JPH05303778A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH05303778A JPH05303778A JP4130196A JP13019692A JPH05303778A JP H05303778 A JPH05303778 A JP H05303778A JP 4130196 A JP4130196 A JP 4130196A JP 13019692 A JP13019692 A JP 13019692A JP H05303778 A JPH05303778 A JP H05303778A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録消去時の外部磁界（Ｈex）が小さく、Ｒ
Ｅ−ＴＭ（希土類遷移金属）非晶合金の耐酸化腐食性を
向上し、経時と共に膜の保磁力（Ｈｃ）や垂直磁気異方
性等の磁気特性の劣化がない光磁気記録体を提供するこ
と。 【構成】 透明な基板上に少なくとも干渉層、記録層、
保護層が順次形成された光磁気記録媒体において、該記
録層を特定の組成を下記一般式（Ｉ）で表わされる記録
層とする。 【化１】 また、前記干渉層及び保護層が少なくともＳｉまたはＮ
を含むＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎの２種以上の元素の組合せた化
合物から成ること。
Ｅ−ＴＭ（希土類遷移金属）非晶合金の耐酸化腐食性を
向上し、経時と共に膜の保磁力（Ｈｃ）や垂直磁気異方
性等の磁気特性の劣化がない光磁気記録体を提供するこ
と。 【構成】 透明な基板上に少なくとも干渉層、記録層、
保護層が順次形成された光磁気記録媒体において、該記
録層を特定の組成を下記一般式（Ｉ）で表わされる記録
層とする。 【化１】 また、前記干渉層及び保護層が少なくともＳｉまたはＮ
を含むＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎの２種以上の元素の組合せた化
合物から成ること。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光を用いて情報の
記録、再生、消去を行う光磁気ディスク等の光磁気記録
媒体に関するものであり、特に高感度化、低磁界での高
Ｃ／Ｎ化、及び高寿命化を目的とした光磁気記録媒体に
関する。
記録、再生、消去を行う光磁気ディスク等の光磁気記録
媒体に関するものであり、特に高感度化、低磁界での高
Ｃ／Ｎ化、及び高寿命化を目的とした光磁気記録媒体に
関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気ディスクはレーザ光を用いて情報
の記録、再生及び消去を行うため記憶容量が大きく、し
かも記録層に磁性膜を用いているため書換え可能であ
る。また、非接触で記録再生が出来、塵埃の影響も受け
ないことから信頼性に優れている。よって現在盛んに研
究開発が行われており、また、数年前に商品化されて以
来、光ファイルシステム等へ急速に展開されている。こ
の光磁気録記層（以下記録層と記す）の材料としてはＴ
ｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の
希土類−遷移金属（以下ＴＥ−ＴＭと記す）非晶質合金
が粒界ノイズが無く、スパッタリングを用いることによ
って容易に垂直磁化膜が得られることから現在最も多く
用いられている。また、光磁気記録媒体の構成として
は、レーザ光の記録再生効率を向上させるために記録層
上に反射層を設ける方式が提案されている（特公昭62-2
7458号公報)。この構成はカー効果とファラデー効果の
両方が利用出来るためＣ／Ｎやジッターマージンが大き
くとれるという点で優れている。
の記録、再生及び消去を行うため記憶容量が大きく、し
かも記録層に磁性膜を用いているため書換え可能であ
る。また、非接触で記録再生が出来、塵埃の影響も受け
ないことから信頼性に優れている。よって現在盛んに研
究開発が行われており、また、数年前に商品化されて以
来、光ファイルシステム等へ急速に展開されている。こ
の光磁気録記層（以下記録層と記す）の材料としてはＴ
ｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の
希土類−遷移金属（以下ＴＥ−ＴＭと記す）非晶質合金
が粒界ノイズが無く、スパッタリングを用いることによ
って容易に垂直磁化膜が得られることから現在最も多く
用いられている。また、光磁気記録媒体の構成として
は、レーザ光の記録再生効率を向上させるために記録層
上に反射層を設ける方式が提案されている（特公昭62-2
7458号公報)。この構成はカー効果とファラデー効果の
両方が利用出来るためＣ／Ｎやジッターマージンが大き
くとれるという点で優れている。
【０００３】光磁気ディスクを用いた光ファイルシステ
ムは、主として大容量及び高速転送性が要求される。よ
って記録層はＣ／Ｎを左右するカー回転角（θｋ）が大
きく、記録感度に影響が深いキュリー点（Ｔｃ）が低い
ことが必要である。さらに１μm以下のビット（磁区）
を安定に保持するための保磁力（Ｈｃ）が大きい材料で
なければならない。これらを満足する具体的な材料とし
て我々はＴＥ−ＴＭ非晶質合金の中でもＭＤｙＦｅＣｏ
（但し、ＭはＴｂまたはＧｄ）合金が適していることを
見出し、以前に提案している（特開昭59-961011号公報
など）。
ムは、主として大容量及び高速転送性が要求される。よ
って記録層はＣ／Ｎを左右するカー回転角（θｋ）が大
きく、記録感度に影響が深いキュリー点（Ｔｃ）が低い
ことが必要である。さらに１μm以下のビット（磁区）
を安定に保持するための保磁力（Ｈｃ）が大きい材料で
なければならない。これらを満足する具体的な材料とし
て我々はＴＥ−ＴＭ非晶質合金の中でもＭＤｙＦｅＣｏ
（但し、ＭはＴｂまたはＧｄ）合金が適していることを
見出し、以前に提案している（特開昭59-961011号公報
など）。
【０００４】ＭＤｙＦｅＣｏ（ＭはＴｂまたはＧｄ）は
各元素の含有量を調整することでカー回転角（θｋ）や
キュリー点（Ｔｃ）を自由にコントロールすることがで
きる（図１〜図３参照）。例えば、ＴｂＤｙＦｅＣｏ膜
について述べると特にＤｙ含有量の調整によってキュリ
ー点（Ｔｃ）を130℃前後までに低くでき（図１参
照）、かつ保磁力（Ｈｃ）の大きな垂直磁化膜が得られ
る組成の範囲が広い（図３参照）。これはＴｂＦｅＣｏ
等の他のＲＥ−ＴＭ非晶質合金には見られない特徴であ
る。
各元素の含有量を調整することでカー回転角（θｋ）や
キュリー点（Ｔｃ）を自由にコントロールすることがで
きる（図１〜図３参照）。例えば、ＴｂＤｙＦｅＣｏ膜
について述べると特にＤｙ含有量の調整によってキュリ
ー点（Ｔｃ）を130℃前後までに低くでき（図１参
照）、かつ保磁力（Ｈｃ）の大きな垂直磁化膜が得られ
る組成の範囲が広い（図３参照）。これはＴｂＦｅＣｏ
等の他のＲＥ−ＴＭ非晶質合金には見られない特徴であ
る。
【０００５】しかしながらＴｂＤｙＦｅＣｏ膜はＴｂＦ
ｅＣｏ膜等に比べて一般に記録や消去時の外部磁界（Ｈ
ex）が300Ｏｅ以上と大きくなければ充分なＣ／Ｎが得
られない。充分な記録、消去を行うための外部磁気（Ｈ
ex）が大きいと、磁界発生装置が大きくなってしまった
り、あるいは外部磁界（Ｈex）の変動に対して充分な対
応のとれない光磁気記録媒体となってしまう。また、磁
界変調方式を用いたダイレクトオーバーライトに対して
もこの外部磁界（Ｈex）は小さい方が好ましい。
ｅＣｏ膜等に比べて一般に記録や消去時の外部磁界（Ｈ
ex）が300Ｏｅ以上と大きくなければ充分なＣ／Ｎが得
られない。充分な記録、消去を行うための外部磁気（Ｈ
ex）が大きいと、磁界発生装置が大きくなってしまった
り、あるいは外部磁界（Ｈex）の変動に対して充分な対
応のとれない光磁気記録媒体となってしまう。また、磁
界変調方式を用いたダイレクトオーバーライトに対して
もこの外部磁界（Ｈex）は小さい方が好ましい。
【０００６】また、ＲＥ−ＴＭ非晶質合金のＲＥ成分
（Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ）は酸化腐食を受け易く、経時と共
に膜の保磁力（Ｈｃ）や垂直磁気異方性等の磁気特性が
劣化するという大きな欠点がある。この酸化腐食は記録
層や保護層の形成時に真空槽内に残存する酸素、ガラス
やプラスチック基板の表面に吸着された酸素及び水、タ
ーゲット材（スパッタリングの場合）等の材料中に含ま
れる酸素、大気中の酸素及び水が原因している。この酸
化腐食は記録再生時、レーザ光による温度上昇によって
さらに促進される。
（Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ）は酸化腐食を受け易く、経時と共
に膜の保磁力（Ｈｃ）や垂直磁気異方性等の磁気特性が
劣化するという大きな欠点がある。この酸化腐食は記録
層や保護層の形成時に真空槽内に残存する酸素、ガラス
やプラスチック基板の表面に吸着された酸素及び水、タ
ーゲット材（スパッタリングの場合）等の材料中に含ま
れる酸素、大気中の酸素及び水が原因している。この酸
化腐食は記録再生時、レーザ光による温度上昇によって
さらに促進される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】記録消去時の外部磁界
（Ｈex）が小さく、ＲＥ−ＴＭ非晶合金の耐酸化腐食性
を向上し、経時と共に膜の保磁力（Ｈｃ）や垂直磁気異
方性等の磁気特性の劣化がない光磁気記録体を提供する
ことを目的とする。
（Ｈex）が小さく、ＲＥ−ＴＭ非晶合金の耐酸化腐食性
を向上し、経時と共に膜の保磁力（Ｈｃ）や垂直磁気異
方性等の磁気特性の劣化がない光磁気記録体を提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決しようとする手段】本発明者らは上述の欠
点を克服すべく鋭意検討した結果、透明な基板上に少な
くとも干渉層、記録層、保護層が順次形成された光磁気
記録媒体において記録層を特定の組成のＭＤｙＦｅＣｏ
Ｃｒ（但し、ＭはＴｂまたはＧｄ）膜にすることによっ
て高感度で、低磁界でのＣ／Ｎが高く、しかも高寿命な
光磁気記録媒体が得られることを見い出した。本発明の
特徴は図４に示す記録層３にあり、下記の一般式（Ｉ）
で表わされるＭＤｙＦｅＣｏＣｒ膜である。
点を克服すべく鋭意検討した結果、透明な基板上に少な
くとも干渉層、記録層、保護層が順次形成された光磁気
記録媒体において記録層を特定の組成のＭＤｙＦｅＣｏ
Ｃｒ（但し、ＭはＴｂまたはＧｄ）膜にすることによっ
て高感度で、低磁界でのＣ／Ｎが高く、しかも高寿命な
光磁気記録媒体が得られることを見い出した。本発明の
特徴は図４に示す記録層３にあり、下記の一般式（Ｉ）
で表わされるＭＤｙＦｅＣｏＣｒ膜である。
【０００９】
【化１】
【００１０】また、前記干渉層及び保護層が少なくとも
ＳｉまたはＮを含むＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎの２種以上の元素
の組合せた化合物から成ることにより、より効果を発揮
する。
ＳｉまたはＮを含むＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎの２種以上の元素
の組合せた化合物から成ることにより、より効果を発揮
する。
【００１１】まず本発明の光磁気記録媒体の構成につい
て図４に沿って説明する。図４に示したようにプリグル
ープ付透明基板１上に干渉層２、記録層３、保護層４、
反射層５を順次形成した構成をとる。 （基板）本発明に用いる透明基板１としては、ポリカー
ボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ）等の樹脂
からなる溝付き成形基板、またはアルミノケイ酸、バリ
ウム硼珪酸等のガラス表面に溝付き紫外線硬化樹脂（エ
ポキシアクリレート等）層を形成した基板等が挙げられ
る。これらの基板はディスク形状をしており、厚みは
０.６〜１.２mm程度である。図１の１Ａはガラス基板、
１Ｂは紫外線硬化樹脂膜を示したものである。
て図４に沿って説明する。図４に示したようにプリグル
ープ付透明基板１上に干渉層２、記録層３、保護層４、
反射層５を順次形成した構成をとる。 （基板）本発明に用いる透明基板１としては、ポリカー
ボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ）等の樹脂
からなる溝付き成形基板、またはアルミノケイ酸、バリ
ウム硼珪酸等のガラス表面に溝付き紫外線硬化樹脂（エ
ポキシアクリレート等）層を形成した基板等が挙げられ
る。これらの基板はディスク形状をしており、厚みは
０.６〜１.２mm程度である。図１の１Ａはガラス基板、
１Ｂは紫外線硬化樹脂膜を示したものである。
【００１２】（干渉層）本発明においては、上記基板１
と、記録層３との間に干渉層２を設けている。この干渉
層２には屈折率の高い（１.８以上）透明な膜を用い、
この層における再生光の多重反射を利用して見掛けのカ
ー回転角（θｋ）を増大させ、それによってＣ（キャリ
ア）レベルを上げ、また反射率を小さくすることでＮ
（ノイズ）レベルを下げて、トータルでＣ／Ｎを向上さ
せることを目的としている。また、ＲＥ−ＴＭ非晶質合
金のように酸化等による腐食を起こしやすい材料を記録
層に用いているため、この干渉層２は記録層の腐食を防
止する保護膜としての役割りも兼ね備えていなければな
らない。それには基板１からの水や酸素の侵入を防ぎ、
それ自身の耐食性が高く、かつ記録層との反応性が小さ
いことが必要である。具体的な材料としてはＳｉＯ、Ｓ
ｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の金属酸化物、Ｓｉ、Ａ
ｌ、Ｚｒ、Ｇｅ等の金属窒化物、ＺｎＳ等の金属硫化物
が挙げられるが、特にＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎのうち少なくと
もＳｉまたはＮを含むＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎの２種以上の元
素の組合せた化合物（ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＢＮ、Ｓ
ｉＢＯＮ）が適している。尚、これらは多層膜であって
もよく、膜厚は屈折率によっても異なるが、通常トータ
ルで500〜2000Åで好ましくは800〜1200Åである。
と、記録層３との間に干渉層２を設けている。この干渉
層２には屈折率の高い（１.８以上）透明な膜を用い、
この層における再生光の多重反射を利用して見掛けのカ
ー回転角（θｋ）を増大させ、それによってＣ（キャリ
ア）レベルを上げ、また反射率を小さくすることでＮ
（ノイズ）レベルを下げて、トータルでＣ／Ｎを向上さ
せることを目的としている。また、ＲＥ−ＴＭ非晶質合
金のように酸化等による腐食を起こしやすい材料を記録
層に用いているため、この干渉層２は記録層の腐食を防
止する保護膜としての役割りも兼ね備えていなければな
らない。それには基板１からの水や酸素の侵入を防ぎ、
それ自身の耐食性が高く、かつ記録層との反応性が小さ
いことが必要である。具体的な材料としてはＳｉＯ、Ｓ
ｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の金属酸化物、Ｓｉ、Ａ
ｌ、Ｚｒ、Ｇｅ等の金属窒化物、ＺｎＳ等の金属硫化物
が挙げられるが、特にＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎのうち少なくと
もＳｉまたはＮを含むＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎの２種以上の元
素の組合せた化合物（ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＢＮ、Ｓ
ｉＢＯＮ）が適している。尚、これらは多層膜であって
もよく、膜厚は屈折率によっても異なるが、通常トータ
ルで500〜2000Åで好ましくは800〜1200Åである。
【００１３】（記録層）記録層３は前述一般式（Ｉ）で
示されるＭＤｙＦｅＣｏＣｒ（但しＭはＴｂまたはＧ
ｄ）膜である。
示されるＭＤｙＦｅＣｏＣｒ（但しＭはＴｂまたはＧ
ｄ）膜である。
【００１４】（保護層）通常記録層３上に保護層４を設
ける。但し、設けなくても本発明の効果は損なわれな
い。この保護層４は空気中（片面仕様の場合）、または
接着剤（両面仕様の場合）からの水分や酸素またはハロ
ゲン元素のように記録層に有害な物質の侵入を防止し、
記録層を保護する目的で設けられるため、干渉層同様そ
れ自身の耐食性が高く、記録層との反応性が小さいこと
が必要である。具体的な材料は干渉層として挙げたもの
と同様である。この保護層の膜厚はＣ／Ｎが記録感度に
も大きな影響を及ぼすが、通常膜厚は０〜600Å程度が
好ましい。
ける。但し、設けなくても本発明の効果は損なわれな
い。この保護層４は空気中（片面仕様の場合）、または
接着剤（両面仕様の場合）からの水分や酸素またはハロ
ゲン元素のように記録層に有害な物質の侵入を防止し、
記録層を保護する目的で設けられるため、干渉層同様そ
れ自身の耐食性が高く、記録層との反応性が小さいこと
が必要である。具体的な材料は干渉層として挙げたもの
と同様である。この保護層の膜厚はＣ／Ｎが記録感度に
も大きな影響を及ぼすが、通常膜厚は０〜600Å程度が
好ましい。
【００１５】（反射層）記録層３上に直接、もしくは保
護層４を介して反射層５を設けてもよい。記録媒体の高
Ｃ／Ｎ、高感度化のためにこの反射層５は再生光に対し
て反射率が高く、熱伝導率は小さい方が良い。また、当
然耐食性がなければならない。具体的な材料として、Ｓ
ｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｐｔの１種以上を
含むＡｌ合金が好ましい。膜厚は薄すぎるとＣ／Ｎが低
下し、厚すぎると記録感度が悪くなるため300〜600Åが
適当である。基板１上に、干渉層２、記録層３、保護層
４及び反射層５を形成する手段としては、スパッタリン
グ、イオンプレーティング等の物理蒸着法、プラズマＣ
ＶＤのような化学蒸着法等が用いられる。また、層構成
は図４に示した以外に、保護層または反射層上にさらに
５〜10μmの有機保護膜（カバー層）等を設けたり、ま
たそれらの膜面どうしを接着剤によって貼り合わせた構
成でも本発明の効果は損なわれない。
護層４を介して反射層５を設けてもよい。記録媒体の高
Ｃ／Ｎ、高感度化のためにこの反射層５は再生光に対し
て反射率が高く、熱伝導率は小さい方が良い。また、当
然耐食性がなければならない。具体的な材料として、Ｓ
ｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｐｔの１種以上を
含むＡｌ合金が好ましい。膜厚は薄すぎるとＣ／Ｎが低
下し、厚すぎると記録感度が悪くなるため300〜600Åが
適当である。基板１上に、干渉層２、記録層３、保護層
４及び反射層５を形成する手段としては、スパッタリン
グ、イオンプレーティング等の物理蒸着法、プラズマＣ
ＶＤのような化学蒸着法等が用いられる。また、層構成
は図４に示した以外に、保護層または反射層上にさらに
５〜10μmの有機保護膜（カバー層）等を設けたり、ま
たそれらの膜面どうしを接着剤によって貼り合わせた構
成でも本発明の効果は損なわれない。
【００１６】
〔実施例１〜３〕直径130mm、厚さ１.２mmのポリカーボ
ネート（Ｐｃ）基板をスパッタ装置の真空槽内にセット
し、５×10-7Torr以下になるまで真空排気する。まずＡ
ｒとＮ2の混合ガスを真空槽内に導入し、圧力を３×10
-3Torrに調整し、Ｓｉをターゲットとして放電電力２Ｋ
Ｗ（4W/cm2）で高周波マグネトロンスパッタリングを行
い干渉層としてＳｉＮｘ膜を1000Å堆積した。続いてＧ
ｄＤｙＦｅＣｏＣｒ合金をターゲットとして直流マグネ
トロンスパッタリングによって記録層であるＴｂＤｙＦ
ｅＣｏＣｒ膜を200Å形成した（実施例１〜３の組成は
表１を参照）。更に保護層としてＳｉＮｘ膜を300Å、
反射層としてＡｌＴｉ膜を500Å順次成形した後、真空
槽から大気中へ搬出し、本発明の実施に沿った光磁気記
録媒体を得た。
ネート（Ｐｃ）基板をスパッタ装置の真空槽内にセット
し、５×10-7Torr以下になるまで真空排気する。まずＡ
ｒとＮ2の混合ガスを真空槽内に導入し、圧力を３×10
-3Torrに調整し、Ｓｉをターゲットとして放電電力２Ｋ
Ｗ（4W/cm2）で高周波マグネトロンスパッタリングを行
い干渉層としてＳｉＮｘ膜を1000Å堆積した。続いてＧ
ｄＤｙＦｅＣｏＣｒ合金をターゲットとして直流マグネ
トロンスパッタリングによって記録層であるＴｂＤｙＦ
ｅＣｏＣｒ膜を200Å形成した（実施例１〜３の組成は
表１を参照）。更に保護層としてＳｉＮｘ膜を300Å、
反射層としてＡｌＴｉ膜を500Å順次成形した後、真空
槽から大気中へ搬出し、本発明の実施に沿った光磁気記
録媒体を得た。
【００１７】〔比較例１〜５〕実施例１〜３と同様な方
法を用いて干渉層、記録層、保護層、反射層を形成した
が記録層のみ本発明で限定した組成外のＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＣｒ膜（組成は表１を参照）を用いたもの（比較例１
〜４）、及びＣｒの含まれていないＴｂＤｙＦｅＣｏ膜
（比較例５の組成は表１を参照）を比較例として用意し
た。
法を用いて干渉層、記録層、保護層、反射層を形成した
が記録層のみ本発明で限定した組成外のＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＣｒ膜（組成は表１を参照）を用いたもの（比較例１
〜４）、及びＣｒの含まれていないＴｂＤｙＦｅＣｏ膜
（比較例５の組成は表１を参照）を比較例として用意し
た。
【００１８】
【表１】表１
【００１９】〔実施例４〜６〕実施例１〜３において記
録層のＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒをＧｄＤｙＦｅＣｏＣｒに
変え、その組成を表２示すように変えて、実施例４〜６
の本発明に沿った光磁気記録媒体を得た。
録層のＴｂＤｙＦｅＣｏＣｒをＧｄＤｙＦｅＣｏＣｒに
変え、その組成を表２示すように変えて、実施例４〜６
の本発明に沿った光磁気記録媒体を得た。
【００２０】〔比較例６〜１０〕実施例４〜６と同様な
方法を用いて干渉層、記録層、保護層、反射層を形成し
たが記録層のみ本発明で限定した組成外のＧｄＤｙＦｅ
ＣｏＣｒ膜（比較例１〜10の組成は表２を参照）を用い
たものと、Ｃｒの含まれていないＧｄＤｙＦｅＣｏ膜
（組成は表２を参照）を比較例として用意した。
方法を用いて干渉層、記録層、保護層、反射層を形成し
たが記録層のみ本発明で限定した組成外のＧｄＤｙＦｅ
ＣｏＣｒ膜（比較例１〜10の組成は表２を参照）を用い
たものと、Ｃｒの含まれていないＧｄＤｙＦｅＣｏ膜
（組成は表２を参照）を比較例として用意した。
【００２１】
【表２】表２
【００２２】実施例１〜３及び比較例１〜４の光磁気記
録媒体についての記録／消去時の外部磁界（Ｈex）とＣ
／Ｎとの関係を図５、６に示す。尚、測定条件は以下の
通りである。 ・記録半径 30mm ・レーザ波長 780nm ・記録周波数 4.9MHz ・記録レーザパワー ６mW ・ディスクの回転数 2400rpm(CAV) ・再生レーザパワー １mW 図５、６より、比較例１〜４に比べて本発明の実施例１
〜３の方がいずれも300Ｏｅ以下の低磁界でも高Ｃ／Ｎ
を維持している。これは記録膜中の希土類（Ｔｂ＋Ｄ
ｙ）の含有量が大きく影響したもので、本発明で限定し
ている範囲内だと低磁界でも高Ｃ／Ｎが得られる。
録媒体についての記録／消去時の外部磁界（Ｈex）とＣ
／Ｎとの関係を図５、６に示す。尚、測定条件は以下の
通りである。 ・記録半径 30mm ・レーザ波長 780nm ・記録周波数 4.9MHz ・記録レーザパワー ６mW ・ディスクの回転数 2400rpm(CAV) ・再生レーザパワー １mW 図５、６より、比較例１〜４に比べて本発明の実施例１
〜３の方がいずれも300Ｏｅ以下の低磁界でも高Ｃ／Ｎ
を維持している。これは記録膜中の希土類（Ｔｂ＋Ｄ
ｙ）の含有量が大きく影響したもので、本発明で限定し
ている範囲内だと低磁界でも高Ｃ／Ｎが得られる。
【００２３】また、実施例１〜３と比較例５の光磁気記
録媒体を80℃85％ＲＨの環境下で寿命加速試験を行った
結果を図７に示す。その結果、比較例５の方は2,000時
間経過後ビットエラーレート（ＢＥＲ）が約１桁増加し
たのに対して実施例（１〜３）はいずれも4,000時間経
過してもＢＥＲに大きな変化は認められなかった。これ
は記録膜中に含まれているＣｒの効果である。
録媒体を80℃85％ＲＨの環境下で寿命加速試験を行った
結果を図７に示す。その結果、比較例５の方は2,000時
間経過後ビットエラーレート（ＢＥＲ）が約１桁増加し
たのに対して実施例（１〜３）はいずれも4,000時間経
過してもＢＥＲに大きな変化は認められなかった。これ
は記録膜中に含まれているＣｒの効果である。
【００２４】実施例４〜６及び比較例６〜９の光磁気記
録媒体についての記録／消去時の外部磁界（Ｈex）とＣ
／Ｎとの関係を実施例１〜３、及び比較例１〜４の場合
と同様な測定法で調べた。結果はほぼ実施例１〜３、及
び比較例１〜４と同様で比較例６〜９に比べて本発明の
実施例４〜６の方がいずれも300Ｏｅ以下の低磁界でも
高Ｃ／Ｎを維持していた。これは記録膜中の希土類（Ｇ
ｄ＋Ｄｙ）の含有量が大きく影響したもので、本発明で
限定している範囲内だと低磁界でも高Ｃ／Ｎが得られ
る。
録媒体についての記録／消去時の外部磁界（Ｈex）とＣ
／Ｎとの関係を実施例１〜３、及び比較例１〜４の場合
と同様な測定法で調べた。結果はほぼ実施例１〜３、及
び比較例１〜４と同様で比較例６〜９に比べて本発明の
実施例４〜６の方がいずれも300Ｏｅ以下の低磁界でも
高Ｃ／Ｎを維持していた。これは記録膜中の希土類（Ｇ
ｄ＋Ｄｙ）の含有量が大きく影響したもので、本発明で
限定している範囲内だと低磁界でも高Ｃ／Ｎが得られ
る。
【００２５】また、実施例４〜６と比較例10の光磁気記
録媒体を80℃85％ＲＨの環境下で寿命加速試験を行った
結果、比較例５の方は2,000時間経過後ビットエラーレ
ート（ＢＥＲ）が約１桁増加したのに対して実施例４〜
６はいずれも4,000時間経過してもＢＥＲに大きな変化
は認められなかった。これは記録膜中に含まれているＣ
ｒの効果である。
録媒体を80℃85％ＲＨの環境下で寿命加速試験を行った
結果、比較例５の方は2,000時間経過後ビットエラーレ
ート（ＢＥＲ）が約１桁増加したのに対して実施例４〜
６はいずれも4,000時間経過してもＢＥＲに大きな変化
は認められなかった。これは記録膜中に含まれているＣ
ｒの効果である。
【００２６】
【発明の効果】以上、本発明によれば記録層に特定の組
成のＭＤｙＦｅＣｏＣｒ(Ｍは、ＴｂまたはＧｄ）膜を
用いることによって高感度で、低磁界でのＣ／Ｎが高
く、しかも高寿命の光磁気記録媒体が得られる。また、
本発明では具体的な実施例として光変調方式用の媒体と
して説明を行ったが、磁界変調方式を用いたダイレクト
オーバーライト用光磁気記録媒体としても効果が充分発
揮される。
成のＭＤｙＦｅＣｏＣｒ(Ｍは、ＴｂまたはＧｄ）膜を
用いることによって高感度で、低磁界でのＣ／Ｎが高
く、しかも高寿命の光磁気記録媒体が得られる。また、
本発明では具体的な実施例として光変調方式用の媒体と
して説明を行ったが、磁界変調方式を用いたダイレクト
オーバーライト用光磁気記録媒体としても効果が充分発
揮される。
【図１】図１はＴｂＤｙＦｅＣｏ膜記録層光磁気記録媒
体のＣｏ含有量をパラメータとしたＤｙ含有量〜キュリ
ー点（Ｔｃ）の関係を示す。
体のＣｏ含有量をパラメータとしたＤｙ含有量〜キュリ
ー点（Ｔｃ）の関係を示す。
【図２】図２はＴｂＤｙＦｅＣｏ膜記録層光磁気記録媒
体のＦｅ、Ｃｏ含有量のキュリー点（Ｔｃ）及びカー回
転角の関係を示す。
体のＦｅ、Ｃｏ含有量のキュリー点（Ｔｃ）及びカー回
転角の関係を示す。
【図３】図３はＴｂＤｙＦｅＣｏ膜記録層光磁気記録媒
体のＴｂＤｙ含有量と保磁力Ｈｃ（ｋＯｅ）の関係を示
す。
体のＴｂＤｙ含有量と保磁力Ｈｃ（ｋＯｅ）の関係を示
す。
【図４】図４は本発明の光磁気記録媒体の構成図であ
る。
る。
【図５】図５は本発明実施例１〜３のＴｂＤｙＦｅＣｏ
Ｃｒ膜記録層光磁気記録媒体の記録／消去時の外部磁界
（Ｈex）とＣ／Ｎとの関係を示す。
Ｃｒ膜記録層光磁気記録媒体の記録／消去時の外部磁界
（Ｈex）とＣ／Ｎとの関係を示す。
【図６】図６は本発明の比較例１〜４のＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＣｒ膜記録層光磁気記録媒体の記録／消去時の外部磁
界(Ｈex)とＣ／Ｎとの関係を示す。
ｏＣｒ膜記録層光磁気記録媒体の記録／消去時の外部磁
界(Ｈex)とＣ／Ｎとの関係を示す。
【図７】図７は本発明の実施例１〜３及び比較例５の光
磁気記録媒体に80℃85％ＲＨ環境下での寿命加速試験の
結果を示す。
磁気記録媒体に80℃85％ＲＨ環境下での寿命加速試験の
結果を示す。
図４における符号は下の通りである。 １ 基板 ２ 干渉層 ３ 記録層 ４ 保護層 ５ 反射層
Claims (2)
- 【請求項１】 透明な基板上に少なくとも干渉層、記録
層、保護層が順次形成された構成で、前記記録層が下記
の一般式（Ｉ）で表わされる組成であることを特徴とす
る光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記干渉層及び保護層が少なくともＳｉ
またはＮを含むＳｉ、Ｂ、Ｏ、Ｎの２種以上の元素の組
合せた化合物から成ることを特徴とする請求項１に記載
の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4130196A JPH05303778A (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4130196A JPH05303778A (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05303778A true JPH05303778A (ja) | 1993-11-16 |
Family
ID=15028389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4130196A Pending JPH05303778A (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05303778A (ja) |
-
1992
- 1992-04-23 JP JP4130196A patent/JPH05303778A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |