JPH10308352A

JPH10308352A - プラズマ処理方法及び半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH10308352A
Application number: JP9132887A
Authority: JP
Inventors: Masahiko Tanaka; 雅彦田中; Akinori Ozaki; 成則尾▲崎▼
Original assignee: Sumitomo Metal Industries Ltd
Current assignee: Nippon Steel Corp
Priority date: 1997-05-07
Filing date: 1997-05-07
Publication date: 1998-11-17

Abstract

(57)【要約】【課題】試料の処理品質の向上を図ること。【解決手段】真空容器（１２，１４）の内壁に付着し
た反応生成物を除去した後に、真空容器（１２，１４）
の内壁に所定の中間層（バッファ層）を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品や半導体
素子の製造工程におけるエッチングや薄膜形成等の処理
をプラズマを利用して行うプラズマ処理技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】プラズマ処理装置においては、微量の反
応ガスを含む真空容器内にマイクロ波を導入し、当該真
空容器内でガス放電を生起させてプラズマを生成する。
そして、このプラズマを試料基板の表面に照射すること
によって、エッチング及び薄膜形成等の処理が行われ
る。このようなプラズマ処理装置は、高集積半導体素子
の製造に欠かせないものとして、その研究が進められて
いる。特に、プラズマの励起に電子サイクロトロン共鳴
（ＥＣＲ：Electron Cyclotron Resonance）を利用した
ＥＣＲプラズマ処理装置は、低ガス圧領域下で活性度の
高いプラズマを生成できる装置として有望視されてい
る。

【０００３】ところで、半導体基板のエッチングやＣＶ
Ｄ（化学気相成長）等のプラズマ処理を行った場合、当
該処理を行った真空容器の内壁に反応生成物が付着す
る。このような反応生成物は、パーティクルの原因にな
るため、定期的に除去する必要がある。そこで、従来よ
りドライエッチング、或いはウエット洗浄により真空容
器内壁の付着物の除去を行っている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、クリー
ニング処理により真空容器内壁に付着した反応生成物を
除去しても、プラズマ処理を開始すると、再び反応生成
物が付着する。そして、真空容器の内壁に薄膜状に付着
した反応生成物は、真空容器内壁の材質との物性の相違
によって生じる応力によって剥離を起こし、パーティク
ルを発生させることになる。その結果、パーティクルが
ウエハ等の被処理試料に付着し、プラズマ処理としての
品質を低下させるとともに、最終的に製造される半導体
装置の歩留まりを低下させることになる。他方、真空容
器内壁に付着した反応生成物を堆積させないようにクリ
ーニングの頻度を多くすると、プラズマ処理装置の稼働
率を低下させ、半導体製造プロセス全体としての作業効
率を低下させることになる。

【０００５】本発明は上記のような状況に鑑みてなされ
たものであり、プラズマ処理品質の向上を図ることので
きるプラズマ処理方法を提供することを第１の目的とす
る。

【０００６】また、プラズマ処理品質の向上を図ること
により、製造される半導体装置の品質向上に寄与する半
導体装置の製造方法を提供することを本発明の第２の目
的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、プラズマ処理によって真空容器（１２，１４）の内
壁に付着した反応生成物を除去した後に、真空容器（１
２，１４）の内壁に所定の中間層（バッファ層）を形成
する。好ましくは、次のプラズマ処理の直前に中間層の
形成を実行する。

【０００８】例えば、試料（１０）に形成されたＳｉ系
の膜をＣｌ₂＋Ｏ₂系のガスを用いてたプラズマによって
エッチングするエッチング処理工程に本発明を適用する
場合には、エッチング処理によって真空容器（１２，１
４）の内壁に付着したＳｉＯ₂系の反応生成物をＦ系の
ガスを用いて除去する。その後、Ｃｌ₂＋Ｏ₂系のガスを
用いて真空容器（１２，１４）の内壁に中間層を形成す
る。

