JPH061773B2 - ダイレクトコンタクト形成方法 - Google Patents
ダイレクトコンタクト形成方法Info
- Publication number
- JPH061773B2 JPH061773B2 JP62324480A JP32448087A JPH061773B2 JP H061773 B2 JPH061773 B2 JP H061773B2 JP 62324480 A JP62324480 A JP 62324480A JP 32448087 A JP32448087 A JP 32448087A JP H061773 B2 JPH061773 B2 JP H061773B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- interlayer insulating
- direct contact
- silicon substrate
- polysilicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は大規模集積回路(LSI)において、例えばポリシ
リコン（あるいはポリサイド，シリサイド）と基板との
ダイレクトコンタクト形成に使用されるダイレクトコン
タクト形成方法に関する。
リコン（あるいはポリサイド，シリサイド）と基板との
ダイレクトコンタクト形成に使用されるダイレクトコン
タクト形成方法に関する。
（従来の技術） 第２図は従来のダイレクトコンタクト形成方法を示す。
即ち、第２図(a)に示すように、ｐ型のシリコン基板１
の上面部にはフィールド酸化膜２で分離されてゲート４
等よりなる半導体素子が形成され、このシリコン基板１
の上面には例えばCVD SiO2,BPSG等の層間絶縁膜３が形
成される。５は不純物が拡散されたn+部分のノードＮで
ある。
即ち、第２図(a)に示すように、ｐ型のシリコン基板１
の上面部にはフィールド酸化膜２で分離されてゲート４
等よりなる半導体素子が形成され、このシリコン基板１
の上面には例えばCVD SiO2,BPSG等の層間絶縁膜３が形
成される。５は不純物が拡散されたn+部分のノードＮで
ある。
次に、第２図(b)に示すように、ダイレクトコンタクト
ホールを開孔すべき前記層間絶縁膜３部分をエッチング
してダイレクトコンタクトホール８を形成する。この場
合、フィールド酸化膜２は層間絶縁膜３とのエッチング
選択比がないため、フィールド酸化膜２もエッチングさ
れる。
ホールを開孔すべき前記層間絶縁膜３部分をエッチング
してダイレクトコンタクトホール８を形成する。この場
合、フィールド酸化膜２は層間絶縁膜３とのエッチング
選択比がないため、フィールド酸化膜２もエッチングさ
れる。
その後、第２図(c)に示すように、不純物をドープした
ポリシリコン６を堆積し、ポリシリコン６からの不純物
拡散によってシリコン基板１とポリシリコン６とのオー
ミックなコンタクトを形成する。この場合、ポリシリコ
ン６から拡散された不純物によるn+層７がフィールド酸
化膜２の下まで広がる。
ポリシリコン６を堆積し、ポリシリコン６からの不純物
拡散によってシリコン基板１とポリシリコン６とのオー
ミックなコンタクトを形成する。この場合、ポリシリコ
ン６から拡散された不純物によるn+層７がフィールド酸
化膜２の下まで広がる。
（発明が解決しようとする問題点） LSIの高集積化にともない、素子は限り無く微細化され
てゆくが、その際に素子間の分離が重要な課題となる。
ダイレクトコンタクトホール８形成の場合には素子の微
細化にともなってダイレクトコンタクトホール８とフィ
ールドエッジとの余裕（第２図(b)のｘなる量）がとれ
なくなる。その結果、ダイレクトコンタクトホール８形
成時に、フィールド酸化膜２の一部をけずりとり、ポリ
シリコン６から拡散された不純物によるn+層７がフィー
ルド酸化膜２の下まで広がってしまう。そのため、ダイ
レクトコンタクト部の隣にあるノードＮ５との実行的な
距離がｘだけ狭くなってしまい、電気的な分離に支障を
きたすことになる。
てゆくが、その際に素子間の分離が重要な課題となる。
ダイレクトコンタクトホール８形成の場合には素子の微
細化にともなってダイレクトコンタクトホール８とフィ
ールドエッジとの余裕（第２図(b)のｘなる量）がとれ
なくなる。その結果、ダイレクトコンタクトホール８形
成時に、フィールド酸化膜２の一部をけずりとり、ポリ
シリコン６から拡散された不純物によるn+層７がフィー
ルド酸化膜２の下まで広がってしまう。そのため、ダイ
レクトコンタクト部の隣にあるノードＮ５との実行的な
距離がｘだけ狭くなってしまい、電気的な分離に支障を
きたすことになる。
尚、ダイレクトコンタクトホールとフィールドエッジの
余裕をとれば分離は問題ないが、微細化ができなくなっ
てしまう。
余裕をとれば分離は問題ないが、微細化ができなくなっ
てしまう。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、ダイレクト
コンタクト部の拡散部分をフィールドにセルファライン
に形成することにより、微細化に適したダイレクトコン
タクト形成方法を提供することを目的とする。
コンタクト部の拡散部分をフィールドにセルファライン
に形成することにより、微細化に適したダイレクトコン
タクト形成方法を提供することを目的とする。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段と作用） 本発明は上記目的を達成するために、上面部にフィール
ド絶縁膜で分離されて半導体素子が形成されたシリコン
基板上に、フィールド絶縁膜及びシリコン基板とエッチ
ング選択比がとれる下地層間絶縁膜を形成し、この下地
層間絶縁膜上に、フィールド絶縁膜と実質的に同種類の
絶縁物でなる層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜と下地層
間絶縁膜との選択比が取れるエッチャントを用いて、ダ
イレクトコンタクトホールを開孔すべき層間絶縁膜部分
をエッチング除去し、層間絶縁膜に、下地層間絶縁膜が
露呈する第１の開孔部を形成し、下地層間絶縁膜とフィ
ールド絶縁膜及びシリコン基板との選択比がとれるエッ
チャントを用いて、第１の開孔部より下地層間絶縁膜を
エッチング除去し、フィールド絶縁膜及びシリコン基板
が露呈する第２の開孔部を形成する。この後、ポリシリ
コンを堆積し、このポリシリコンからの不純物拡散によ
って、第２の開孔部内に露呈したシリコン基板中に、ポ
リシリコンとオーミックコンタクトを成す領域を形成す
ることを特徴としている。
ド絶縁膜で分離されて半導体素子が形成されたシリコン
基板上に、フィールド絶縁膜及びシリコン基板とエッチ
ング選択比がとれる下地層間絶縁膜を形成し、この下地
層間絶縁膜上に、フィールド絶縁膜と実質的に同種類の
絶縁物でなる層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜と下地層
間絶縁膜との選択比が取れるエッチャントを用いて、ダ
イレクトコンタクトホールを開孔すべき層間絶縁膜部分
をエッチング除去し、層間絶縁膜に、下地層間絶縁膜が
露呈する第１の開孔部を形成し、下地層間絶縁膜とフィ
ールド絶縁膜及びシリコン基板との選択比がとれるエッ
チャントを用いて、第１の開孔部より下地層間絶縁膜を
エッチング除去し、フィールド絶縁膜及びシリコン基板
が露呈する第２の開孔部を形成する。この後、ポリシリ
コンを堆積し、このポリシリコンからの不純物拡散によ
って、第２の開孔部内に露呈したシリコン基板中に、ポ
リシリコンとオーミックコンタクトを成す領域を形成す
ることを特徴としている。
上記構成を有する半導体装置の製造方法であると、下地
層間絶縁膜に、フィールド絶縁膜及びシリコン基板とエ
ッチング選択比を取れるものを用いることで、ダイレク
トコンタクト形成時のフィールドの後退（フィールド絶
縁膜のエッチング）を抑えることができ、ポリシリコン
とオーミックコンタクトを成し、シリコン基板中に形成
される領域を、フィールド絶縁膜とセルファラインに形
成することができる。
層間絶縁膜に、フィールド絶縁膜及びシリコン基板とエ
ッチング選択比を取れるものを用いることで、ダイレク
トコンタクト形成時のフィールドの後退（フィールド絶
縁膜のエッチング）を抑えることができ、ポリシリコン
とオーミックコンタクトを成し、シリコン基板中に形成
される領域を、フィールド絶縁膜とセルファラインに形
成することができる。
（実施例） 以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す。すなわち、第１図
(a)に示すように、ｐ型のシリコン基板１の上面部には
フィールド酸化膜２で分離されてゲート４等よりなる半
導体素子が形成され、このシリコン基板１の上面には例
えばSiN等の下地層間絶縁膜１０が形成され、この下地
層間絶縁膜１０上には例えばCVDSiO2,BPSG等の層間絶縁
膜３が形成される。５は不純物が拡散されたn+部分のノ
ードＮである。
(a)に示すように、ｐ型のシリコン基板１の上面部には
フィールド酸化膜２で分離されてゲート４等よりなる半
導体素子が形成され、このシリコン基板１の上面には例
えばSiN等の下地層間絶縁膜１０が形成され、この下地
層間絶縁膜１０上には例えばCVDSiO2,BPSG等の層間絶縁
膜３が形成される。５は不純物が拡散されたn+部分のノ
ードＮである。
次に、第１図(b)に示すように、前記下地層間絶縁膜１
０との選択比が取れるエッチャントを用いて、ダイレク
トコンタクトホールを開孔すべき前記層間絶縁膜３部分
をエッチングしてダイレクトコンタクトホール１１を形
成する。この場合、下地層間絶縁膜１０は層間絶縁膜３
とのエッチング選択比があるため、下地層間絶縁膜１０
はエッチングされずに残る。
０との選択比が取れるエッチャントを用いて、ダイレク
トコンタクトホールを開孔すべき前記層間絶縁膜３部分
をエッチングしてダイレクトコンタクトホール１１を形
成する。この場合、下地層間絶縁膜１０は層間絶縁膜３
とのエッチング選択比があるため、下地層間絶縁膜１０
はエッチングされずに残る。
その後、第１図(c)に示すように、前記フィールド酸化
膜２及びシリコン基板１との選択比がとれるエッチャン
トを用いて前記ダイレクトコンタクトホール１１を開孔
すべき前記下地層間絶縁膜１０部分をエッチングする。
この場合、フィールド酸化膜２及びシリコン基板１は下
地層間絶縁膜１０とのエッチング選択比があるため、フ
ィールド酸化膜２及びシリコン基板１はエッチングされ
ずにそのまま残る。
膜２及びシリコン基板１との選択比がとれるエッチャン
トを用いて前記ダイレクトコンタクトホール１１を開孔
すべき前記下地層間絶縁膜１０部分をエッチングする。
この場合、フィールド酸化膜２及びシリコン基板１は下
地層間絶縁膜１０とのエッチング選択比があるため、フ
ィールド酸化膜２及びシリコン基板１はエッチングされ
ずにそのまま残る。
その後、第１図(d)に示すように、不純物をドープした
ポリシリコン６を堆積し、ポリシリコン６からの不純物
拡散によってシリコン基板１とポリシリコン６とのオー
ミックなコンタクトを形成する。この場合、ポリシリコ
ン６から拡散された不純物によるn+層７がフィールド酸
化膜２の下に広がるのを少なくすることができる。従っ
て、ダイレクトコンタクト部の隣にあるノードＮ５との
実行的な距離が狭くなることはなく、電気的な分離に支
障をきたすことはない。すなわち、ダイレクトコンタク
トホール１１がフィールド酸化膜２にかかってもフィー
ルド酸化膜２がエッチングされない。従って、ダイレク
トコンタクトホール１１とフィールドエッジの余裕をと
らなくてもダイレクトコンタクト部の拡散部分（n+層
７）がフィールド酸化膜２の下にもぐりこむ量を少なく
することができ、隣のノードＮ５との距離をつめること
ができる。
ポリシリコン６を堆積し、ポリシリコン６からの不純物
拡散によってシリコン基板１とポリシリコン６とのオー
ミックなコンタクトを形成する。この場合、ポリシリコ
ン６から拡散された不純物によるn+層７がフィールド酸
化膜２の下に広がるのを少なくすることができる。従っ
て、ダイレクトコンタクト部の隣にあるノードＮ５との
実行的な距離が狭くなることはなく、電気的な分離に支
障をきたすことはない。すなわち、ダイレクトコンタク
トホール１１がフィールド酸化膜２にかかってもフィー
ルド酸化膜２がエッチングされない。従って、ダイレク
トコンタクトホール１１とフィールドエッジの余裕をと
らなくてもダイレクトコンタクト部の拡散部分（n+層
７）がフィールド酸化膜２の下にもぐりこむ量を少なく
することができ、隣のノードＮ５との距離をつめること
ができる。
尚、上記実施例ではSiNよりなる下地層間絶縁膜１０とS
iO2よりなる層間絶縁膜３の２層構造を用いたが、これ
に限らず、フィールド酸化膜２、シリコン基板１との選
択比がとれれば他の材料でもよい。
iO2よりなる層間絶縁膜３の２層構造を用いたが、これ
に限らず、フィールド酸化膜２、シリコン基板１との選
択比がとれれば他の材料でもよい。
［発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、ダイレクトコンタク
ト部の拡散部分をフィールドにセルファラインに形成す
ることにより、ダイレクトコンタクトホールとフィール
ドエッジの余裕をつめて、しかも隣の拡散層との距離を
ちじめることができ、微細化に適している。
ト部の拡散部分をフィールドにセルファラインに形成す
ることにより、ダイレクトコンタクトホールとフィール
ドエッジの余裕をつめて、しかも隣の拡散層との距離を
ちじめることができ、微細化に適している。
第１図は本発明の一実施例を示す工程図、第２図は従来
のダイレクトコンタクト形成方法を示す工程図である。 １…基板、２…フィールド酸化膜、３……層間絶縁膜、
６…ポリシリコン、７…n+層、１０…下地層間絶縁膜、
１１…ダイレクトコンタクトホール。
のダイレクトコンタクト形成方法を示す工程図である。 １…基板、２…フィールド酸化膜、３……層間絶縁膜、
６…ポリシリコン、７…n+層、１０…下地層間絶縁膜、
１１…ダイレクトコンタクトホール。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/784
Claims (1)
- 【請求項１】上面部にフィールド絶縁膜で分離されて半
導体素子が形成されたシリコン基板上に、前記フィール
ド絶縁膜及びシリコン基板とエッチング選択比がとれる
下地層間絶縁膜を形成し、この下地層間絶縁膜上に、前
記フィールド絶縁膜と実質的に同種類の絶縁物でなる層
間絶縁膜を形成する工程と、 この工程の後、前記層間絶縁膜と前記下地層間絶縁膜と
の選択比が取れるエッチャントを用いて、ダイレクトコ
ンタクトホールを開孔すべき前記層間絶縁膜部分をエッ
チング除去し、前記層間絶縁膜に、前記下地層間絶縁膜
が露呈する第１の開孔部を形成する工程と、 この工程の後、前記下地層間絶縁膜と前記フィールド絶
縁膜及びシリコン基板との選択比がとれるエッチャント
を用いて、前記第１の開孔部より下地層間絶縁膜をエッ
チング除去し、前記フィールド絶縁膜及び前記シリコン
基板が露呈する第２の開孔部を形成する工程と、 この工程の後、ポリシリコンを堆積し、このポリシリコ
ンからの不純物拡散によって、前記第２の開孔部内に露
呈した前記シリコン基板中に、前記ポリシリコンとオー
ミックコンタクトを成す領域を形成する工程と を具備することを特徴とするダイレクトコンタクトの形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62324480A JPH061773B2 (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | ダイレクトコンタクト形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62324480A JPH061773B2 (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | ダイレクトコンタクト形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01165143A JPH01165143A (ja) | 1989-06-29 |
| JPH061773B2 true JPH061773B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=18166274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62324480A Expired - Lifetime JPH061773B2 (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | ダイレクトコンタクト形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061773B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5543631A (en) * | 1978-09-22 | 1980-03-27 | Toshiba Corp | Printer |
| JPS562654A (en) * | 1979-06-21 | 1981-01-12 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1987
- 1987-12-22 JP JP62324480A patent/JPH061773B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01165143A (ja) | 1989-06-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |