JPH0647746B2 - フタルアルデヒドアセタールの製法 - Google Patents

フタルアルデヒドアセタールの製法

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JPH0647746B2
JPH0647746B2 JP60128382A JP12838285A JPH0647746B2 JP H0647746 B2 JPH0647746 B2 JP H0647746B2 JP 60128382 A JP60128382 A JP 60128382A JP 12838285 A JP12838285 A JP 12838285A JP H0647746 B2 JPH0647746 B2 JP H0647746B2
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デイーター・デーグナー
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バスフ・アクチエンゲゼルシヤフト
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    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
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    • C25B3/00Electrolytic production of organic compounds
    • C25B3/20Processes
    • C25B3/23Oxidation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、フタルアルデヒドアセタールの新規な電気化
学的製法に関する。
フタルアルデヒドアセタールは、例えばフタルアルデヒ
ドをo−エステルと反応させることにより製造できる
(J.Chem.Soc.Perkin II 1975年1656頁)。出
発物質として必要なフタルアルデヒドは、例えばビス−
(クロルメチル)−ベンゾール及びヘキサメチレンテト
ラミンからソメレツト法により製造される。これは例え
ばジヤーナル・オブ・ケミカル・ソサエティ1950年
2141〜2145頁に記載の方法により、普通の収率
及び低い環境親和性において得られる。西ドイツ特許公
開3108790号明細書によれば、α,α,α′,
α′−テトラハロゲノキシロールをアルカリアルコラー
トと反応させることによる、フタルアルデヒドアセター
ルの製法が知られている。この合成法の欠点はテトラハ
ロゲノキシロールの入手が困難なことであつて、これは
キシロールのハロゲン化に際して、低い選択率において
種々のハロゲン化度のキシロール類の混合物として生成
する。
本発明者は、一般式 で表わされるアルコキシメチルベンゾールを、式ROH
(これらの式中、Rは後記の意味を有する)のアルカノ
ールの存在したに、電気化学的に酸化することにより、
一般式 (式中のRは1〜4個の炭素原子を有するアルキル基を
意味する)で表わされるフタルアルデヒドアセタールを
特に有利に製造しうることを見出した。本発明の方法に
よれば、意外にもジアルデヒドの酸化が高い選択率で達
せられる。
式IIのアルコキシメチルベンゾールとしては、例えば次
のものがあげられる。1,2−、1,3−又は1,4−
ビス−(メトキシメチル)−ベンゾール、1,2−、
1,3−又は1,4−ビス−(エトキシメチル)−ベン
ゾール、1,2−、1,3−又は1,4−ビス−(プロ
ポキシメチル)−ベンゾール、1,2−、1,3−又は
1,4−ビス−(イソプロポキシメチル)−ベンゾール
及び1,2−、1,3−又は1,4−ビス−(t−ブト
キシメチル)−ベンゾール。式ROHのアルコールの例
は、メタノール、エタノール、プロパノーロ及びブタノ
ールである。
本発明による電気化学的酸化は、工業的に普通の電解槽
を用いて行われる。分割されない流通電槽は特に好適で
ある。電解質としては好ましくはアルカノール中の式II
のビス−(アルコキシメチル)−ベンゾールの溶液が用
いられ、これは導電性を改善するため、補助電解質を含
有しうる。補助電解質としては、例えば塩基、例えばア
ルカリアルコラート、中性塩例えば弗化物、四弗化硼素
酸塩、スルホン酸塩及び硫酸塩又は酸例えばアルキルス
ルホン酸、アルカンスルホン酸及び硫酸が適する。好ま
しくは中性補助電解質例えばKF又はKSO3C6H5、あるいは
酸性補助電解質例えばH2SO4、CH3SO3H又はC6H5SO3Hを使
用する。電解質は例えば次の組成を有する。
2〜30重量%ビス−(アルコキシメチル) −ベンゾール 65〜98重量%アルカノール 0.1〜5重量%補助電解質 本発明の電解において陽極としては、例えば貴金属、金
属酸化物例えばRuO2及びPbO2又はグラフアイトが用いら
れる。特に好ましい陽極材料はグラフアイトである。陰
極材料としては、例えば鋼、鉄、ニツケル、鉛又はグラ
フアイトが用いられる。電流密度は0.1〜20A/dm
2、好ましくは2〜8A/dm2である。温度は電解が常圧
で行われる限り、使用するアルカノールの沸点より少な
くとも5℃低い温度が好ましい。例えば−5〜+55℃
特に10〜50℃で、4〜12F/Molのビス−(アル
コキシメチル)−ベンゾールを用いて電解を行う。好ま
しくは7〜10F/Molのビス−(アルコキシメチル)
−ベンゾールを用いて、ビス−(アルコキシメチル)−
ベンゾールがほとんど反応するように電解を行う。電解
は非連続的にも連続的にも行われる。
電解排出物の仕上げ処理は、好ましくは蒸留により行わ
れる。未反応アルカノールは、精製しないで電解に返送
できる。電極の不活性化又は腐食は、電解質を多数回再
使用したのちにも観察されない。
本発明の方法により得られるフタルアルデヒドアセター
ルは、例えば染料及び光学的澄明剤の製造のための中間
体であり、特殊な重合体の合成にも用いられる。
実施例1 テレフタルジアルデヒド−テトラメチルアセタールの電
解合成: 装置:9個のグラフアイト電極を有する分割されない流
通電槽 陽極:グラフアイト 電解質:1,4−ビス−(メトキシメチル)−ベンゾー
ル263g 硫酸13.2g メタノール2370g 陰極:グラフアイト 電解:1,4−ビス−(メトキシメチル)−ベンゾール
8.3F/Molによる 電流密度:3.3A/dm2 温度:22〜25℃ 前記条件下での電解において、電解液を熱交換器を経て
200/時の流速で電槽にポンプ導通する。電解の終
了後に、電解排出液をナトリウムメチラートで中和す
る。次いでメタノールを常圧及び65〜75℃で留去
し、沈殿した塩を60〜70℃で加圧ヌツチエにより分
離する。濾液を100〜120℃及び3mバールで精留
する。その際1,4−ビス−(メトキシメチル)−ベン
ゾール3.5g及びテレフタルジアルデヒド−テトラメ
チルアセタール222.2gが得られる。これから1,
4−ビス−(メトキシメチル)−ベンゾールの98.7
%の変化率、テレフタルジアルデヒド−テトラメチルア
セタールの62.1%の収率及び62.9%の選択率が
算出される。回収された1,4−ビス−(メトキシメチ
ル)−ベンゾールは再度電解に使用できる。
実施例2 テレフタルジアルデヒド−テトラメチルアセタールの電
解合成: 装置:9個のグラフアイト電極を有する分割されない流
通電槽 陽極:グラフアイト 電解質:1,4−ビス−(メトキシメチル)−ベンゾー
ル145g ベンゾールスルホン酸カリウム20g メタノール2370g 陰極:グラフアイト 電解:1,4−ビス−(メトキシメチル)−ベンゾール
8.5F/Molによる 電流密度:3.3A/dm 温度:23〜25℃ 前記条件下での電解において、電解液を熱交換器を経て
200/時の流速で電槽にポンプ導通する。電解排出
液を実施例1と同様にして、ただしナトリウムメチラー
トを添加しないで仕上げ処理すると、1,4−ビス−
(メトキシメチル)−ベンゾール0.4g及びテレフタ
ルジアルデヒド−テトラメチルアセタール158.2g
が得られる。これから1,4−ビス−(メトキシメチ
ル)−ベンゾールの99.7%の変化率、テレフタルジ
アルデヒド−テトラメチルアセタールの80.1%の収
率及び80.4%の選択率が算出される。回収されたメ
タノール及びベンゾールスルホン酸カリウムは、電解に
再使用できる。
実施例3 o−フタルジアルデヒド−テトラメチルアセタールの電
解合成: 装置:9個のグラフアイト電極を有する分割されない流
通電槽 陽極:グラフアイト 電解質:1,2−ビス−(メトキシメチル)−ベンゾー
ル263g ベンゾールスルホン酸カリウム20g メタノール2370g 陰極:グラフアイト 電解:1,2−ビス−(メトキシメチル)−ベンゾール
8.5F/Molによる 電流密度:3.3A/dm 温度:28〜30℃ 前記条件下での電解において、電解液を熱交換器を経て
200/時の流速で電槽にポンプ導通する。電解の終
了後、電解排出液からメタノールを常圧及び65〜80
℃で留去する。得られるベンゾールスルホン酸カリウム
を加圧ヌツチエにより分離し、液を100〜120℃
及び5mバールで分留する。その際1,2−ビス−(メ
トキシメチル)−ベンゾール3.8g及びo−フタルジ
アルデヒド−テトラメチルアセタール230.3gが得
られる。これから1,2−ビス−(メトキシメチル)−
ベンゾールの98.6%の変化率、o−フタルジアルデ
ヒド−テトラメチルアセタールの64.3%の収率及び
65.3%の選択率が算出される。回収されたベンゾー
ルスルホン酸カリウム及びメタノールは、電解に再使用
できる。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 (式中のRは1〜4個の炭素原子を有するアルキル基を
    意味する)で表わされるフタルアルデヒドアセタールを
    製造する場合に、一般式 で表わされるアルコキシメチルベンゾールを、式ROH
    (これらの式中、Rは前記の意味を有する)のアルカノ
    ールの存在下に、0.1〜20A/dm2の電流密度及
    びアルカノールの沸騰温度より5℃低い温度以下で電解
    することを特徴とする、フタルアルデヒドアセタールの
    製法。
  2. 【請求項2】電解を分割されない流通槽中で行うことを
    特徴とする、特許請求の範囲第1項記載の方法。
  3. 【請求項3】ビス−(アルコキシメチル)−ベンゾール
    2〜30重量%、アルカノール65〜98重量%及び補
    助電解質0.1〜5重量%の組成を有する電解質溶液を
    使用することを特徴とする、特許請求の範囲第1項記載
    の方法。
  4. 【請求項4】補助電解質としてKF、KSO3C6H5、H2S
    O、CH3SO3H 又はC6H5SO3Hを使用することを特徴とす
    る、特許請求の範囲第3項記載の方法。
JP60128382A 1984-06-14 1985-06-14 フタルアルデヒドアセタールの製法 Expired - Lifetime JPH0647746B2 (ja)

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JPS6112886A JPS6112886A (ja) 1986-01-21
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DE3560532D1 (en) 1987-10-08
EP0164705A3 (en) 1986-04-23
EP0164705A2 (de) 1985-12-18
JPS6112886A (ja) 1986-01-21
EP0164705B1 (de) 1987-09-02
DE3421976A1 (de) 1985-12-19

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