【０００９】

【作用】上記のような本発明においては、真空容器（１
２，１４）の内壁の付着物の除去を行った後に、当該真
空容器（１２，１４）の内壁に中間層（バッファ層）を
形成しているため、次のプラズマ処理において付着する
反応生成物の膜に加わる応力が緩和される。すなわち、
真空容器内壁に形成された中間層の材質と、そこに付着
した薄膜状の反応生成物の物性が近くなるため、両者の
物性の相違によって反応生成物の膜に加わる応力が小さ
くなる。その結果、真空容器（１２，１４）の内壁に付
着した反応生成物が剥離しにくくなり、パーティクルの
発生を抑制することができ、プラズマ処理品質の向上を
図ることができる。

【００１０】また、次のプラズマ処理の直前に、真空容
器（１２，１４）の内壁に中間層を形成すれば、次のプ
ラズマ処理における温度状態が安定するというメリット
がある。すなわち、中間層を形成する時に真空容器（１
２，１４）がある程度温められるため、その直後に試料
（１０）のプロセス処理を開始した時に、真空容器（１
２，１４）内の温度が急激に上昇することがない。その
結果、真空容器（１２，１４）の内壁に付着した反応生
成物の膜にかかる応力を更に低く抑えることが可能とな
る。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て実施例を用いて説明する。本実施例は、半導体装置の
製造プロセスの一部を成すシリコンウエハのプラズマ処
理に本発明の技術的思想を適用したものである。

【００１２】

【実施例】図１は、本発明の実施例にかかるプラズマ処
理装置の構成を示す。本実施例のプラズマ処理装置は、
直径３００ｍｍのシリコンウエハ１０に対してエッチン
グ等の所定のプラズマ処理を行うものである。この装置
は、プラズマを生成する中空円筒形状のプラズマ生成室
１２と、プラズマ生成室１２に連通した反応室１４とを
備えている。本装置で処理される試料としては、直径３
００ｍｍのシリコンウエハ１０以外にも、直径２００ｍ
ｍのウエハやＬＣＤ用ガラス基板等、各種の試料を対象
とすることができる。本実施例においては、シリコンウ
エハ１０を、例えば２５枚のロット単位で処理するよう
になっている。

【００１３】プラズマ生成室１２の上部には、マグネト
ロン等のマイクロ波発振器（図示せず）に接続された円
形導波管１６が連結されている。マイクロ波発振器で生
成されたマイクロ波（２．４５ＧＨｚ）は、円形導波管
１６を介してプラズマ生成室１２に導かれるようになっ
ている。なお、プラズマ生成室１２と反応室１４の内壁
は、石英からなる防着板で覆われている。

【００１４】円形導波管１６とプラズマ生成室１２との
間には、石英ガラス等のマイクロ波透過物質からなるマ
イクロ波導入窓２０が配置されている。このマイクロ波
導入窓２０は、プラズマ生成室１２を気密に封止するよ
うに設計されている。プラズマ生成室１２の外側には、
円形導波管１６の接続部を含み、これらを同心円状に囲
む３段のメインコイル２２，２４，２６が配置されてい
る。また、メインコイル２２，２４，２６の下方には、
１段のサブコイル２８が配置されている。これらのメイ
ンコイル２２，２４，２６及びサブコイル２８は、電流
供給部４０から必要な電流の供給を受け、プラズマ生成
室１２内に磁束密度８７５ガウスの軸方向磁界を印加
し、ＥＣＲ現象を引き起こすようになっている。

【００１５】プラズマ生成室１２に連通した反応室１４
内には、シリコンウエハ１０を静電吸着等の固定手段に
よって保持する試料台３２が設置されている。また、反
応室１４の側壁には、プラズマ生成室１２及び反応室１
４のガスを排気する排気管３４が設けられており、当該
排気管３４からの真空排気によりプラズマ生成室１２と
反応室１４を高真空状態に維持できるようになってい
る。反応室１４には、プラズマ生成に必要な反応ガスを
供給するためのガス供給管３６が設けられている。な
お、図示しないが、プラズマ生成室１２の周囲にはクー
ラントパスが形成され、このクーラントパスを循環する
冷却水（クーラント）によってプラズマ生成室１２を冷
却するようになっている。

【００１６】図１に示す装置においては、一端がアース
された高周波電源４８が試料台３２に接続されており、
当該試料台３２にＲＦ電力を印加することによって、シ
リコンウエハ１０の表面近傍で生じる化学反応を促進で
きるように構成されている。これにより、薄膜の成膜速
度の向上等、プラズマ処理の効率を向上させることが可
能となる。

【００１７】次に、本実施例の全体的な動作について、
シリコンウエハ１０上に形成されたポリシリコン(Poly-
Si) 膜のエッチングを例にとり、図２を参照して説明す
る。まず、処理対象となるシリコンウエハ１０を試料台
３２上にセットする。その後、排気管３４からの真空排
気により、プラズマ生成室１２及び反応室１４の内圧を
所定圧まで下げる。次に、ガス供給管３６からプラズマ
生成室１２及び反応室１４内に反応ガス（Ｃｌ₂＋０₂）
を導入し、プラズマ生成室１２及び反応室１４の内圧を
１×１０^-3Torr 前後に保つ。

【００１８】その後、メインコイル２２，２４，２６及
びサブコイル２８の通電によりプラズマ生成室１２の内
部に磁界を形成すると同時に、マイクロ波導入窓２０を
介してプラズマ生成室１２内にマイクロ波を導入する。
このマイクロ波は、周波数ｆ=２．４５ＧＨｚ（波長λ=
約１２．２ｃｍ）、パワー１０００Ｗに設定される。プ
ラズマ生成室１２内にマイクロ波が導入されると、ＥＣ
Ｒ面１００において反応ガスを共鳴励起し、プラズマを
生成する。メインコイル２２，２４，２６及びサブコイ
ル２８により形成される磁界は、反応室１４側に向かう
に従って磁束密度が低下する発散磁界であり、プラズマ
生成室１２で生成されたプラズマは、この発散磁界の作
用により反応室１４に引き出され、試料台３２上のシリ
コンウエハ１０表面に照射されて、ポリシリコン膜のエ
ッチングが行われる。このような処理を１ロット（２５
枚）のシリコンウエハ１０に対して行っていく間に、Ｓ
ｉＯ₂系の反応生成物がプラズマ生成室１２及び反応室
１４の内壁に付着していく。

【００１９】１ロット（２５枚）の全てのシリコンウエ
ハ１０のエッチングが終了したら、プラズマ生成室１２
及び反応室１４の洗浄作業を開始する。洗浄作業は、プ
ラズマ生成室１２及び反応室１４の内壁に付着した反応
生成物を除去するクリーニング工程（ＳＴＥＰ１）と、
当該内壁に中間層（バッファ層）を形成するシーズニン
グ工程（ＳＴＥＰ２）とからなる。最初に、処理が終わ
ったロットの最後のシリコンウエハ１０を装置から搬出
し、代わりにベア・シリコンのクリーニング用ウエハを
試料台３２上にセットする。次に、ガス供給管３６から
プラズマ生成室１２及び反応室１４内に反応ガスとして
Ｆ系のガス（ＳＦ₆，ＣＦ₄，ＮＦ₃等）を１２０sccm 程
度導入し、プラズマ生成室１２及び反応室１４の内圧を
３．０× １０^-3Torr 前後に保つ。

【００２０】次に、メインコイル２２，２４，２６を通
電すると同時に、マイクロ波導入窓２０を介して約１８
００Ｗのパワーのマイクロ波をプラズマ生成室１２に導
入する。また、試料台３２にＲＦバイアスを印可し、ク
リーニング用ウエハへの反応生成物の再付着を防止す
る。

【００２１】上記のような条件で、例えば約１３分間の
エッチング処理を行い、反応室１４の内壁に付着したＳ
ｉＯ₂系の反応生成物を除去する。なお、このようなク
リーニング作業の時間を一定時間に設定しない場合に
は、所定のエンド・ポイント・ディテクタを用いてクリ
ーニングの終了を検出する。例えば、プラズマ生成室１
２及び反応室１４内のＦ（フッ素）の発光状態を観察す
ることによって、反応生成物の除去完了を検出する。す
なわち、真空容器内に反応性生物が残っている間は、エ
ッチング種であるＦが反応生成物のエッチングによって
吸収されるため、Ｆの発光強度が小さくなる。一方、反
応生成物が無くなり、クリーニングが完了すると真空容
器内でのＦの発光強度が大きくなる。あるいは、プラズ
マ生成室１２及び反応室１４内の圧力の変化によって、
反応生成物の除去完了を検出する。

【００２２】次に、上記のようなクリーニング作業が終
了したら、反応室１４の内壁に中間層（バッファ層）を
形成する所謂シーズニングを行う。まず、プラズマ生成
室１２及び反応室１４の排気を行ない、クリーニング用
に使用したベア・シリコンのウエハを新たなベア・シリ
コンウエハに交換した後、ガス供給管３６からプラズマ
生成室１２及び反応室１４内に反応ガスとして８５sccm
のＣｌ₂＋１５sccmのＯ₂ガスを導入し、プラズマ生成
室１２及び反応室１４の内圧を１×１０^-3Torr前後に
保つ。次に、マイクロ波導入窓２０を介して約１４００
Ｗのパワーのマイクロ波をプラズマ生成室１２に導入す
ると同時に、メインコイル２２，２４，２６と、サブコ
イル２８の通電を行う。

【００２３】上記のような条件で、約２分間のエッチン
グを行い、プラズマ生成室１２及び反応室１４の内壁に
中間層（バッファ層）を形成する。そして、その直後に
次のロットのシリコンウエハ１０のプロセス処理を開始
する。プラズマ生成室１２及び反応室１４の内壁には中
間層が形成されているため、次のプラズマ処理において
付着する反応生成物の膜にかかる応力が緩和される。す
なわち、プラズマ生成室１２及び反応室１４の内壁に形
成された中間層の材質と、そこに付着した薄膜状の反応
生成物の物性が近くなり、両者の物性の相違によって生
じる応力が減少する。その結果、プラズマ生成室１２及
び反応室１４の内壁に付着した反応生成物が剥離しにく
くなり、パーティクルの発生を抑制することができ、プ
ラズマ処理品質の向上を図ることができる。

【００２４】また、反応室１４の内壁に中間層を形成し
た直後に、次のプロセスを開始することにより、プラズ
マ生成室１２及び反応室１４の温度状態が安定する。す
なわち、中間層を形成する時にプラズマ生成室１２及び
反応室１４がある程度温められるため、その直後にシリ
コンウエハ１０のプロセス処理を開始した時に、プラズ
マ生成室１２及び反応室１４内の温度が急激に上昇する
ことがなくなる。これにより、プラズマ生成室１２及び
反応室１４の内壁に付着した反応生成物の膜にかかる応
力を更に低く保つことが可能となる。その結果、プラズ
マ生成室１２及び反応室１４内でのパーティクルの発生
を抑制することができ、プラズマ処理品質の向上を図る
ことができるとともに、最終生成品である半導体装置の
品質が安定することになる。

【００２５】なお、上記実施例においては、シリコンウ
エハ１０に形成されたポリシリコン膜のエッチングプロ
セスにおいて反応室１４の内壁に付着したＳｉＯ₂系の
反応生成物の除去を行っているが、これ以外にも、ａ−
Ｓｉ、ＷＳｉ系、ＴｉＳｉ系の膜のエッチングプロセス
において生成される反応生成物の除去に本発明を適用で
きることは言うまでもない。また、クリーニング作業の
頻度に関しても、２５枚のロット処理の合間に行う場合
に限定されず、必要に応じてインターバールを変更する
ことができる。

【００２６】次に、本発明の作用及び効果を示すための
実験例について、図３〜図６を参照して説明する。この
実験は、図３に示すように、本発明による方法を採用し
た場合（Ａ）と、従来の方法を採用した場合（Ｂ）とを
比較する形式で行われた。すなわち、本発明の方法
（Ａ）においては、ウエハのプロセス処理のロット間で
８分間のクリーニング（ＳＴＥＰ１）と２分間のシーズ
ニング（ＳＴＥＰ２）を行う。一方、比較例（従来）の
方法においては、ロット間で８分間のクリーニング（Ｓ
ＴＥＰ１）のみを行うものとする。なお、この実験のプ
ロセス処理においては、直径２００ｍｍのシリコンウエ
ハ上に形成された３０００Åのポリシリコン膜を１００
％オーバーエッチングする。また、図３（Ａ），（Ｂ）
に示す工程を１ＲＵＮ（サイクル）として各々３ＲＵＮ
ずつ繰り返し行った。

【００２７】図４は、本発明及び比較例のクリーニング
（ＳＴＥＰ１）と、シーズニング（ＳＴＥＰ２）の作業
条件を示す。クリーニング作業（ＳＴＥＰ１）において
は、反応ガスとして１２０sccm のＳＦ₆を用い、プラズ
マ室１２及び反応室１４内の圧力を３×１０^-3Torr に
設定し、１８００Ｗのマイクロ波を用い、試料台３２に
は７０ＷのＲＦバイアスを印加する。また、クリーニン
グ用のウエハとしてベアのシリコンウエハを用い、コイ
ル２２，２４，２６，２８の電流値を制御することによ
り、ＥＣＲ面１００からウエハまでの距離（Ｌ）を２８
０ｍｍに設定する。一方、シーズニング作業（ＳＴＥＰ
２）においては、反応ガスとして８５sccm のＣｌ₂と１
５sccm のＯ₂を用い、プラズマ室１２及び反応室１４内
の圧力を１× １０^-3Torr に設定し、１４００Ｗのマ
イクロ波を用い、試料台３２には５０ＷのＲＦバイアス
を印加する。また、クリーニング用のウエハとしてベア
のシリコンウエハを用い、コイル２２，２４，２６，２
８の電流値を制御することにより、ＥＣＲ面１００から
ウエハまでの距離（Ｌ）を３９０ｍｍに設定する。クリ
ーニング作業（ＳＴＥＰ１）で、ＥＣＲ面からウエハ１
０までの距離（Ｌ）を小さくするのは、反応室１４の下
部や試料台３２の近傍のクリーニング速度が向上するた
めである。

【００２８】図５は、本発明の方法（Ａ）によるシーズ
ニング工程において、プラズマ室１２及び反応室１４の
内壁の各位置に付着する反応生成物の付着レートを示
す。反応生成物の付着レートは、ウエハからの距離ｈを
変えて測定している。なお、プラズマ室１２及び反応室
１４の内壁は石英の防着板で覆われているため、反応生
成物は実際にはこの防着板上に付着することになる。そ
して、このように付着した反応生成物が中間層（バッフ
ァ層）となる。

【００２９】図６は、本発明による方法（Ａ）の場合に
プラズマ室１２及び反応室１４内で検出されたパーティ
クルの数と、比較例の方法（Ｂ）の場合に検出されたパ
ーティクルの数を示す。なお、パーティクルは０．２μ
ｍ以上の大きさの物を対象とし、ウエハのプロセス処理
中の２枚目、９枚目、１８枚目及び２５枚目のウエハ処
理において計測を行った。また、このようなパーティク
ルの検出をウエハの３つのロット処理（ＲＵＮ＃１、＃
２、＃３）に対して行なった。図から分かるように、本
発明の方法（Ａ）を採用した場合の方が、明らかにパー
ティクルの数が少ない。特に、比較例の方法（Ｂ）との
効果の差は、ウエハの処理枚数が増加した後半に顕著と
なっている。すなわち、本発明の方法（Ａ）において
は、２枚目から２５枚目までの間でパーティクルの数の
変化は小さいが、比較例の方法（Ｂ）の場合には、ウエ
ハの処理枚数が増加した後半にパーティクルの数が急増
している。

【００３０】以上、本発明の実施例について説明した
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
く、特許請求の範囲に示された本発明の技術的思想とし
ての要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

【００３１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
真空容器（１２，１４）の内壁に付着した反応生成物を
除去した後、当該真空容器（１２，１４）の内壁に中間
層（バッファ層）を形成しているため、次のプロセス処
理において付着する反応生成物の膜にかかる応力が緩和
される。このため、真空容器（１２，１４）の内壁に付
着した反応生成物が剥離しにくくなり、パーティクルの
発生を抑制することができ、プラズマ処理品質の向上を
図ることができる。その結果、上記のようなプラズマ処
理プロセスを経て製造される半導体装置の品質の向上を
図ることが可能となる。ここで、半導体装置としては、
トランジスタのような半導体素子自体や、ＲＡＭ等の完
成された半導体デバイス（ＩＣ，ＬＳＩ）等を含むもの
とする。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の実施例にかかるプラズマ処理
装置の概略構成を示す概念図である。

【図２】図２は、本発明の実施例の要部である真空容器
内の洗浄作業の動作を示すフローチャートである。

【図３】図３は、本発明の効果を説明するための実験例
の工程を示す簡易フローチャートであり、（Ａ）が本発
明の方法、（Ｂ）が比較例の方法を示す。

【図４】図４は、図３に示す実験例のクリーニング工程
とシーズニング工程の作業条件を各々示す説明図（表）
である。

【図５】図５は、図４に示す実験例のシーズニング工程
によって真空容器の内壁に付着する反応生成物の付着レ
ートを示す説明図（表）である。

【図６】図６は、図３〜図５に示す実験例の効果を示す
表であり、本発明の方法（Ａ）と比較例の方法（Ｂ）に
よるパーティクルの発生数を示す。

【符号の説明】

１０・・・シリコンウエハ（試料）１２・・・プラズマ生成室（真空容器）１４・・・反応室（真空容器）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 21/31 Ｈ０５Ｈ 1/46 ＣＨ０５Ｈ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｎ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空容器内に配置された試料に対して所定
のプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、前記プラズマ処理によって前記真空容器の内壁に付着し
た反応生成物を除去する第１工程と；前記第１工程の後
に、前記真空容器の内壁に所定の中間層を形成する第２
工程とを含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】前記プラズマ処理は、前記試料に形成され
たＳｉ系の膜をＣｌ₂＋Ｏ₂系のガスを用いたプラズマに
よってエッチングするエッチング処理であり、前記第２工程においては、Ｃｌ₂＋Ｏ₂系のガスを用いた
処理により前記真空容器の内壁に中間層を形成すること
を特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】前記第１工程においては、前記エッチング
処理によって前記真空容器の内壁に付着したＳｉＯ₂系
の反応生成物をＦ系のガスを用いた処理により除去する
ことを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】前記第１工程において、前記真空容器内の
Ｆ元素の発光状態に基づいて前記ＳｉＯ₂系の反応生成
物の除去が完了したことを検出することを特徴とする請
求項３に記載のプラズマ処理方法。
【請求項５】前記第１工程において、前記真空容器内の
圧力変化に基づいて前記ＳｉＯ₂系の反応生成物の除去
が完了したことを検出することを特徴とする請求項１、
２または３に記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】少なくとも前記第２工程は、次のプラズマ
処理の直前に行われることを特徴とする請求項１または
２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】前記試料の処理が複数枚のロット単位で行
われ、前記第１工程及び前記第２工程は、各ロット処理の直前
に行われることを特徴とする請求項１または２に記載の
プラズマ処理方法。
【請求項８】真空容器内に配置された半導体基板に対し
て所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理工程を含む半
導体装置の製造方法において、前記プラズマ処理によって前記真空容器の内壁に付着し
た反応生成物を除去する第１工程と；前記第１工程の後
に、前記真空容器の内壁に所定の中間層を形成する第２
工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】前記プラズマ処理は、前記半導体基板に形
成されたＳｉ系の膜をＣｌ₂＋Ｏ₂系のガスを用いたプラ
ズマによってエッチングするエッチング処理であり、前記第２工程においては、Ｃｌ₂＋Ｏ₂系のガスを用いた
処理により前記真空容器の内壁に中間層を形成すること
を特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】前記第１工程においては、前記エッチン
グ処理によって前記真空容器の内壁に付着したＳｉＯ₂
系の反応生成物をＦ系のガスを用いた処理により除去す
ることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造
方法。
【請求項１１】前記第１工程において、前記真空容器内
のＦ元素の発光状態に基づいて前記ＳｉＯ₂系の反応生
成物の除去が完了したことを検出することを特徴とする
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】前記第１工程において、前記真空容器内
の圧力変化に基づいて前記ＳｉＯ₂系の反応生成物の除
去が完了したことを検出することを特徴とする請求項
８、９または１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】少なくとも前記第２工程は、次のプラズ
マ処理の直前に行われることを特徴とする請求項８また
は９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】前記半導体基板の処理が複数枚のロット
単位で行われ、前記第１工程及び前記第２工程は、各ロット処理の直前
に行われることを特徴とする請求項８または９に記載の
半導体装置の製造方法。