JPH06177667A - カレントミラー回路と自己バイアス回路 - Google Patents

カレントミラー回路と自己バイアス回路

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JPH06177667A
JPH06177667A JP4351280A JP35128092A JPH06177667A JP H06177667 A JPH06177667 A JP H06177667A JP 4351280 A JP4351280 A JP 4351280A JP 35128092 A JP35128092 A JP 35128092A JP H06177667 A JPH06177667 A JP H06177667A
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JP
Japan
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current
circuit
transistor
self
current mirror
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Withdrawn
Application number
JP4351280A
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English (en)
Inventor
Takayoshi Ikegami
貴義 池上
Isao Tsuyama
功 津山
Norio Nagase
典生 永瀬
Akihiko Ishikawa
明彦 石川
Kenichi Takano
健一 高野
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 電子機器、通信機器、情報機器等の電子回路
において使用されるカレントミラー回路とこのカレント
ミラー回路を用いた自己バイアス回路に関するものであ
り、カレントミラー回路のミラー比を正確に設定できる
ようにし、またこのカレントミラー回路を用いた自己バ
イアス回路の入力電流をできる限り小さくすることを目
的とする。 【構成】 第1、第2のトランジスタ11、12を並列
に接続して所定の比の第1、第2の電流を第1、第2の
トランジスタ11、12のエミッタ電流とし、第1、第
2のトランジスタ11、12のベースBを共通接続して
その共通接続点を第3のトランジスタ13のエミッタE
に接続し、第3のトランジスタ13のベースBを第1の
トランジスタ11のコレクタCに接続するように構成し
たものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子機器、通信機器、
情報機器等の電子回路において使用されるカレントミラ
ー回路とこのカレントミラー回路を用いた自己バイアス
回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】自己バイアス回路は例えばバッファ回路
の入力部に用いられて高入力インピーダンスを実現する
回路である。従来の自己バイアス回路は図7に示すよう
な回路構成となっている。図中、1’はカレントミラー
回路であり、このカレントミラー回路1’は、PNP形
のトランジスタQ1、Q2を並列接続し、それらのベー
スを共通接続してトランジスタQ2のコレクタに接続す
るよう構成されおり、電流I4 、I5 がほぼ1:1とな
るよう動作するものである。
【0003】自己バイアス回路はこのカレントミラー回
路1’を用いてその電流I5 をNPN形のトランジスタ
Q3のベースに、電流I4 をトランジスタQ4のベース
に流すよう構成する。このようにトランジスタQ4のベ
ース電流I6 をトランジスタQ1から流すことによっ
て、自己バイアス回路の入力電流Iinをキャンセルし、
高入力インピーダンスを実現するようになっている。
【0004】ところで、トランジスタQ1、Q2で構成
されたカレントミラー回路から流れる電流I4 、I5
比(ミラー比)は従来回路では完全に1:1にならない
ので、従来の自己バイアス回路では入力電流Iinを完全
にキャンセルできない。
【0005】このカレントミラー回路1’について説明
する。いまトランジスタQ1、Q2のエミッタ電流をI
1 、ベース電流をI2 、トランジスタQ2のコレクタ電
流をI3 、トランジスタQ1、Q2の増幅率をβP 、ト
ランジスタQ3、Q4の増幅率をβN とすると、 I2 =I1 /(1+βP ) ・・・(1) I3 =βP /(1+βP )・I1 ・・・(2) となる。
