JPH06177380A - 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
電界効果型トランジスタおよびその製造方法Info
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- JPH06177380A JPH06177380A JP4203670A JP20367092A JPH06177380A JP H06177380 A JPH06177380 A JP H06177380A JP 4203670 A JP4203670 A JP 4203670A JP 20367092 A JP20367092 A JP 20367092A JP H06177380 A JPH06177380 A JP H06177380A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機半導体を半導体層とする電界効果トラン
ジスタのキャリヤ移動度を向上させる。 【構成】 ガラス基板１上にゲート電極２を形成し、そ
の上に絶縁膜３として酸化シリコン膜を形成する。限外
ろ過等で分子量制御を行い、数平均分子量を６００００
としたポリ（３−オクキルチオフェン）のクロロフォル
ム溶液をスピンコートし半導体層６を形成する。その上
にソース・ドレイン４、５となる金電極を形成する。キ
ャリア移動度は２．２×１０- 5 ｃｍ- 2 ／Ｖ・ｓｅｃ
であった。
ジスタのキャリヤ移動度を向上させる。 【構成】 ガラス基板１上にゲート電極２を形成し、そ
の上に絶縁膜３として酸化シリコン膜を形成する。限外
ろ過等で分子量制御を行い、数平均分子量を６００００
としたポリ（３−オクキルチオフェン）のクロロフォル
ム溶液をスピンコートし半導体層６を形成する。その上
にソース・ドレイン４、５となる金電極を形成する。キ
ャリア移動度は２．２×１０- 5 ｃｍ- 2 ／Ｖ・ｓｅｃ
であった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は有機高分子半導体を半導
体層とする電界効果型トランジスタに関し、特に分子量
を制御した有機高分子半導体を用いた、高いキャリヤ移
動度を有する高性能電界効果型トランジスタに関するも
のである。
体層とする電界効果型トランジスタに関し、特に分子量
を制御した有機高分子半導体を用いた、高いキャリヤ移
動度を有する高性能電界効果型トランジスタに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】電界効果型トランジスタは、シリコンや
ゲルマニウム等の無機半導体を用いていたため、製造装
置の制約から大面積化は困難であった。
ゲルマニウム等の無機半導体を用いていたため、製造装
置の制約から大面積化は困難であった。
【０００３】このため、可とう性、成形性に優れた有機
高分子半導体を半導体層として用いた電界効果型トラン
ジスタが提案されている。特開昭６４−３６０７６号公
報にはポリ（アセチレン）、ポリ（チェニレンビニレ
ン）、ポリ（フラニレンビニレン）およびそれらの置換
誘導体から選択される電界効果型トランジスタが、ま
た、特開平１−２５９５６３号公報には半導体層が第１
のπ共役系高分子からなり、ソース電極が第２のπ共役
系高分子から、ドレイン電極が第３のπ共役系高分子か
ら、ゲート電極が第４のπ共役系高分子からなる電界効
果型トランジスタが開示されている。
高分子半導体を半導体層として用いた電界効果型トラン
ジスタが提案されている。特開昭６４−３６０７６号公
報にはポリ（アセチレン）、ポリ（チェニレンビニレ
ン）、ポリ（フラニレンビニレン）およびそれらの置換
誘導体から選択される電界効果型トランジスタが、ま
た、特開平１−２５９５６３号公報には半導体層が第１
のπ共役系高分子からなり、ソース電極が第２のπ共役
系高分子から、ドレイン電極が第３のπ共役系高分子か
ら、ゲート電極が第４のπ共役系高分子からなる電界効
果型トランジスタが開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この有機高分子半導体
を用いた電界効果型トランジスタは移動度が小さいとい
う問題点がある。
を用いた電界効果型トランジスタは移動度が小さいとい
う問題点がある。
【０００５】本発明の目的は、この従来の欠点を解決し
て高い移動度を有する電界効果型トランジスタを開発す
ることを目的とする。
て高い移動度を有する電界効果型トランジスタを開発す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】我々は、高分子量の有機
高分子半導体を半導体層に用いることにより高移動度を
有する電界効果型トランジスタを作成できることを見い
だした。すなわち本発明は、ソース電極とドレイン電極
との間に凹凸部を形成し、かつ、この凹部の底面にゲー
ト電極を配設してなり、半導体層が有機高分子半導体か
らなる電界効果型トランジスタにおいて、有機高分子半
導体の数平均分子量が５０，０００以上に制御したもの
