JPH01165143A - ダイレクトコンタクト形成方法 - Google Patents
ダイレクトコンタクト形成方法Info
- Publication number
- JPH01165143A JPH01165143A JP32448087A JP32448087A JPH01165143A JP H01165143 A JPH01165143 A JP H01165143A JP 32448087 A JP32448087 A JP 32448087A JP 32448087 A JP32448087 A JP 32448087A JP H01165143 A JPH01165143 A JP H01165143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- direct contact
- interlayer insulating
- insulating film
- field oxide
- oxide film
- Prior art date
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- Granted
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は大規模集積回路（ＬＳＩ） において、例えば
ポリシリコン（あるいは？リサイド、シリサイド）と基
板とのダイレクトコンタクト形成に使用されるダイレク
トコンタクト形成方法に関する。
ポリシリコン（あるいは？リサイド、シリサイド）と基
板とのダイレクトコンタクト形成に使用されるダイレク
トコンタクト形成方法に関する。
（従来の技術）
第２図は従来のダイレクトコンタクト形成方法を示す。
即ち、第２図（ａ）に示すように、ｐ型のシリコン基板
１の上面部にはフィールド酸化膜２で分離されてダート
４等よシなる半導体素子が形成され、このシリコン基板
Ｉの上面には例えばＣＶＤ ５ｔｏ２ 、 ＢＰ８Ｇ等
の層間絶縁膜３が形成される。
１の上面部にはフィールド酸化膜２で分離されてダート
４等よシなる半導体素子が形成され、このシリコン基板
Ｉの上面には例えばＣＶＤ ５ｔｏ２ 、 ＢＰ８Ｇ等
の層間絶縁膜３が形成される。
５は不純物が拡散されたｎ＋部分のノードＮである。
次に、第２図（ｂ）に示すように１ダイレクトコンタク
トホールを開孔すべき前記層間絶縁膜３部分をエツチン
グしてダイレクトコンタクトホール８を形成する。この
場合、フィールド酸化膜２は層間絶縁膜３とのエツチン
グ選択比がないため、フィールド酸化膜２もエツチング
される。
トホールを開孔すべき前記層間絶縁膜３部分をエツチン
グしてダイレクトコンタクトホール８を形成する。この
場合、フィールド酸化膜２は層間絶縁膜３とのエツチン
グ選択比がないため、フィールド酸化膜２もエツチング
される。
その後、第２図（ｅ）に示すように、不純物をドープし
たポリシリコンロを堆積し、ポリシリコンロからの不純
物拡散によってシリコン基板１とポリシリコンロとのオ
ーミ、りなコンタクトを形成する。この場合、ポリシリ
コンロから拡散された不純物によるｎ層７がフィールド
酸化膜２の下まで広がる。
たポリシリコンロを堆積し、ポリシリコンロからの不純
物拡散によってシリコン基板１とポリシリコンロとのオ
ーミ、りなコンタクトを形成する。この場合、ポリシリ
コンロから拡散された不純物によるｎ層７がフィールド
酸化膜２の下まで広がる。
（発明が解決しようとする問題点）
ＬＳＩの高果槍化にともない、素子は限シ無く微細化さ
れてゆくが、その際に素子間の分離が重要な味題となる
。ダイレクトコンタクトホール８形成の場合ＫＦｉ素子
の微細化にともなってダイレクトコンタクトホール８と
フィールド酸化膜との余裕（第２図（ｂ）のＸなるｆ）
がとれなくなる。その結果、ダイレクトコンタクトホー
ル８形成時に、フィールド酸化膜２の一部をけずシとシ
、ポリシリコンロから拡散された不飼物によるｎ力ｌｙ
がフィールド酸化膜２の下まで広がってしまう。そのた
め、ダイレクトコンタクト部の隣にあるノードＮ５との
実行的な距離がＸだけ狭くなってしまい、電気的な分離
に支障をき九すことになる。
れてゆくが、その際に素子間の分離が重要な味題となる
。ダイレクトコンタクトホール８形成の場合ＫＦｉ素子
の微細化にともなってダイレクトコンタクトホール８と
フィールド酸化膜との余裕（第２図（ｂ）のＸなるｆ）
がとれなくなる。その結果、ダイレクトコンタクトホー
