JPH0620084B2 - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPH0620084B2 JPH0620084B2 JP3204966A JP20496691A JPH0620084B2 JP H0620084 B2 JPH0620084 B2 JP H0620084B2 JP 3204966 A JP3204966 A JP 3204966A JP 20496691 A JP20496691 A JP 20496691A JP H0620084 B2 JPH0620084 B2 JP H0620084B2
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- Japan
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- chip
- chip support
- die
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電力用トランジスタ、
ダイオード等の樹脂封止型半導体装置の製造方法に関す
る。
ダイオード等の樹脂封止型半導体装置の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の一般的な樹脂封止型パワートラン
ジスタにおいては、トランジスタチップが固着されてい
る放熱性の良いチップ支持板の裏面には樹脂層が形成さ
れていない。このため、このパワートランジスタを外部
放熱体に取付けるに際しては、これらの間の電気的絶縁
のために、上記チップ支持板の裏面と外部放熱体との間
に比較的熱伝導性の良い絶縁物であるマイカ薄板等を介
在させなければならず、パワートランジスタの取付け作
業が煩雑になった。
ジスタにおいては、トランジスタチップが固着されてい
る放熱性の良いチップ支持板の裏面には樹脂層が形成さ
れていない。このため、このパワートランジスタを外部
放熱体に取付けるに際しては、これらの間の電気的絶縁
のために、上記チップ支持板の裏面と外部放熱体との間
に比較的熱伝導性の良い絶縁物であるマイカ薄板等を介
在させなければならず、パワートランジスタの取付け作
業が煩雑になった。
【０００３】上述の如き欠点を解決するために、例え
ば、特開昭５７−１４７２６０号公報に開示されている
ように、放熱性の良いチップ支持板の裏面にも薄い封止
樹脂層（厚さ数百μｍ）を形成し、マイカ薄板等を不要
にする構造が提案されている。また、チップ支持板の下
面を金型で支持せず、片持ち梁状にリードフレームを支
持するために生じる成形時のチップ支持板の変位を防止
するために、リードと反対側に細条を導出し、この細条
を金型で支持し、成形後にこの細条を切り落すことも提
案されている。上述の如く、細条を設けて、チップ支持
板をその両側で保持すれば、樹脂注入時におけるチップ
支持板の変位は確かに少なくなる。
ば、特開昭５７−１４７２６０号公報に開示されている
ように、放熱性の良いチップ支持板の裏面にも薄い封止
樹脂層（厚さ数百μｍ）を形成し、マイカ薄板等を不要
にする構造が提案されている。また、チップ支持板の下
面を金型で支持せず、片持ち梁状にリードフレームを支
持するために生じる成形時のチップ支持板の変位を防止
するために、リードと反対側に細条を導出し、この細条
を金型で支持し、成形後にこの細条を切り落すことも提
案されている。上述の如く、細条を設けて、チップ支持
板をその両側で保持すれば、樹脂注入時におけるチップ
支持板の変位は確かに少なくなる。
【０００４】しかし、成形後に、細条を切断すると、こ
の切断面が樹脂被覆体から露出し、電気絶縁上好ましく
ない。また被覆体表面の汚れにより絶縁性が低下する。
また、細条を切断するための工程が必要となり、製造コ
ストが高くなる。
の切断面が樹脂被覆体から露出し、電気絶縁上好ましく
ない。また被覆体表面の汚れにより絶縁性が低下する。
また、細条を切断するための工程が必要となり、製造コ
ストが高くなる。
【０００５】更に金型に対の突起を設け、チップ支持板
の一方の主面側と他方の主面側の両方を支持する方式が
実開昭５９−６５５４６号公報に開示されている。
の一方の主面側と他方の主面側の両方を支持する方式が
実開昭５９−６５５４６号公報に開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この様に構成すれば、
樹脂被覆体の表面からチップ支持板までの距離が今迄よ
りも長くなる。しかし、金型の突起に対応して生じる樹
脂被覆体の孔を通じて水分等の湿気が浸入する。
樹脂被覆体の表面からチップ支持板までの距離が今迄よ
りも長くなる。しかし、金型の突起に対応して生じる樹
脂被覆体の孔を通じて水分等の湿気が浸入する。
【０００７】そこで本発明の目的は、電気的絶縁性を高
めると共に水分の浸入を防ぐことができる樹脂封止型半
導体装置の製造方法を提供することにある。
めると共に水分の浸入を防ぐことができる樹脂封止型半
導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、実施例を示す図面の符号を参照して説明す
ると、半導体チップ３と、一方の主表面上に前記チップ
３が装着された金属製チップ支持板１と、前記チップ支
持板１の一方の側に導出され且つ前記チップ支持板１に
連続しているリード２ｂと、前記チップ３及び前記チッ
プ支持板１の一方及び他方の主表面を覆う一方及び他方
の面を有するように設けられた絶縁性樹脂被覆体１９と
を備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前
記リード２ｂの導出側と反対の側に配置され且つ前記チ
ップ支持板１に一体に設けられている型当接部５を有
し、且つ前記型当接部５が前記チップ支持板１の前記一
方の主表面側に型当接面を有する第１の型係合部８、９
と、前記チップ支持板１の前記他方の主表面側に型当接
面を有する第２の型係合部１０、１１とから成り、前記
被覆体１９の他方の面を基準にして前記第２の型係合部
１０、１１の型当接面の高さが前記チップ支持板１の前
記他方の主表面よりも高く設定され、且つ前記第１の型
係合部８、９の型当接面の高さが前記第２の型係合部１
０、１１の反対面の高さよりも低く設定されており、且
つ少なくとも前記第１の型係合部８、９を囲む溝２９が
設けられているリード部材を用意し、前記チップ３を伴
なった前記チップ支持板１及び前記型当接部５を囲むよ
うに前記樹脂被覆体１９を形成するための成形空所１４
を有し、前記チップ支持板１の一方の主表面に対して直
交する方向に延びて前記第１及び第２の型係合部に当接
する第１及び第２の突起１５、１６を有している樹脂封
止用型１２、１３を用意し、前記チップ３を伴なった前
記チップ支持板１を前記成形空所１４に配置し、前記リ
ード２ｂを前記型１２、１３で支持すると共に前記第１
及び第２の突起１５、１６の先端を前記第１及び第２の
型係合部に当接することによって前記チップ支持板１を
支持し、前記成形空所１４に樹脂を注入して前記樹脂被
覆体１９を形成することを特徴とする樹脂封止型半導体
装置の製造方法に係わるものである。
の本発明は、実施例を示す図面の符号を参照して説明す
ると、半導体チップ３と、一方の主表面上に前記チップ
３が装着された金属製チップ支持板１と、前記チップ支
持板１の一方の側に導出され且つ前記チップ支持板１に
連続しているリード２ｂと、前記チップ３及び前記チッ
プ支持板１の一方及び他方の主表面を覆う一方及び他方
の面を有するように設けられた絶縁性樹脂被覆体１９と
を備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前
記リード２ｂの導出側と反対の側に配置され且つ前記チ
ップ支持板１に一体に設けられている型当接部５を有
し、且つ前記型当接部５が前記チップ支持板１の前記一
方の主表面側に型当接面を有する第１の型係合部８、９
と、前記チップ支持板１の前記他方の主表面側に型当接
面を有する第２の型係合部１０、１１とから成り、前記
被覆体１９の他方の面を基準にして前記第２の型係合部
１０、１１の型当接面の高さが前記チップ支持板１の前
記他方の主表面よりも高く設定され、且つ前記第１の型
係合部８、９の型当接面の高さが前記第２の型係合部１
０、１１の反対面の高さよりも低く設定されており、且
つ少なくとも前記第１の型係合部８、９を囲む溝２９が
設けられているリード部材を用意し、前記チップ３を伴
なった前記チップ支持板１及び前記型当接部５を囲むよ
うに前記樹脂被覆体１９を形成するための成形空所１４
を有し、前記チップ支持板１の一方の主表面に対して直
交する方向に延びて前記第１及び第２の型係合部に当接
する第１及び第２の突起１５、１６を有している樹脂封
止用型１２、１３を用意し、前記チップ３を伴なった前
記チップ支持板１を前記成形空所１４に配置し、前記リ
ード２ｂを前記型１２、１３で支持すると共に前記第１
及び第２の突起１５、１６の先端を前記第１及び第２の
型係合部に当接することによって前記チップ支持板１を
支持し、前記成形空所１４に樹脂を注入して前記樹脂被
覆体１９を形成することを特徴とする樹脂封止型半導体
装置の製造方法に係わるものである。
【０００９】
【作用】チップ支持板１の一方の主表面側と他方の主表
面側とに第１及び第２の型係合部８、９、１０、１１を
設け、ここを型で支持するので、樹脂注入時におけるチ
ップ支持板１の変位が少なくなる。また、チップ支持板
１と同一高さ位置に第２の型係合部１０、１１を設けず
に、段差を有する位置に設けたので、成形後において第
２の型係合部１０、１１に対応して生じる樹脂欠損部の
樹脂被覆体１９の表面からの深さが大になる。また、第
１の型係合部８、９の型当接面の高さを低くしたので、
第１の型係合部８、９に対応して生じる樹脂欠損部の樹
脂被覆体１９の表面からの深さが大になる。よって、絶
縁性の低下が少ない。溝２９は型当接部５と樹脂被覆体
１９との結合強度を高める働きを有する他に、第１の型
係合部８、９からチップ３までの沿面距離を増大させて
水分の浸入を防ぐ。
面側とに第１及び第２の型係合部８、９、１０、１１を
設け、ここを型で支持するので、樹脂注入時におけるチ
ップ支持板１の変位が少なくなる。また、チップ支持板
１と同一高さ位置に第２の型係合部１０、１１を設けず
に、段差を有する位置に設けたので、成形後において第
２の型係合部１０、１１に対応して生じる樹脂欠損部の
樹脂被覆体１９の表面からの深さが大になる。また、第
１の型係合部８、９の型当接面の高さを低くしたので、
第１の型係合部８、９に対応して生じる樹脂欠損部の樹
脂被覆体１９の表面からの深さが大になる。よって、絶
縁性の低下が少ない。溝２９は型当接部５と樹脂被覆体
１９との結合強度を高める働きを有する他に、第１の型
係合部８、９からチップ３までの沿面距離を増大させて
水分の浸入を防ぐ。
【００１０】
【実施例】次に、図１〜図５を参照して本発明の実施例
に係わる樹脂封止型トランジスタ及びその製造方法につ
いて述べる。まず、図１及び図２に示すリードフレーム
と呼ばれる半導体装置組立体を用意する。図１及び図２
において、１はニッケル被覆銅板から成る放熱性の良い
チップ支持板、２ａ、２ｂ、２ｃは同じ材料から成る外
部リードで、２ａがベース外部リード、２ｂがコレクタ
外部リード、２ｃがエミッタ外部リードである。３はシ
リコンパワートランジスタチップで、上面にはベース電
極及びエミッタ電極が、下面にはコレクタ電極がそれぞ
れ形成されている。このチップ３は下面においてチップ
支持板１に半田（図示せず）により固着されている。４
ａ、４ｂはアルミニウム線から成る内部リードであり、
チップ３のベース電極とベース外部リード２ａとの間、
及びチップ３のエミッタ電極とエミッタ外部リード２ｃ
との間に配設されている。なお、チップ３上にはジャン
クションコーティングレジンと呼ばれるチップ保護用の
シリコン樹脂から成る保護層が設けられている。また、
リード２ａ、２ｂ、２ｃは連結部（図示せず）で相互に
連結されている。
に係わる樹脂封止型トランジスタ及びその製造方法につ
いて述べる。まず、図１及び図２に示すリードフレーム
と呼ばれる半導体装置組立体を用意する。図１及び図２
において、１はニッケル被覆銅板から成る放熱性の良い
チップ支持板、２ａ、２ｂ、２ｃは同じ材料から成る外
部リードで、２ａがベース外部リード、２ｂがコレクタ
外部リード、２ｃがエミッタ外部リードである。３はシ
リコンパワートランジスタチップで、上面にはベース電
極及びエミッタ電極が、下面にはコレクタ電極がそれぞ
れ形成されている。このチップ３は下面においてチップ
支持板１に半田（図示せず）により固着されている。４
ａ、４ｂはアルミニウム線から成る内部リードであり、
チップ３のベース電極とベース外部リード２ａとの間、
及びチップ３のエミッタ電極とエミッタ外部リード２ｃ
との間に配設されている。なお、チップ３上にはジャン
クションコーティングレジンと呼ばれるチップ保護用の
シリコン樹脂から成る保護層が設けられている。また、
リード２ａ、２ｂ、２ｃは連結部（図示せず）で相互に
連結されている。
【００１１】支持板１のリード導出側（左側）と反対の
右側には、型当接部５が設けられている。この型当接部
５は、一対の突片６、７の根元近傍に位置する一対の第
１の型係合部８、９と、一対の突片６、７の先端近傍に
位置する一対の第２の型係合部１０、１１とから成る。
第１の型係合部８、９は切込み溝２９によって包囲され
ている。
右側には、型当接部５が設けられている。この型当接部
５は、一対の突片６、７の根元近傍に位置する一対の第
１の型係合部８、９と、一対の突片６、７の先端近傍に
位置する一対の第２の型係合部１０、１１とから成る。
第１の型係合部８、９は切込み溝２９によって包囲され
ている。
【００１２】樹脂封止用金型は、図１に概略的に示す如
く、上部金型１２と下部金型１３とから成り、リードフ
レームの内の支持板１、リード２ａ、２ｂ、２ｃの一
部、チップ、内部リード４ａ、４ｂ、及び型当接部５を
囲む成形空所１４が生じるように形成されている。金型
１２、１３はリード２ａ、２ｂ、２ｃを挟持することに
よってリードフレームを片持ち梁的に支持している。ま
た、上部金型１２から垂下するピン状突起１５と下部金
型１３から立上るピン状突起１６は支持板１の先端の型
当接部５を支持している。図１には上部突起１５及び下
部突起１６がそれぞれ１個ずつ示されているが、図２の
一対の第１の型係合部８、９と一対の第２の型係合部１
０、１１とに対応して突起１５、１６はそれぞれ２個ず
つ設けられている。また、沿面距離を増大させるために
突起１５、１６は段部を有する。
く、上部金型１２と下部金型１３とから成り、リードフ
レームの内の支持板１、リード２ａ、２ｂ、２ｃの一
部、チップ、内部リード４ａ、４ｂ、及び型当接部５を
囲む成形空所１４が生じるように形成されている。金型
１２、１３はリード２ａ、２ｂ、２ｃを挟持することに
よってリードフレームを片持ち梁的に支持している。ま
た、上部金型１２から垂下するピン状突起１５と下部金
型１３から立上るピン状突起１６は支持板１の先端の型
当接部５を支持している。図１には上部突起１５及び下
部突起１６がそれぞれ１個ずつ示されているが、図２の
一対の第１の型係合部８、９と一対の第２の型係合部１
０、１１とに対応して突起１５、１６はそれぞれ２個ず
つ設けられている。また、沿面距離を増大させるために
突起１５、１６は段部を有する。
【００１３】本実施例では単に突起１５、１６でリード
フレームを支持するのみでなく、一対の突起１５、１６
に段差を付けてリードフレ−ムを支持している。このた
め、第２の型係合部１０に対して下部突起１６の先端が
当る型当接面（下面）の高さＨ3 が支持板１の下面の高
さＨ1 よりも高くなるように突片６が折り曲げられてい
る。また、下部金型１３を基準にした第１の型係合部８
に対して上部突起１５の先端が当る型当接面（上面）の
高さＨ2 が第２の型係合部１０の型当接面の高さＨ3 及
びこの反対側の面の高さＨ4 よりも低く設定されてい
る。従って、上部金型１２を基準にした突起１５の高さ
Ｈ6 は第２の型係合部１０の上面までの距離Ｈ5 より大
である。なお、もう一方の突片７における第１及び第２
の型係合部９、１１も同様に形成されている。なお、図
２に示す如く、一対の細条突片６、７の間に、完成した
素子の取付孔を得るために金型１３の柱状突出部１７が
配されている。
フレームを支持するのみでなく、一対の突起１５、１６
に段差を付けてリードフレ−ムを支持している。このた
め、第２の型係合部１０に対して下部突起１６の先端が
当る型当接面（下面）の高さＨ3 が支持板１の下面の高
さＨ1 よりも高くなるように突片６が折り曲げられてい
る。また、下部金型１３を基準にした第１の型係合部８
に対して上部突起１５の先端が当る型当接面（上面）の
高さＨ2 が第２の型係合部１０の型当接面の高さＨ3 及
びこの反対側の面の高さＨ4 よりも低く設定されてい
る。従って、上部金型１２を基準にした突起１５の高さ
Ｈ6 は第２の型係合部１０の上面までの距離Ｈ5 より大
である。なお、もう一方の突片７における第１及び第２
の型係合部９、１１も同様に形成されている。なお、図
２に示す如く、一対の細条突片６、７の間に、完成した
素子の取付孔を得るために金型１３の柱状突出部１７が
配されている。
【００１４】金型１２、１３に対するリードフレームの
配置が完了したら、公知のトランスファー成型法に基づ
いて、熱硬化性エポキシ樹脂をポット内で軟化させ、加
圧して金型１２、１３内に注入する。これにより、図２
に示す注入孔１８から空所１４に液状の樹脂が注入さ
れ、空所１４の全部が樹脂で充填される。金型１２、１
３は樹脂を熱硬化させる温度（１５０゜〜２００゜程
度）に加熱されているので、充填された樹脂は短時間
（数分）の内に熱硬化し、図３及び図４に示す樹脂封止
体１９となる。なお、完全に熱硬化させるために、金型
１２、１３からリードフレームを取り出した後に、更に
長時間の熱処理を行う。
配置が完了したら、公知のトランスファー成型法に基づ
いて、熱硬化性エポキシ樹脂をポット内で軟化させ、加
圧して金型１２、１３内に注入する。これにより、図２
に示す注入孔１８から空所１４に液状の樹脂が注入さ
れ、空所１４の全部が樹脂で充填される。金型１２、１
３は樹脂を熱硬化させる温度（１５０゜〜２００゜程
度）に加熱されているので、充填された樹脂は短時間
（数分）の内に熱硬化し、図３及び図４に示す樹脂封止
体１９となる。なお、完全に熱硬化させるために、金型
１２、１３からリードフレームを取り出した後に、更に
長時間の熱処理を行う。
【００１５】上述の如き成形において、樹脂が加圧注入
されても、リードフレームは第１及び第２の型係合部
８、９、１０、１１によっても支持されているので、空
所１４内で殆んど変位しない。このため、図３及び図４
に示す如く完成したトランジスタにおいて支持板１の下
面と被覆体１９の下面との距離即ち図１の高さＨ1 を常
にほぼ一定に保つことができる。これにより、放熱特性
が一定になる。また、薄くなりすぎて絶縁特性が劣化す
ることもない。
されても、リードフレームは第１及び第２の型係合部
８、９、１０、１１によっても支持されているので、空
所１４内で殆んど変位しない。このため、図３及び図４
に示す如く完成したトランジスタにおいて支持板１の下
面と被覆体１９の下面との距離即ち図１の高さＨ1 を常
にほぼ一定に保つことができる。これにより、放熱特性
が一定になる。また、薄くなりすぎて絶縁特性が劣化す
ることもない。
【００１６】また、上部突起１５と下部突起１６は完全
に対向していない。このため、図３から明らかな如く、
上部金型１２の突起１５に対応して生じる樹脂欠損孔２
０及び下部金型１３の突起１６に対応して生じる樹脂欠
損孔２１の深さが大になる。樹脂モールドトランジスタ
は、図４に示す取付孔２２を利用して、一般には図５に
示す如く、放熱基板２３にネジ２４等で取付けられる。
従って、被覆体１９の下面から第２の型係合部１０まで
の距離、及び上面から第１の型係合部８までの距離が大
きいと絶縁性が高くなる。図５から明らかな如く、本実
施例では、第２の型係合部１０が細条突片６の折曲によ
って高い位置に配されているので、孔２１の深さが大で
あり、絶縁性が高い。また、上側の孔２０も下側の孔２
１に対向させずに、支持板１の延長面に至るように形成
したので、この深さが大となり、絶縁性が高い。
に対向していない。このため、図３から明らかな如く、
上部金型１２の突起１５に対応して生じる樹脂欠損孔２
０及び下部金型１３の突起１６に対応して生じる樹脂欠
損孔２１の深さが大になる。樹脂モールドトランジスタ
は、図４に示す取付孔２２を利用して、一般には図５に
示す如く、放熱基板２３にネジ２４等で取付けられる。
従って、被覆体１９の下面から第２の型係合部１０まで
の距離、及び上面から第１の型係合部８までの距離が大
きいと絶縁性が高くなる。図５から明らかな如く、本実
施例では、第２の型係合部１０が細条突片６の折曲によ
って高い位置に配されているので、孔２１の深さが大で
あり、絶縁性が高い。また、上側の孔２０も下側の孔２
１に対向させずに、支持板１の延長面に至るように形成
したので、この深さが大となり、絶縁性が高い。
【００１７】更に、孔２０、２１の中間に段差があり、
樹脂被覆体１９の表面から型当接部５までの沿面距離の
増大が図られている。また、切込み溝２９がチップ１に
向う水分の浸入を防ぐ。従って、信頼性及び耐圧の高い
半導体装置を提供することができる。
樹脂被覆体１９の表面から型当接部５までの沿面距離の
増大が図られている。また、切込み溝２９がチップ１に
向う水分の浸入を防ぐ。従って、信頼性及び耐圧の高い
半導体装置を提供することができる。
【００１８】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （ａ） 支持板１の上下方向の位置を固定するのみでな
く、水平方向の位置も固定するために、突起１５、１６
の先端の一部又は全部を嵌合させるための孔を型当接部
５に設けることができる。 （ｂ） トランジスタ以外の整流素子等にも適用可能で
ある。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （ａ） 支持板１の上下方向の位置を固定するのみでな
く、水平方向の位置も固定するために、突起１５、１６
の先端の一部又は全部を嵌合させるための孔を型当接部
５に設けることができる。 （ｂ） トランジスタ以外の整流素子等にも適用可能で
ある。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、水分の浸入を防いで信
頼性を高めると共に耐圧を高めることができる。
頼性を高めると共に耐圧を高めることができる。
【図１】実施例に係わるリードフレーム及び金型を図２
のＡ−Ａ線に対応する部分で示す断面図である。
のＡ−Ａ線に対応する部分で示す断面図である。
【図２】リードフレームと下部金型を示す平面図であ
る。
る。
【図３】完成した樹脂モールドトランジスタを示す図２
のＡ−Ａ線対応部分で示す断面図である。
のＡ−Ａ線対応部分で示す断面図である。
【図４】完成したトランジスタの斜視図である。
【図５】図３のトランジスタを放熱基板に取付けた状態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１ 放熱支持板 ３ チップ ５ 型当接部 ８、９ 第１の型係合部 １０、１１ 第２の型係合部 １５ 上部突起 １６ 下部突起 １９ 樹脂被覆体 ２９ 溝
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップ（３）と、一方の主表面上
に前記チップ（３）が装着された金属製チップ支持板
（１）と、前記チップ支持板（１）の一方の側に導出さ
れ且つ前記チップ支持板（１）に連続しているリード
（２ｂ）と、前記チップ（３）及び前記チップ支持板
（１）の一方及び他方の主表面を覆う一方及び他方の面
を有するように設けられた絶縁性樹脂被覆体（１９）と
を備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法において、 前記リード（２ｂ）の導出側と反対の側に配置され且つ
前記チップ支持板（１）に一体に設けられている型当接
部（５）を有し、且つ前記型当接部（５）が前記チップ
支持板（１）の前記一方の主表面側に型当接面を有する
第１の型係合部（８）（９）と、前記チップ支持板
（１）の前記他方の主表面側に型当接面を有する第２の
型係合部（１０）（１１）とから成り、前記被覆体（１
９）の他方の面を基準にして前記第２の型係合部（１
０）（１１）の型当接面の高さが前記チップ支持板
（１）の前記他方の主表面よりも高く設定され、且つ前
記第１の型係合部（８）（９）の型当接面の高さが前記
第２の型係合部（１０）（１１）の反対面の高さよりも
低く設定されており、且つ少なくとも前記第１の型係合
部（８）（９）を囲む溝（２９）が設けられているリー
ド部材を用意し、 前記チップ（３）を伴なった前記チップ支持板（１）及
び前記型当接部（５）を囲むように前記樹脂被覆体（１
９）を形成するための成形空所（１４）を有し、前記チ
ップ支持板（１）の一方の主表面に対して直交する方向
に延びて前記第１及び第２の型係合部に当接する第１及
び第２の突起（１５）（１６）を有している樹脂封止用
型（１２）（１３）を用意し、 前記チップ（３）を伴なった前記チップ支持板（１）を
前記成形空所（１４）に配置し、前記リード（２ｂ）を
前記型（１２）（１３）で支持すると共に前記第１及び
第２の突起（１５）（１６）の先端を前記第１及び第２
の型係合部に当接することによって前記チップ支持板
（１）を支持し、前記成形空所（１４）に樹脂を注入し
て前記樹脂被覆体（１９）を形成することを特徴とする
樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3204966A JPH0620084B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3204966A JPH0620084B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15347284A Division JPS6132434A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299453A JPH05299453A (ja) | 1993-11-12 |
| JPH0620084B2 true JPH0620084B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=16499250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3204966A Expired - Fee Related JPH0620084B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620084B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6228904B2 (ja) * | 2014-10-16 | 2017-11-08 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、金型およびリードフレーム |
-
1991
- 1991-07-19 JP JP3204966A patent/JPH0620084B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05299453A (ja) | 1993-11-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |