JPH06204377A - 半導体装置用パッケージ及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置用パッケージ及びその製造方法

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JPH06204377A
JPH06204377A JP43A JP35870492A JPH06204377A JP H06204377 A JPH06204377 A JP H06204377A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 35870492 A JP35870492 A JP 35870492A JP H06204377 A JPH06204377 A JP H06204377A
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Hiroyuki Uchida
浩享 内田
Katsuhiko Suzuki
勝彦 鈴木
Akira Haga
彰 羽賀
Katsunobu Suzuki
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 外部リードのロウ材による好適な実装を可能
にする一方で、ソケットによる実装を低価格、高寿命で
行うことができる半導体装置用パッケージとその製造方
法を得る。 【構成】 半導体装置用パッケージ1に設けた外部リー
ド2はその全面にニッケル等のメッキ膜2a,2bを形
成し、この上に外部リードの長さ方向の中間部に確保し
た非金メッキ部2dを除いた先端部と基端部に金メッキ
膜2cを形成する。先端部の金メッキ膜2cを利用すれ
ば半田が基端側に流れることがない好適な半田付けが可
能となる。また、基端部の面積の大きな金メッキ膜を利
用してソケットとの電気接続が可能となり、安価で高寿
命のソケットの使用が可能となる。非金メッキ部2c
は、外部リードの長さ方向の中間部を覆う様に導電性弾
性体を装着し、この導電性弾性体をメッキ電極とした電
解メッキ法により金メッキを行うことで、形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用パッケージ
に関し、特にパッケージに取着された外部リードの金属
メッキ構造及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置用パッケージの外部リ
ードに金属メッキを形成したものとして、特開平2−1
5662号公報に記載されたものがある。この半導体装
置用パッケージは、図7に示すように、パッケージ21
に設けられた接続パッド23にロウ付けにより外部リー
ド22が接続されている。この外部リード22はリン青
銅で形成されており、その全面にニッケルメッキ膜22
aが形成され、更にその先端部の表面に金メッキ膜22
bが形成されている。そして、この金メッキ膜22bを
利用してプリント基板29のパッド29aに外部リード
の先端部を半田30により接続している。
【0003】この外部リード22の先端部にのみ金メッ
キ膜22bを形成する方法として、同公報では、図8に
示すように、プラスチック性の樹脂で形成された金メッ
キ用治具24の第2の切り欠き24bに外部リード22
と対応する位置に貫通孔25aを有するマスク25を位
置決めしておく。その後、外部リード22が形成された
半導体装置用パッケージ21を金メッキ治具24にセッ
トする。具体的には、金メッキ用治具24に形成された
第1の切り欠き24aに半導体装置用パッケージ21を
位置決めする。この様に位置決めすることにより、マス
ク25の貫通孔25aから外部リード22の先端部のみ
が突出する。そして、金メッキ用治具24に半導体装置
用パッケージ21およびマスク25を位置決めした状態
で、無電解金メッキが溶解された金メッキ槽26に位置
決めすると、外部リード22の先端部のみ金メッキが施
される。
【0004】このように先端部にのみ金メッキ膜を形成
した外部リード22をプリント基板29のパッド29a
に半田30により接続を行うと、外部リード22の先端
部の金メッキ膜22bのみに半田30が濡れるため、半
田30の形状,量などを容易に制御できる。因みに、外
部リード全体に金メッキを施すと、半田が外部リードの
基端側にまで流れるため、先端ぶの半田量が少なくな
り、かつ半田が外部リードの側方に膨らむ状態となり、
半田接合部の信頼性を著しく低下されることになる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成の半導体装置用パッケージでは、仮にこれをソ
ケット実装した場合に不具合が生じ易い。例えば、図9
はこの種の半導体装置用パッケージ21をソケット実装
した例の断面図であるが、外部リード22には先端部に
のみ金メッキ膜22bが形成されているために、外部リ
ード22に対して機械的接触を行うソケット27のソケ
ットリード28との接触は、端面同士を突き合わせた状
態で行なわざるを得ない。
【0006】即ち、一般に機械的接触のみで電気的接続
を行う場合、接触部での接触抵抗を小さくするために
は、金の高い延性を利用して接触部の表面を金で構成す
ることが多い。したがって、前記した構成では外部リー
ド22の先端部にのみ金メッキ膜22bが形成されてい
るため、外部リード22の先端面を接触面とすることに
なり、この面での接触を行うためにはソケットリード2
8にはスプリング28aで付勢された接触子28bを設
けた構成とし、スプリング28a力によって接触子28
bを外部リード22の先端部の金メッキ膜22b面に衝
接させる構成を取らざるを得ない。しかしながら、この
ような構成のソケットは構造が複雑となり、高価になる
上に寿命が短くなるという問題がある。本発明の目的
は、ロウ材による好適な実装を可能にする一方で、ソケ
ットによる実装を低価格、高寿命で行うことができる半
導体装置用パッケージを提供することにある。また、本
発明の他の目的は、このような実装を好適に行うことが
できる半導体装置用パッケージの製造方法、特に外部リ
ードの金属メッキ方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体装置用
パッケージに設けた外部リードはその長さ方向の中間部
において金属メッキ膜が形成されていない非金属メッキ
部を有している。 例えば、外部リードの全面にはニッ
ケル等のメッキ膜を形成しており、このメッキ膜上に外
部リードの長さ方向の中間部を除いた先端部と基端部に
に金メッキ膜を形成する。また、本発明の製造方法は、
半導体装置用パッケージに設けた外部リードの長さ方向
の中間部を覆う様に導電性弾性体を装着し、この導電性
弾性体をメッキ電極とした電解メッキ法により前記導電
性弾性体で覆った部分を除く外部リードの表面に金属メ
ッキ膜を形成する。
【0008】
【実施例】次に、本発明を図面を参照して説明する。図
1は本発明をピングリッドアレイ型パッケージに適用し
た実施例であり、半導体装置用パッケージの外部リード
の断面構造図である。この半導体装置用パッケージ1の
外部リード2は、コバール等のようにパッケージ1の構
成材料であるアルミナセラミックと熱膨張係数が近いも
のでできている。この外部リード2には予め全面にニッ
ケル膜2aをメッキ等で形成しており、この外部リード
2の基端部がパッケージ1に形成された接続パッド3に
銀銅ロウ4などでロウ付けされている。この場合、接続
パッド3の表面にも無電解メッキ等でニッケル膜3aを
形成しておくことが好ましい。その上で、外部リード2
と接続パッド3を含む全面に銀銅ロウ4の保護の為ニッ
ケル・コバルト膜2bを電解メッキ等で形成する。そし
て、前記外部リード2の表面には更に金メッキ膜2cを
形成しているが、この金メッキ膜2cは外部リード2の
先端部と基部とにそれぞれ形成し、先端部と基端部との
間には外部リード2の全体長の1/5〜1/4の長さの
非金メッキ部2dが確保されている。
【0009】図2は前記外部リードにおける金メッキ膜
2cの製造方法を示す概念図である。同図において、8
は金メッキ槽であり、内部には金メッキ液が満たされて
いる。そして、図1に示したようにパッケージ1に外部
リード2を接続し、ニッケル膜2a,ニッケル・コバル
ト膜2bを形成した後、外部リード2の全体長の1/5
〜1/4の厚さを有する導電性ゴムシート5に外部リー
ド2を挿入する。導電性ゴムシート5には、外部リード
2の配置に合わせて貫通孔5aを設けており、この貫通
孔5aは、外部リード2の直径よりも若干小さい寸法で
設け、導電性ゴムシート5の伸び性により外部リード2
を挿入できる様にする。これは、外部リード2と導電性
ゴムシート5の間に隙間が生じないようにして、金メッ
キ液の浸入を防止するためのものである。更に、外部リ
ード2の先端部がその全体長のうち1/5〜1/4の長
さで導電性ゴムシート5を貫通する様に、スペーサ6を
半導体装置用パッケージ1と導電性ゴムシート5の間に
設ける。この状態で導電性ゴムシート5に接する様に、
メッキ電極7を取り付け金メッキ槽8に浸漬しメッキ電
極7に電圧印加することにより、外部リード2の表面に
は、導電性ゴムシート5の貫通孔5a部を除いて金メッ
キ膜2cが表面に形成される。
【0010】この様にして形成した半導体装置用パッケ
ージ1をプリント基板に半田付け実装した状態を図3に
示す。同図において、プリント基板9に設けたパッド9
a上に外部リード2を突き当て、半田10を用いて外部
リード2の先端をパッド9aに接続している。このと
き、外部リード2の先端部と基端部との間には非金メッ
キ部2dが存在しているため、半田10は先端部の金メ
ッキ膜2cに対して濡れて基端部側にまで流れないた
め、半田10をパッド9a上に保ち、その形状を制御す
ることが容易になる。
【0011】一方、このような金メッキ膜が形成された
半導体装置用パッケージ1をソケット実装する場合に
は、図4に示すようなソケットが利用できる。このソケ
ットは、ソケット本体11に設けた孔内に2枚の板バネ
で形成されたソケットリード12が内装されており、そ
の先端部はバネ性を増大して外部リード2との接触抵抗
を下げる様に湾曲部12aが設けてある。したがって、
このソケットリード12間に外部リード2を挿入する
と、ソケットリード12はその湾曲部12aがバネ性に
より外部リード2の基端部において接触し、基端部の金
メッキ膜2cに接触される。この場合、この基端部の金
メッキ膜2cは充分な長さ領域に形成してある為、ソケ
ットリード12との接触面積を充分確保でき、接触抵抗
の低い良好な接触が可能となる。なお、このような構成
のソケットは、半導体装置用として最も多く使用され、
安価で長寿命のものである。
【0012】図5は本発明の半導体装置用パッケージの
第2の実施例を示す図であり、ここではフラット型パッ
ケージに適用した例を示してある。このパッケージで
は、外部リード2Aはパッケージ1Aから水平方向に突
出され、略クランク状に曲げ形成している。そして、先
端部と基端部には金メンキ膜2cを形成しているが、そ
の中間の傾斜した部分の中央部には金メッキ膜を形成し
ておらず、非金メッキ部2dとして構成されている。し
たがって、このパッケージをプリント基板9のパッド9
aに半田10で接続する場合にも、半田10は先端部の
金メッキ膜2cの部分においてのみ濡れ、非金メッキ部
2dが存在することにより基端部の金メッキ膜2cにま
で流れることはない。
【0013】図6は図5の外部リード2Aに金メッキ膜
2cを形成する製造方法を模式的に示す平面図である。
ここではゴムシート5Aは略正方形をした枠5bに取着
されており、曲げ加工する前の外部リード(リードタイ
バー2eにより各外部リード2Aは連結されている)の
略中央部分に嵌合されている。この場合には、ゴムシー
ト5Aはメッキ液の浸入を防止できる様に外部リード2
Aの形状に合わせて凹凸を設けており、更に硬質の枠5
bで押さえることでその形状が保持される。なお、図6
のように各外部リード2Aを連結するリードダイバー2
eが存在する場合には、メッキ電極への接続をリードダ
イバー2eで行なってもよい。また、非金メッキ部2d
の長さ寸法は、外部リードの切断や曲げ加工時の寸法バ
ラツキ等を考慮し、図5の傾斜した部分の寸法よりも短
く設定することが好ましい。なお、この第2実施例で
は、基本的な効果としては図1〜図4に示した第1実施
例と同等のものが得られ、詳細な説明を省略した製造方
法も同等の手法で対応できるものである。
【0014】
【発明の効果】以上説明した様に本発明の半導体装置用
パッケージは、外部リードの長さ方向の中間部において
金属メッキ膜が形成されていない非金属メッキ部を有し
ているので、基板にロウ材を用いて実装する場合には、
外部リードの先端部に設けた金属メッキ膜の濡れ性を利
用してロウ材が基端側に流れることを防止し、ロウ材の
形状変化を完全に抑制して好適なロウ付けが可能とな
る。また、ソケット実装の場合には、基端側に設けた金
属メッキ膜を利用することで、板バネで構成されたソケ
ットを利用することが可能となり、ソケット構造の簡略
化及び低価格化が実現できる。因みに、図9に示したソ
ケットに比べ本発明で用いるソケットは、価格は10分の
1以下、寿命は3倍以上のものとなる。特に、外部リー
ドの全面にはニッケル又はニッケル・コバルトメッキ膜
を形成しており、このメッキ膜上に外部リードの長さ方
