JPH0616488B2 - 半導体製造装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体製造装置に関する。詳しくは、例えば
半導体気相成長等におけるプロセス制御を、予め設定さ
れたプログラムに従って自動的に行う装置に関する。

〔背景技術とその問題点〕

半導体のウエハ上に気相成長を行わせる、いわゆる気相
成長装置は、近年半導体チップが各産業分野において多
用される傾向と相俟って注目されている。

従来の気相成長装置は、反応炉内のプロセスの進行に従
って、使用するガスの種類並びにその流量および反応炉
内の温度等の情報をピンボードより入力し、一連のシー
ケンスを実行させるようにしていたため、オペレータへ
の負担が大きく、かつ信頼性、作業性に欠ける欠点があ
った。

この欠点を解決すべく、本出願人は、先に特願昭５７−
１１９９７号を提案した。これは、各シーケンスプロセ
ス毎にガスの種類並びにその流量、時間および加熱条件
等の情報を設定したプロセスプログラムを複数用意し、
あるシーケンスを実行するに当たり、そのプロセスプロ
グラムを読み出し、このプロセスプログラムを必要に応
じて修正した後、修正後のプログラムに従ってプロセス
を実行できるようにしたものである。これにより、従来
のピンボード方式に比べ、信頼性および作業性を大幅に
向上させることができた。

ところで、気相成長等のプロセス制御の場合、各シーケ
ンスプロセス毎にガスの種類並びにその流量、時間およ
び加熱条件等の情報を予め設定することができるが、生
産量によっては連続して同一の条件で稼働したり、逆に
１パッチ毎あるいは複数の装置（または、１つの装置で
複数の反応炉を備える装置）で異なる条件で稼働するこ
とも、しばしばある。

従来の操作では、１バッチ毎にオペレータがプロセスプ
ログラム群の中から次に実行しようとするプロセスプロ
グラムを読出してＣＲＴ等の表示装置に表示させ、条件
内容を確認、修正して、その都度スタートスイッチを操
作する方法であったため、オペレータへの負担が大きな
問題となっていた。

また、シリコン等の半導体基板の装填、取り出した作業
もゴムの発生原因となることから、基板の自動装填、取
り出し装置も採用されつつある。しかし、その駆動デー
タついても変化する場合もあることから、その都度デー
タの確認というような作業をしていたのでは、効率が悪
く、実生産に適したものとは言えない。

〔発明の目的〕

ここに、本発明の目的は、このような従来の欠点を解消
し、オペレータへの負担を軽減しつつ、完全自動化を達
成する半導体製造装置を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段および作用〕

そのため、本発明では、プロセスプログラム群のプロセ
スプログラムや駆動プログラム群の駆動プログラムを、
実行したい順に指定し、例えば１日のプロセスの実行順
序が予約できるような機能をもたせることにより、オペ
レータへの負担を軽減し、完全自動化を達成しようとす
るものである。

具体的には、半導体基板の反応炉と、この反応炉中の基
板を加熱する加熱手段と、前記反応炉中に反応に必要な
ガスを供給するガス供給手段と、前記反応炉への基板の
搬入および反応炉からの基板の搬出を行う基板搬送手段
と、前記加熱手段、ガス供給手段および基板搬送手段を
制御する制御装置と、を備え、前記制御装置は、前記反
応炉内における処理を実行するための時間、使用ガス並
びにその流量および炉内温度等に関する情報を含む一連
のプロセスプログラム単位からなるプロセスプログラム
を記憶する第１のメモリ領域と、前記基板搬送手段を駆
動するための駆動プログラムを記憶する第２のメモリ領
域と、前記第１および第２のメモリ領域の少なくとも一
の領域の中から任意のプログラムを読み出し、このプロ
グラムを修正入力に応じて修正する修正手段と、修正後
のプログラムを記憶する第３のメモリ領域と、前記第
１、第２および第３のメモリ領域の任意のプログラムの
実行順序を指定する予約手段と、この予約手段によって
指定されたプログラムを指定された順序で実行する手段
と、を含む、ことを特徴とする。

