JPH06196909A - マイクロ波・セラミックスフィルタの金属被覆処理方法 - Google Patents
マイクロ波・セラミックスフィルタの金属被覆処理方法Info
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- JPH06196909A JPH06196909A JP5235731A JP23573193A JPH06196909A JP H06196909 A JPH06196909 A JP H06196909A JP 5235731 A JP5235731 A JP 5235731A JP 23573193 A JP23573193 A JP 23573193A JP H06196909 A JPH06196909 A JP H06196909A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複数の共振器孔2とこれらの共振器孔2間に
設けられた連結中空室3とを有するセラミックス体1
と、このセラミックス体1の外側面の少なくとも一部お
よび共振器孔2の内側面に施された金属被膜とを持った
モノリシックマイクロ波・セラミックスフィルタの金属
被覆処理方法において、これを金属被覆処理が簡単に電
気めっき式にできるように改良する。 【構成】 少なくとも連結中空室3が金属被覆処理の前
にセラミックス薄膜4で覆われ、その後で電気めっき式
に金属被覆処理が行われる。
設けられた連結中空室3とを有するセラミックス体1
と、このセラミックス体1の外側面の少なくとも一部お
よび共振器孔2の内側面に施された金属被膜とを持った
モノリシックマイクロ波・セラミックスフィルタの金属
被覆処理方法において、これを金属被覆処理が簡単に電
気めっき式にできるように改良する。 【構成】 少なくとも連結中空室3が金属被覆処理の前
にセラミックス薄膜4で覆われ、その後で電気めっき式
に金属被覆処理が行われる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、複数の共振器孔とこれ
らの共振器孔間に設けられた連結中空室とを有するセラ
ミックス体と、このセラミックス体の外側面の少なくと
も一部および共振器孔の内側面に施された金属被膜とを
持ったモノリシックマイクロ波・セラミックスフィルタ
の金属被覆処理方法に関する。
らの共振器孔間に設けられた連結中空室とを有するセラ
ミックス体と、このセラミックス体の外側面の少なくと
も一部および共振器孔の内側面に施された金属被膜とを
持ったモノリシックマイクロ波・セラミックスフィルタ
の金属被覆処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】モノリシックマイクロ波・セラミックス
フィルタにおいては、図1に示されているようにセラミ
ックス体1に複数の共振器孔2が設けられており、これ
らの共振器孔2の間に、共振器孔2によって形成されて
いる各共振器を連結するための盲孔の形をした連結中空
室3が設けられている。この種のフィルタは金属被覆し
なければならず、その場合セラミックス体1の外側面の
少なくとも一部および共振器孔2の内側面に金属被覆層
が形成されなければならない。セラミックス体1の外側
面は、端面例えば図における上側端面を除いて全体が金
属被覆処理される。金属被覆処理に対する材料としては
例えば銅あるいは銀が対象となる。
フィルタにおいては、図1に示されているようにセラミ
ックス体1に複数の共振器孔2が設けられており、これ
らの共振器孔2の間に、共振器孔2によって形成されて
いる各共振器を連結するための盲孔の形をした連結中空
室3が設けられている。この種のフィルタは金属被覆し
なければならず、その場合セラミックス体1の外側面の
少なくとも一部および共振器孔2の内側面に金属被覆層
が形成されなければならない。セラミックス体1の外側
面は、端面例えば図における上側端面を除いて全体が金
属被覆処理される。金属被覆処理に対する材料としては
例えば銅あるいは銀が対象となる。
【0003】このような金属被覆処理の場合、連結中空
室3の内側面は金属被覆が施されないようにしなければ
ならない。従って電気めっき式の金属被覆処理は採用で
きないか、又はもし金属被覆処理を電気めっき式で行う
場合には連結中空室3内の金属被膜を例えば穿孔加工に
よって再び除去しなければならないので、高い経費がか
かってしまう。
室3の内側面は金属被覆が施されないようにしなければ
ならない。従って電気めっき式の金属被覆処理は採用で
きないか、又はもし金属被覆処理を電気めっき式で行う
場合には連結中空室3内の金属被膜を例えば穿孔加工に
よって再び除去しなければならないので、高い経費がか
かってしまう。
【0004】上述の理由により従来においては電気めっ
き式の金属被覆処理を完全に省略し、その代わりに金属
被覆処理は厚膜ペーストによって実施している。この方
式は金属被覆処理の場合に高い経費がかかることを無視
しても、スクリーン印刷によるパターン形成に関して
も、これが経費を一層高め且つ金属被覆処理の際のフィ
ルタの位置決めが困難であるので、不利である。
き式の金属被覆処理を完全に省略し、その代わりに金属
被覆処理は厚膜ペーストによって実施している。この方
式は金属被覆処理の場合に高い経費がかかることを無視
しても、スクリーン印刷によるパターン形成に関して
も、これが経費を一層高め且つ金属被覆処理の際のフィ
ルタの位置決めが困難であるので、不利である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、冒頭
に述べた形式のモノリシックマイクロ波・セラミックス
フィルタの金属被覆処理方法を、金属被覆処理が簡単に
電気めっき式にできるように改良することにある。
に述べた形式のモノリシックマイクロ波・セラミックス
フィルタの金属被覆処理方法を、金属被覆処理が簡単に
電気めっき式にできるように改良することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明によればこの課題
は、冒頭に述べた形式のモノリシックマイクロ波・セラ
ミックスフィルタの金属被覆処理方法において、少なく
とも連結中空室が金属被覆処理の前にセラミックス薄膜
で覆われ、その後で電気めっき式に金属被覆処理が行わ
れることによって解決される。
は、冒頭に述べた形式のモノリシックマイクロ波・セラ
ミックスフィルタの金属被覆処理方法において、少なく
とも連結中空室が金属被覆処理の前にセラミックス薄膜
で覆われ、その後で電気めっき式に金属被覆処理が行わ
れることによって解決される。
【0007】本発明の実施態様は請求項2以下に記載さ
れている。
れている。
【0008】
【実施例】以下図に示した実施例を参照して本発明を詳
細に説明する。
細に説明する。
【0009】本発明によれば共振器孔2を有するセラミ
ックス体1は、金属被覆処理の前に、連結中空室3がセ
ラミックス体1と同じ電気定数を有するセラミックス薄
膜4で覆われる。
ックス体1は、金属被覆処理の前に、連結中空室3がセ
ラミックス体1と同じ電気定数を有するセラミックス薄
膜4で覆われる。
【0010】モノリシックマイクロ波・セラミックスフ
ィルタの製造過程において、セラミックス体1を焼結す
る前にセラミックス薄膜4が連結中空室3の上に設けら
れ、セラミックス体1と一緒に焼結される。焼結済みの
セラミックス体1は次に連結中空室3上にあるセラミッ
クス薄膜4と共に電気めっき式に金属被覆され、これに
よってセラミックス体1全体が共振器孔1の内側面と共
に金属被膜を施される。その際連結中空室3はセラミッ
クス薄膜4によるマスキングにより金属被覆されない。
ィルタの製造過程において、セラミックス体1を焼結す
る前にセラミックス薄膜4が連結中空室3の上に設けら
れ、セラミックス体1と一緒に焼結される。焼結済みの
セラミックス体1は次に連結中空室3上にあるセラミッ
クス薄膜4と共に電気めっき式に金属被覆され、これに
よってセラミックス体1全体が共振器孔1の内側面と共
に金属被膜を施される。その際連結中空室3はセラミッ
クス薄膜4によるマスキングにより金属被覆されない。
【0011】次いで上述したように図2の上側端面が研
削される。
削される。
【0012】パターン形成が望まれるとき、この研削の
際にセラミックス薄膜4によって生じた隆起部は除去さ
れない。
際にセラミックス薄膜4によって生じた隆起部は除去さ
れない。
【0013】金属被覆処理に対して一層のマスキングが
望まれる場合、連結中空室3以外のセラミックス体1の
範囲にもセラミックス薄膜4が施される。このセラミッ
クス薄膜4も上述したように金属被覆処理される。
望まれる場合、連結中空室3以外のセラミックス体1の
範囲にもセラミックス薄膜4が施される。このセラミッ
クス薄膜4も上述したように金属被覆処理される。
【0014】なお図には分り易くするために金属被覆層
は図示されていない。
は図示されていない。
【0015】
【発明の効果】本発明によれば、モノリシックマイクロ
波・セラミックスフィルタを簡単に電気めっき式に金属
被覆処理できる。
波・セラミックスフィルタを簡単に電気めっき式に金属
被覆処理できる。
【図1】本発明の一実施例を示すモノリシックマイクロ
波・セラミックスフィルタの断面図。
波・セラミックスフィルタの断面図。
【図2】図1に示すフィルタの平面図。
1 セラミックス体 2 共振器孔 3 連結中空室 4 セラミックス薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01P 1/205 H (71)出願人 390041508 シーメンス、マツシタ、コンポーネンツ、 ゲゼルシヤフト、ミツト、ベシユレンクテ ル、ハフツング、ウント、コンパニ、コマ ンデイート、ゲゼルシヤフト SIEMENS MATSUSHITA COMPONENTS GESELLSC HAFT MIT BESCHRANKT ER HAFTUNG & COMPAN Y KOMMANDITGESELLSC HAFT ドイツ連邦共和国ミユンヘン (番地な し) (72)発明者 クリスチアン ブロツク オーストリア国 8045 グラーツ ポペル カリング 59 (72)発明者 ジグルト グライデラー オーストリア国 8073 フエルトキルヒエ ン レルヒエンガツセ 14 (72)発明者 ゲルハルト ペペルコ オーストリア国 8530 ドイツチユランズ ベルク ライベンフエルダーシユトラーセ 42
Claims (5)
- 【請求項1】 複数の共振器孔(2)とこれらの共振器
孔(2)間に設けられた連結中空室(3)とを有するセ
ラミックス体(1)と、このセラミックス体(1)の外
側面の少なくとも一部および共振器孔(2)の内側面に
施された金属被膜とを持ったモノリシックマイクロ波・
セラミックスフィルタの金属被覆処理方法において、少
なくとも連結中空室(3)が金属被覆処理の前にセラミ
ックス薄膜(4)で覆われ、その後で電気めっき式に金
属被覆処理が行われることを特徴とするマイクロ波・セ
ラミックスフィルタの金属被覆処理方法。 - 【請求項2】 セラミックス薄膜(4)がセラミックス
体(1)と同じ電気定数のセラミックスから成ることを
特徴とする請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 セラミックス薄膜(4)がセラミックス
体(1)を焼結する前に連結中空室(3)上に施され、
このセラミックス体(1)と一緒に焼結されることを特
徴とする請求項1又は2記載の方法。 - 【請求項4】 金属被覆処理に対してマスキングするた
めに連結中空室(3)以外のセラミックス体(1)の範
囲にも追加的にセラミックス薄膜(4)が設けられるこ
とを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載
の方法。 - 【請求項5】 金属被覆処理後にセラミックス体(1)
の少なくとも一部例えば端面が研削されることを特徴と
する請求項1ないし4のいずれか1つに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4229001A DE4229001C1 (de) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | Verfahren zur Metallisierung von monolithischen Mikrowellen-Keramikfiltern |
| DE4229001.5 | 1992-08-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196909A true JPH06196909A (ja) | 1994-07-15 |
| JP2802573B2 JP2802573B2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=6466876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5235731A Expired - Lifetime JP2802573B2 (ja) | 1992-08-31 | 1993-08-27 | マイクロ波・セラミックスフィルタの金属被覆処理方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5398399A (ja) |
| JP (1) | JP2802573B2 (ja) |
| DE (1) | DE4229001C1 (ja) |
| FR (1) | FR2695270B1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5447630A (en) * | 1993-04-28 | 1995-09-05 | Rummler; John M. | Materials treatment process and apparatus |
| US5853579A (en) * | 1996-11-26 | 1998-12-29 | Wastech International Inc. | Treatment system |
| JP3607491B2 (ja) * | 1997-03-04 | 2005-01-05 | 日本特殊陶業株式会社 | 誘電体フィルタの製造方法 |
| DE19741147C1 (de) * | 1997-09-18 | 1998-12-10 | Siemens Matsushita Components | Verfahren zum Herstellen eines Keramikfilters mit Wellenwiderstandssprüngen von Resonatoren und derartige Keramikfilter |
| WO1999041799A1 (en) | 1998-02-17 | 1999-08-19 | Itron, Inc. | Laser tunable thick film microwave resonator for printed circuit boards |
| CN111540985A (zh) * | 2020-03-26 | 2020-08-14 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种陶瓷滤波器及射频器 |
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| JPS63111706A (ja) * | 1986-10-30 | 1988-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体共振器の電極膜形成方法 |
| JPH0255408A (ja) * | 1988-08-20 | 1990-02-23 | Toko Inc | 誘電体フィルタの製造方法 |
| JPH0255409A (ja) * | 1988-08-20 | 1990-02-23 | Toko Inc | 誘電体フィルタの製造方法 |
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Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4523162A (en) * | 1983-08-15 | 1985-06-11 | At&T Bell Laboratories | Microwave circuit device and method for fabrication |
| SU1376144A1 (ru) * | 1986-03-10 | 1988-02-23 | Предприятие П/Я В-8828 | Микрополосковый резонатор |
| US4751481A (en) * | 1986-12-29 | 1988-06-14 | Motorola, Inc. | Molded resonator |
| JPS63274794A (ja) * | 1987-05-01 | 1988-11-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 誘電体コアの電解メツキ方法 |
| DE3732850A1 (de) * | 1987-09-29 | 1989-04-06 | Siemens Ag | Anordnung zur kopplung unverkuerzter koaxialresonatoren fuer keramische mikrowellenfilter |
| JPH0260304A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-02-28 | Toko Inc | 誘導体フィルタの製造方法 |
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| JPH07101803B2 (ja) * | 1989-12-19 | 1995-11-01 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体共振器 |
| JPH0736482B2 (ja) * | 1990-01-05 | 1995-04-19 | 富士電気化学株式会社 | 有極形ローパスフィルタ |
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| JPH047904A (ja) * | 1990-04-25 | 1992-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体同軸共振器とそれを用いた誘電体フィルタ |
| JPH0451602A (ja) * | 1990-06-19 | 1992-02-20 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フィルタ |
| JPH04103202A (ja) * | 1990-08-22 | 1992-04-06 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体フィルタ |
-
1992
- 1992-08-31 DE DE4229001A patent/DE4229001C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-08-27 JP JP5235731A patent/JP2802573B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1993-08-27 FR FR9310310A patent/FR2695270B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1993-08-31 US US08/114,780 patent/US5398399A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63111706A (ja) * | 1986-10-30 | 1988-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体共振器の電極膜形成方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2695270B1 (fr) | 1996-08-02 |
| JP2802573B2 (ja) | 1998-09-24 |
| DE4229001C1 (de) | 1993-12-23 |
| FR2695270A1 (fr) | 1994-03-04 |
| US5398399A (en) | 1995-03-21 |
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