ル８形成時に、フィールド酸化膜２の一部をけずシとシ
、ポリシリコンロから拡散された不飼物によるｎ力ｌｙ
がフィールド酸化膜２の下まで広がってしまう。そのた
め、ダイレクトコンタクト部の隣にあるノードＮ５との
実行的な距離がＸだけ狭くなってしまい、電気的な分離
に支障をき九すことになる。
尚、ダイレクトコンタクトホールとフィールドエツジの
余裕をとれば分離は問題ないが、微細化ができなくなっ
てしまう。
余裕をとれば分離は問題ないが、微細化ができなくなっ
てしまう。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、ダイレクト
コンタクト部の拡散部分をフィールドにセル７アライン
に形成することによシ、微細化に適し九ダイレクトコン
タクト形成方法を提供することを目的とする。
コンタクト部の拡散部分をフィールドにセル７アライン
に形成することによシ、微細化に適し九ダイレクトコン
タクト形成方法を提供することを目的とする。
［発明の構成コ
（問題点ｔ−解決するための手段と作用）本発明は上記
目的を達成するために、上面部にフィールド酸化膜で分
離されて牛専体六子が形成されたシリコン基板上に、前
記フィールド酸化膜及びシリコン基板とエツチング選択
比がとれる下地層間絶縁膜を形成し、この下地層間絶縁
膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、この工程の後、前
記下地層間絶縁膜との選択比が取れるエッチャントを用
いてダイレクトコンタクトホールを開孔すべき前記層間
絶縁Ｍ部分をエツチングする工程と、この工程の後、前
記フィールド酸化膜及びシリコン基板との選択比がとれ
るエッチャントを用いて前記ダイレクトコンタクトホー
ルを開孔すべき前記下地層間絶縁膜部分をエツチングす
る工程と、この工程の後、ポリシリコンを堆積し、ポリ
シリコンからの不純物拡散により−Ｃ前記シリコン基板
とポリシリコンとのオーミックコンタクトを形成する工
程とを具備することを特徴とするもので、シリコン基板
とダイレクトコンタクトを形成するプリシリコンの下地
層間絶縁膜をフィールド酸化膜及びシリコン基板との選
択比がとれるものを用い、ダイレクトコンタクトホール
形成時のフィールドの後退（フィールド酸化膜のエツチ
ング）を抑え、ダイレクトコンタクト部の拡散部分（ｎ
＋層）がフィールドとセル７アラインに形成されるよう
にするものである。
目的を達成するために、上面部にフィールド酸化膜で分
離されて牛専体六子が形成されたシリコン基板上に、前
記フィールド酸化膜及びシリコン基板とエツチング選択
比がとれる下地層間絶縁膜を形成し、この下地層間絶縁
膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、この工程の後、前
記下地層間絶縁膜との選択比が取れるエッチャントを用
いてダイレクトコンタクトホールを開孔すべき前記層間
絶縁Ｍ部分をエツチングする工程と、この工程の後、前
記フィールド酸化膜及びシリコン基板との選択比がとれ
るエッチャントを用いて前記ダイレクトコンタクトホー
ルを開孔すべき前記下地層間絶縁膜部分をエツチングす
る工程と、この工程の後、ポリシリコンを堆積し、ポリ
シリコンからの不純物拡散により−Ｃ前記シリコン基板
とポリシリコンとのオーミックコンタクトを形成する工
程とを具備することを特徴とするもので、シリコン基板
とダイレクトコンタクトを形成するプリシリコンの下地
層間絶縁膜をフィールド酸化膜及びシリコン基板との選
択比がとれるものを用い、ダイレクトコンタクトホール
形成時のフィールドの後退（フィールド酸化膜のエツチ
ング）を抑え、ダイレクトコンタクト部の拡散部分（ｎ
＋層）がフィールドとセル７アラインに形成されるよう
にするものである。
（実施例）
以下図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す。すなわち、第１図（
１）に示すように、ｐ型のシリコン基板１の上面部には
フィールド酸化膜２で分離されてダート４等よシなる半
導体素子が形成され、このシリコン基板１の上面には例
えばＳｉＮ等の下地層間絶縁膜１０が形成され、この下
地層間絶縁膜１０上には例えばＣＶＤ ８１０２ 、
ＢＰＳＧ等のノー間絶縁膜３が形成される。５は不純物
が拡散されたｎ部分のノードＮである。
１）に示すように、ｐ型のシリコン基板１の上面部には
フィールド酸化膜２で分離されてダート４等よシなる半
導体素子が形成され、このシリコン基板１の上面には例
えばＳｉＮ等の下地層間絶縁膜１０が形成され、この下
地層間絶縁膜１０上には例えばＣＶＤ ８１０２ 、
ＢＰＳＧ等のノー間絶縁膜３が形成される。５は不純物
が拡散されたｎ部分のノードＮである。
次に、第１図伽）に示すように、前記下地層間絶縁Ｍ１
０との選択比が取れるエッチャントを用いて、ダイレク
トコンタクトホールを開孔すべき前記層間絶縁膜３部分
をエツチングしてダイレクトコンタクトホール１１を形
成する。この場合、下地層間絶縁１ｘ１０は層間絶縁膜
３とのエツチング選択比があるため、下地層間絶縁膜１
０はエツチングされずに残る。
０との選択比が取れるエッチャントを用いて、ダイレク
トコンタクトホールを開孔すべき前記層間絶縁膜３部分
をエツチングしてダイレクトコンタクトホール１１を形
成する。この場合、下地層間絶縁１ｘ１０は層間絶縁膜
３とのエツチング選択比があるため、下地層間絶縁膜１
０はエツチングされずに残る。
その後、第１図（ｃ）に示すように、前記フィールド酸
化膜２及びシリコン基板１との選択比がとれるエッチャ
ントを用いて前記ダイレクトコンタクトホール１１を開
孔すべき前記下地層間絶縁膜１０部分を工、チングする
。この場合、フィールド酸化膜２及びシリコン基板１は
下地層間絶縁膜ＩＯとの工、チング選択比があるため、
フィールド酸化膜２及びシリコン基板１は工、チングさ
れずにそのまま残る。
化膜２及びシリコン基板１との選択比がとれるエッチャ
ントを用いて前記ダイレクトコンタクトホール１１を開
孔すべき前記下地層間絶縁膜１０部分を工、チングする
。この場合、フィールド酸化膜２及びシリコン基板１は
下地層間絶縁膜ＩＯとの工、チング選択比があるため、
フィールド酸化膜２及びシリコン基板１は工、チングさ
れずにそのまま残る。
その後、第１図（ｄ）に示すように、不純物をドープし
たポリシリコンロを堆積し、ポリシリコンロからの不純
物拡散によってシリコン基板１とポリシリコンロとのオ
ーミックなコンタクトを形成する。この場合、ポリシリ
コンロから拡散された不純物によるｎ”ＪｆＪ７がフィ
ールド酸化膜２の下に広がるのを少なくすることができ
る。従って、ダイレクトコンタクト部の隣にあるノード
Ｎ５との実行的な距離が狭くなることはなく、電気的な
分離に支障をきたすことはない。すなわち、ダイレクト
コンタクトホール１１がフィールド酸化膜２にかかって
もフィールド酸化膜２が工、チングされない。従って、
ダイレクトコンタクトホール１１とフィールドエツジの
余裕をとらなくてもダイレクトコンタクト部の拡散部分
（ｎ”＃ ７ ）がフィールド酸化膜２の下にもぐシこ
む量を少なくすることができ、隣のノーＦ″Ｎ５との距
離をつめると七ができる。
たポリシリコンロを堆積し、ポリシリコンロからの不純
物拡散によってシリコン基板１とポリシリコンロとのオ
ーミックなコンタクトを形成する。この場合、ポリシリ
コンロから拡散された不純物によるｎ”ＪｆＪ７がフィ
ールド酸化膜２の下に広がるのを少なくすることができ
る。従って、ダイレクトコンタクト部の隣にあるノード
Ｎ５との実行的な距離が狭くなることはなく、電気的な
分離に支障をきたすことはない。すなわち、ダイレクト
コンタクトホール１１がフィールド酸化膜２にかかって
もフィールド酸化膜２が工、チングされない。従って、
ダイレクトコンタクトホール１１とフィールドエツジの
余裕をとらなくてもダイレクトコンタクト部の拡散部分
（ｎ”＃ ７ ）がフィールド酸化膜２の下にもぐシこ
む量を少なくすることができ、隣のノーＦ″Ｎ５との距
離をつめると七ができる。
尚、上記実施例ではＳｉＮよシなる下地層間絶縁膜１０
と５ｉｏ２よシなる層間絶縁ＨｔＸ３の２層構造を用い
たが、これに限らず、フィールド酸化膜２、シリコン基
板１との選択比がとれれば他の材料でもよい。
と５ｉｏ２よシなる層間絶縁ＨｔＸ３の２層構造を用い
たが、これに限らず、フィールド酸化膜２、シリコン基
板１との選択比がとれれば他の材料でもよい。
［発明の効果コ
以上述べたように本発明によれば、ダイレクトコンタク
ト部の拡散部分をフィールドにセルファラインに形成す
ることによ）、ダイレクトコンタクトホールとフィール
ドエツジの余裕をつめて、しかも隣の拡散層との距離を
ちじめることができ、微細化に適している。
ト部の拡散部分をフィールドにセルファラインに形成す
ることによ）、ダイレクトコンタクトホールとフィール
ドエツジの余裕をつめて、しかも隣の拡散層との距離を
ちじめることができ、微細化に適している。
第１図は本発明の一実施例を示す工程図、第２図は従来
のダイレクトコンタクト形成方法を示す工程図である。 １・・・基板、２・・・フィールド酸化膜、３・・・層
間絶縁膜、６・・・ポリシリコン、７・・・ｎ中層、１
０・・・下地層間絶縁膜、１１・・・ダイレクトコンタ
クトホール。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
のダイレクトコンタクト形成方法を示す工程図である。 １・・・基板、２・・・フィールド酸化膜、３・・・層
間絶縁膜、６・・・ポリシリコン、７・・・ｎ中層、１
０・・・下地層間絶縁膜、１１・・・ダイレクトコンタ
クトホール。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 上面部にフィールド酸化膜で分離されて半導体素子が
形成されたシリコン基板上に、前記フィールド酸化膜及
びシリコン基板とエッチング選択比がとれる下地層間絶
縁膜を形成し、この下地層間絶縁膜上に層間絶縁膜を形
成する工程と、この工程の後、前記下地層間絶縁膜との
選択比が取れるエッチャントを用いてダイレクトコンタ
クトホールを開孔すべき前記層間絶縁膜部分をエッチン
グする工程と、 この工程の後、前記フィールド酸化膜及びシリコン基板
との選択比がとれるエッチャントを用いて前記ダイレク
トコンタクトホールを開孔すべき前記下地層間絶縁膜部
分をエッチングする工程と、この工程の後、ポリシリコ
ンを堆積し、ポリシリコンからの不純物拡散によって前
記シリコン基板とポリシリコンとのオーミックコンタク
トを形成する工程とを具備することを特徴とするダイレ
クトコンタクト形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62324480A JPH061773B2 (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | ダイレクトコンタクト形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62324480A JPH061773B2 (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | ダイレクトコンタクト形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01165143A true JPH01165143A (ja) | 1989-06-29 |
| JPH061773B2 JPH061773B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=18166274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62324480A Expired - Lifetime JPH061773B2 (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | ダイレクトコンタクト形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061773B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5543631A (en) * | 1978-09-22 | 1980-03-27 | Toshiba Corp | Printer |
| JPS562654A (en) * | 1979-06-21 | 1981-01-12 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1987
- 1987-12-22 JP JP62324480A patent/JPH061773B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5543631A (en) * | 1978-09-22 | 1980-03-27 | Toshiba Corp | Printer |
| JPS562654A (en) * | 1979-06-21 | 1981-01-12 | Nec Corp | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH061773B2 (ja) | 1994-01-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |