JPH06183742A - 超電導複合体及びその製造法 - Google Patents
超電導複合体及びその製造法Info
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- JPH06183742A JPH06183742A JP4337125A JP33712592A JPH06183742A JP H06183742 A JPH06183742 A JP H06183742A JP 4337125 A JP4337125 A JP 4337125A JP 33712592 A JP33712592 A JP 33712592A JP H06183742 A JPH06183742 A JP H06183742A
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-
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 機械的強度が高く、超電導特性の低下を防止
した超電導複合体及びその製造法を提供する。 【構成】 Ni合金基板上に、焼成により該Ni合金基
板との反応層が生成されるSr−Ca−Cu酸化物層を
形成し、その上面に銀を主成分とした層を形成した後、
これらを逐次又は同時に一次焼成して一体化し、さらに
銀を主成分とした層の上面にBi系超電導体層を形成
し、次いで二次焼成して一体化する。
した超電導複合体及びその製造法を提供する。 【構成】 Ni合金基板上に、焼成により該Ni合金基
板との反応層が生成されるSr−Ca−Cu酸化物層を
形成し、その上面に銀を主成分とした層を形成した後、
これらを逐次又は同時に一次焼成して一体化し、さらに
銀を主成分とした層の上面にBi系超電導体層を形成
し、次いで二次焼成して一体化する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は超電導複合体及びその製
造法に関する。
造法に関する。
【0002】
【従来の技術】臨界温度が液体窒素の沸点を越える超電
導体の1つとしてビスマス(Bi)、ストロンチウム
(Sr)、カルシウム(Ca)及び銅(Cu)を主成分
とする複合酸化物が知られている。該超電導体の焼結体
を得る方法として、超電導体粉末を成形し、その分解溶
融温度未満の温度で焼成する方法又は超電導特性を低下
させる反応生成物を生成しない銀基板上に超電導体を焼
付け一体化する方法がある。
導体の1つとしてビスマス(Bi)、ストロンチウム
(Sr)、カルシウム(Ca)及び銅(Cu)を主成分
とする複合酸化物が知られている。該超電導体の焼結体
を得る方法として、超電導体粉末を成形し、その分解溶
融温度未満の温度で焼成する方法又は超電導特性を低下
させる反応生成物を生成しない銀基板上に超電導体を焼
付け一体化する方法がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら超電導体
をその分解溶融温度未満の温度で焼成すると焼結体がち
密にならず機械的強度が低いという欠点が生じる。分解
溶融温度以上の温度で焼成するには、所望の形状を有す
る銀基板、Ni合金基板等の基板と一体化することが不
可欠であるが、超電導特性を低下させない銀基板は機械
的強度が低いという欠点を有し、また液体窒素温度(7
7.3K)以下の極低温で使用されるNi合金基板を使
用し、その表面に直接超電導体層を形成すると超電導体
の超電導特性が低下し易くなるという欠点が生じる。
をその分解溶融温度未満の温度で焼成すると焼結体がち
密にならず機械的強度が低いという欠点が生じる。分解
溶融温度以上の温度で焼成するには、所望の形状を有す
る銀基板、Ni合金基板等の基板と一体化することが不
可欠であるが、超電導特性を低下させない銀基板は機械
的強度が低いという欠点を有し、また液体窒素温度(7
7.3K)以下の極低温で使用されるNi合金基板を使
用し、その表面に直接超電導体層を形成すると超電導体
の超電導特性が低下し易くなるという欠点が生じる。
【0004】本発明はかかる欠点を解決するための超電
導複合体及びその製造法を提供するものである。
導複合体及びその製造法を提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明はNi合金基板上
に、該Ni合金基板とSr−Ca−Cu酸化物との反応
層、Sr−Ca−Cu酸化物層、銀を主成分とした層及
びBi系超電導体層が形成された超電導複合体並びにN
i合金基板上に、焼成により該Ni合金基板との反応層
が生成されるSr−Ca−Cu酸化物層を形成し、その
上面に銀を主成分とした層を形成した後、これらを逐次
又は同時焼成して一体化し、さらに銀を主成分とした層
の上面にBi系超電導体層を形成し、次いで焼成して一
体化する超電導複合体の製造法に関する。
に、該Ni合金基板とSr−Ca−Cu酸化物との反応
層、Sr−Ca−Cu酸化物層、銀を主成分とした層及
びBi系超電導体層が形成された超電導複合体並びにN
i合金基板上に、焼成により該Ni合金基板との反応層
が生成されるSr−Ca−Cu酸化物層を形成し、その
上面に銀を主成分とした層を形成した後、これらを逐次
又は同時焼成して一体化し、さらに銀を主成分とした層
の上面にBi系超電導体層を形成し、次いで焼成して一
体化する超電導複合体の製造法に関する。
【0006】Bi系超電導体は、例えばBi、Sr、C
a及びCuを主成分とし、Bi:Sr:Ca:Cuの比
(原子比)が概略2:2:1:2又は2:2:2:3が
代表される組成であるが、Biの一部がPbで置換さ
れ、さらにPbが添加されたもの又はSr若しくはCa
の一部が他のアルカリ土類元素で置換されたものが適用
できる。
a及びCuを主成分とし、Bi:Sr:Ca:Cuの比
(原子比)が概略2:2:1:2又は2:2:2:3が
代表される組成であるが、Biの一部がPbで置換さ
れ、さらにPbが添加されたもの又はSr若しくはCa
の一部が他のアルカリ土類元素で置換されたものが適用
できる。
【0007】Ni合金基板としては、ステンレス、ハス
テロイ、インコネル等の名称で呼ばれるNiを含む合金
基板を示し、熱膨張係数が超電導体に近いものを用いる
ことが好ましい。
テロイ、インコネル等の名称で呼ばれるNiを含む合金
基板を示し、熱膨張係数が超電導体に近いものを用いる
ことが好ましい。
【0008】Sr−Ca−Cu酸化物は、その融点(液
相生成温度)がBi系超電導体の分解溶融温度より50
℃以上高いことが好ましく、100℃以上高ければさら
に好ましい。その組成は例えばSr:Ca:Cuの比
(原子比)が0.8:0.2:1、0.2:0.8:1
及び0.02:0.98:1であることが好ましい。ま
たSr−Cu及びCa−Cuの化合物を予め作製してお
き、これらを所望の比率で混合した後形成しても差しつ
かえない。
相生成温度)がBi系超電導体の分解溶融温度より50
℃以上高いことが好ましく、100℃以上高ければさら
に好ましい。その組成は例えばSr:Ca:Cuの比
(原子比)が0.8:0.2:1、0.2:0.8:1
及び0.02:0.98:1であることが好ましい。ま
たSr−Cu及びCa−Cuの化合物を予め作製してお
き、これらを所望の比率で混合した後形成しても差しつ
かえない。
【0009】Ni合金基板上に形成されるNi合金基板
とSr−Ca−Cu酸化物との反応層及びSr−Ca−
Cu酸化物層及び銀を主成分とした層の厚さは厳密に規
定するものではないが、例えばNi合金基板とSr−C
a−Cu酸化物との反応層及びSr−Ca−Cu酸化物
層の厚さは5〜50μm、銀を主成分とした層の厚さは
5〜30μm程度のものが用いられる。これらの層の形
成方法については何ら制限するものではなく、例えばス
クリーン印刷法、スプレー塗布法、電着法、浸漬法、グ
リーンシート法等の方法で行うことができる。また銀を
主成分とした層を形成する材料としては、銀単体でもよ
く、銀に金、白金、銅、パラジウム、ロジウム等の金属
を少量添加したものを用いることができる。
とSr−Ca−Cu酸化物との反応層及びSr−Ca−
Cu酸化物層及び銀を主成分とした層の厚さは厳密に規
定するものではないが、例えばNi合金基板とSr−C
a−Cu酸化物との反応層及びSr−Ca−Cu酸化物
層の厚さは5〜50μm、銀を主成分とした層の厚さは
5〜30μm程度のものが用いられる。これらの層の形
成方法については何ら制限するものではなく、例えばス
クリーン印刷法、スプレー塗布法、電着法、浸漬法、グ
リーンシート法等の方法で行うことができる。また銀を
主成分とした層を形成する材料としては、銀単体でもよ
く、銀に金、白金、銅、パラジウム、ロジウム等の金属
を少量添加したものを用いることができる。
【0010】最表面(最外層)に形成されるBi系超電
導体層の厚さは、用途又はその特性によって変るので特
に制限はない。焼成して一体化する条件は、一次焼成及
び二次焼成共に個々の材料によって異なるので各々の焼
成に適した条件であれば特に制限はない。また焼成雰囲
気についても特に制限はないが、Sr−Ca−Cu酸化
物層及び銀を主成分とした層を形成する場合には、酸素
濃度が10%未満の窒素雰囲気中又は窒素雰囲気中で焼
成することができる。特に窒素雰囲気中で焼成すればN
i合金の酸化が防止し易いので好ましい。この場合30
0℃未満の低温では酸素を5〜10%程度含有させ、徐
々に昇温させることによりNi合金基板上に形成された
層に含まれる有機バインダの分解をスムーズに進めるこ
とが好ましい。
導体層の厚さは、用途又はその特性によって変るので特
に制限はない。焼成して一体化する条件は、一次焼成及
び二次焼成共に個々の材料によって異なるので各々の焼
成に適した条件であれば特に制限はない。また焼成雰囲
気についても特に制限はないが、Sr−Ca−Cu酸化
物層及び銀を主成分とした層を形成する場合には、酸素
濃度が10%未満の窒素雰囲気中又は窒素雰囲気中で焼
成することができる。特に窒素雰囲気中で焼成すればN
i合金の酸化が防止し易いので好ましい。この場合30
0℃未満の低温では酸素を5〜10%程度含有させ、徐
々に昇温させることによりNi合金基板上に形成された
層に含まれる有機バインダの分解をスムーズに進めるこ
とが好ましい。
【0011】
【作用】本発明はNi合金基板上に、該Ni合金基板と
Sr−Ca−Cu酸化物との反応層、Sr−Ca−Cu
酸化物層、銀を主成分とした層及びBi系超電導体層を
形成することにより、Ni合金基板とBi系超電導体層
とが直接反応することを防止することができるので超電
導特性の低下が防止できる。
Sr−Ca−Cu酸化物との反応層、Sr−Ca−Cu
酸化物層、銀を主成分とした層及びBi系超電導体層を
形成することにより、Ni合金基板とBi系超電導体層
とが直接反応することを防止することができるので超電
導特性の低下が防止できる。
【0012】
【実施例】以下本発明の実施例を説明する。 実施例1 ビスマス、鉛、ストロンチウム、カルシウム及び銅の比
率が原子比で表1に示す組成になるように、三酸化ビス
マス(高純度化学研究所製、純度99.9%)、一酸化
鉛(黄色)(和光純薬製、試薬特級)、炭酸ストロンチ
ウム(レアメタリック社製、純度99.9%)、炭酸カ
ルシウム(高純度化学研究所製、純度99.9%)及び
酸化第二銅(高純度化学研究所製、純度99.9%)を
秤量し、出発原料とした。
率が原子比で表1に示す組成になるように、三酸化ビス
マス(高純度化学研究所製、純度99.9%)、一酸化
鉛(黄色)(和光純薬製、試薬特級)、炭酸ストロンチ
ウム(レアメタリック社製、純度99.9%)、炭酸カ
ルシウム(高純度化学研究所製、純度99.9%)及び
酸化第二銅(高純度化学研究所製、純度99.9%)を
秤量し、出発原料とした。
【0013】
【表1】
【0014】次に上記の出発原料を合成樹脂製のボール
ミル内に合成樹脂で被覆した鋼球ボール及びメタノール
と共に充てんし、毎分50回転の条件で60時間湿式混
合及び粉砕した。この後、粉砕物をボールミルから取り
出して、100℃で24時間乾燥し、さらにこれをアル
ミナ製の焼板にのせ電気炉を用いて大気中、800℃で
24時間焼成した。なお試料No.1及びNo.2は1
000℃で20時間の焼成を追加した。
ミル内に合成樹脂で被覆した鋼球ボール及びメタノール
と共に充てんし、毎分50回転の条件で60時間湿式混
合及び粉砕した。この後、粉砕物をボールミルから取り
出して、100℃で24時間乾燥し、さらにこれをアル
ミナ製の焼板にのせ電気炉を用いて大気中、800℃で
24時間焼成した。なお試料No.1及びNo.2は1
000℃で20時間の焼成を追加した。
【0015】冷却後乳鉢で粗粉砕し、さらに粉砕物を合
成樹脂製ボールミル内にジルコニア製ボール及びメタノ
ールと共に充てんし、毎分50回転の条件で48時間湿
式粉砕し、乾燥して各粉末を得た。
成樹脂製ボールミル内にジルコニア製ボール及びメタノ
ールと共に充てんし、毎分50回転の条件で48時間湿
式粉砕し、乾燥して各粉末を得た。
【0016】この後試料No.3及びNo.4の粉末に
ついてのみアルミナ製焼板にのせ、電気炉を用いて体積
比でO2:N2=1:20の低酸素雰囲気中で、試料N
o.3は860℃及び試料No.4は850℃で各々3
0時間加熱してビスマス系超電導体を得た。次いで該ビ
スマス系超電導体を乳鉢で粗粉砕し、さらに粉砕物を合
成樹脂製ボールミル内にジルコニア製ボール及びメタノ
ールと共に充てんし、毎分50回転の条件で48時間湿
式粉砕し、乾燥して粉末を得た。
ついてのみアルミナ製焼板にのせ、電気炉を用いて体積
比でO2:N2=1:20の低酸素雰囲気中で、試料N
o.3は860℃及び試料No.4は850℃で各々3
0時間加熱してビスマス系超電導体を得た。次いで該ビ
スマス系超電導体を乳鉢で粗粉砕し、さらに粉砕物を合
成樹脂製ボールミル内にジルコニア製ボール及びメタノ
ールと共に充てんし、毎分50回転の条件で48時間湿
式粉砕し、乾燥して粉末を得た。
【0017】次に上記で得た試料No.1〜No.4の
各粉末100gにメチルセルロース(和光純薬製)12
g及びフタル酸ジブチル(和光純薬製)6gを添加し、
これにテルピネオール(和光純薬製)18g及びジエチ
レングリコールモノブチルエーテル18gを加えて均一
に混合してペースト状にした。得られたペーストの半分
をベーカーアプリケータを用いてグリーンシートを得
た。なおグリーンシートの厚さは、試料No.1及びN
o.2の粉末を用いたものは各々25±5μm並びに試
料No.3及びNo.4の粉末を用いたものは各々15
0±20μmの厚さのものを得た。なおベースフィルム
は、離型剤処理した厚さ50μmのポリエステルフィル
ムを用いた。
各粉末100gにメチルセルロース(和光純薬製)12
g及びフタル酸ジブチル(和光純薬製)6gを添加し、
これにテルピネオール(和光純薬製)18g及びジエチ
レングリコールモノブチルエーテル18gを加えて均一
に混合してペースト状にした。得られたペーストの半分
をベーカーアプリケータを用いてグリーンシートを得
た。なおグリーンシートの厚さは、試料No.1及びN
o.2の粉末を用いたものは各々25±5μm並びに試
料No.3及びNo.4の粉末を用いたものは各々15
0±20μmの厚さのものを得た。なおベースフィルム
は、離型剤処理した厚さ50μmのポリエステルフィル
ムを用いた。
【0018】一方平均粒径が0.7μmの銀粉(田中マ
ッセイ製、商品名AY−6080)を用いて、上記と同
様の材料を上記と同量配合し、均一に混合してペースト
状にした。得られた銀ペーストの半分をベーカーアプリ
ケータを用いて厚さが25±5μmの銀のグリーンシー
トを得た。
ッセイ製、商品名AY−6080)を用いて、上記と同
様の材料を上記と同量配合し、均一に混合してペースト
状にした。得られた銀ペーストの半分をベーカーアプリ
ケータを用いて厚さが25±5μmの銀のグリーンシー
トを得た。
【0019】この後厚さ2mmのステンレス板(SUS
316)上に、試料No.1の粉末を用いたペーストを
塗布し、乾燥して厚さ30μmの層とした。さらにこの
上面に銀ペーストを塗布し、乾燥して厚さ20μmの層
とした。次いで酸素濃度が10%の窒素気流中で300
℃まで9時間で昇温して有機物を分解除去した後、窒素
雰囲気気流中で1020℃まで10時間で昇温し、10
20℃で2時間保持(一次焼成)した後、室温まで12
時間で冷却した。
316)上に、試料No.1の粉末を用いたペーストを
塗布し、乾燥して厚さ30μmの層とした。さらにこの
上面に銀ペーストを塗布し、乾燥して厚さ20μmの層
とした。次いで酸素濃度が10%の窒素気流中で300
℃まで9時間で昇温して有機物を分解除去した後、窒素
雰囲気気流中で1020℃まで10時間で昇温し、10
20℃で2時間保持(一次焼成)した後、室温まで12
時間で冷却した。
【0020】次に銀の層の上面に試料No.3の粉末を
用いて得たグリーンシートを2枚重ねて80℃で熱圧着
した後、酸素濃度が5%の窒素気流中で300℃まで1
2時間で昇温し、300℃で2時間保持した後、870
℃まで6時間で昇温し、870℃で6時間保持(二次焼
成)してから室温まで12時間で冷却して超電導複合体
を得た。
用いて得たグリーンシートを2枚重ねて80℃で熱圧着
した後、酸素濃度が5%の窒素気流中で300℃まで1
2時間で昇温し、300℃で2時間保持した後、870
℃まで6時間で昇温し、870℃で6時間保持(二次焼
成)してから室温まで12時間で冷却して超電導複合体
を得た。
【0021】得られた超電導複合体を四端子法で電気抵
抗が0になる臨界温度(以下Tcとする)及び臨界電流
密度(以下Jcとする)を測定したところ、Tcは91
Kで、77KでのJcは8600A/cm2であった。
抗が0になる臨界温度(以下Tcとする)及び臨界電流
密度(以下Jcとする)を測定したところ、Tcは91
Kで、77KでのJcは8600A/cm2であった。
【0022】実施例2 厚さ2mmのインコネル板上に、重ねて40μmの厚さ
にした試料No.2の粉末を用いて得たグリーンシート
を80℃で熱圧着し、さらにその上面に実施例1で得た
厚さ30μmの銀のグリーンシートを重ねて80℃で熱
圧着した。次いで酸素濃度が10%の窒素気流中で30
0℃まで9時間で昇温して有機物を分解除去した後、窒
素雰囲気気流中で1020℃まで10時間で昇温し、1
020℃で2時間保持(一次焼成)した後、室温まで1
2時間で冷却した。
にした試料No.2の粉末を用いて得たグリーンシート
を80℃で熱圧着し、さらにその上面に実施例1で得た
厚さ30μmの銀のグリーンシートを重ねて80℃で熱
圧着した。次いで酸素濃度が10%の窒素気流中で30
0℃まで9時間で昇温して有機物を分解除去した後、窒
素雰囲気気流中で1020℃まで10時間で昇温し、1
020℃で2時間保持(一次焼成)した後、室温まで1
2時間で冷却した。
【0023】次に銀の層の上面に試料No.4の粉末を
用いて得たグリーンシートを3枚重ねて80℃で熱圧着
した後、酸素濃度が5%の窒素気流中で300℃まで1
2時間で昇温し、300℃で2時間保持した後875℃
まで6時間で昇温し、875℃で40時間保持(二次焼
成)してから室温まで20時間で冷却して超電導複合体
を得た。
用いて得たグリーンシートを3枚重ねて80℃で熱圧着
した後、酸素濃度が5%の窒素気流中で300℃まで1
2時間で昇温し、300℃で2時間保持した後875℃
まで6時間で昇温し、875℃で40時間保持(二次焼
成)してから室温まで20時間で冷却して超電導複合体
を得た。
【0024】得られた超電導複合体を四端子法でTc及
びJcを測定したところ、Tcは108Kで、77Kで
のJcは2100A/cm2であった。
びJcを測定したところ、Tcは108Kで、77Kで
のJcは2100A/cm2であった。
【0025】比較例1 実施例1と同様のステンレス板上に、試料No.3の粉
末を用いて得たグリーンシートを直接2枚重ねて80℃
で熱圧着した後、実施例1と同様の工程を経て超電導複
合体を得た。得られた超電導複合体を四端子法でTcを
測定したが77K以下であり、液体窒素温度では超電導
性を示さなかった。
末を用いて得たグリーンシートを直接2枚重ねて80℃
で熱圧着した後、実施例1と同様の工程を経て超電導複
合体を得た。得られた超電導複合体を四端子法でTcを
測定したが77K以下であり、液体窒素温度では超電導
性を示さなかった。
【0026】比較例2 実施例2と同様のインコネル板上に、試料No.4の粉
末を用いて得たグリーンシートを直接3枚重ねて90℃
で熱圧着した後、実施例2と同様の工程を経て超電導複
合体を得た。得られた超電導複合体を四端子法でTc及
びJcを測定したところ、Tcは77Kで、77Kでの
Jcは10A/cm2未満であった。
末を用いて得たグリーンシートを直接3枚重ねて90℃
で熱圧着した後、実施例2と同様の工程を経て超電導複
合体を得た。得られた超電導複合体を四端子法でTc及
びJcを測定したところ、Tcは77Kで、77Kでの
Jcは10A/cm2未満であった。
【0027】
【発明の効果】本発明になる超電導複合体は、機械的強
度が高く、超電導特性が低下せず、液体窒素温度で安定
した超電導性を示し、工業的に極めて好適な超電導複合
体である。
度が高く、超電導特性が低下せず、液体窒素温度で安定
した超電導性を示し、工業的に極めて好適な超電導複合
体である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01B 12/00 ZAA 7244−5G 13/00 565 D 7244−5G H01L 39/02 ZAA B 9276−4M 39/24 ZAA D 9276−4M
Claims (2)
- 【請求項1】 Ni合金基板上に、該Ni合金基板とS
r−Ca−Cu酸化物との反応層、Sr−Ca−Cu酸
化物層、銀を主成分とした層及びBi系超電導体層が形
成された超電導複合体。 - 【請求項2】 Ni合金基板上に、焼成により該Ni合
金基板との反応層が生成されるSr−Ca−Cu酸化物
層を形成し、その上面に銀を主成分とした層を形成した
後、これらを逐次又は同時に一次焼成して一体化し、さ
らに銀を主成分とした層の上面にBi系超電導体層を形
成し、次いで二次焼成して一体化することを特徴とする
超電導複合体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4337125A JPH06183742A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 超電導複合体及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4337125A JPH06183742A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 超電導複合体及びその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06183742A true JPH06183742A (ja) | 1994-07-05 |
Family
ID=18305681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4337125A Pending JPH06183742A (ja) | 1992-12-17 | 1992-12-17 | 超電導複合体及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06183742A (ja) |
-
1992
- 1992-12-17 JP JP4337125A patent/JPH06183742A/ja active Pending
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