JPH0620277B2 - 電荷結合素子の信号処理回路 - Google Patents

電荷結合素子の信号処理回路

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JPH0620277B2
JPH0620277B2 JP60280616A JP28061685A JPH0620277B2 JP H0620277 B2 JPH0620277 B2 JP H0620277B2 JP 60280616 A JP60280616 A JP 60280616A JP 28061685 A JP28061685 A JP 28061685A JP H0620277 B2 JPH0620277 B2 JP H0620277B2
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circuit
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郁男 秋山
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Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、電荷結合素子の信号処理回路に関する。
(従来の技術) 電荷結合素子(以後CCDと記す)の雑音源には固定パ
ターン雑音、信号電流や暗電流によるショット雑音、リ
セット雑音、出力アンプの雑音等がある。とりわけ近年
のCCD固体撮像素子ではチップサイズが縮小化されか
つ多画素化される傾向にあるため、これに伴う信号量の
減少に対処して、これら雑音を低減させることが強く望
まれる。
上記雑音のうち、リセット雑音および出力アンプ雑音の
低減成分を低減させるCCDの信号処理回路として相関
二重サンプリング(以後CDSと記す)回路が知られて
いる(アイ・イー・イー・イー・ジャーナル・オブ・ソ
リッド・ステート・サーキット〔IEEE Journal of Soli
d−State Circuits〕第SC−9巻、1号、1〜13ペ
ージ、1974年2月)。このCDS回路は、第3図に
示すごとく、CCD101の出力端に接続されたバッフ
ァアンプ102と、カップリングコンデンサ103とス
イッチ104および直流電圧源105とから成るクラン
プ回路106と、信号を次段に伝えるためのバッファア
ンプ107と、スイッチ108とホールドコンデンサ1
09とから成るサンプルホールド回路110と、出力ア
ンプ111とで構成されている。本CDS回路の動作を
第4図に示すタイミングチャートを使って説明する。ま
ず時刻t41〜t42ではクランプ回路106のスイッチ1
04に印加されているクランプパルスφCがオン状態と
なるため、CCD出力信号のフィードスルーレベル1は
直流電圧源105の電位Vにクランプされる。次に時
刻t43〜t44ではクランプパルスφC がオフし、代って
サンプルホールド回路110のスイッチ108に印加さ
れているサンプルパルスφS がオン状態となるため、C
CD出力信号の信号レベル1はホールドコンデンサ10
9に伝達・保持され、出力アンプ111を介して外部へ
出力される。時刻t45〜t46ではクランプパルスφC
再びオン状態となるため、CCD出力信号のフィールド
スルーレベル2は電位VC にクランプされる。次いで時
刻t47〜t48ではサンプルパルスφS が再びオン状態と
なるため、時刻t44〜t47の間信号レベル1を保持して
きたホールドコンデンサ109は代わって信号レベル2
を保持するようになり、以後、同様な動作が繰り返され
る。以上の動作に従えば、CDS回路ではたとえフィー
ルドスルーレベル1とフィールドスルーレベル2の電位
が異なっていても、この電位差は外部に出力されず、フ
ィールドレルーレベル1と信号レベル1の電位差あるい
はフィールドスルーレベル2と信号レベル2の電位差で
あらわされるCCDの正確な出力信号情報のみが出力さ
れることになる。言い換えれば、本CDS回路を用いる
ことにより、フィールドスルーレベルのばらつきの原因
であるリセット雑音や出力アンプ雑音の低域成分が大幅
に低減される。
次に、最近、CDS回路と同様に、リセット雑音や出力
アンプ雑音を低減させるCCDの信号処理回路として積
分型相関二重サンプルリング(以後IDSと記す)回路
が報告されている(通信学会全大、1341、5−15
8ページ、1985年)。このIDS回路は第5図に示
すように抵抗121(126)とサンプルスイッチ122
(127)とホールドコンデンサ123(128)およびリ
セットスイッチ124(129)とから成る積分回路12
(130)と、スイッチ131(134、137)とホー
ルドコンデンサ132(135、138)とから成る。サ
ンプルホールド回路133(136、139)と、差動ア
ンプ140とで構成されている。ここで、CCD141
からの出力は、バッファアンプ142を介して、積分回
125130に同時に印加される。また積分回路
25の出力は、バッファアンプ143、144、145
を介して、サンプルホールド回路133136に順次
接続され、差動アンプ140のマイナス端子に印加され
る。一方、積分回路130の出力は、バッファアンプ1
46、147を介してサンプルホールド回路139に接
続され、差動アンプ140のプラン端子に印加される。
本IDS回路の動作を第6図に示すタイミングチャート
を使って説明する。まず時刻t61〜t62では積分回路
25のサンプルスイッチ122に印加されているサンプ
ルパルスφFSがオン状態となるため、ホールドコンデン
サ123にはCCD出力信号のフィールドスルーレベル
に応じた電荷が充電される。このときの充電速度は抵抗
121(抵抗値R1)とホールドコンデンサ123(容
量C)の直列接続の時定数C11に依存する。すなわ
ち、充電速度は時定数C11が小さい程速くなる。次に
時刻t63〜t65ではサンプルパルスφFSがオフし、代わ
ってサンプルホールド回路133のスイッチ131に印
加されているサンプルパルスφS1がオン状態となるた
め、時刻t61〜t62間にホールドコンデンサ123で積
分されたCCDのフィールドスルーレベルの情報はホー
ルドコンデンサ132に伝達・保持される。次いで時刻
67〜t68ではサンプルホールド回路136のスイッチ
134に印加されているサンプルパルスφS2がオン状態
となるため、ホールドコンデンサ132に保持されてい
たフィールドスルーレベルの情報はホールドコンデンサ
135に伝達・保持される。ところで、積分回路125
のホールドコンデンサ123に保持されていた電荷は、
時刻t65〜t67でリセットスイッチ124に印加されて
いるリセットパルスφFRがオンすることにより充電され
る。これは次の周期の積分動作に備えるためである。一
方、時刻t64〜t66では積分回路130のサンプルスイ
ッチ127に印加されているサンプルパルスφSSがオン
状態となるため、ホールドコンデンサ128にはCCP
出力信号の信号レベルに応じた電荷が充電される。この
ときの充電速度は抵抗126(抵抗値R2)とホールド
コンデンサ128(容量C2)の直列接続の時定数C2
2に依存する。この時定数C22は、一般的には積分回
125の時定数C11と等しく選ばれる。次に時刻t
67〜t68ではサンプルパルスφSSがオフし、代わってサ
ンプルホールド回路139のスイッチ137に印加され
ているサンプルパルスφS2がオン状態となるため、時刻
64〜t66間にホールドコンデンサ128で積分された
CCDの信号レベルの情報は、ホールドコンデンサ13
8に伝達・保持される。すなわち時刻t67〜t68からの
次の周期の時刻t70にかけては、ホールドコンデンサ1
35にはCCDのフィールドスルーレベルの情報が保持
され、またホールドコンデンサ138にはCCDの信号
レベルの情報が保持され続ける。よって差動アンプ14
0からはフィールドスルーレベルと信号レベルの電位差
が出力される。なお、積分回路130のホールドコンデ
ンサ128に保持されていた電荷は、時刻t68〜t69
リセットスイッチ129に印加されているリセットパル
スφSRがオンすることにより放電される。以上の動作に
従えば、IDS回路ではフィールドスルーレベルのばら
つきの原因であるリセット雑音や出力アンプ雑音の低域
成分が大幅に低減できるばかりでなく、積分回路によっ
て出力アンプ雑音の高域成分を除去しているため、これ
ら高域成分がサンプリング動作によって低減に折り返え
されることも少なく、更なる雑音化が可能である。
(発明が解決しようとする問題点) 以上、CCDの雑音を低減させる従来の信号処理回路と
してCDS回路とIDS回路の二つについて説明した
が、前者ではリセット雑音や出力アンプ雑音の低域成分
は低減できるものの、出力アンプ雑音の高域成分がクラ
ンプ動作やサンプリング動作によって低域に折り返えさ
れるという欠点がある。また後者は上述の欠点はほぼ解
消されるものの、駆動パルスが多く、また回路が複雑で
あるために調整箇所も多く、量産品への適用は難しい。
本発明は上述した従来の欠点を除去したもので、その目
的とするところは雑音低減効果の大きいCCDの新しい
信号処理回路を提供することにある。
(問題点を解決するための手段) 本発明によれば、電荷結合素子の出力部に接続され、こ
の電荷結合素子からの出力信号を帯域制限した上で前記
出力信号のフィールドスルーレベルを一定電位にクラン
プするソフトクランプ回路部と、このソフトクランプ回
路部の出力部に接続され、前記出力信号の信号レベルを
一定期間にわたって積分する積分回路部と、この積分回
路部の出力部に接続され、積分完了後の前記信号レベル
をサンプリングするサンプルホールド回路部と、このサ
ンプルホールド回路部の出力部に接続された出力アンプ
を備えることを特徴とする電荷結合素子の信号処理回路
が得られる。
(作 用) ソフトクランプ回路部ではCCD出力信号のフィールド
スルーレベルを一定電位にクランプしているので、リセ
ット雑音や出力アンプ雑音の低域成分が除去できる。ま
た、クランプする前に帯域制限しているので、クランプ
動作による出力アンプ雑音高域成分の低域への折り返し
を小さくすることもできる。さらに、積分回路部ではC
CD出力信号の信号レベルに重量されている出力アンプ
雑音高域成分を除去しているため、サンプリング動作に
よる出力アンプ雑音高域成分の低域への折り返しを小さ
くできる。結果として、本発明による信号処理回路によ
れば、CCDの低雑音化が達成できるしかも回路構成も
簡単である。
(実施例) 以下、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第1図は本発明によるCCDの信号処理回路の実施例で
あり、抵抗1とカップリングコンデンサ2とスイッチ3
および直流電圧源4とから成るソフトクランプ回路
と、抵抗6とサンプルスイッチ7とホールドコンデンサ
8およびリセットスイッチ9とから成る積分回路10
と、スイッチ11とホールドコンデンサ12とから成る
サンプルホールド回路13と、バッファアンプ14、1
5、16、出力アンプ17とで構構成されている。ここ
でCCD18からの出力は、それぞれの段にバッファア
ンプ14,15,16を介して、ソフトクランプ回路
、積分回路10、サンプルホールド回路13、出力ア
ンプ17の順に接続されている。
本実施例の動作を第2図に示すタイミングチャートを使
って説明する。まず時刻t1〜t2ではソフトクランプ回
のスイッチ3に印加されているクランプパルスφC
がオン状態となるため、CCD出力信号のフィールドス
ルーレベルは直流電圧源の電位VC にクランプされる。
ただし、このときクランプの速度は抵抗1(抵抗値R)
とホールドコンデンサ2(容量C)の直列接続の時定数
CRに依存する。すなわち、時定数CRを小さくすると
クランプの速度は上がるが、CCDの出力信号に含まれ
る雑音の高域成分が除去できなくなるため、クランプ動
作による低域への折り返し雑音成分が増加する。反対に
時定数CRを大きくすると低域への折り返し雑音成分が
減るが、クランプの速度が落ちるため、クランプが掛け
らなくなる。よって時定数CRはクランプが正常に掛か
る範囲で、折り返し雑音成分が最小となるよう選ばねば
ならない。
次に時刻t3〜t4ではクランプパルスφC がオフし、代
わって積分回路10のサンプルスイッチに印加されてい
るサンプルパルスφS1がオン状態となるため、ホールド
コンデンサ8にはCCD出力信号の信号レベルに応じた
電荷が充電される。ただし、このときの充電速度は抵抗
6(抵抗値R′)とホールドコンデンサ8(容量C′)
の直列接続の時定数C′R′に依存する。すなわち、時
定数C′R′を小さくすると充電速度が上がるために、
ホールドコンデンサ8に充電される信号電圧レベルは増
えるが、CCDの出力信号に含まれる雑音の高域成分が
除去できなくなるため、サンプリング動作による低域へ
の折り返し雑音成分も増加する。反対に時定数CRを大
きくすると低域への折り返し雑音成分は減るが、充電速
度が落ちるため、ホールドコンデンサ8に充電される信
号電圧レベルも減少する。よって時定数CRは信号対雑
音比が最大となるよう選ばねばならない。
次いで時刻t5〜t6ではサンプルパルスφS1がオフし、
代わってサンプルホールド回路のスイッチ11に印加
されているサンプルパルスφS2がオン状態となるため、
時刻t3〜t4間にホールドコンデンサ8で積分されたC
CDの信号レベルの情報は、ホールドコンデンサ12に
伝達され、次の周期の時刻tまで一定電位に保持され
る。よって、出力アンプ17からはCCDの正常な出力
信号情報のみが出力される。なお積分回路10のホール
ドコンデンサ8に保持されていた電荷は、時刻t6〜t7
でリセットスイッチ9に印加されている。リセットパル
スφSRがオンにすることにより放電される。これは次の
周期の積分動作に備えるためである。
(発明の効果) 以上述べたように、本発明によるCCDの信号処理回路
によれば、CCDの雑音のうち、リセット雑音および出
力アンプ雑音の低域成分が大幅に低減するばかりでな
く、出力アンプ雑音の高域成分がクランプ動作あるいは
サンプリング動作によって低域に折り返えされることも
少なくないため、大幅な低雑音化が可能となる。さらに
使用駆動パルス数は比較的少なく、また回路構成も簡単
なため、調整箇所は少なく、量産品への適用は容易であ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による信号処理回路図、第2図は本発明
による信号処理回路の動作を説明するためのタイミング
チャート、第3図は従来の相関二重サンプリング(CD
S)回路図、第4図はCDS回路の動作を説明するため
のタイミングチャート第5図は従来の積分型相関二重サ
ンプリング(IDS)回路図、第6図はIDS回路の動作を
説明するためのタイミングチャートである。 図において はソフトクランプ回路、106はクランプ、10
25130は積分回路、1311013313
139はサンプルホールド回路、14〜16、10
2、107、143〜147はバッファアンプ、17、
111は出力アンプ、140は差動増幅器をそれぞれ示
す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電荷結合素子の出力部に接続され、この電
    荷結合素子からの出力信号を帯域制限した上で前記出力
    信号のフィードスルーレベルを一定電位にクランプする
    ソフトクランプ回路部と、このソフトクランプ回路部の
    出力部に接続され、前記出力信号の信号レベルを一定期
    間にわたって積分する積分回路部と、この積分回路部の
    出力部に接続され、積分完了後の前記信号レベルをサン
    プリングするサンプルホールド回路部と、このサンプル
    ホールド回路部の出力部に接続された出力アンプとを備
    えることを特徴とする電荷結合素子の信号処理回路。
JP60280616A 1985-12-12 1985-12-12 電荷結合素子の信号処理回路 Expired - Lifetime JPH0620277B2 (ja)

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