〔実施例〕

第１図は本実施例の半導体気相成長装置を示している。
同装置は、２つの反応装置Ｒ１，Ｒ２を有する装置本体
１と、この装置本体１の各反応装置Ｒ１，Ｒ２内に収納
された半導体基板としてのウエハＷを加熱する加熱手段
２と、各反応装置Ｒ１，Ｒ２内に反応に必要なガスを供
給するガス供給手段３と、前記装置本体１に設けられ各
反応装置Ｒ１，Ｒ２へのウエハＷの搬入および各反応装
置Ｒ１，Ｒ２からのウエハＷの搬出を行う基板搬送手段
４と、前記加熱手段２、ガス供給手段３および基板搬送
手段４を制御する制御装置５と、を備える。

第２図は前記装置本体１の平面を示している。同図にお
いて、左右側には前記反応装置Ｒ１，Ｒ２が配設されて
いるとともに、その中間位置に前記基板搬送手段４が設
けられている。各反応装置Ｒ１，Ｒ２は、反応炉１１
と、前記基板搬送手段４によってウエハＷが搬入および
搬出される際、反応炉１１の天井蓋５０を上方へ開放す
る蓋開閉装置１２とからなる。各反応炉１１の構造は、
後述の第３図によって説明する。蓋開閉装置１２は、周
知のもので、例えば天井蓋５０を把持しながら上下方向
へ昇降する機構によって構成することができる。

基板搬送手段４は、基端部が前記装置本体１の中央位置
に上下方向へ昇降可能かつ旋回可能に設けられかつ先端
部にウエハＷを吸着する吸着部等を有する旋回アーム２
１と、両反応装置Ｒ１，Ｒ２の間でかつ旋回アーム２１
の先端部が通る軌跡上に配置された２つのロードテーブ
ル２２，２３と、この各ロードテーブル２２，２３に対
応配置されたカセット２４，２５と、この一方のカセッ
ト２４内に収納されたウエハＷを取り出し前記ロードテ
ーブル２２上へ載置する搬送板２６と、旋回アーム２１
によっていずれかの反応炉１１から搬出されロードテー
ブル２３上に載置されたウエハＷをカセット２５内に収
納する搬送板２７とを備える。

第３図は前記各反応炉１１の断面を示している。同図に
おいて、底板３１の中央下方には炉内で気相成長に供さ
れるガスの導入口３２が設けられている。導入口３２内
に導入されたガスは、底板３１の中央から上方に延びる
管路３４内を上昇し、頂部の噴気孔３３から反応炉１１
内に排出される。導入口３２には、管炉１５を通じてガ
ス供給ユニット１６が接続されている（第１図参照）。
ガス供給ユニット１６は、前記制御装置５からの指令に
応じて、各反応炉１１内に反応に必要とされるガス、例
えばＮ_２，Ｈ_２，ＨＣｌ，ＤＮ，ＤＰ，ＳｉＣｌ_４およ
びこれらの混合ガスを指定流量だけ供給するもので、例
えば弁の切換装置により構成されている。本実施例で
は、ガス供給ユニット１６と、これと各反応炉１１の内
部とを結ぶ管路１５，３４とにより前記ガス供給手段３
が構成されている。

管路３４の外周部には、その頂部にてサセプタ３５を支
承する回転部材３６が配置されている。同部材３６は減
速機付モータ３７により回転されるようになっている。
サセプタ３５の下方には、カバー３８を隔てて誘導加熱
用コイル３９が配置されている。同コイル３９内には、
高周波電流による熱がコイル自体を損傷するのを防ぐた
め内部に水を流すようにしてある。４０はコイル３９の
重量支えを兼ねた絶縁板であって、ボルト４１により底
板３１の上方に固定されている。４２，４３は誘導加熱
用コイル３９の外部との接続継手部分である。継手部分
４２，４３には高周波発生装置１３が接続されている
（第１図参照）。高周波発生装置１３は、前記制御装置
５からの指令に基づき、電源のオン、オフおよび電力調
整等を行い、コイル３９への通電を制御する。本実施例
では、高周波発生装置１６と誘電加熱用コイル３９とに
より前記加熱手段２が構成されている。

底板３１に向かっている天井蓋５０は三層からなってお
り、それぞれ内側から石英層４４、第１ステンレス層４
５、第２ステンレス層４６からなっている。各層４４，
４５，４６の間は空隙である。４８はクランプ部材で、
エアシリンダ等のクランプ装置４９の励起により天井蓋
５０の鍔４７を下方に押圧するようになっている。天井
蓋５０には、サセプタ３５およびサセプタ３５上のウエ
ハＷを観察するための観察窓５２が取り付けられている
とともに、ウエハＷおよびサセプタ３５の温度を石英層
４４を介して入ってくる光により検出すべきセンサＴＳ
を取り付けた温度検出窓５３が設けられている。

第４図は前記制御装置５の内部構成を示している。同図
において、主計算機の中央処理ユニット（ＣＰＵ）６１
には、データバス６２およびｉ／Ｏバス６３がそれぞれ
接続されている。データバス６２には、一時記憶部（Ｒ
ＡＭ）６４、ディスプレイ装置（ＣＲＴ）７７に表示す
べき内容を一時的にストアする表示データ記憶部（ＣＲ
Ｔ ＲＡＭ）６５、各種のプログラム群を貯蔵してある
プログラム記憶部（ＲＯＭ）６６および本システムを働
かせるための処理プログラムをストアしているプログラ
ム記憶部（ＲＯＭ）６７がそれぞれ接続されている。一
時記憶部（ＲＡＭ）６４は、本システムの稼働中におい
て使用されるデータ、例えばキーボード７８からの入力
データとか、各種スイッチ類のオン、オフ情報、あるい
はカセットテープ等の外部記憶媒体から与えられるプロ
セスプログラム群を貯える等のために用いられる。

前記プログラム記憶部（ＲＯＭ）６６には、各反応装置
Ｒ１，Ｒ２の反応炉１１において遂行される一連のプロ
セスプログラム単位からなるプロセスプログラムを複数
種、つまり、複数種のプロセスプログラム（プロセスプ
ログラム群）を予め記憶する第１のメモリ領域６６
_１と、前記基板搬送手段４を駆動するための各種の駆動
プログラム（駆動プログラム群）を記憶する第２のメモ
リ領域６６_２とが設けられている。第１のメモリ領域６
６_１に記憶されるプロセスプログラム群の中の一つのプ
ロセスプログラム例を、第５図において、その最左欄に
は各シーケンスプロセスに対応するプロセスプログラム
単位を表す番号１〜１７が示され、その右側TiME欄には
そのシーケンスの継続時間が分秒を単位として数値で示
されている。さらに、TiME欄の右側にはそのシーケンス
で使用されるガスの流量が記入されるGAS FLOW欄が設け
られている。GAS FLOW欄の右側には反応炉１１内の温度
θ℃を指定する温度設定欄が設けられている。

前記記憶部６７に記憶された処理プログラムとしては、
ＲＯＭ６６にストアしたプロセスプログラムの中から指
定されたプロセスプログラム単位を順次読み出し、これ
をＣＰＵ６１でその各プログラムに対応するシーケンス
命令にデコードするようＣＰＵ６１を制御するための処
理プログラムつまりプログラム処理プログラム(PROCESS
・C)、ＲＡＭ６４にストアされているプロセスプログラ
ムの内容を修正するようＣＰＵ６１を制御する修正処理
プログラム(MODiFY)、キーボード７８を用いて必要デー
タを入力して新規なプロセスプログラムを生成するため
のプログラム生成処理プログラム（PROCESS）、現在進
行中の処理をＣＲＴ７７へ表示させるためのＲＵＮ処理
プログラム、プログラム中の任意のプロセスプログラム
単位ＰＰ（ｉ）を同他のプロセスプログラム単位ＰＰ
(j) に変換処理する処理プログラム(STEP)、ＲＯＭ６６
にストアされているプログラム群内のプロセスプログラ
ムをＲＡＭ６４，９６を介して第３のメモリ領域として
の外部記憶媒体（例えば、カセット磁気テープＣＭＴ９
８）へ転送するための処理プログラム(STORE) 、STORE
機能と逆の作用を行わせる処理プログラム(STORT)、Ｒ
ＯＭ６６等にストアされているプロセスプログラムを処
理プログラム PROCESS ・ C にかける前にこれを確認す
るための確認処理プログラム（VERiFY）、ＲＯＭ６６等
にストアされているプログラム群の中のプロセスプログ
ラムの実行順序を指定するための予約プログラム(RESER
VE) 、本システムの稼動中自己診断を行う処理プログラ
ム(DiAGNOSiS) 、１つのプログラムの稼動中の経過時間
をサービスするためのプロセス経過時間を算出する処理
プログラム(USED TIME) 、各種のテスト機能を遂行せし
める処理プログラム(TEST)等である。これらの中から１
つのプログラムが指定されると、ＣＰＵ６１は、その各
処理プログラムに従って必要な演算機能を果たすように
なっている。

また、ｉ／Ｏバス６３には、ＣＲＴ７７に表示すべきデ
ータを与えるＣＲＴインタフェイス６８、キーボード７
８からの入力データ信号を一時記憶部（ＲＡＭ）６４へ
取り込む入力モジュール６９の他、６つの出力モジュー
ル７０〜７５および高速メモリデータ転送部７６が接続
されている。出力モジュール７０には前記加熱手段２の
高周波発生装置１３が、出力モジュール７１にはガス供
給手段３のガス供給ユニット１６が、出力モジュール７
２には基板搬送手段４の駆動部が、それぞれ接続されて
いる。さらに、出力モジュール７３にはドライバ８１を
介して各反応炉１１のサセプタ回転用モータ３７が、出
力モジュール７４には蓋開閉装置１２の駆動部が、出力
モジュール７５にはクランプ装置４９がそれぞれ接続さ
れている。

前記高速メモリデータ転送部７６には、データハイウエ
イ９１を介して副中央処理ユニット（ＣＰＵ）９３に接
続された他の高速メモリデータ転送部９２が接続されて
いる。ＣＰＵ９３には、データバス９４を介してプログ
ラム記憶部（ＲＯＭ）９５および一時記憶部（ＲＡＭ）
９６が接続されているとともに、ｉ／Ｏバス９７を介し
て前記高速メモリデータ転送部９２およびカセット磁気
テープ（ＣＭＴ）９８のインタフェイス９９が接続され
ている。ＣＰＵ９３は、前記ＲＯＭ９５にストアされて
いる処理プログラムに従って、ＣＭＴ９８に記録されて
いる各種プログラム群をインタフェイス９９を介してＲ
ＡＭ９６へ転送したり、あるいはＣＭＴ９８に対してＲ
ＡＭ９６の内容を書き込む。一方、ＲＡＭ９６の内容を
ＲＡＭ６４へ、あるいは逆にＲＡＭ６４の内容をＲＡＭ
９６に転送する場合には、高速メモリデータ転送部７
６，９２およびデータハイウエイ９１を介して行われ
る。こうすることにより、ＣＭＴ９８（あるいは磁気カ
ード等）からのプログラムデータ等の読み出しやＣＭＴ
９８への同データの書き込みに要する時間がＣＰＵ６１
の演算処理の速度を制限するという問題を回避できる。

次に、本実施例の作用を説明する。

予め、ＲＯＭ６６の第１のメモリ領域６６_１には標準的
なプロセスプログラム群が、第２のメモリ領域６６_２に
は駆動プログラム群がそれぞれ記憶されている。

いま、電源をオンすると、ＣＲＴ７７には何らかのマー
ク、例えば＄マークが表示される。以下、ＣＲＴ７７上
のデータをクリアして改頁すると、＄マークが表示され
るということで説明する。

そこで、プロセスプログラム群の中から任意のプロセス
プログラムを読み出し、確認、修正、予約を行う。ま
ず、キーボード７８において、プロセスプログラム確認
のための読み出し操作（例えば、「Ｖ」「Ｅ」「ＣＲ」
とキー入力）を行い、続いて反応装置の指定（例えば、
反応装置Ｒ１の指定では「Ｒ」「１」「ＣＲ」とキー入
力）を行った後、最後にプロセスプログラム名を入力
（例えば、「Ｎ」「ＣＲ」とキー入力）すると、ＣＰＵ
６１は、第１のメモリ領域６６_１の中からプロセスプロ
グラム名に対応するプロセスプログラムを読み出し、そ
れをＣＲＴ７７へ表示させる。このときの表示例を第６
図に示す。これは、Ｎ型の気相成長のための標準的シー
ケンス、Ｎ_２，Ｈ_２，ＨＣｌ等の欄はガス流量を、Ｔは
そのシーケンスの実施時間を、ＴＥＭＰはそのシーケン
スでの温度をそれぞれ示している。また、○印で囲まれ
たものはキー入力を示している。

ここでCHECK OK（＊Ｙ，Ｎ）＝において、「Ｙ」「Ｃ
Ｒ」と入力つまり修正なしとすれば、次段のRESERVE OK
（＊Ｙ，Ｎ）のメッセージに進むので、予約を行う場合
には「Ｙ」「ＣＲ」を、予約を行わない場合には「Ｎ」
「ＣＲ」をそれぞれ入力する。「Ｙ」「ＣＲ」を入力し
た場合、次段のRESERVE No= のメッセージに進むので、
実行したい順番の番号を入力（例えば、「０」「３」
「ＣＲ」とキー入力）する。すると、その予約番号を含
んだプロセスプログラムが高速メモリデータ転送部７
６，９２およびデータハイウエイ９１を通じてカセット
磁気テープ９８に記憶される。つまり、３番目に予約さ
れる。

一方、前記CHECK OK（＊Ｙ，Ｎ）において、「Ｎ」と
「ＣＲ」と入力つまり修正有りとすれば、改頁により、 ＄MoDiFY REACTOR ＝Ｒ１ PROCESS NAME ＝Ｎ SEQUENCE NO ＝ とメッセージされるので、修正を行うSEQUENCE No を入
力（例えば、「１」「ＣＲ」とキー入力）する。する
と、SEQUENCE NAME ＝Ｎ_２ PURGE と表示されるととも
に、その各欄のデータが表示されるので、修正したい欄
のデータを修正する。例えば、 Ｔ（Ｍ）＝００５ →「ＣＲ」 Ｔ（Ｓ）＝００ →「３」「０」「ＣＲ」 Ｎ_２＝１５１ →「ＣＲ」 と修正する。最後に、SEQUENCE No ＝のメッセージに対
して「Ｅ」「ＣＲ」と入力し、PROCESS NAME＝のメッセ
ージに対して任意の番号を入力（例えば、「１」「２」
「３」「４」「ＣＲ」とキー入力）した後、CHECK OK
（＊Ｙ，Ｎ）＝のメッセージに対して「Ｙ」「ＣＲ」と
入力すると、第７図に示すデータ（修正後のデータ）が
表示される。第７図において、CHECK OK（＊Ｙ，Ｎ）＝
のメッセージ、RESERVE OK（＊Ｙ，Ｎ）のメッセージ、
RESERVE No=のメッセージに対するキー操作は、第６図
と同様である。修正後のプロセスプログラムは、同様に
してカセット磁気テープ９８に記録され、かつ同様にし
て任意に修正される。

次に、駆動プログラム群の中から任意の駆動プログラム
を読み出し、確認、修正、予約を行う。まず、キーボー
ド７８において、駆動プログラム確認のための読み出し
操作（例えば、「Ａ」「Ｌ」「ＣＲ」とキー入力）を行
い、続いて反応装置の指定（例えば、反応装置Ｒ１の指
定ては「Ｒ」「１」「ＣＲ」とキー入力）を行った後、
最後に駆動プログラム名を入力（例えば、「Ｓ」「Ｔ」
「６」とキー入力）すると、ＣＰＵ６１は、第２のメモ
リ領域６６_２の中から駆動プログラム名に対応する駆動
プログラムを読み出し、それをＣＲＴ７７へ表示させ
る。このときの表示例を第８図に示す。

ここで、CHECK OK（＊Ｙ，Ｎ）において、「Ｙ」「Ｃ
Ｒ」と入力つまり修正なしとすれば、次段のRESERVE
（＊Ｙ，Ｎ）のメッセージに進むので、予約を行う場合
には「Ｙ」「ＣＲ」を、予約を行わない場合には「Ｎ」
「ＣＲ」をそれぞれ入力する。「Ｙ」「ＣＲ」を入力し
た場合、次段のRESERVE Noのメッセージに進むので、実
行したい順番の番号を入力（例えば、「０」「５」「Ｃ
Ｒ」とキー入力）する。すると、その予約番号を含む駆
動プログラムが高速メモリデータ転送部７６，９２およ
びデータハイウエイ９１を通じてカセット磁気テープ９
８に記憶される。つまり、５番目に予約される。

一方、前記CHECK OK（＊Ｙ，Ｎ）において、「Ｎ」
「Ｒ」と入力つまり修正有りとすれば、改頁により、 ＄AUTO LOADER MoDiFY REACTER ＝Ｒ１ WAF No ＝ とメッセージされるので、修正を行うWAF Noを入力（例
えば、「０」「１」「ＣＲ」とキー入力）する。する
と、 WAF No ０１の各欄が表示されるので、修正したい
欄のデータを修正する。例えば、 Ａxis Ｐ →「Ｐ」「ＣＲ」 PULSE＝ 350 →「３」「４」「０」「ＣＲ」 Ａxis Ｒ →「ＣＲ」 Ａxis Ｚ→ 「Ｚ」「ＣＲ」 PULSE＝45 →「４」「０」「ＣＲ」 と修正する。続いて、 WAF No ＝のメッセージに対し
て、「０」「２」「ＣＲ」とキー入力した後、 Ａxis Ｐ →「ＣＲ」 Ａxis Ｒ →「Ｒ」「ＣＲ」 PULSE＝ 580 →「５」「７」「０」「ＣＲ」 Ａxis Ｚ →「ＣＲ」 と修正する。最後に、WAF No＝のメッセージに対して
「Ｅ」「ＣＲ」と入力し、CHECK OK（＊Ｙ，Ｎ）のメッ
セージに対して「Ｙ」「ＣＲ」と入力すると、第９図に
示すデータ（修正後のデータ）が表示される。第９図に
おいて、CHECK OK（＊Ｙ，Ｎ）のメッセージ、MEMORY
（＊Ｙ，Ｎ）のメッセージ、SUSCEPTER のメッセージ、
RESERVE （＊Ｙ，Ｎ）のメッセージ、RESERVE Noのメッ
セージに対するキー操作は、第８図と同様である。修正
後の駆動プログラムは、同様にしてカセット磁気テープ
９８に記録され、かつ同様にして任意に修正される。

一方、この方法とは他に、初めにプログラムの内容を確
認することなく連続的に予約するには、第１０図に示す
如く、「Ｒ」「Ｅ」をキー入力した後、反応装置の指
定、プロセスプログラム名、搬出搬入の識別コード、駆
動プログラム名を実行したい順番にキー入力していく
と、これらのプログラムが順にカセット磁気テープ９８
にストアされる。なお、同図において、PROCESS NAME 0
000 は休止の場合の入力例を示している。

ここで、カセット磁気テープ９８にストアされたプログ
ラムを確認するには、第１０図においてCHECK OK（＊
Ｙ，Ｎ）のメッセージに対して「Ｙ」「ＣＲ」とキー入
力すると、第１１図のような一覧表が表示される。な
お、第６図〜第８図のように、各プログラムの確認で個
々に予約したものについては、改頁後「Ｒ」「Ｖ」「Ｃ
Ｒ」とキー入力すれば、第１１図のような一覧表が表示
される。

さて、カセット磁気テープ９８に記録されたプロセスプ
ログラムおよび駆動プログラムを実行するには、キーボ
ード７８においてスタートスイッチを押すと、ＣＰＵ６
１は、カセット磁気テープ９８のプログラムを読み出
し、そのプログラムを予約した順番に実行する。つま
り、そのプログラムに従って高周波発生装置１３、ガス
供給ユニット１６、基板搬送手段４、モータ３７、蓋開
閉装置１２およびクランプ装置４９等を制御する。

例えば、第１１図の予約プログラムを実行するに当たっ
ては、まず反応装置Ｒ１側のクランプ装置４９を解除
し、蓋開閉装置１２を作動させ天井蓋５０を開いた後、
モータ３７を駆動させサセプタ３５を回動させ、サセプ
タ３５上の基板収納ポケットを旋回アーム２１の旋回位
置と一致させる。ここで、旋回アーム２１とロードテー
ブル２２上に旋回させた後下降させ、搬送板２６によっ
てカセット２４内から取り出された後オリフラ合わせを
行うためにロードテーブル２２上に載置されたウエハＷ
を吸着し、続いて上昇させた後旋回させ、反応装置Ｒ１
の反応炉１１内のサセプタ３５上にウエハＷをロードさ
せる。このようにして、サセプタ３５上に所定数のウエ
ハＷを載置した後、蓋開閉装置１２を作動させるととも
に、クランプ装置４９を作動させ、反応炉１１を密閉さ
せる。

続いて、予約番号Ｎｏ０２のプログラムを実行する。こ
の際、予約番号Ｎｏ０３のプログラムによる反応装置Ｒ
２側へのウエハＷのロードについて、反応装置Ｒ１側へ
のロードが終了し、反応装置Ｒ２側へのウエハＷのロー
ド開始条件が整っていれば、予約番号Ｎｏ０２のプログ
ラムがスタートする前にロードを開始できるような機能
をもたせることちより、時間を有効に活用できる。この
プログラムが終了した後、次のプログラムを実行し、順
次最後のプログラムまで実行する。

なお、上記実施例では、プロセスプログラムや駆動プロ
グラムの予約をキーボード７８により入力したが、例え
ば第６，７図に示すプロセスプログラムや、第８，９図
に示す駆動プログラムをＲＯＭやＩＣカード等の外部記
憶媒体に記憶させておき、これを制御装置５に装填する
ことにより、あるいは上位コンピュータを制御装置５に
接続することにより、第１０図のような入力操作を行う
ことなく、第１１図のような予約が行えるようにしても
よい。外部記憶媒体への入力は、別の入力装置を用いて
もよいが、上記実施例におけるカセット磁気テープ９８
に記録したものを用いてもよい。

また、上記実施例では、予約したプログラムを連続的に
実行させるようにしたが、個々のプログラムが終了後、
手動でスタートスイッチを押すことにより、次のプログ
ラムが実行されるようにしてもよい。

また、同一のプログラムを一定周期または連続的に繰り
返し予約する場合には、その最初のプログラムの指定に
おいて特定なキャラクタ、例えば「Ｌ」「Ｏ」「Ｏ」
「Ｐ」と入力すれば、以後のキー操作をしなくても、同
一のプログラムが実行される機能を付加することもでき
る。

また、上記実施例では、プロセスプログラムおよび駆動
プログラムをＲＯＭ６６に予め記憶させるようにした
が、例えばこれらのデータをカード等の外部記憶媒体に
記録し、これを制御装置５に入力させるようにしてもよ
い。

また、上記実施例では、２台の反応装置を搭載した気相
成長装置について説明したが、１台のみでもよく、さら
に３台以上の反応装置を搭載した装置でもよい。

また、本発明は、上記実施例で述べた気相成長装置に限
らず、アニール炉や拡散炉等の他の製造装置にも適用で
きる。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明によれば、予約機能を備えたことに
より、オペレータへの負担を軽減できるとともに、操作
ミスによる不良の低減が図れ、作業効率の向上に寄与で
きる。また、基板搬送手段を含めて予約できるようにし
たので、完全自動化を達成できる。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の一実施例を示すもので、第１図は全体のシ
ステムを示す図、第２図は装置本体の平面図、第３図は
反応炉の断面図、第４図は制御装置を示すブロック図、
第５図はプロセスプログラムを示す図、第６図〜第１１
図はそれぞれＣＲＴ上の画面表示例を示す図である。 Ｒ１，Ｒ２……反応装置、２……加熱手段、３……ガス
供給手段、４……基板搬送手段、５……制御装置、１１
……反応炉、６６_１……第１のメモリ領域、６６_２……
第２のメモリ領域、９８……第３のメモリ領域としての
カセット磁気テープ。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体基板の反応炉と、 この反応炉中の基板を加熱する加熱手段と、 前記反応炉中に反応に必要なガスを供給するガス供給手
   段と、 前記反応炉への基板の搬入および反応炉からの基板の搬
   出を行う基板搬送手段と、 前記加熱手段、ガス供給手段および基板搬送手段を制御
   する制御装置と、を備え、 前記制御装置は、 前記反応炉内における処理を実行するための時間、使用
   ガス並びにその流量および炉内温度等に関する情報を含
   む一連のプロセスプログラム単位からなるプロセスプロ
   グラムを記憶する第１のメモリ領域と、 前記基板搬送手段を駆動するための駆動プログラムを記
   憶する第２のメモリ領域と、 前記第１および第２のメモリ領域の少なくとも一の領域
   の中から任意のプログラムを読み出し、このプログラム
   を修正入力に応じて修正する修正手段と、 修正後のプログラムを記憶する第３のメモリ領域と、 前記第１、第２および第３のメモリ領域の任意のプログ
   ラムの実行順序を指定する予約手段と、 この予約手段によって指定されたプログラムを指定され
   た順序で実行する手段と、を含む、 ことを特徴とする半導体製造装置。
2. 【請求項２】特許請求の範囲第１項において、前記予約
   手段は、外部記憶媒体に記録されたプロセスプログラム
   名および／または駆動プログラム名に従って、プログラ
   ムの実行順序を指定できるようになっていることを特徴
   とする半導体製造装置。
3. 【請求項３】特許請求の範囲第１項または第２項におい
   て、前記予約手段は、任意のプログラムの繰り返し指定
   をすることにより、そのプログラムが一定周期または連
   続的に予約指定できるようになっていることを特徴とす
   る半導体製造装置。
4. 【請求項４】特許請求の範囲第１項ないし第３項のいず
   れかにおいて、前記予約手段によって実行順序が指定さ
   れたプログラムは、前記第３のメモリ領域に記憶される
   ようになっていることを特徴とする半導体製造装置。