JPH0617885B2 - 酸素センサ中間組立体 - Google Patents
酸素センサ中間組立体Info
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- JPH0617885B2 JPH0617885B2 JP60003760A JP376085A JPH0617885B2 JP H0617885 B2 JPH0617885 B2 JP H0617885B2 JP 60003760 A JP60003760 A JP 60003760A JP 376085 A JP376085 A JP 376085A JP H0617885 B2 JPH0617885 B2 JP H0617885B2
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- Japan
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- gas
- ceramic layer
- insulating ceramic
- gas detector
- oxygen sensor
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/406—Cells and probes with solid electrolytes
- G01N27/407—Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、ガス成分又はその濃度を検出するためのガス
検出器を備えた酸素センサの中間組立体に関するもので
ある。
検出器を備えた酸素センサの中間組立体に関するもので
ある。
[従来技術] 従来より大気中のガスの存在、あるいはその濃度を検出
するためのガス検出器の1つとしてガス検出素子にSn
O2,ZnO,TiO2,CoO等の酸化物半導体を用
い、ガスが接触した場合にその電気抵抗が変化するとい
った特性を利用してガスを検出するものがある。そして
近年この種のガス検出器においては、その構造を簡単に
し、生産性の向上を図る為に絶縁性のセラミック材から
なる基板上にガス検出素子等の素子及びその電極を厚膜
印刷するといった、ハイブリッド技術を応用したものが
開発されつつある。例えば酸素センサの中間組立体とし
ては、測定ガスの成分及びその濃度によって電気抵抗値
の変化するガス検出素子と該素子の温度依存性を補償す
るサーミスタ素子と両素子に接続している導電体とが表
面に設けられた第1の絶縁性セラミック層と、上記第1
の絶縁性セラミック層上に、少なくとも上記導電体の測
定ガス側に露出される部分を覆うとともに上記ガス検出
素子の測定ガス側に露出される部分の一部又は全部を露
出せしめて積層される第2の絶縁性セラミック層とを備
えたガス検出器と、このガス検出器に嵌合するスペーサ
とからなるものがある。
するためのガス検出器の1つとしてガス検出素子にSn
O2,ZnO,TiO2,CoO等の酸化物半導体を用
い、ガスが接触した場合にその電気抵抗が変化するとい
った特性を利用してガスを検出するものがある。そして
近年この種のガス検出器においては、その構造を簡単に
し、生産性の向上を図る為に絶縁性のセラミック材から
なる基板上にガス検出素子等の素子及びその電極を厚膜
印刷するといった、ハイブリッド技術を応用したものが
開発されつつある。例えば酸素センサの中間組立体とし
ては、測定ガスの成分及びその濃度によって電気抵抗値
の変化するガス検出素子と該素子の温度依存性を補償す
るサーミスタ素子と両素子に接続している導電体とが表
面に設けられた第1の絶縁性セラミック層と、上記第1
の絶縁性セラミック層上に、少なくとも上記導電体の測
定ガス側に露出される部分を覆うとともに上記ガス検出
素子の測定ガス側に露出される部分の一部又は全部を露
出せしめて積層される第2の絶縁性セラミック層とを備
えたガス検出器と、このガス検出器に嵌合するスペーサ
とからなるものがある。
ところで、例えば内燃機関の排気中の酸素濃度を測定す
るごとく、カーボン等の導電性の粒子の浮遊する雰囲気
にてガス検出器を使用するような場合には、ガス検出器
の素子や導線がセラミック基板の表面に露出しているの
で、カーボン等の堆積によるショートを防止する必要が
ある。また、ガス検出器では、ガス検出素子を担持する
先側は熱容量をできるだけ小さくして、温度をあがり易
くする必要がある。更に、ガス検出器は、検出器を把持
するためのハウジング内に納められ所定の箇所でスペー
サにて固定されるのであるが、このスペーサをセラミッ
ク基板面に当接する様に取り付ける際に、スペーサが素
子に接触して、素子を傷つけてしまうという問題も併せ
て解決しなければならない。更に、サーミスタを利用し
た温度補償も好適に行わなければならない。
るごとく、カーボン等の導電性の粒子の浮遊する雰囲気
にてガス検出器を使用するような場合には、ガス検出器
の素子や導線がセラミック基板の表面に露出しているの
で、カーボン等の堆積によるショートを防止する必要が
ある。また、ガス検出器では、ガス検出素子を担持する
先側は熱容量をできるだけ小さくして、温度をあがり易
くする必要がある。更に、ガス検出器は、検出器を把持
するためのハウジング内に納められ所定の箇所でスペー
サにて固定されるのであるが、このスペーサをセラミッ
ク基板面に当接する様に取り付ける際に、スペーサが素
子に接触して、素子を傷つけてしまうという問題も併せ
て解決しなければならない。更に、サーミスタを利用し
た温度補償も好適に行わなければならない。
[発明の目的] そこで本発明は、上述した構成のガス検出器の中間組立
体において、そのガス検出素子を担持する部分の昇温性
をよく保持するとともに、好適に温度補償を行ない、更
に、スペーサの組み付け作業の際に、ガス検出素子を痛
めることのない構造の酸素センサ中間組立体を提供する
ことを目的とする。
体において、そのガス検出素子を担持する部分の昇温性
をよく保持するとともに、好適に温度補償を行ない、更
に、スペーサの組み付け作業の際に、ガス検出素子を痛
めることのない構造の酸素センサ中間組立体を提供する
ことを目的とする。
[発明の構成] かかる目的を達するための第1の発明は、 測定ガスの成分及びその濃度によって電気抵抗値の変化
するガス検出素子と該素子の温度依存性を補償するサー
ミスタ素子と両素子に接続している導電体とが表面に設
けられた第1の絶縁性セラミック層と、上記第1の絶縁
性セラミック層上に、上記導電体を覆うとともに少なく
とも上記ガス検出素子の一部を測定ガスに露出せしめて
積層される第2の絶縁性セラミック層と、を備えたガス
検出器と、 上記ガス検出器が嵌合する孔が設けられたスペーサと、 からなる酸素センサ中間組立体において、 上記第2の絶縁性セラミック層に上記ガス検出素子の露
呈する開口を設けるとともに、該開口又は同層で他に設
けた開口にて上記サーミスタ素子を露呈させ、 上記第2の絶縁性セラミック層の元側部に厚肉となる段
差を設けることにより、 上記ガス検出器のガス検出素子を担持する先端側を薄肉
とし、 かつ上記段差によって厚肉とされたガス検出器の元側を
上記スペーサの孔と嵌合する嵌合部とすることを特徴と
する酸素センサ中間組立体を要旨とする。
するガス検出素子と該素子の温度依存性を補償するサー
ミスタ素子と両素子に接続している導電体とが表面に設
けられた第1の絶縁性セラミック層と、上記第1の絶縁
性セラミック層上に、上記導電体を覆うとともに少なく
とも上記ガス検出素子の一部を測定ガスに露出せしめて
積層される第2の絶縁性セラミック層と、を備えたガス
検出器と、 上記ガス検出器が嵌合する孔が設けられたスペーサと、 からなる酸素センサ中間組立体において、 上記第2の絶縁性セラミック層に上記ガス検出素子の露
呈する開口を設けるとともに、該開口又は同層で他に設
けた開口にて上記サーミスタ素子を露呈させ、 上記第2の絶縁性セラミック層の元側部に厚肉となる段
差を設けることにより、 上記ガス検出器のガス検出素子を担持する先端側を薄肉
とし、 かつ上記段差によって厚肉とされたガス検出器の元側を
上記スペーサの孔と嵌合する嵌合部とすることを特徴と
する酸素センサ中間組立体を要旨とする。
また、第2の発明は、 測定ガスの成分及びその濃度によって電気抵抗値の変化
するガス検出素子と該素子の温度依存性を補償するサー
ミスタ素子と両素子に接続している導電体とが表面に設
けられた第1の絶縁性セラミック層と、上記第1の絶縁
性セラミック層上に、上記導電体を覆うとともに少なく
とも上記ガス検出素子の一部を測定ガスに露出せしめて
積層される第2の絶縁性セラミック層と、を備えたガス
検出器と、 上記ガス検出器が嵌合する孔が設けられたスペーサと、 からなる酸素センサ中間組立体において、 上記第2の絶縁性セラミック層に上記ガス検出素子の露
呈する開口を設けるとともに、該開口又は同層で他に設
けた開口にて上記サーミスタ素子を露呈させ、 上記第2の絶縁性セラミック層の元側部に元側に向けて
順次厚肉となる第1及び第2の段差を設けることによ
り、 上記ガス検出器のガス検出素子を担持する先端側を薄肉
とし、 かつ上記第1の段差によって中間の厚肉とされたガス検
出器の中間部分を上記スペーサの孔と嵌合する嵌合部と
するとともに、 上記第2の段差の段差部分を上記スペーサの係止部とす
ることを特徴とする酸素センサ中間組立体を要旨とす
る。
するガス検出素子と該素子の温度依存性を補償するサー
ミスタ素子と両素子に接続している導電体とが表面に設
けられた第1の絶縁性セラミック層と、上記第1の絶縁
性セラミック層上に、上記導電体を覆うとともに少なく
とも上記ガス検出素子の一部を測定ガスに露出せしめて
積層される第2の絶縁性セラミック層と、を備えたガス
検出器と、 上記ガス検出器が嵌合する孔が設けられたスペーサと、 からなる酸素センサ中間組立体において、 上記第2の絶縁性セラミック層に上記ガス検出素子の露
呈する開口を設けるとともに、該開口又は同層で他に設
けた開口にて上記サーミスタ素子を露呈させ、 上記第2の絶縁性セラミック層の元側部に元側に向けて
順次厚肉となる第1及び第2の段差を設けることによ
り、 上記ガス検出器のガス検出素子を担持する先端側を薄肉
とし、 かつ上記第1の段差によって中間の厚肉とされたガス検
出器の中間部分を上記スペーサの孔と嵌合する嵌合部と
するとともに、 上記第2の段差の段差部分を上記スペーサの係止部とす
ることを特徴とする酸素センサ中間組立体を要旨とす
る。
ここで、上記サーミスタ素子が露呈する開口には、ガス
検出素子を配置してもよい。つまり、第2の絶縁性セラ
ミック層に1つの開口を設け、この1つの開口部分に、
サーミスタ素子及びガス検出素子を配置してもよい。
検出素子を配置してもよい。つまり、第2の絶縁性セラ
ミック層に1つの開口を設け、この1つの開口部分に、
サーミスタ素子及びガス検出素子を配置してもよい。
また、ガス検出素子が設けられる位置とは別に、サーミ
スタ素子のために別途開口を設けてもよい。つまり、第
2の絶縁性セラミック層に2つの開口を設け、一方の開
口にサーミスタ素子を配置するとともに、他方の開口に
ガス検出素子を配置してもよい。
スタ素子のために別途開口を設けてもよい。つまり、第
2の絶縁性セラミック層に2つの開口を設け、一方の開
口にサーミスタ素子を配置するとともに、他方の開口に
ガス検出素子を配置してもよい。
更に、サーミスタ素子が露呈する開口としては、ガラス
あるいはガラスとセラミックからなるポーラスフィルタ
にて、外部と連通する状態で覆ってもよい。
あるいはガラスとセラミックからなるポーラスフィルタ
にて、外部と連通する状態で覆ってもよい。
上記第1の絶縁性セラミック層としては、ガス検出素子
の近傍に厚膜ヒータを有するものを採用できる。
の近傍に厚膜ヒータを有するものを採用できる。
上記両絶縁性セラミック層の素材としては、アルミナを
採用できる。
採用できる。
[実施例] 以下、本発明のガス検出器を内燃機関排気中の酸素濃度
を検出する酸素センサに適用した場合を例にとり、本発
明の実施例として図面と共に説明する。
を検出する酸素センサに適用した場合を例にとり、本発
明の実施例として図面と共に説明する。
第1図(イ),(ロ)は本発明の第1実施例の酸素セン
サの部分破断図である。ただし、(ロ)は(イ)の右方
向から見た部分破断図である。図において1はセラミッ
ク基板としての第1の絶縁性セラミック層1a上にガス
検出素子としての酸素ガス検出素子2及びサーミスタ素
子3を備えるとともに上記両素子以外の部分を覆うため
第1の絶縁性セラミック層1a上に重ねた第2の絶縁性
セラミック層1b,1c,1dを備えた酸素濃度を検出
するためのガス検出器、4はガス検出器1を把持すると
共に本センサを内燃機関に取り付けるための筒状に形成
された主体金具、5は主体金具4の内燃機関側先端部4
aに取り付けられ、ガス検出器1を保護するためのプロ
テクタ、6は主体金具4と共にガス検出器1を把持する
ための内筒であり、ガス検出器1はスペーサ7、充填粉
末8及びガラスシール9を介して主体金具4及び内筒6
にて把持されている。尚、スペーサ7に嵌合されたガス
検出器1が酸素センサ中間組立体に該当する。また主体
金具4の外周には内燃機関取付用のねじ部4bが刻設さ
れており、内燃機関壁面当接部分には排気が漏れないよ
うガスケット10が設けられている。
サの部分破断図である。ただし、(ロ)は(イ)の右方
向から見た部分破断図である。図において1はセラミッ
ク基板としての第1の絶縁性セラミック層1a上にガス
検出素子としての酸素ガス検出素子2及びサーミスタ素
子3を備えるとともに上記両素子以外の部分を覆うため
第1の絶縁性セラミック層1a上に重ねた第2の絶縁性
セラミック層1b,1c,1dを備えた酸素濃度を検出
するためのガス検出器、4はガス検出器1を把持すると
共に本センサを内燃機関に取り付けるための筒状に形成
された主体金具、5は主体金具4の内燃機関側先端部4
aに取り付けられ、ガス検出器1を保護するためのプロ
テクタ、6は主体金具4と共にガス検出器1を把持する
ための内筒であり、ガス検出器1はスペーサ7、充填粉
末8及びガラスシール9を介して主体金具4及び内筒6
にて把持されている。尚、スペーサ7に嵌合されたガス
検出器1が酸素センサ中間組立体に該当する。また主体
金具4の外周には内燃機関取付用のねじ部4bが刻設さ
れており、内燃機関壁面当接部分には排気が漏れないよ
うガスケット10が設けられている。
ここで充填粉末8は滑石及びガラスの1:1の混合粉末
からなり、ガス検出器1を内筒6内に固定するためのも
の、ガラスシール9は低融点ガラスからなり、検出ガス
の漏れを防止すると共にガス検出器1の端子を保護する
ためのものである。
からなり、ガス検出器1を内筒6内に固定するためのも
の、ガラスシール9は低融点ガラスからなり、検出ガス
の漏れを防止すると共にガス検出器1の端子を保護する
ためのものである。
11は内筒6を覆うように主体金具4に取り付けられる
外筒、12はシリコンゴムからなるシール材であって、
リード線13,14,15と、第2図に示すガラスシー
ル9より突出されたガス検出器1からの端子21,2
2,23との接続部を絶縁保護するためのものである。
またこのリード線13,14,15と端子21,22,
23との接続は、第3図に示す如く、予め外筒11内に
シール材12及びリード線13,14,15を納めると
共に、各リード線13,14,15の先端に加締金具2
4,25,26を接続し、その後加締金具24,25,
26を端子21,22,23と加締接続することによっ
て行なわれる。
外筒、12はシリコンゴムからなるシール材であって、
リード線13,14,15と、第2図に示すガラスシー
ル9より突出されたガス検出器1からの端子21,2
2,23との接続部を絶縁保護するためのものである。
またこのリード線13,14,15と端子21,22,
23との接続は、第3図に示す如く、予め外筒11内に
シール材12及びリード線13,14,15を納めると
共に、各リード線13,14,15の先端に加締金具2
4,25,26を接続し、その後加締金具24,25,
26を端子21,22,23と加締接続することによっ
て行なわれる。
次に本実施例のガス検出器1は第4図乃至第9図に示す
如き手順に従って作成される。尚第4図乃至第9図にお
いて、(イ)は本ガス検出器1の組立て工程における正
面図、(ロ)及び(ハ)はその断面図を夫々示してい
る。またこの第4図乃至第9図はガス検出器1の製造工
程を説明するためのものであることから、解り易くする
ために各部の寸法は第1図に示すガス検出器と対応させ
ておらず、後述の第10乃至第18図についても同様で
ある。
如き手順に従って作成される。尚第4図乃至第9図にお
いて、(イ)は本ガス検出器1の組立て工程における正
面図、(ロ)及び(ハ)はその断面図を夫々示してい
る。またこの第4図乃至第9図はガス検出器1の製造工
程を説明するためのものであることから、解り易くする
ために各部の寸法は第1図に示すガス検出器と対応させ
ておらず、後述の第10乃至第18図についても同様で
ある。
ここで上記第4図乃至第9図の各図において、30,3
1,32,33は平均粒径1.5μmのAl2O392
重量%、SiO24重量%、CaO2重量%及びMgO
2重量%からなる混合粉末100重量部に対してブチラ
ール樹脂12重量部及びジブチルフタレート(DBP)
6重量部を添加し、有機溶剤中で混合してスラリーと
し、ドクタープレートを用いて形成されたグリーンシー
トであり、この内、グリーンシート30は第1の絶縁性
セラミック層1aとなるものであり、グリーンシート3
1,32,33は各々第2の絶縁性セラミック層1b,
1c,1dとなるものである。グリーンシート30は厚
さ1mm、グリーンシート31は厚さ0.2mm、グリーン
シート32及び33は厚さ0.8mmに予め作成されたも
のである。また34乃至40はPtに対し7%のAl2
O3を添加した白金ペーストで厚膜印刷したパターンで
あって導電体に相当し、34,35,36は検出素子2
又はサーミスタ素子3の電極となる電極パターン、37
は検出素子2を加熱するためのヒータとなる発熱抵抗体
パターン、38,39,40は発熱抵抗体パターン3
7、検出素子2又サーミスタ素子3に電源を印加あるい
は検出信号を抽出するための電極端子パターンである。
1,32,33は平均粒径1.5μmのAl2O392
重量%、SiO24重量%、CaO2重量%及びMgO
