JPH06173055A - ４−ジアルコキシメチルピラゾールの製造方法 - Google Patents
４−ジアルコキシメチルピラゾールの製造方法Info
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- JPH06173055A JPH06173055A JP5186005A JP18600593A JPH06173055A JP H06173055 A JPH06173055 A JP H06173055A JP 5186005 A JP5186005 A JP 5186005A JP 18600593 A JP18600593 A JP 18600593A JP H06173055 A JPH06173055 A JP H06173055A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 一般式Ｉ：
【化１】
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、請求項に記載のもの
を表す］の４−ジアルコキシメチルピラゾールを製造す
る新規方法を提供する。 【構成】 該方法は、一般式ＩＩ： 【化２】 の４−メチルピラゾールを、アルカノールＲ1−ＯＨの
存在下で電気化学的に酸化させることよりなる。 【効果】 該方法は、目的生成物を容易に入手可能な出
発化合物から簡単に製造することができる。
を表す］の４−ジアルコキシメチルピラゾールを製造す
る新規方法を提供する。 【構成】 該方法は、一般式ＩＩ： 【化２】 の４−メチルピラゾールを、アルカノールＲ1−ＯＨの
存在下で電気化学的に酸化させることよりなる。 【効果】 該方法は、目的生成物を容易に入手可能な出
発化合物から簡単に製造することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般式Ｉ：
【０００２】
【化３】
【０００３】［式中、Ｒ1は、ｎ−アルキル基、Ｒ2は、
炭化水素基、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ水素原子、炭化水
素基、シアノ基、ハロゲン原子又はアルコキシカルボニ
ル基を表す］の４−ジアルコキシメチルピラゾールの製
造方法に関する。
炭化水素基、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ水素原子、炭化水
素基、シアノ基、ハロゲン原子又はアルコキシカルボニ
ル基を表す］の４−ジアルコキシメチルピラゾールの製
造方法に関する。
【０００４】
【従来の技術】ピラゾールＩは、植物保護剤及び薬剤を
製造するための中間体として使用される。
製造するための中間体として使用される。
【０００５】該方法生成物のいくつかは公知である。こ
れらは、米国特許第３２５４０９３号明細書によれば、
非常に費用をかけた際にのみ製造可能な１，２，３−オ
キサジアゾールから得られる。
れらは、米国特許第３２５４０９３号明細書によれば、
非常に費用をかけた際にのみ製造可能な１，２，３−オ
キサジアゾールから得られる。
【０００６】メチル置換された同素環式芳香族化合物の
相応するアセタールへの電気化学的転化は、ヨーロッパ
特許出願公開第０１２２４０号明細書に記載されてい
る。
相応するアセタールへの電気化学的転化は、ヨーロッパ
特許出願公開第０１２２４０号明細書に記載されてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の課題
は、ピラゾールＩを入手しやすい出発化合物から簡単な
方法で製造することであった。
は、ピラゾールＩを入手しやすい出発化合物から簡単な
方法で製造することであった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題は、一般式Ｉ
Ｉ：
Ｉ：
【０００９】
【化４】
【００１０】の４−メチルピラゾールをアルカノールＲ
1−ＯＨの存在下で電気化学的に酸化させて、ジアルコ
キシメチルピラゾールＩを製造する方法により解決され