【0006】したがって、トランジスタQ1、Q2のベ
ース電流I2 と、トランジスタQ2のコレクタ電流I3
の和であるカレントミラー回路の電流I5 は、 I5 =〔2/(1+βP )〕・I1 +〔βP /(1+βP )〕・I1 =〔(2+βP )/(1+βP )〕・I1 ・・・(3) となり、この(3)式を変換すると、 I1 =〔(1+βP )/(2+βP )〕・I5 ・・・(3)' となる。
【0007】次に、トランジスタQ1のコレクタ電流I
4 は、 I4 =〔βP /(1+βP )〕・I1 ・・・(2)' であるから、この(2)’式を、(3)’式に代入する
と、 I4 =〔βP /(1+βP )〕〔(1+βP )/(2+βP )〕・I5 =〔βP /(2+βP )〕・I5 ・・・(4) となる。
【0008】このことから、従来のカレントミラー回路
においては、 I4 =〔βP /(2+βP )〕・I5 となり、I4 とI5 の比は完全に1:1にはならない。
【0009】これは要するに、図7のカレントミラー回
路1’において、トランジスタQ1、Q2の各ベース電
流I2 の合計値2I2 がトランジスタQ2のコレクタ側
に流れ込んでコレクタ電流I3 (=I4 )に加算される
ので、この電流2I2 の分だけ電流I5 が電流I4 より
大きくなり、ミラー比が完全に1:1とならないのであ
る。
【0010】したがって、このカレントミラー回路1’
を用いた自己バイアス回路では、トランジスタQ4のベ
ース電流をI6 とすると、 I5 =〔βN /(1+βN )〕・I6 ・・・(5) となる。さらにトランジスタQ1のコレクタ電流I4
(4)式より、 I4 =〔βP /(2+βP )〕・I5 であるから、この(4)式に(5)式を代入すると、 I4 =〔βP /(2+βP )〕〔βN /(1+βN )〕・I6 =〔βP ・βN /(2+βP )(1+βN )〕・I6 ・・・(6) となる。この値をQ4のベース電流I6 から引くと、自
己バイアス回路の入力電流Iin’が求まり、 Iin’=I6 −〔βP ・βN /(2+βP )(1+βN )〕・I6 =I6 ・〔(2+βP )(1+βN ) −βP ・βN ] /( 2+βP )(1+βN ) =I6 ・(2+βP +2βN )/( 2+βP )(1+βN ) ・・・(7) となる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】したがって、図7に示
すような回路構成で自己バイアス回路を組むと、入力電
流Iin’として(7)式の電流が必要となってくる。こ
の結果、入力電流Iin’はある大きさの値を持つことに
なって完全にキャンセルされず、したがってこの自己バ
イアス回路の入力インピーダンスとして高入力インピー
ダンスを確保できなくなる。
【0012】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、ミラー比を正確に
設定できるカレントミラー回路とこのカレントミラー回
路を用いて入力電流をできる限り小さくした自己バイア
ス回路を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】図1は本発明に係る原理
説明図である。本発明のカレントミラー回路は、第1、
第2のトランジスタ11、12を並列に接続して所定の
比の第1、第2の電流を第1、第2のトランジスタ1
1、12のエミッタ電流とし、第1、第2のトランジス
タ11、12のベースBを共通接続してその共通接続点
を第3のトランジスタ13のエミッタEに接続し、第3
のトランジスタ13のベースBを第1のトランジスタ1
1のコレクタCに接続するように構成したものである。
【0014】また本発明の自己バイアス回路は、一つの
形態として、第4、第5のトランジスタ14、15を直
列接続して、上述の本発明のカレントミラー回路の第1
の電流を第4のトランジスタ14のベース電流とし、第
2の電流を第5のトランジスタ15のベース電流とする
ように構成したものである。
【0015】また本発明の自己バイアス回路は、他の形
態として、第6、第7のトランジスタを並列に接続して
それらにカレントミラー回路を用いてそれぞれ電流を流
し、上述の本発明のカレントミラー回路の第1の電流を
第6のトランジスタのベース電流とし、第2の電流を第
7のトランジスタのベース電流とするように構成したも
のである。
【0016】
【作用】本発明のカレントミラー回路では、第1、第2
のトランジスタ11、12のベース電流はその大部分が