2重量%からなる混合粉末100重量部に対してブチラ
ール樹脂12重量部及びジブチルフタレート(DBP)
6重量部を添加し、有機溶剤中で混合してスラリーと
し、ドクタープレートを用いて形成されたグリーンシー
トであり、この内、グリーンシート30は第1の絶縁性
セラミック層1aとなるものであり、グリーンシート3
1,32,33は各々第2の絶縁性セラミック層1b,
1c,1dとなるものである。グリーンシート30は厚
さ1mm、グリーンシート31は厚さ0.2mm、グリーン
シート32及び33は厚さ0.8mmに予め作成されたも
のである。また34乃至40はPtに対し7%のAl2
O3を添加した白金ペーストで厚膜印刷したパターンで
あって導電体に相当し、34,35,36は検出素子2
又はサーミスタ素子3の電極となる電極パターン、37
は検出素子2を加熱するためのヒータとなる発熱抵抗体
パターン、38,39,40は発熱抵抗体パターン3
7、検出素子2又サーミスタ素子3に電源を印加あるい
は検出信号を抽出するための電極端子パターンである。
本ガス検出器1の製造は、第4図(イ)及びそのA−A
線端面図(ロ)に示す如く、まず第1の絶縁性セラミッ
ク層1aとなるグリーンシート30上に上記34乃至4
0の各パターンを白金ペーストで厚膜印刷することによ
り始められ、次いで第5図(イ)及びそのB−B線端面
図(ロ)に示す如く、電極パターン36の先端部分と電
極パターン35の中央部分とにかけて、チタン酸バリウ
ムや各種スピネル系セラミック材料のペーストにてサー
ミスタ素子用のパターン41を厚膜印刷する。更に電極
端子パターン38,39,40上に直径0.2mmの白金
リード線42,43,44が夫々配設される。
線端面図(ロ)に示す如く、まず第1の絶縁性セラミッ
ク層1aとなるグリーンシート30上に上記34乃至4
0の各パターンを白金ペーストで厚膜印刷することによ
り始められ、次いで第5図(イ)及びそのB−B線端面
図(ロ)に示す如く、電極パターン36の先端部分と電
極パターン35の中央部分とにかけて、チタン酸バリウ
ムや各種スピネル系セラミック材料のペーストにてサー
ミスタ素子用のパターン41を厚膜印刷する。更に電極
端子パターン38,39,40上に直径0.2mmの白金
リード線42,43,44が夫々配設される。
次に第6図(イ)、そのC−C線端面図(ロ)及びD−
D線端面図(ハ)から明らかな如く、第2の絶縁性セラ
ミック1bとなるグリーンシート31には電極パターン
34,35の先端部とサーミスタ素子のパターン41と
が各々露出するよう打ち抜きによって開口45,46が
形成され、電極パターン34,35の先端部とサーミス
タ素子パターン41の一部とを除く全てのパターンを覆
うべく、グリーンシート30上にグリーンシート31が
積層熱圧着される。
D線端面図(ハ)から明らかな如く、第2の絶縁性セラ
ミック1bとなるグリーンシート31には電極パターン
34,35の先端部とサーミスタ素子のパターン41と
が各々露出するよう打ち抜きによって開口45,46が
形成され、電極パターン34,35の先端部とサーミス
タ素子パターン41の一部とを除く全てのパターンを覆
うべく、グリーンシート30上にグリーンシート31が
積層熱圧着される。
続いて第7図(イ)及びそのE−E線端面図(ロ)に示
す如く、上記作成された積層体のグリーンシート31上
に上記開口46と一致する開口47を有する第2の絶縁
性セラミック層1cとなるグリーンシート32が積層熱
圧着され、更に第8図(イ)及びそのF−F線端面図
(ロ)に示す如くグリーンシート32上に第2の絶縁性
セラミック層1dとなるグリーンシート33が階段状に
積層熱圧着される。
す如く、上記作成された積層体のグリーンシート31上
に上記開口46と一致する開口47を有する第2の絶縁
性セラミック層1cとなるグリーンシート32が積層熱
圧着され、更に第8図(イ)及びそのF−F線端面図
(ロ)に示す如くグリーンシート32上に第2の絶縁性
セラミック層1dとなるグリーンシート33が階段状に
積層熱圧着される。
このようにして、白金リード線42,43,44の一部
が突出され、電極パターン34,35の先端部とサーミ
スタ素子パターン41の一部とが露出された階段状の積
層板が作成されると、今度はこの積層板を1500℃の
大気中に2時間放置することによって焼成される。
が突出され、電極パターン34,35の先端部とサーミ
スタ素子パターン41の一部とが露出された階段状の積
層板が作成されると、今度はこの積層板を1500℃の
大気中に2時間放置することによって焼成される。
その後第9図(イ)及びそのG−G線端面図(ロ)に示
す如く、上記焼成されたセラミック基板の開口45にガ
ス検出素子2を設けることとなるのであるが、このガス
検出素子2は平均粒径1.2μmのTiO2粉末100
モル部に対し1モル部の白金ブラックを添加し、更に全
粉末に対して3重量%のエチルセルロースを添加しブチ
ルカルビトール[2−(2−ブトキシエトキシ)エタノ
ールの商品名]中で混合し300ポイズに粘度調整した
TiO2ペーストを、開口45を充塞しかつ電極パター
ン34,35の先端に被着するよう厚膜印刷した後、1
200℃の大気中に1時間放置して焼き付けることによ
って形成される。尚、このガス検出素子2のシート31
外表面からの突出部分の突出寸法は前記積層焼結された
グリーンシート32の厚さより小さくされており0.3
mm以下となっている。
す如く、上記焼成されたセラミック基板の開口45にガ
ス検出素子2を設けることとなるのであるが、このガス
検出素子2は平均粒径1.2μmのTiO2粉末100
モル部に対し1モル部の白金ブラックを添加し、更に全
粉末に対して3重量%のエチルセルロースを添加しブチ
ルカルビトール[2−(2−ブトキシエトキシ)エタノ
ールの商品名]中で混合し300ポイズに粘度調整した
TiO2ペーストを、開口45を充塞しかつ電極パター
ン34,35の先端に被着するよう厚膜印刷した後、1
200℃の大気中に1時間放置して焼き付けることによ
って形成される。尚、このガス検出素子2のシート31
外表面からの突出部分の突出寸法は前記積層焼結された
グリーンシート32の厚さより小さくされており0.3
mm以下となっている。
このようにして作成されたガス検出器1の外部に突出さ
れた白金リード線42,43,44と端子21,22,
23との接続は、第10図に示す如く、厚さ0.3mmの
ニッケル板にエッチング加工によって一体形成された端
子21,22,23を、白金リード線42,43,44
に夫々配設し、溶接することによって行なわれる。尚、
この端子21,22,23が一体形成されたニッケル板
はガス検出器1が主体金具4に固定され、その後ガス検
出器1の基板の一部及び白金リード線42,43,44
と端子21,22,23との接合部分がガラスシール9
によって保護され、内筒6内に固定された後に所定の長
さに切断される。また、第10図における(イ)は本ガ
ス検出器1の正面図、(ロ)はその右側面図を示してい
る。
れた白金リード線42,43,44と端子21,22,
23との接続は、第10図に示す如く、厚さ0.3mmの
ニッケル板にエッチング加工によって一体形成された端
子21,22,23を、白金リード線42,43,44
に夫々配設し、溶接することによって行なわれる。尚、
この端子21,22,23が一体形成されたニッケル板
はガス検出器1が主体金具4に固定され、その後ガス検
出器1の基板の一部及び白金リード線42,43,44
と端子21,22,23との接合部分がガラスシール9
によって保護され、内筒6内に固定された後に所定の長
さに切断される。また、第10図における(イ)は本ガ
ス検出器1の正面図、(ロ)はその右側面図を示してい
る。
以上説明した如く、本実施例においては、導電体である
電極パターン34,35,36、電極端子パターン4
0,38,39及びヒータが全て、Al2O3を主成分
とする絶縁性のセラミック層31、ガス検出素子2及び
サーミスタ素子3で覆われているため、検出器の表面に
カーボンが付着してもショートや検出異常を生じない。
又、サーミスタ素子3(41)が完全にガス検出素子2
とはAl2O3にて隔離されているため、ガス検出素子
2にPt含有液を浸透させ、触媒効果により、その感度
を向上させようとした場合に、Ptのサーミスタ素子3
への移行が防止される。そのため、サーミスタ素子3の
特性がPtにより影響を受けるのを防止することができ
る。更に、サーミスタ素子3は開口46,47により、
ガス検出器焼成後にトリミングして抵抗値を調整するこ
とが可能である。又、トリミングの後、開口46,47
をガラスあるいはガラスとセラミックとからなるポーラ
スフィルタで封止してもよい。ガス検出器1の検出素子
2側基板面が階段状に形成されていると、第11図に示
すようにスペーサ7を本ガス検出器1に取り付ける際に
はグリーンシート32が焼成された第2の絶縁性セラミ
ック層1cとグリーンシート33が焼成された第2の絶
縁性セラミック層1dとの段差部分にて確実に位置決め
が行なえるようになる。また、ガス検出器1とスペーサ
7とを嵌合させて酸素センサ中間組立体を形成する場合
には、スペーサ7を、ガス検出器1の先端側から第1の
絶縁性セラミック層1aの裏側にそって、スペーサ7の
孔の内面を当接させながらガス検出器1の元側に向けて
滑らせ、嵌合部分まで移動させ嵌合させるが、このガス
検出器1のスペーサ7嵌合部分(孔部分)は、検出素子
2の部分の厚み以上の幅寸法を有するので、検出素子2
を傷つけることなく取付けることができるようになる。
従って本ガス検出器1の主体金具4取付作業の作業効率
は向上され、検出素子2の損傷も防止できることとな
る。
電極パターン34,35,36、電極端子パターン4
0,38,39及びヒータが全て、Al2O3を主成分
とする絶縁性のセラミック層31、ガス検出素子2及び
サーミスタ素子3で覆われているため、検出器の表面に
カーボンが付着してもショートや検出異常を生じない。
又、サーミスタ素子3(41)が完全にガス検出素子2
とはAl2O3にて隔離されているため、ガス検出素子
2にPt含有液を浸透させ、触媒効果により、その感度
を向上させようとした場合に、Ptのサーミスタ素子3
への移行が防止される。そのため、サーミスタ素子3の
特性がPtにより影響を受けるのを防止することができ
る。更に、サーミスタ素子3は開口46,47により、
ガス検出器焼成後にトリミングして抵抗値を調整するこ
とが可能である。又、トリミングの後、開口46,47
をガラスあるいはガラスとセラミックとからなるポーラ
スフィルタで封止してもよい。ガス検出器1の検出素子
2側基板面が階段状に形成されていると、第11図に示
すようにスペーサ7を本ガス検出器1に取り付ける際に
はグリーンシート32が焼成された第2の絶縁性セラミ
ック層1cとグリーンシート33が焼成された第2の絶
縁性セラミック層1dとの段差部分にて確実に位置決め
が行なえるようになる。また、ガス検出器1とスペーサ
7とを嵌合させて酸素センサ中間組立体を形成する場合
には、スペーサ7を、ガス検出器1の先端側から第1の
絶縁性セラミック層1aの裏側にそって、スペーサ7の
孔の内面を当接させながらガス検出器1の元側に向けて
滑らせ、嵌合部分まで移動させ嵌合させるが、このガス
検出器1のスペーサ7嵌合部分(孔部分)は、検出素子
2の部分の厚み以上の幅寸法を有するので、検出素子2
を傷つけることなく取付けることができるようになる。
従って本ガス検出器1の主体金具4取付作業の作業効率
は向上され、検出素子2の損傷も防止できることとな
る。
尚、上記作成された酸素センサにおいては、第12図
(イ)に示した回路に相当するので、リード線13,1
5間に加熱用の電源を印加することによって発熱抵抗体
パターン37を加熱し、検出素子2を活性化させ、、リ
ード線14,15間の抵抗値Rtとリード線13,14
間の抵抗値Rgを検出し、両者Rt,Rgよりガス検出
素子2とサーミスタ素子3との抵抗値を各々求め、ガス
検出素子2の抵抗値をサーミスタ素子3の抵抗値にて補
正することによって温度補償した酸素濃度が検出できる
ようになる。第12図(ロ)は、ガス検出素子2とサー
ミスタ素子3との空燃比による抵抗値を温度を変えて検
出したグラフを表わす。各温度t1〜t3における斜目
の曲線がガス検出素子2の抵抗値であり、水平な直線が
サーミスタ素子3の抵抗値である。これからわかるごと
く、温度の変化を生じても、両抵抗値の相対的関係はほ
ぼ同一であり、サーミスタ素子3の抵抗値にて補正すれ
ば、温度補償は可能であることを示す。
(イ)に示した回路に相当するので、リード線13,1
5間に加熱用の電源を印加することによって発熱抵抗体
パターン37を加熱し、検出素子2を活性化させ、、リ
ード線14,15間の抵抗値Rtとリード線13,14
間の抵抗値Rgを検出し、両者Rt,Rgよりガス検出
素子2とサーミスタ素子3との抵抗値を各々求め、ガス
検出素子2の抵抗値をサーミスタ素子3の抵抗値にて補
正することによって温度補償した酸素濃度が検出できる
ようになる。第12図(ロ)は、ガス検出素子2とサー
ミスタ素子3との空燃比による抵抗値を温度を変えて検
出したグラフを表わす。各温度t1〜t3における斜目
の曲線がガス検出素子2の抵抗値であり、水平な直線が
サーミスタ素子3の抵抗値である。これからわかるごと
く、温度の変化を生じても、両抵抗値の相対的関係はほ
ぼ同一であり、サーミスタ素子3の抵抗値にて補正すれ
ば、温度補償は可能であることを示す。
次に本発明の第2実施例について説明する。本実施例に
おいては、ガス検出器のみ異なり、他は第1実施例と同
じである。本実施例中のガス検出器51をその組立手順
により説明する。
おいては、ガス検出器のみ異なり、他は第1実施例と同
じである。本実施例中のガス検出器51をその組立手順
により説明する。
ガス検出器51は第13図乃至第18図に示す如き手順
に従って作成される。尚第13図乃至第18図におい
て、(イ)は本ガス検出器51の組立て工程における正
面図、(ロ)及び(ハ)はその断面図を夫々示してい
る。
に従って作成される。尚第13図乃至第18図におい
て、(イ)は本ガス検出器51の組立て工程における正
面図、(ロ)及び(ハ)はその断面図を夫々示してい
る。
ここで上記第13図乃至第18図の各図において、グリ
ーンシート80乃至83は第1実施例のグリーンシート
30乃至33と全く同じ組成で同じ工程にて同じ厚さに
形成されたものである。この内、グリーンシート80は
第1の絶縁性セラミック層80aとなるものであり、グ
リーンシート81,82,83は各々第2の絶縁性セラ
ミック層81a,82a,83aとなるものである。更
に各パターン84乃至90も第1実施例の各パターン3
4乃至40と全く同じ組成で同じ工程にて形成されたも
のである。
ーンシート80乃至83は第1実施例のグリーンシート
30乃至33と全く同じ組成で同じ工程にて同じ厚さに
形成されたものである。この内、グリーンシート80は
第1の絶縁性セラミック層80aとなるものであり、グ
リーンシート81,82,83は各々第2の絶縁性セラ
ミック層81a,82a,83aとなるものである。更
に各パターン84乃至90も第1実施例の各パターン3
4乃至40と全く同じ組成で同じ工程にて形成されたも
のである。
本ガス検出器51の製造は、第13図(イ)及びそのH
−H線端面図(ロ)に示す如く、まず第1の絶縁性セラ
ミック層80aとなるグリーンシート80上に上記84
乃至90の各パターンを白金ペーストで厚膜印刷するこ
とにより始められ、次いで第14図(イ)及びそのI−
I線端面図(ロ)に示す如く、電極パターン86の先端
部分と電極パターン85の中央部分とにかけて、チタン
酸バリウムや各種スピネル系セラミック材料のペースト
にてサーミスタ素子用のパターン91を厚膜印刷する。
更に電極端子パターン88,89,90上に直径0.2
mmの白金リード線92,93,94が夫々配設される。
−H線端面図(ロ)に示す如く、まず第1の絶縁性セラ
ミック層80aとなるグリーンシート80上に上記84
乃至90の各パターンを白金ペーストで厚膜印刷するこ
とにより始められ、次いで第14図(イ)及びそのI−
I線端面図(ロ)に示す如く、電極パターン86の先端
部分と電極パターン85の中央部分とにかけて、チタン
酸バリウムや各種スピネル系セラミック材料のペースト
にてサーミスタ素子用のパターン91を厚膜印刷する。
更に電極端子パターン88,89,90上に直径0.2
mmの白金リード線92,93,94が夫々配設される。
次に第15図(イ),そのJ−J線端面図(ロ)及びK
−K線端面図(ハ)から明らかな如く、第2の絶縁性セ
ラミック層81aとなるグリーンシート81には電極パ
ターン84,85の先端部とサーミスタ素子のパターン
91との両者が露出するよう打ち抜きによって開口95
が形成され、電極パターン84,85の先端部とサーミ
スタ素子パターン91の一部とを除く全てのパターンを
覆うべく、グリーンシート80上にグリーンシート81
が積層熱圧着される。
−K線端面図(ハ)から明らかな如く、第2の絶縁性セ
ラミック層81aとなるグリーンシート81には電極パ
ターン84,85の先端部とサーミスタ素子のパターン
91との両者が露出するよう打ち抜きによって開口95
が形成され、電極パターン84,85の先端部とサーミ
スタ素子パターン91の一部とを除く全てのパターンを
覆うべく、グリーンシート80上にグリーンシート81
が積層熱圧着される。
続いて第16図(イ)及びそのL−L線端面図(ロ)に
示す如く、上記作成された積層体のグリーンシート81
上に第2の絶縁性セラミック層82aとなるグリーンシ
ート82が積層熱圧着され、更に第17図(イ)及びそ
のM−M線端面図(ロ)に示す如くグリーンシート82
上に第2の絶縁性セラミック層83aとなるグリーンシ
ート83が階段状に積層熱圧着される。
示す如く、上記作成された積層体のグリーンシート81
上に第2の絶縁性セラミック層82aとなるグリーンシ
ート82が積層熱圧着され、更に第17図(イ)及びそ
のM−M線端面図(ロ)に示す如くグリーンシート82
上に第2の絶縁性セラミック層83aとなるグリーンシ
ート83が階段状に積層熱圧着される。
このようにして、白金リード線92,93,94の一部
が突出され、電極パターン84,85の先端部とサーミ
スタ素子パターン91の一部とが露出された階段状の積
層板が作成されると、今度はこの積層板を1500℃の
大気中に2時間放置することによって焼成される。