る。
1−ＯＨの存在下で電気化学的に酸化させて、ジアルコ
キシメチルピラゾールＩを製造する方法により解決され
る。
【００１１】本発明による方法は、以下のように図式化
することができる。
することができる。
【００１２】
【化５】
【００１３】いまだ公知となっていない出発化合物ＩＩ
は、常法、例えば１，３−ジケト化合物をヒドラジンと
反応させることにより製造することができる（ドイツ国
特許出願公開第２９２２５９１号明細書）。
は、常法、例えば１，３−ジケト化合物をヒドラジンと
反応させることにより製造することができる（ドイツ国
特許出願公開第２９２２５９１号明細書）。
【００１４】植物保護剤及び薬剤のための中間体として
使用することを考慮して、有利な化合物Ｉ、更に同様に
有利な出発化合物は、置換基が以下のものを表す化合物
である： Ｒ1：Ｃ1〜Ｃ6−ｎ−アルキル、有利にはＣ1〜Ｃ4−ｎ
−アルキル、特にメチル及びエチル； Ｒ2：Ｃ1〜Ｃ12−アルキル、有利にはＣ1〜Ｃ8−アルキ
ル、特にメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピ
ル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔ−アミ
ル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル及びｎ−オクチル；Ｃ
3〜Ｃ12−シクロアルキル、有利にはＣ5〜Ｃ7−シクロ
アルキル、例えばシクロペンチル、シクロヘキシル及び
シクロヘプチル；非置換又は置換されたフェニル、例え
ばフェニル、２−クロロフェニル、３−クロロフェニ
ル、４−クロロフェニル、２−フルオロフェニル、３−
フルオロフェニル、４−フルオロフェニル、２−ブロモ
フェニル、３−ブロモフェニル、４−ブロモフェニル、
２−メチルフェニル、３−メチルフェニル、４−メチル
フェニル、２−メトキシフェニル、３−メトキシフェニ
ル、４−メトキシフェニル、２−エトキシフェニル、３
−エトキシフェニル、４−エトキシフェニル、２−ｔ−
ブトキシフェニル、３−ｔ−ブトキシフェニル、４−ｔ
−ブトキシフェニル、２−メトキシカルボニルフェニ
ル、３−メトキシカルボニルフェニル、４−メトキシカ
ルボニルフェニル、２−エトキシカルボニルフェニル、
３−エトキシカルボニルフェニル、４−エトキシカルボ
ニルフェニル、２−シアノフェニル、３−シアノフェニ
ル、４−シアノフェニル、２−メトキシ−４−クロロフ
ェニル、２，４−ジクロロフェニル、３−メチル−６−
クロロフェニル、２，４，６−トリクロロフェニル、２
−Ｎ−ホルミルアミノフェニル、３−Ｎ−ホルミルアミ
ノフェニル、４−Ｎ−ホルミルアミノフェニル、２−Ｎ
−カルボキシメチルアミノフェニル、３−Ｎ−カルボキ
シメチルアミノフェニル、４−Ｎ−カルボキシメチルア
ミノフェニル； Ｒ3及びＲ4：Ｒ1と同様のもの；付加的に：水素原子；
シアノ基；ハロゲン原子、例えばフッ素、塩素、臭素、
ヨウ素、有利にはフッ素、塩素及び臭素；アルコキシカ
ルボニル基、例えばメトキシカルボニル、エトキシカル
ボニル及びｔ−ブトキシカルボニル。
使用することを考慮して、有利な化合物Ｉ、更に同様に
有利な出発化合物は、置換基が以下のものを表す化合物
である： Ｒ1：Ｃ1〜Ｃ6−ｎ−アルキル、有利にはＣ1〜Ｃ4−ｎ
−アルキル、特にメチル及びエチル； Ｒ2：Ｃ1〜Ｃ12−アルキル、有利にはＣ1〜Ｃ8−アルキ
ル、特にメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピ
ル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔ−アミ
ル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル及びｎ−オクチル；Ｃ
3〜Ｃ12−シクロアルキル、有利にはＣ5〜Ｃ7−シクロ
アルキル、例えばシクロペンチル、シクロヘキシル及び
シクロヘプチル；非置換又は置換されたフェニル、例え
ばフェニル、２−クロロフェニル、３−クロロフェニ
ル、４−クロロフェニル、２−フルオロフェニル、３−
フルオロフェニル、４−フルオロフェニル、２−ブロモ
フェニル、３−ブロモフェニル、４−ブロモフェニル、
２−メチルフェニル、３−メチルフェニル、４−メチル
フェニル、２−メトキシフェニル、３−メトキシフェニ
ル、４−メトキシフェニル、２−エトキシフェニル、３
−エトキシフェニル、４−エトキシフェニル、２−ｔ−
ブトキシフェニル、３−ｔ−ブトキシフェニル、４−ｔ
−ブトキシフェニル、２−メトキシカルボニルフェニ
ル、３−メトキシカルボニルフェニル、４−メトキシカ
ルボニルフェニル、２−エトキシカルボニルフェニル、
３−エトキシカルボニルフェニル、４−エトキシカルボ
ニルフェニル、２−シアノフェニル、３−シアノフェニ
ル、４−シアノフェニル、２−メトキシ−４−クロロフ
ェニル、２，４−ジクロロフェニル、３−メチル−６−
クロロフェニル、２，４，６−トリクロロフェニル、２
−Ｎ−ホルミルアミノフェニル、３−Ｎ−ホルミルアミ
ノフェニル、４−Ｎ−ホルミルアミノフェニル、２−Ｎ
−カルボキシメチルアミノフェニル、３−Ｎ−カルボキ
シメチルアミノフェニル、４−Ｎ−カルボキシメチルア
ミノフェニル； Ｒ3及びＲ4：Ｒ1と同様のもの；付加的に：水素原子；
シアノ基；ハロゲン原子、例えばフッ素、塩素、臭素、
ヨウ素、有利にはフッ素、塩素及び臭素；アルコキシカ
ルボニル基、例えばメトキシカルボニル、エトキシカル
ボニル及びｔ−ブトキシカルボニル。
【００１５】付加的に、Ｒ2，Ｒ3及びＲ4におけるアル
キル基及びシクロアルキル基は、置換基を有していてよ
く、その際、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4−アルコ
キシ基、Ｃ1〜Ｃ5−アルコキシカルボニル基、ヒドロキ
シル基及びハロゲン原子が有利である。
キル基及びシクロアルキル基は、置換基を有していてよ
く、その際、Ｃ1〜Ｃ4−アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4−アルコ
キシ基、Ｃ1〜Ｃ5−アルコキシカルボニル基、ヒドロキ
シル基及びハロゲン原子が有利である。
【００１６】電気化学的酸化は、分割して、しかし有利
には分割せずに流動槽中で行うことができる。
には分割せずに流動槽中で行うことができる。
【００１７】電解質は、出発化合物ＩＩとアルコールＲ
1−ＯＨからなり、かつ有利な実施態様では導電率を高
めるために補助電解質を加える。電解質は、電解条件下
で不活性である溶剤、例えばアセトニトリル又は塩化メ
チレンを含有していてもよいが、しかしながら電解は、
この種の溶剤を用いずに行うのが有利である。
1−ＯＨからなり、かつ有利な実施態様では導電率を高
めるために補助電解質を加える。電解質は、電解条件下
で不活性である溶剤、例えばアセトニトリル又は塩化メ
チレンを含有していてもよいが、しかしながら電解は、
この種の溶剤を用いずに行うのが有利である。
【００１８】電解質は有利には：メチルピラゾールＩＩ
１〜４９、有利には５〜３０重量％、アルコールＲ1
ＯＨ ５０〜９８．９、有利には７０〜９５重量％及び
補助電解質 ０．１〜５、有利には０．２〜３重量％を
含有する。
１〜４９、有利には５〜３０重量％、アルコールＲ1
ＯＨ ５０〜９８．９、有利には７０〜９５重量％及び
補助電解質 ０．１〜５、有利には０．２〜３重量％を
含有する。
【００１９】適した補助電解質は、塩、酸及び塩基であ
る。塩の例はフッ化物、例えばフッ化カリウム、硫酸
塩、例えば硫酸メチルテトラメチルアンモニウム、テト
ラフルオロ硼酸塩、例えばテトラフルオロ硼酸ナトリウ
ム、及び燐酸塩及びホスホネートであり、ベンゼンスル
ホン酸ナトリウムが有利である。
る。塩の例はフッ化物、例えばフッ化カリウム、硫酸
塩、例えば硫酸メチルテトラメチルアンモニウム、テト
ラフルオロ硼酸塩、例えばテトラフルオロ硼酸ナトリウ
ム、及び燐酸塩及びホスホネートであり、ベンゼンスル
ホン酸ナトリウムが有利である。
【００２０】酸の例は、硫酸、アルキル−及びアリール
スルホン酸、例えばメチルスルホン酸及びベンゼンスル
ホン酸である。適当な塩基の例は、アルコラート、例え
ばナトリウムメチラート及び水酸化物、例えば水酸化カ
リウムである。
スルホン酸、例えばメチルスルホン酸及びベンゼンスル
ホン酸である。適当な塩基の例は、アルコラート、例え
ばナトリウムメチラート及び水酸化物、例えば水酸化カ
リウムである。
【００２１】適当なアノード材料は、貴金属、例えば白
金又は酸化物、例えば酸化クロム又は酸化ルテニウム並
びに混合酸化物、例えばＴｉ／ＲｕＯXである。しかし
ながら、グラファイトが有利なアノード材料である。
金又は酸化物、例えば酸化クロム又は酸化ルテニウム並
びに混合酸化物、例えばＴｉ／ＲｕＯXである。しかし
ながら、グラファイトが有利なアノード材料である。
【００２２】適当なカソード材料は、一般的にスチー
ル、鉄、銅、錫、亜鉛、ニッケル及び炭素、及び貴金
属、例えば白金であるが、しかしながらグラファイトが
有利である。
ル、鉄、銅、錫、亜鉛、ニッケル及び炭素、及び貴金
属、例えば白金であるが、しかしながらグラファイトが
有利である。
【００２３】電解は、バッチ式で又は連続的に実施する
ことができ、所望の場合には未反応出発物質を反応に戻
すことができる。
ことができ、所望の場合には未反応出発物質を反応に戻
すことができる。
【００２４】本発明による方法の電流密度は、０．１〜
２５Ａ／ｄｍ2、有利には１〜１０Ａ／ｄｍ2の範囲内で
選択可能である。酸化は、通常０〜１２０℃、有利には
２０〜８０℃で、一般的には大気圧下で行う。しかしな
がら、減圧下で、又は低沸点成分が存在する場合には高
圧で処理することもできる。装填量は、一般的にＩＩ
３．５〜１２、有利には４〜８Ｆ／モルである。
２５Ａ／ｄｍ2、有利には１〜１０Ａ／ｄｍ2の範囲内で
選択可能である。酸化は、通常０〜１２０℃、有利には
２０〜８０℃で、一般的には大気圧下で行う。しかしな
がら、減圧下で、又は低沸点成分が存在する場合には高
圧で処理することもできる。装填量は、一般的にＩＩ
３．５〜１２、有利には４〜８Ｆ／モルである。
【００２５】反応溶液は常法で、有利には蒸留により後
処理する。
処理する。
【００２６】本発明による方法は、簡単に得られる４−
メチルピラゾールＩＩを４−ジアルコキシメチルピラゾ
ールＩに転化させる。
メチルピラゾールＩＩを４−ジアルコキシメチルピラゾ
ールＩに転化させる。
【００２７】アセタールＩを、公知の方法で相応する４
−ホルミルピラゾールＩＩＩ：
−ホルミルピラゾールＩＩＩ：
【００２８】
【化６】
【００２９】にするために加水分解することができる。
従って、該化合物Ｉは、著しく敏感なアルデヒドＩＩＩ
の、貯蔵安定的に保護された形である。
従って、該化合物Ｉは、著しく敏感なアルデヒドＩＩＩ
の、貯蔵安定的に保護された形である。
【００３０】４−ホルミルピラゾールＩＩＩは、植物保
護剤（ヨーロッパ特許出願公開第３７８７５５号明細
書）、薬剤（ヨーロッパ特許出願公開第２８４９１４号
明細書）又は蛍光増白剤（ドイツ国特許出願公開第１７
７０６１４号明細書）の前駆物質として使用される。
護剤（ヨーロッパ特許出願公開第３７８７５５号明細
書）、薬剤（ヨーロッパ特許出願公開第２８４９１４号
明細書）又は蛍光増白剤（ドイツ国特許出願公開第１７
７０６１４号明細書）の前駆物質として使用される。
【００３１】
【実施例】次に、本発明を以下の実施例につき詳細に説
明する。
明する。
【００３２】例１ ４−ジメトキシメチル−１−フェニルピラゾールの電気
化学的合成 装置：１１個のバイポール電極を有する分割された槽 アノード：グラファイト 電解質：４−メチル−１−フェニルピラゾール８０ｇ
（５０６ミリモル）、 ベンゼンスルホン酸ナトリウム３０ｇ メタノール２．８９ｋｇ カソード：グラファイト 電解温度：４０℃ 電解は、４−メチル−１−フェニルピラゾール５Ｆ／モ
ルで行った。電解質を、電解の際に２００リットル／ｈ
で槽を通過させた。電解後、メタノールを大気圧下で留
去し、沈殿した導電塩を濾過により除去した。真空蒸留
により、転化率８６％で４−ジメトキシメチル−１−フ
ェニルピラゾール５０％が生じた（反応した出発化合物
に対して６０％の収率（選択率）に相当）。
化学的合成 装置：１１個のバイポール電極を有する分割された槽 アノード：グラファイト 電解質：４−メチル−１−フェニルピラゾール８０ｇ
（５０６ミリモル）、 ベンゼンスルホン酸ナトリウム３０ｇ メタノール２．８９ｋｇ カソード：グラファイト 電解温度：４０℃ 電解は、４−メチル−１−フェニルピラゾール５Ｆ／モ
ルで行った。電解質を、電解の際に２００リットル／ｈ
で槽を通過させた。電解後、メタノールを大気圧下で留
去し、沈殿した導電塩を濾過により除去した。真空蒸留
により、転化率８６％で４−ジメトキシメチル−１−フ
ェニルピラゾール５０％が生じた（反応した出発化合物
に対して６０％の収率（選択率）に相当）。
【００３３】例２ １−（４−クロロフェニル）−４−ジメトキシメチルピ
ラゾールの電気化学的合成 装置：１１個のバイポール電極を有する分割された槽 アノード：グラファイト 電解質：１−（４−クロロフェニル）−４−メチルピラ
ゾール６８ｇ（３５３ミリモル） ベンゼンスルホン酸ナトリウム３０ｇ メタノール２．９０ｋｇ カソード：グラファイト 電解温度：３０℃ 電解を、１−（４−クロロフェニル）−４−メチルピラ
ゾール５．５Ｆ／モルで行った。電解の際に、電解質を
２００ ｌ／ｈで槽を通過させた。例１と同様に後処理
した後、１−（４−クロロフェニル）−４−ジメトキシ
メチルピラゾール５０％を単離した（選択率６２％）。
ラゾールの電気化学的合成 装置：１１個のバイポール電極を有する分割された槽 アノード：グラファイト 電解質：１−（４−クロロフェニル）−４−メチルピラ
ゾール６８ｇ（３５３ミリモル） ベンゼンスルホン酸ナトリウム３０ｇ メタノール２．９０ｋｇ カソード：グラファイト 電解温度：３０℃ 電解を、１−（４−クロロフェニル）−４−メチルピラ
ゾール５．５Ｆ／モルで行った。電解の際に、電解質を
２００ ｌ／ｈで槽を通過させた。例１と同様に後処理
した後、１−（４−クロロフェニル）−４−ジメトキシ
メチルピラゾール５０％を単離した（選択率６２％）。
【００３４】例３ １−（３−クロロフェニル）−４−ジメトキシメチルピ
ラゾールの電気化学的合成 装置：９個のバイポール電極を有する分割された槽 アノード：グラファイト 電解質：１−（３−クロロフェニル）−４−メチルピラ
ゾール７６ｇ（３９５ミリモル） ベンゼンスルホン酸ナトリウム１２ｇ メタノール５３０ｇ カソード：グラファイト 電解温度：２５℃ 電解を、１−（３−クロロフェニル）−４−メチルピラ
ゾール６Ｆ／モルで行った。電解の際に、電解質を２０
ｌ／ｈで槽を通過させた。例１と同様に後処理した
後、１−（３−クロロフェニル）−４−ジメトキシメチ
ルピラゾール３４％を単離した（選択率４０％）。
ラゾールの電気化学的合成 装置：９個のバイポール電極を有する分割された槽 アノード：グラファイト 電解質：１−（３−クロロフェニル）−４−メチルピラ
ゾール７６ｇ（３９５ミリモル） ベンゼンスルホン酸ナトリウム１２ｇ メタノール５３０ｇ カソード：グラファイト 電解温度：２５℃ 電解を、１−（３−クロロフェニル）−４−メチルピラ
ゾール６Ｆ／モルで行った。電解の際に、電解質を２０
ｌ／ｈで槽を通過させた。例１と同様に後処理した
後、１−（３−クロロフェニル）−４−ジメトキシメチ
ルピラゾール３４％を単離した（選択率４０％）。
【００３５】例４ １−（２−クロロフェニル）−４−ジメトキシメチルピ
ラゾールの電気化学的合成 装置：９個のバイポール電極を有する分割された槽 アノード：グラファイト 電解質：１−（２−クロロフェニル）−４−メチルピラ
ゾール１０２ｇ（５３０ミリモル） ベンゼンスルホン酸ナトリウム１４ｇ メタノール６００ｇ カソード：グラファイト 電解温度：２０℃ 電解を、１−（２−クロロフェニル）−４−メチルピラ
ゾール６Ｆ／モルで行った。電解の際に、電解質を２０
ｌ／ｈで槽を通過させた。例１と同様に後処理後、１