であることを特徴とする電界効果型トランジスタ及びそ
の製造方法である。
高分子半導体を半導体層に用いることにより高移動度を
有する電界効果型トランジスタを作成できることを見い
だした。すなわち本発明は、ソース電極とドレイン電極
との間に凹凸部を形成し、かつ、この凹部の底面にゲー
ト電極を配設してなり、半導体層が有機高分子半導体か
らなる電界効果型トランジスタにおいて、有機高分子半
導体の数平均分子量が５０，０００以上に制御したもの
であることを特徴とする電界効果型トランジスタ及びそ
の製造方法である。
【０００７】本発明の電界効果型トランジスタはソース
電極とドレイン電極間に凹部を形成し、この凹部の底面
にゲート電極を配設し、この表面に有機高分子半導体層
を形成した構造を有している。本発明では、各電極の種
類、形状等は特に限定されない。本発明の電界効果型ト
ランジスタの半導体層に用いられる高分子有機半導体の
種類は特に限定されないが、分子量制御の容易さから溶
媒に可溶な物が好ましく、中でも、次式（１）
電極とドレイン電極間に凹部を形成し、この凹部の底面
にゲート電極を配設し、この表面に有機高分子半導体層
を形成した構造を有している。本発明では、各電極の種
類、形状等は特に限定されない。本発明の電界効果型ト
ランジスタの半導体層に用いられる高分子有機半導体の
種類は特に限定されないが、分子量制御の容易さから溶
媒に可溶な物が好ましく、中でも、次式（１）
【０００８】
【０００９】［式（１）中、Ｒ1 及びＲ2 は水素、アル
キル基、アルコキシル基またはアリール基（Ｒ1 、Ｒ2
が環状構造をなしてもよい）、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、ま
たはＮＲ3 （Ｒ3 は水素、アルキル基、アリール基また
はアルキルアリール基）を示す］で表わされるモノマー
の繰り返し単位を少なくとも１種類以上含む重合体が特
に好ましい。
キル基、アルコキシル基またはアリール基（Ｒ1 、Ｒ2
が環状構造をなしてもよい）、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、ま
たはＮＲ3 （Ｒ3 は水素、アルキル基、アリール基また
はアルキルアリール基）を示す］で表わされるモノマー
の繰り返し単位を少なくとも１種類以上含む重合体が特
に好ましい。
【００１０】本発明に用いられる高分子有機半導体の合
成法は特に限定されず、従来の既知の、化学酸化重合、
電気化学重合法等で合成される。本発明では、このよう
に得られた高分子有機半導体をそのまま、あるいは必要
に応じて分子量を合わせた上で電界効果型トランジスタ
の半導体層として使用する。
成法は特に限定されず、従来の既知の、化学酸化重合、
電気化学重合法等で合成される。本発明では、このよう
に得られた高分子有機半導体をそのまま、あるいは必要
に応じて分子量を合わせた上で電界効果型トランジスタ
の半導体層として使用する。
【００１１】本発明の高分子量有機高分子半導体の分子
量制御の方法としては限外ろ過、再沈等が挙げられる
が、この限りではない。
量制御の方法としては限外ろ過、再沈等が挙げられる
が、この限りではない。
【００１２】また、本発明の数平均分子量５０，０００
以上に制御した高分子有機半導体はゲルパーミエイショ
ンクロマトグラフィ（以下ＧＰＣ）で測定した数平均分
子量がポリスチレン換算で５０，０００以上であること
を意味しており、５％までの微量の数平均分子量５０，
０００以下の成分を含んでも実質的な効果は変わらな
い。
以上に制御した高分子有機半導体はゲルパーミエイショ
ンクロマトグラフィ（以下ＧＰＣ）で測定した数平均分
子量がポリスチレン換算で５０，０００以上であること
を意味しており、５％までの微量の数平均分子量５０，
０００以下の成分を含んでも実質的な効果は変わらな
い。
【００１３】本発明では高分子有機半導体の数平均分子
量を５０，０００以上に制御したため、電界効果型トラ
ンジスタの半導体層に用いると高移動度の電界効果型ト
ランジスタとなる。本発明者らは種々の有機高分子半導
体について、その分子量とキャリヤ移動度との関係を検
討した。その結果、有機高分子半導体の移動度は数平均
分子量４０，０００付近から急激に上昇し、数平均分子
量５０，０００で飽和することを見いだし、本発明を完
成した。移動度が数平均分子量５０，０００まで増加し
飽和する理由は明かではないが、電荷の極在半径と分子
量の関係を反映したものである可能性がある。すなわ
ち、分子量の異なる有機高分子半導体の導電率の温度依
存性から計算した極在化した電荷の波動関数の大きさは
分子量５０，０００まで分子量とともに増加し４００〜
５００オングストロームとなって飽和することから、こ
れ以上の分子量では極在化した波動関数の大きさは分子
量によらず一定となり、移動度も飽和すると考えられ
る。
量を５０，０００以上に制御したため、電界効果型トラ
ンジスタの半導体層に用いると高移動度の電界効果型ト
ランジスタとなる。本発明者らは種々の有機高分子半導
体について、その分子量とキャリヤ移動度との関係を検
討した。その結果、有機高分子半導体の移動度は数平均
分子量４０，０００付近から急激に上昇し、数平均分子
量５０，０００で飽和することを見いだし、本発明を完
成した。移動度が数平均分子量５０，０００まで増加し
飽和する理由は明かではないが、電荷の極在半径と分子
量の関係を反映したものである可能性がある。すなわ
ち、分子量の異なる有機高分子半導体の導電率の温度依
存性から計算した極在化した電荷の波動関数の大きさは
分子量５０，０００まで分子量とともに増加し４００〜
５００オングストロームとなって飽和することから、こ
れ以上の分子量では極在化した波動関数の大きさは分子
量によらず一定となり、移動度も飽和すると考えられ
る。
【００１４】本発明の半導体層形成方法としては特に限
定されないが、ソース、ドレイン電極を形成した基板表
面上に数平均分子量５０，０００以上の高分子有機半導
体の溶液を用い、スピンコート法によって半導体層を形
成させる方法が好ましい。この場合、高分子有機半導体
の濃度は特に限定されない。また、本発明では半導体層
形成後に、必要に応じてドライエッチング等の従来公知
の方法でパターン形成することもできる。
定されないが、ソース、ドレイン電極を形成した基板表
面上に数平均分子量５０，０００以上の高分子有機半導
体の溶液を用い、スピンコート法によって半導体層を形
成させる方法が好ましい。この場合、高分子有機半導体
の濃度は特に限定されない。また、本発明では半導体層
形成後に、必要に応じてドライエッチング等の従来公知
の方法でパターン形成することもできる。
【００１５】本発明の製造方法において可溶性有機高分
子半導体溶液の溶媒は特に限定されないが、高分子有機
半導体の種類に応じてそれらを溶解あるいは分散できる
ものが適宜用いられ、例えば、クロロホルム、ジクロロ
メタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテ
ル系溶媒、ヘキサン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素
系溶媒等が挙げられる。
子半導体溶液の溶媒は特に限定されないが、高分子有機
半導体の種類に応じてそれらを溶解あるいは分散できる
ものが適宜用いられ、例えば、クロロホルム、ジクロロ
メタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテ
ル系溶媒、ヘキサン、ベンゼン、トルエン等の炭化水素
系溶媒等が挙げられる。
【００１６】
【実施例】以下、実施例に従って説明するが、本発明
は、その要旨を超えない限り、以下の実施例に限定され
るものではない。
は、その要旨を超えない限り、以下の実施例に限定され
るものではない。
【００１７】実施例１ ガラス基板（厚さ１．０ｍｍ，２５×４０ｍｍ）上に金
属電極を真空蒸着法によって形成し、ゲート電極とし
た。ゲート電極上に絶縁膜として酸化シリコン膜を形成
し、その上にソース、ドレイン電極（金電極、３０ｍ
ｍ）を形成した。数平均分子量（以下Ｍｎ）６０，００
０のポリ（３−オクキルチオフェン）［Ｐ３０Ｔ−１］
のクロロホルム溶液を用いてスピンコート法により半導
体層を形成した。この電界効果型トランジスタの概略断
面を図１に示す。またキャリア移動度は２．２×１０
- 5 ｃｍ2 ／Ｖ・ｓｅｃであった。
属電極を真空蒸着法によって形成し、ゲート電極とし
た。ゲート電極上に絶縁膜として酸化シリコン膜を形成
し、その上にソース、ドレイン電極（金電極、３０ｍ
ｍ）を形成した。数平均分子量（以下Ｍｎ）６０，００
０のポリ（３−オクキルチオフェン）［Ｐ３０Ｔ−１］
のクロロホルム溶液を用いてスピンコート法により半導
体層を形成した。この電界効果型トランジスタの概略断
面を図１に示す。またキャリア移動度は２．２×１０
- 5 ｃｍ2 ／Ｖ・ｓｅｃであった。
【００１８】実施例２ 実施例１のＰ３０Ｔ−１に代えて分子量９０，０００の
Ｐ３０Ｔ−２を使用する以外は実施例１の方法と同様の
操作を行い、電界効果型トランジスタを作製した。キャ
リヤ移動度は８．５×１０- 5 ｃｍ2 ／Ｖ・ｓｅｃとな
った。
Ｐ３０Ｔ−２を使用する以外は実施例１の方法と同様の
操作を行い、電界効果型トランジスタを作製した。キャ
リヤ移動度は８．５×１０- 5 ｃｍ2 ／Ｖ・ｓｅｃとな
った。
【００１９】比較例１ 実施例１のＰ３０Ｔ−１に代えて分子量３０，０００の
Ｐ３０Ｔ−３を使用する以外は実施例１の方法と同様の
操作を行い、電界効果型トランジスタを作製した。キャ
リヤ移動度は２．０×１０- 6 ｃｍ2 Ｖ・ｓｅｃとなっ
た。
Ｐ３０Ｔ−３を使用する以外は実施例１の方法と同様の
操作を行い、電界効果型トランジスタを作製した。キャ
リヤ移動度は２．０×１０- 6 ｃｍ2 Ｖ・ｓｅｃとなっ
た。
【００２０】実施例及び比較例の結果から、数平均分子
量５０，０００以上で高キャリヤ移動度が得られた。
量５０，０００以上で高キャリヤ移動度が得られた。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば数平均分子量５０，００
０以上に制御した高分子有機半導体を電界効果型トラン
ジスタの半導体層とすることにより、高キャリヤ移動度
を有する電界効果型トランジスタの製造が可能となる。
０以上に制御した高分子有機半導体を電界効果型トラン
ジスタの半導体層とすることにより、高キャリヤ移動度
を有する電界効果型トランジスタの製造が可能となる。
【図１】本発明における電界効果型トランジスタの概略
断面図である。
断面図である。
１ ガラス基板 ２ ゲート電極 ３ 絶縁膜 ４ ソース電極 ５ ドレイン電極 ６ 高分子有機半導体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 正春 東京都港区芝五丁目７番１号日本電気株式 会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体層が有機高分子半導体からなる電
界効果型トランジスタにおいて、有機高分子半導体の数
平均分子量が５０，０００以上に制御したものであるこ
とを特徴とする電界効果型トランジスタ。 - 【請求項２】 前記有機高分子半導体が下記式（１） ［式（１）中、Ｒ1 及びＲ2 は水素、アルキル基、アル
コキシル基またはアリール基（Ｒ1 、Ｒ2 が環状構造を
なしてもよい）、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、またはＮＲ3 ）
Ｒ3 は水素、アルキル基、アリール基またはアルキルア
リール基）を示す］で表わされるモノマーの繰り返し単
位を少なくとも１種類以上含む重合体であることを特徴
とする請求項１記載の電界効果型トランジスタ。 - 【請求項３】 数平均分子量５０，０００以上の可溶性
有機高分子半導体溶液を塗布し半導体層を形成させるこ
とを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。 - 【請求項４】 前記可溶性有機高分子半導体が式（１） ［式（１）中、Ｒ1 及びＲ2 は水素、アルキル基、アル
コキシル基またはアリール基（Ｒ1 、Ｒ2 が環状構造を
なしてもよい）、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、またはＮＲ
3 （Ｒ3 は水素、アルキル基、アリール基またはアルキ
ルアリール基）を示す］で表わされるモノマーの繰り返
し単位を少なくとも１種類以上含む重合体であることを
特徴とする請求項３記載の電界効果型トランジスタの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4203670A JPH0821718B2 (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4203670A JPH0821718B2 (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177380A true JPH06177380A (ja) | 1994-06-24 |
| JPH0821718B2 JPH0821718B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=16477913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4203670A Expired - Fee Related JPH0821718B2 (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821718B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004086487A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP2006228935A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜トランジスタ |
| KR100669762B1 (ko) * | 2004-11-15 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 |
| WO2009038120A1 (ja) | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | 電界効果トランジスタ |
| JP2010028123A (ja) * | 2000-11-28 | 2010-02-04 | Merck Patent Gmbh | 電界効果トランジスタならびにそれらを製造するための材料および方法 |
| WO2010098372A1 (ja) | 2009-02-27 | 2010-09-02 | 国立大学法人広島大学 | 電界効果トランジスタ |
| JP2011528383A (ja) * | 2008-07-02 | 2011-11-17 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 交互ドナーアクセプターコポリマー系の高性能で溶液加工可能な半導体ポリマー |
| JP2012028818A (ja) * | 1999-08-31 | 2012-02-09 | E Ink Corp | パターニングされた半導体膜を形成する方法 |
| WO2012115236A1 (ja) | 2011-02-25 | 2012-08-30 | 国立大学法人広島大学 | 新規複素環式化合物及びその中間体の製造方法並びにその用途 |
| WO2012117730A1 (ja) * | 2011-03-03 | 2012-09-07 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | 重合体および光電変換素子 |
| US9073938B2 (en) | 2007-05-24 | 2015-07-07 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Method for producing aromatic compound |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6376378A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果型トランジスタ |
| JPH0243216A (ja) * | 1988-08-03 | 1990-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 芳香族導電性高分子化合物および芳香族導電性高分子組成物 |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP4203670A patent/JPH0821718B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6376378A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果型トランジスタ |
| JPH0243216A (ja) * | 1988-08-03 | 1990-02-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 芳香族導電性高分子化合物および芳香族導電性高分子組成物 |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012028818A (ja) * | 1999-08-31 | 2012-02-09 | E Ink Corp | パターニングされた半導体膜を形成する方法 |
| JP2010028123A (ja) * | 2000-11-28 | 2010-02-04 | Merck Patent Gmbh | 電界効果トランジスタならびにそれらを製造するための材料および方法 |
| JPWO2004086487A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2006-06-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
| US7554117B2 (en) | 2003-03-26 | 2009-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7955910B2 (en) | 2003-03-26 | 2011-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| WO2004086487A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP4869601B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2012-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
| KR100669762B1 (ko) * | 2004-11-15 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치 |
| JP2006228935A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜トランジスタ |
| US9073938B2 (en) | 2007-05-24 | 2015-07-07 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | Method for producing aromatic compound |
| WO2009038120A1 (ja) | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | 電界効果トランジスタ |
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