が突出され、電極パターン84,85の先端部とサーミ
スタ素子パターン91の一部とが露出された階段状の積
層板が作成されると、今度はこの積層板を1500℃の
大気中に2時間放置することによって焼成される。
その後第18図(イ)及びそのN−N線端面図(ロ)に
示す如く、上記焼成されたセラミック基板の開口95と
露出しているグリーンシート81の全面にガス検出素子
97を設けることとなる。このガス検出素子97は第1
実施例と同じ組成のペーストを用い、開口95を充塞し
かつ電極パターン84,85の先端と焼成後サーミスタ
素子98となるサーミスタ素子パターン91の一部とに
被着し、更にグリーンシート81の露出している部分に
被着するよう厚膜印刷した後、1200℃の大気中に1
時間放置して焼き付けることによって形成される。尚、
このガス検出素子97のシート81外表面からの盛り上
りの厚さは前記積層焼結されたグリーンシート82の厚
さより小さくされており0.3mm以下となっている。
示す如く、上記焼成されたセラミック基板の開口95と
露出しているグリーンシート81の全面にガス検出素子
97を設けることとなる。このガス検出素子97は第1
実施例と同じ組成のペーストを用い、開口95を充塞し
かつ電極パターン84,85の先端と焼成後サーミスタ
素子98となるサーミスタ素子パターン91の一部とに
被着し、更にグリーンシート81の露出している部分に
被着するよう厚膜印刷した後、1200℃の大気中に1
時間放置して焼き付けることによって形成される。尚、
このガス検出素子97のシート81外表面からの盛り上
りの厚さは前記積層焼結されたグリーンシート82の厚
さより小さくされており0.3mm以下となっている。
このようにして作成されたガス検出器51の外部に突出
された白金リード線92,93,94と端子21,2
2,23との接続は第1実施例と同様になされる。本実
施例の酸素センサは第1実施例とはPt浸透防止及び焼
成後のトリミングの効果を除いては同様な効果を有する
ことに加えて、開口95が1つであり、その充塞工程が
簡素化されるという効果も生ずる。
された白金リード線92,93,94と端子21,2
2,23との接続は第1実施例と同様になされる。本実
施例の酸素センサは第1実施例とはPt浸透防止及び焼
成後のトリミングの効果を除いては同様な効果を有する
ことに加えて、開口95が1つであり、その充塞工程が
簡素化されるという効果も生ずる。
上述した両実施例とも第2の絶縁性セラミック層は3層
から構成されているが、1つの層のみでもカーボン等の
付着によるショートや検出異常防止には十分効果を発揮
する。
から構成されているが、1つの層のみでもカーボン等の
付着によるショートや検出異常防止には十分効果を発揮
する。
また、酸素センサ中間組立体のガス検出素子の担持部分
の昇温性をよく保持することができ、更に、スペーサの
組み付け作業の際にガス検出素子を痛めることもない。
また、サーミスタによる温度補償性にも優れて、その
上、開口にてサーミスタのトリミングも可能である。
の昇温性をよく保持することができ、更に、スペーサの
組み付け作業の際にガス検出素子を痛めることもない。
また、サーミスタによる温度補償性にも優れて、その
上、開口にてサーミスタのトリミングも可能である。
[発明の効果] 以上詳述した如く、第1の発明及び第2の発明の酸素セ
ンサ中間組立体においては、ガス検出素子の担持部分の
昇温性が向上する。また、サーミスタによる温度補償性
に優れ、開口にてトリミングも容易に行なうことができ
る。更に、スペーサの組み付け作業の際にガス検出素子
を痛めることもないという顕著な利点がある。
ンサ中間組立体においては、ガス検出素子の担持部分の
昇温性が向上する。また、サーミスタによる温度補償性
に優れ、開口にてトリミングも容易に行なうことができ
る。更に、スペーサの組み付け作業の際にガス検出素子
を痛めることもないという顕著な利点がある。
第1図乃至第12図は本発明のガス検出器が内燃機関排
気中の酸素濃度を検出する酸素センサに適用された第1
実施例を示しており、第1図(イ)は本酸素センサの構
造全体の正面部分破断図、(ロ)はその右側面部分破断
図、第2図は内筒内に固定されたガス検出器の端子部分
の部分破断図、第3図はその端子に接続されるリード線
の外筒取付構造の部分破断図、第4図乃至第9図はガス
検出器1の組立て手順を示し、各図において夫々(イ)
は正面図、(ロ)及び(ハ)は端面図、第10図はガス
検出器1の端子の接続を示し、(イ)は正面図、(ロ)
は右側面図、第11図はガス検出器1にスペーサ7を取
付けた斜視図、第12図(イ)は本実施例の回路図、
(ロ)はサーミスタ素子3による温度補償を示すグラ
フ、第13図乃至第18図は本発明のガス検出器が内燃
機関排気中の酸素濃度を検出する酸素センサに適用され
た第2の実施例のガス検出器51の組立て手順を示し、
各図において夫々(イ)は正面図、(ロ)及び(ハ)は
端面図を表わす。 2,97……ガス検出素子 3,98……サーミスタ素子 1a,80a……第1の絶縁性セラミック層 30,80……焼結後第1の絶縁性セラミック層となる
グリーンシート 1b,1c,1d,81a,82a,83a……第2の
絶縁性セラミック層 31,32,33,81,82,83……焼結後第2の
絶縁性セラミック層となるグリーンシート 34,35,36,84,85,86……電極パターン 38,39,40,88,89,90……電極端子パタ
ーン 37,87……ヒータ
気中の酸素濃度を検出する酸素センサに適用された第1
実施例を示しており、第1図(イ)は本酸素センサの構
造全体の正面部分破断図、(ロ)はその右側面部分破断
図、第2図は内筒内に固定されたガス検出器の端子部分
の部分破断図、第3図はその端子に接続されるリード線
の外筒取付構造の部分破断図、第4図乃至第9図はガス
検出器1の組立て手順を示し、各図において夫々(イ)
は正面図、(ロ)及び(ハ)は端面図、第10図はガス
検出器1の端子の接続を示し、(イ)は正面図、(ロ)
は右側面図、第11図はガス検出器1にスペーサ7を取
付けた斜視図、第12図(イ)は本実施例の回路図、
(ロ)はサーミスタ素子3による温度補償を示すグラ
