抵抗。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4219649 | 1992-06-16 | ||
| DE4219649:3 | 1992-06-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163201A true JPH06163201A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=6461103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5143759A Pending JPH06163201A (ja) | 1992-06-16 | 1993-06-15 | 抵抗薄膜 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5677070A (ja) |
| EP (1) | EP0575003B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06163201A (ja) |
| DE (1) | DE59309376D1 (ja) |
| ES (1) | ES2130212T3 (ja) |
| TW (1) | TW240321B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100396932B1 (ko) * | 1995-03-09 | 2004-06-16 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 규화크롬저항막을포함하는저항소자 |
| WO2014200011A1 (ja) * | 2013-06-12 | 2014-12-18 | アルプス電気株式会社 | 抵抗体及び温度検出装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW430827B (en) * | 1998-05-22 | 2001-04-21 | Advanced Refractory Tech | Resistors with low temperature coefficient of resistance and methods of making |
| DE19834968A1 (de) * | 1998-08-03 | 2000-02-17 | Fraunhofer Ges Forschung | Beschichtung für Werkzeuge zur Bearbeitung von wärmebehandeltem Glas |
| US6462467B1 (en) * | 1999-08-11 | 2002-10-08 | Sony Corporation | Method for depositing a resistive material in a field emission cathode |
| US8198978B2 (en) | 2008-04-24 | 2012-06-12 | Hochschule fur Technik und Wirtschaft des Sarlandes | Film resistor with a constant temperature coefficient and production of a film resistor of this type |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2509623A1 (de) * | 1975-03-05 | 1976-09-16 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen von elektrischen widerstandsschichten |
| US4118788A (en) * | 1977-03-07 | 1978-10-03 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Associative information retrieval |
| US4159459A (en) * | 1977-06-23 | 1979-06-26 | Angstrohm Precision, Inc. | Non-inductive cylindrical thin film resistor |
| DE2812497C3 (de) * | 1978-03-22 | 1982-03-11 | Preh, Elektrofeinmechanische Werke, Jakob Preh, Nachf. Gmbh & Co, 8740 Bad Neustadt | Gedruckte Schaltung |
| US4495524A (en) * | 1983-06-21 | 1985-01-22 | Nitto Electric Industrial Co., Ltd. | Part for a slide variable resistor |
| US4599193A (en) * | 1983-06-30 | 1986-07-08 | Director-General Of The Agency Of Industrial Science And Technology, An Organ Of The Ministry Of International Trade And Industry Of Japan | Highly electroconductive pyrolyzed product retaining its original shape and composition formed therefrom |
| GB2176443B (en) * | 1985-06-10 | 1990-11-14 | Canon Kk | Liquid jet recording head and recording system incorporating the same |
| US4774151A (en) * | 1986-05-23 | 1988-09-27 | International Business Machines Corporation | Low contact electrical resistant composition, substrates coated therewith, and process for preparing such |
| US5106538A (en) * | 1987-07-21 | 1992-04-21 | Raychem Corporation | Conductive polymer composition |
| US5111178A (en) * | 1990-06-15 | 1992-05-05 | Bourns, Inc. | Electrically conductive polymer thick film of improved wear characteristics and extended life |
| US5510823A (en) * | 1991-03-07 | 1996-04-23 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Paste for resistive element film |
-
1993
- 1993-06-15 EP EP93201714A patent/EP0575003B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-06-15 JP JP5143759A patent/JPH06163201A/ja active Pending
- 1993-06-15 ES ES93201714T patent/ES2130212T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1993-06-15 DE DE59309376T patent/DE59309376D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-09-21 TW TW082107731A patent/TW240321B/zh active
-
1996
- 1996-04-25 US US08/639,327 patent/US5677070A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-02-25 US US08/805,527 patent/US5748069A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100396932B1 (ko) * | 1995-03-09 | 2004-06-16 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 규화크롬저항막을포함하는저항소자 |
| WO2014200011A1 (ja) * | 2013-06-12 | 2014-12-18 | アルプス電気株式会社 | 抵抗体及び温度検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0575003A2 (de) | 1993-12-22 |
| TW240321B (ja) | 1995-02-11 |
| DE59309376D1 (de) | 1999-03-25 |
| US5677070A (en) | 1997-10-14 |
| EP0575003A3 (ja) | 1994-08-03 |
| US5748069A (en) | 1998-05-05 |
| EP0575003B1 (de) | 1999-02-17 |
| ES2130212T3 (es) | 1999-07-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5733669A (en) | Resistive component comprising a CRSI resistive film | |
| JP4436064B2 (ja) | サーミスタ用材料及びその製造方法 | |
| US3833410A (en) | High stability thin film alloy resistors | |
| JPS61117281A (ja) | ダイヤモンドクラツド複合物体を製造するｃｖｄ法 | |
| JPS5945201B2 (ja) | 電気抵抗膜及びその製造方法 | |
| WO2002024600A1 (en) | Low thermal expansion ceramic and member for exposure system | |
| JPH0568542B2 (ja) | ||
| JPH07132628A (ja) | サーマルヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2002517084A (ja) | 抵抗の温度係数が低い抵抗体およびその製造方法 | |
| JP2825521B2 (ja) | 強く負荷される基材のための硬物質保護層およびその製法 | |
| JPH06163201A (ja) | 抵抗薄膜 | |
| JPH08130102A (ja) | 電子工学用途のためダイヤモンド上に設置された密着性のニッケル及びクロム含有合金被膜 | |
| JP3145574B2 (ja) | セラミック抵抗体 | |
| JP4380586B2 (ja) | 薄膜抵抗体およびその製造方法 | |
| JPS61261480A (ja) | ダイヤモンド被覆部材 | |
| JP3273110B2 (ja) | セラミック抵抗体 | |
| JP3145575B2 (ja) | セラミック抵抗体 | |
| JP2562610B2 (ja) | 歪ゲ−ジ用薄膜抵抗体 | |
| JPH0770367B2 (ja) | 歪ゲージ用薄膜抵抗体 | |
| JPS61270373A (ja) | ダイヤモンド被覆超硬合金 | |
| JPH08153603A (ja) | セラミック抵抗体 | |
| Vinzelberg et al. | CrSi (O, N)‐based cermet‐like material for high‐ohmic thin film resistor applications | |
| JPH0791650B2 (ja) | ダイヤモンド被覆炭化タングステン基超硬合金製切削工具チツプ | |
| JPS62202756A (ja) | 薄膜型サ−マルヘツド | |
| JPS6295802A (ja) | 薄膜抵抗体 |