−（２−クロロフェニル）−４−ジメトキシメチルピラ
ゾール４０％を単離した（選択率４４％）。
ラゾールの電気化学的合成 装置：９個のバイポール電極を有する分割された槽 アノード：グラファイト 電解質：１−（２−クロロフェニル）−４−メチルピラ
ゾール１０２ｇ（５３０ミリモル） ベンゼンスルホン酸ナトリウム１４ｇ メタノール６００ｇ カソード：グラファイト 電解温度：２０℃ 電解を、１−（２−クロロフェニル）−４−メチルピラ
ゾール６Ｆ／モルで行った。電解の際に、電解質を２０
ｌ／ｈで槽を通過させた。例１と同様に後処理後、１
−（２−クロロフェニル）−４−ジメトキシメチルピラ
ゾール４０％を単離した（選択率４４％）。
【００３６】例５ ４−ジメトキシメチル−１−メチルピラゾールの電気化
学的合成 装置：９個のバイポール電極を有する分割された槽 アノード：グラファイト 電解質：１，４−ジメチルピラゾール１００ｇ（１．０
４ミリモル） ベンゼンスルホン酸ナトリウム１６ｇ メタノール７００ｇ カソード：グラファイト 電解温度：２０℃ 電解を、１，４−ジメチルピラゾール７Ｆ／モルで行っ
た。電解の際に、電解質を２０ ｌ／ｈで槽を通過させ
た。例１と同様に後処理した後、４−ジメトキシメチル
−１−メチルピラゾール５３％を単離した（選択率５８
％）。
学的合成 装置：９個のバイポール電極を有する分割された槽 アノード：グラファイト 電解質：１，４−ジメチルピラゾール１００ｇ（１．０
４ミリモル） ベンゼンスルホン酸ナトリウム１６ｇ メタノール７００ｇ カソード：グラファイト 電解温度：２０℃ 電解を、１，４−ジメチルピラゾール７Ｆ／モルで行っ
た。電解の際に、電解質を２０ ｌ／ｈで槽を通過させ
た。例１と同様に後処理した後、４−ジメトキシメチル
−１−メチルピラゾール５３％を単離した（選択率５８
％）。
フロントページの続き (72)発明者 ハルトマン ケーニッヒ ドイツ連邦共和国 リムブルガーホーフ アルベルト−アインシュタイン−アレー 16 (72)発明者 ノルベルト ゲーツ ドイツ連邦共和国 ヴォルムス １ シェ ーファーシュトラーセ 25
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式Ｉ： 【化１】 ［式中、 Ｒ1は、ｎ−アルキル基、 Ｒ2は、炭化水素基、 Ｒ3及びＲ4は、それぞれ水素原子、炭化水素基、シアノ
基、ハロゲン原子又はアルコキシカルボニル基を表す］
の４−ジアルコキシメチルピラゾールを製造する方法に
おいて、一般式ＩＩ： 【化２】 の４−メチルピラゾールを、アルカノールＲ1−ＯＨの
存在下で電気化学的に酸化させることを特徴とする、４
−ジアルコキシメチルピラゾールの製造方法。
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|---|---|---|---|
| DE4225053A DE4225053A1 (de) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | Verfahren zur Herstellung von 4-Dialkoxymethylpyrazolen |
| DE4225053.6 | 1992-07-29 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP3212766B2 JP3212766B2 (ja) | 2001-09-25 |
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|---|---|---|---|
| JP18600593A Expired - Fee Related JP3212766B2 (ja) | 1992-07-29 | 1993-07-28 | ４−ジアルコキシメチルピラゾールの製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| WO2018031889A1 (en) * | 2016-08-12 | 2018-02-15 | California Institute Of Technology | Hydrocarbon oxidation by water oxidation electrocatalysts in non-aqueous solvents |
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| CN115637453A (zh) * | 2022-10-24 | 2023-01-24 | 上海兆维科技发展有限公司 | 一种咪唑[1,2-a]吡啶-3-醛类化合物的电化学合成方法 |
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| DE3713732A1 (de) * | 1987-04-24 | 1988-11-17 | Basf Ag | Neue benzaldehyddialkylacetale, ihre herstellung und verwendung |
| DE3836581A1 (de) * | 1988-10-27 | 1990-05-03 | Basf Ag | Heterocyclisch substituierte (alpha)-aryl-acrylsaeuremethylester und ihre verwendung |
-
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-
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- 1993-07-21 DE DE59301083T patent/DE59301083D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-07-21 ES ES93111648T patent/ES2079926T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1993-07-27 US US08/097,116 patent/US5464508A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-28 JP JP18600593A patent/JP3212766B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| WO2018031889A1 (en) * | 2016-08-12 | 2018-02-15 | California Institute Of Technology | Hydrocarbon oxidation by water oxidation electrocatalysts in non-aqueous solvents |
| US11352705B2 (en) | 2016-08-12 | 2022-06-07 | California Institute Of Technology | Hydrocarbon oxidation by water oxidation electrocatalysts in non-aqueous solvents |
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|---|---|
| EP0581181B1 (de) | 1995-12-06 |
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| ES2079926T3 (es) | 1996-01-16 |
| JP3212766B2 (ja) | 2001-09-25 |
| DE59301083D1 (de) | 1996-01-18 |
| EP0581181A1 (de) | 1994-02-02 |
| DE4225053A1 (de) | 1994-02-03 |
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