フ、第13図乃至第18図は本発明のガス検出器が内燃
機関排気中の酸素濃度を検出する酸素センサに適用され
た第2の実施例のガス検出器51の組立て手順を示し、
各図において夫々(イ)は正面図、(ロ)及び(ハ)は
端面図を表わす。 2,97……ガス検出素子 3,98……サーミスタ素子 1a,80a……第1の絶縁性セラミック層 30,80……焼結後第1の絶縁性セラミック層となる
グリーンシート 1b,1c,1d,81a,82a,83a……第2の
絶縁性セラミック層 31,32,33,81,82,83……焼結後第2の
絶縁性セラミック層となるグリーンシート 34,35,36,84,85,86……電極パターン 38,39,40,88,89,90……電極端子パタ
ーン 37,87……ヒータ
Claims (4)
- 【請求項1】測定ガスの成分及びその濃度によって電気
抵抗値の変化するガス検出素子と該素子の温度依存性を
補償するサーミスタ素子と両素子に接続している導電体
とが表面に設けられた第1の絶縁性セラミック層と、上
記第1の絶縁性セラミック層上に、上記導電体を覆うと
ともに少なくとも上記ガス検出素子の一部を測定ガスに
露出せしめて積層される第2の絶縁性セラミック層と、
を備えたガス検出器と、 上記ガス検出器が嵌合する孔が設けられたスペーサと、 からなる酸素センサ中間組立体において、 上記第2の絶縁性セラミック層に上記ガス検出素子の露
呈する開口を設けるとともに、該開口又は同層で他に設
けた開口にて上記サーミスタ素子を露呈させ、 上記第2の絶縁性セラミック層の元側部に厚肉となる段
差を設けることにより、 上記ガス検出器のガス検出素子を担持する先端側を薄肉
とし、 かつ上記段差によって厚肉とされたガス検出器の元側を
上記スペーサの孔と嵌合する嵌合部とすることを特徴と
する酸素センサ中間組立体。 - 【請求項2】測定ガスの成分及びその濃度によって電気
抵抗値の変化するガス検出素子と該素子の温度依存性を
補償するサーミスタ素子と両素子に接続している導電体
とが表面に設けられた第1の絶縁性セラミック層と、上
記第1の絶縁性セラミック層上に、上記導電体を覆うと
ともに少なくとも上記ガス検出素子の一部を測定ガスに
露出せしめて積層される第2の絶縁性セラミック層と、
を備えたガス検出器と、 上記ガス検出器が嵌合する孔が設けられたスペーサと、 からなる酸素センサ中間組立体において、 上記第2の絶縁性セラミック層に上記ガス検出素子の露
呈する開口を設けるとともに、該開口又は同層で他に設
けた開口にて上記サーミスタ素子を露呈させ、 上記第2の絶縁性セラミック層の元側部に元側に向けて
順次厚肉となる第1及び第2の段差を設けることによ
り、 上記ガス検出器のガス検出素子を担持する先端側を薄肉
とし、 かつ上記第1の段差によって中間の厚肉部とされたガス
検出器の中間部分を上記スペーサの孔と嵌合する嵌合部
とするとともに、 上記第2の段差の段差部分を上記スペーサの係止部とす
ることを特徴とする酸素センサ中間組立体。 - 【請求項3】上記開口が第2の絶縁性セラミック層の厚
肉部に設けられた特許請求の範囲第1項記載の酸素セン
サ中間組立体。 - 【請求項4】上記開口が第2の絶縁性セラミック層の中
間の厚肉部に設けられた特許請求の範囲第2項記載の酸
素センサ中間組立体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60003760A JPH0617885B2 (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 酸素センサ中間組立体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60003760A JPH0617885B2 (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 酸素センサ中間組立体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61162740A JPS61162740A (ja) | 1986-07-23 |
| JPH0617885B2 true JPH0617885B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=11566130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60003760A Expired - Lifetime JPH0617885B2 (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 酸素センサ中間組立体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0617885B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57194345A (en) * | 1981-05-25 | 1982-11-29 | Nippon Soken Inc | Gas component detector |
| JPS5926046A (ja) * | 1982-08-04 | 1984-02-10 | Fuigaro Giken Kk | ガス検出素子 |
| JPS60113548U (ja) * | 1984-01-06 | 1985-08-01 | 日本特殊陶業株式会社 | ガス検出器 |
| JPH0444627A (ja) * | 1990-06-11 | 1992-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1985
- 1985-01-11 JP JP60003760A patent/JPH0617885B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61162740A (ja) | 1986-07-23 |
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