向の中間部を除いた先端部と基端部にに金メッキ膜を形
成することで、実装に際しての半田との濡れ性を高
め、、かつ半田の流れを防止することが可能となり、か
つソケットとの接触抵抗を低減することができる。
【0015】また、本発明の製造方法では、外部リード
の長さ方向の中間部を覆う様に導電性弾性体を装着し、
この導電性弾性体をメッキ電極とした電解メッキ法によ
り導電性弾性体で覆った部分を除く外部リードの表面に
金属メッキ膜を形成するので、外部リードの長さ方向の
中間部に非金属メッキ部を簡単に形成することができ
る。また、この場合、導電性弾性体を利用することによ
り、電解メッキに必要とされの電極として半導体装置用
パッケージの内部信号配線から引出される電極線を省略
することもでき、この電極線によってパッケージ内にお
ける信号配線間の浮遊容量を低減できる効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体装置用パッケージの外部リード
の部分断面図である。
【図2】本発明にかかる外部リードのメッキ方法を説明
するための概念図である。
【図3】本発明の半導体装置用パッケージの実装状態を
示す断面図である。
【図4】本発明の半導体装置用パッケージをソケット実
装した状態の断面図である。
【図5】本発明の第2実施例の外部リードの模式的な断
面図である。
【図6】図5の外部リードのメッキ方法を説明するため
の模式的な平面図である。
【図7】従来のパッケージの実装状態を示す模式的な断
面図である。
【図8】従来のパッケージにおける外部リードのメッキ
方法を説明するための概念図である。
【図9】従来のパッケージをソケット実装する場合の断
面図である。
【符号の説明】
1,1A パッケージ 2,2A 外部リード 2a ニッケルメッキ膜 2b ニッケル・コバルトメッキ膜 2c 金メッキ膜 2d 非金メッキ部 5 導電性ゴムシート 7 メッキ電極 9 プリント基板 10 半田
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 克信 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 パッケージに設けた外部リードの表面に
    金属メッキ膜を形成してなる半導体装置用パッケージに
    おいて、前記外部リードはその長さ方向の中間部におい
    て金属メッキ膜が形成されていない非金属メッキ部を有
    することを特徴とする半導体装置用パッケージ。
  2. 【請求項2】 外部リードの全面にはニッケル等のメッ
    キ膜を形成し、このメッキ膜上に外部リードの長さ方向
    の中間部を除いた先端部と基端部にそれぞれ金メッキ膜
    を形成してなる請求項1の半導体装置用パッケージ。
  3. 【請求項3】 半導体装置用パッケージに設けた外部リ
    ードの長さ方向の中間部を覆う様に導電性弾性体を装着
    し、この導電性弾性体をメッキ電極とした電解メッキ法
    により前記導電性弾性体で覆った部分を除く外部リード
    の表面に金属メッキ膜を形成することを特徴とする半導
    体装置用パッケージの製造方法。
JP4358704A 1992-12-28 1992-12-28 半導体装置用パッケージ及びその製造方法 Expired - Fee Related JPH0773121B2 (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000133845A (ja) * 1998-10-23 2000-05-12 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
KR100263431B1 (ko) * 1996-12-17 2000-08-01 포만 제프리 엘 전기접점요소를기판상의전기전도성표면에접속하는방법
US8294063B2 (en) 2002-10-10 2012-10-23 Panasonic Corporation Connector-use contact and production method for component to be soldered
JP2020202332A (ja) * 2019-06-12 2020-12-17 新光電気工業株式会社 リードピン及びリードピン付き配線基板

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