トランジスタ13のコレクタ電流となって流れるため、
カレントミラー回路の第1の電流側にはトランジスタ1
3のベース電流しか流れ込まず、したがってカレントミ
ラー回路のミラー比を正確に設定することができる。
【0017】また本発明のカレントミラー回路を用いて
自己バイアス回路を構成すると、ミラー比を正確に設定
できることから、自己バイアス回路の入力電流をほぼ完
全にキャンセルすることができ、よって高入力インピー
ダンスを実現できる。
【0018】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図2には本発明の一実施例としてのカレントミラ
ー回路とこのカレントミラー回路を用いた自己バイアス
回路が示される。カレントミラー回路1はPNP形のト
ランジスタQ1、Q2を並列接続したもので、それらの
ベースを共通接続してその接続点にPNP形のトランジ
スタQ5のエミッタを接続し、トランジスタQ5のベー
スをトランジスタQ2のコレクタに接続するよう構成し
てある。
【0019】このようにカレントミラー回路を構成する
と、トランジスタQ1、Q2のベース電流の合計値2I
2 はその大部分がトランジスタQ5のコレクタ電流とな
って流れて電流I5 側にはベース電流I7 分だけしか流
れ込まないので、カレントミラー回路のミラー比
(I4 :I5 の比)をほとんど完全に1:1とすること
ができる。
【0020】さらに自己バイアス回路は、このカレント
ミラー回路1を組み込み、、NPN形のトランジスタQ
3、Q4を直列接続し、カレントミラー回路1の電流I
5 をトランジスタQ3のベース電流とし、電流I4 をト
ランジスタQ4のベース電流とするよう構成してある。
このように構成した自己バイアス回路では、カレントミ
ラー回路1のミラー比がほとんど完全に1:1であるの
で、自己バイアス回路の入力電流Iinはほとんど完全に
キャンセルされて高入力インピーダンスを実現できる。
【0021】以下、この作用を数式を用いて詳細に説明
する。図7と同様にして、トランジスタQ1、Q2のエ
ミッタ電流をI1 、ベース電流をI2 、トランジスタQ
2のコレクタ電流をI3 とおくと、ベース電流I2 とコ
レクタ電流I3 はそれぞれ前述の(1)式と(2)式で
表せる。
【0022】しかし、カレントミラー回路の出力電流I
5 は、 I5 =I3 +I7 であるので、I7 =I2 ・〔2/(1+βP )〕より、 I5 =I1 ・〔βP /(1+βP )〕+I2 ・〔2/(1+βP )〕 =I1 ・〔βP /(1+βP )〕+I1 ・〔2/(1+βP 2 〕 =I1 ・〔(βP 2 +βP +2)/(1+βP 2 〕 ・・・(8) となる。
【0023】またトランジスタQ1側のコレクタ電流I
4 は、(8)式から求めたエミッタ電流I1 を(2)式
に代入すれば、 I4 =[ βP /(1+βP )]・[(1+βP 2 /(βP 2 +βP +2)]・I5 =I5 ・[ βP (1+βP )]/(βP 2 +βP +2) ・・・(9) となる。
【0024】したがって、図2に示す回路構成の場合、
(5)式と(9)式より、トランジスタQ1のコレクタ
電流I4 は、 I4 =[ βP ・(1+βP )/(βP 2 +βP +2)] ×[(βN /1+βN )]・I6 =I6 ・ [βP ・(1+βP )・βN ] /(βP 2 +βP +2)(1+βN ) ・・・(10) となる。
【0025】この値をトランジスタQ4のベース電流I
6 から引くと、入力電流Iinが求まり、この入力電流I
inは、 Iin= [I6 ・(βP 2 +βP +2)(1+βN ) −I6 ・(βP +1)・βP βN ] / [(βP 2 +βP +2)(1+βN )] ・・・(11) =I6 ・[(βP 2 +βP +2)(1+βN ) −(βP +1)・βP βN ] /[(βP 2 +βP +2)(1+βN )] となる。
【0026】この入力電流Iinの大きさを従来回路の入
力電流Iin’と比較すると、従来回路では、 Iin’=I6 ・[(2+βP )(1+βN ) −βP ・βN ] /[(2+βP )(1+βN )] 実施例回路では、 Iin=I6 ・[(βP 2 +βP +2)(1+βN ) −βP ・βN ・(1+βP )] /(βP 2 +βP +2)(1+βN ) となる。
【0027】ここで、入力電流の差を取るために、実施
例回路の入力電流Iinを従来回路の入力電流Iin’で割
ると、 I6 ・〔[(βP 2 +βP +2)(1+βN ) −βP ・βN ・(1+βP )]/ (βP 2 +βP +2)(1+βN ) 〕×〔(2+βP )(1+βN )/ I6 ・[(2+βP )(1+βN ) −βP ・βN ] 〕 =[(βP 2 +βP +2βN +2)(2+βP )] /[(βP 2 +βP +2)(βP +2βN +2)] ・・・(12) となる。 ここで、この(12)式を展開すると、 (βP 3 +3βP 2 +2βP ・βN +4βN +4)/ (βP 3 +3βP 2 +2βP ・βN +4βN +4+2βP 2 βN ) ・・・(12)' となる。ここで分子の項で分母、分子を割ると、(1
2)'式は、 1/〔1+2βP 2 βN /(βP 3 +3βP 2 +2βP ・βN +4βN +4)〕 <1 ・・・(12)" となり、実施例回路の入力電流Iinは従来回路の入力電
流Iin’よりも小さくなることが分かる。
【0028】図3には上述の実施例の自己バイアス回路
2をバッファ回路に適用した場合の例が示される。図示
のように、図2の実施例の自己バイアス回路をバッファ
回路の入力段に配置する。このようにバッファ回路を構
成すると、図7に示す従来構成の自己バイアス回路を用
いた場合よりも入力インピーダンスを高くすることがで
きる。
【0029】また、図4に示すように、ピーク検出回路
3の出力段にキャパシタCを設けて図3のバッファ回路
4を接続した場合、そのホールド電圧の減衰量はバッフ
ァ回路への入力電流(すなわちキャパシタCの放電電
流)をIとすると、I・t /Cにより決まってくるの
で、この電流Iが小さくなると、図5に示されるように
減衰量は小さくなる。このことより、図3のバッファ回
路を用いると、従来回路に比べ、より正確なホールド電
圧を出力することができる。
【0030】図6には本発明のまた他の実施例としての
自己バイアス回路が示される。前述の実施例回路の場合
の入力電流Iin’は(11)式で求めたものとなるが、
この実施例回路ではこの入力電流値をさらに小さくする
ものである。
【0031】構成としては、NPN形のトランジスタQ
6とQ7でカレントミラー回路5を組み、その電流の比
を1:1にする。またNPN形のトランジスタQ3、Q
4を並列に接続し、それぞれのエミッタ電流としてカレ
ントミラー回路5の電流を流す。従って、トランジスタ
Q3、Q4のエミッタ電流は等しくなる。
【0032】次にこの実施例回路による入力電流の低減
効果を数式により詳細に説明する。トランジスタQ1の
コレクタ電流I4 を求めると、(9)式より、 I4 =〔βP ・(1+βP )/(βP 2 +βP +2)〕・I5 となり、さらにトランジスタQ3のベース電流I5 とト
ランジスタQ4のベース電流I6 が等しいという関係す
なわちI5 =I6 を考慮すると、上式はさらに I4 =〔βP ・(1+βP )/(βP 2 +βP +2)〕・I6 ・・・(13) となる。
【0033】この(13)式のコレクタ電流I4 をトラ
ンジスタQ4へのベース電流I6 から引くと、入力電流
in”が求まり、この入力電流Iin”は、 Iin”=I6 −〔βP ・(1+βP )/(βP 2 +βP +2)〕・I6 =〔2/(βP 2 +βP +2)〕・I6 (14) となる。
【0034】この(14)式を(11)式と比較する
と、前述の実施例回路の入力電流Iinは、 Iin=I6 [(βP 2 +βP +2)(1+βN )−(βP +1)・βP ・βN ] /(βP 2 +βP +2)(1+βN ) ・・・(11) 一方、図6の実施例回路の入力電流Iin”は、 Iin”=〔2/(βP 2 +βP +2)〕・I6 ・・・(14) となる。
【0035】この二つの式の比を取るため、(14)式
を(11)式で割ると 〔2・I6 /(βP 2 +βP +2)〕・〔 (βP 2 +βP +2)(1+βN ) /I6 [(βP 2 +βP +2)(1+βN )−( βP +1)・βP ・βN ] =2(1+βN )/[(βP 2 +βP +2)(1+βN ) −(βP +1)・βP ・ βN ] となり、 この式を展開すると、 (2+2βN )/(2+2βN +βP 2 +βP ) ・・・(15) となり、ここで、分母、分子を分子で割ると、 1/〔1+[ βP ・( 1+βP )/2・(1+βN )]〕<1 ・・・(15)' となり、この式からも図6の実施例回路の入力電流
in”は図2の実施例回路の入力電流Iinよりもさらに
下がることが分かる。
【0036】同様にして、図6の実施例回路の入力電流
in”を従来回路の入力電流Iin’と比較すると、従来
回路の入力電流Iin’は、 Iin’=I6 [(2+βP )(1+βN )−βP ・βN ] /( 2+βP )(1+βN ) ・・・(7) 実施例回路の入力電流Iin”は、 Iin”=〔2/(βP 2 +βP +2)〕・I6 ・・・(14) である。この二つの式の比をとるために(14)式を
(7)式で割ると、 〔 [2/(βP 2 +βP +2)]・I6 〕・( 2+βP )(1+βN ) /I6 [(2+βP )(1+βN )−βP ・βN ] =[ 2・( 2+βP )(1+βN )]/[(βP 2 +βP +2)(βP +2βN +2)] ・・・(16) となり、分母が分子よりもかなり大きい値になるので
(分母の次数は3次)、図6の実施例回路では入力電流
in”が従来回路に比べて十分にキャンセルされている
ことが分かる。
【0037】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、カレントミラー回路のミラー電流比を正確に設定で
きるようになる。またこのカレントミラーを用いて自己
バイアス回路を組むと、その入力電流を十分に小さくす
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る原理説明図である。
【図2】本発明の一実施例としてのカレントミラー回路
を用いた自己バイアス回路を示す図である。
【図3】本発明の実施例の自己バイアス回路を適用して
構成したバッファ回路を示す図である。
【図4】図3のバッファ回路をピークホールド回路に応
用した例を示す図である。
【図5】ピークホールド回路での出力波形を示す図であ
る。
【図6】本発明の他の実施例としての自己バイアス回路
を示す図である。
【図7】カレントミラー回路を用いた自己バイアス回路
の従来例を示す図である。
【符号の説明】
1、1’、5 カレントミラー回路 2 自己バイアス回路 3 ピーク検出回路 4 バッファ回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永瀬 典生 栃木県小山市城東3丁目28番1号 富士通 ディジタル・テクノロジ株式会社内 (72)発明者 石川 明彦 栃木県小山市城東3丁目28番1号 富士通 ディジタル・テクノロジ株式会社内 (72)発明者 高野 健一 栃木県小山市城東3丁目28番1号 富士通 ディジタル・テクノロジ株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1、第2のトランジスタ(11、1
    2)を並列に接続して所定の比の第1、第2の電流を該
    第1、第2のトランジスタのエミッタ電流とし、該第
    1、第2のトランジスタのベースを共通接続してその共
    通接続点を第3のトランジスタ(13)のエミッタに接
    続し、該第3のトランジスタのベースを該第1のトラン
    ジスタのコレクタに接続するように構成したカレントミ
    ラー回路。
  2. 【請求項2】 第4、第5のトランジスタ(14、1
    5)を直列接続して請求項1記載のカレントミラー回路
    の第1の電流を該第4のトランジスタのベース電流と
    し、第2の電流を第5のトランジスタのベース電流とす
    るように構成した自己バイアス回路。
  3. 【請求項3】 第6、第7のトランジスタを並列に接続
    してそれらにカレントミラー回路を用いてそれぞれ電流
    を流し、請求項1記載のカレントミラー回路の第1の電
    流を該第6のトランジスタのベース電流とし、第2の電
    流を第7のトランジスタのベース電流とするように構成
    した自己バイアス回路。
JP4351280A 1992-12-07 1992-12-07 カレントミラー回路と自己バイアス回路 Withdrawn JPH06177667A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5556704A (en) * 1993-02-05 1996-09-17 Alliedsignal Inc. Carbon fiber-reinforced carbon composite material

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5556704A (en) * 1993-02-05 1996-09-17 Alliedsignal Inc. Carbon fiber-reinforced carbon composite material

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