JPH062113A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPH062113A JPH062113A JP16593192A JP16593192A JPH062113A JP H062113 A JPH062113 A JP H062113A JP 16593192 A JP16593192 A JP 16593192A JP 16593192 A JP16593192 A JP 16593192A JP H062113 A JPH062113 A JP H062113A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- nitrogen
- film
- vapor deposition
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- DOTMOQHOJINYBL-UHFFFAOYSA-N molecular nitrogen;molecular oxygen Chemical compound N#N.O=O DOTMOQHOJINYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 12
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 12
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKJWYKGYGWOAHT-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) carbonate Chemical compound C=CCOC(=O)OCC=C JKJWYKGYGWOAHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】基材に対する密着性が良好で、屈折率の高い蒸
着薄膜を低い製造コストで製造する方法を提供すること
を主な目的とする。 【構成】１． 蒸着法により減圧下に基材上に酸化物誘
電体の薄膜を形成するに際し、系内を５×１０-5Torr以
下に減圧した後、窒素含有ガスを系内に導入して０．８
〜２．０×１０-4Torrの減圧条件下に蒸着操作を行なう
ことを特徴とする薄膜形成方法。 ２． 窒素含有ガスが、空気または空気よりも窒素濃度
の高い窒素−酸素混合ガスである上記項１に記載の薄膜
形成方法。
着薄膜を低い製造コストで製造する方法を提供すること
を主な目的とする。 【構成】１． 蒸着法により減圧下に基材上に酸化物誘
電体の薄膜を形成するに際し、系内を５×１０-5Torr以
下に減圧した後、窒素含有ガスを系内に導入して０．８
〜２．０×１０-4Torrの減圧条件下に蒸着操作を行なう
ことを特徴とする薄膜形成方法。 ２． 窒素含有ガスが、空気または空気よりも窒素濃度
の高い窒素−酸素混合ガスである上記項１に記載の薄膜
形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜形成方法に関す
る。
る。
【０００２】
【従来技術とその問題点】非加熱状態で樹脂基材上にＴ
ｉＯ2 、ＺｒＯ2 などの蒸着薄膜を形成させる場合に
は、加熱状態でガラス基材上に同様の蒸着薄膜を形成さ
せる場合に比して、蒸着膜の屈折率は、著るしく小さく
なる。例えば、ＴｉＯ2 蒸着膜を２００℃以上の加熱系
で形成させる場合には、その屈折率は、２．４程度とな
るのに対し、非加熱系で得られるＴｉＯ2 蒸着膜の屈折
率は、２以下にしかならない。このことは、ＺｒＯ2 に
ついても同様であり、非加熱系では、屈折率１．９程度
の蒸着膜しか得られない。
ｉＯ2 、ＺｒＯ2 などの蒸着薄膜を形成させる場合に
は、加熱状態でガラス基材上に同様の蒸着薄膜を形成さ
せる場合に比して、蒸着膜の屈折率は、著るしく小さく
なる。例えば、ＴｉＯ2 蒸着膜を２００℃以上の加熱系
で形成させる場合には、その屈折率は、２．４程度とな
るのに対し、非加熱系で得られるＴｉＯ2 蒸着膜の屈折
率は、２以下にしかならない。このことは、ＺｒＯ2 に
ついても同様であり、非加熱系では、屈折率１．９程度
の蒸着膜しか得られない。
【０００３】イオンアシスト法によれば、非加熱系での
蒸着によっても、屈折率２以上のＴｉＯ2 蒸着膜を得る
ことができるものの、装置が高価であるため、製造コス
トが高くなる。
蒸着によっても、屈折率２以上のＴｉＯ2 蒸着膜を得る
ことができるものの、装置が高価であるため、製造コス
トが高くなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明
は、基材に対する密着性に優れ、屈折率の高い蒸着薄膜
を低い製造コストで製造する方法を提供することを主な
目的とする。
は、基材に対する密着性に優れ、屈折率の高い蒸着薄膜
を低い製造コストで製造する方法を提供することを主な
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の様な
技術の現状に鑑みて研究を進めた結果、従来行なわれて
いる系内排気後の酸素ガスの導入に代えて、窒素含有ガ
スを導入し、蒸着操作を行なう場合には、蒸着薄膜の屈
折率が大幅に増大し、基材と蒸着薄膜との密着性も著し
く改善されることを見出した。
技術の現状に鑑みて研究を進めた結果、従来行なわれて
いる系内排気後の酸素ガスの導入に代えて、窒素含有ガ
スを導入し、蒸着操作を行なう場合には、蒸着薄膜の屈
折率が大幅に増大し、基材と蒸着薄膜との密着性も著し
く改善されることを見出した。
【０００６】即ち、本発明は、下記の薄膜形成方法を提
供するものである：１． 蒸着法により減圧下に基材上
に酸化物誘電体の薄膜を形成するに際し、系内を５×１
０-5Torr以下に減圧した後、窒素含有ガスを系内に導入
して０．８〜２．０×１０-4Torrの減圧条件下に蒸着操
作を行なうことを特徴とする薄膜形成方法。
供するものである：１． 蒸着法により減圧下に基材上
に酸化物誘電体の薄膜を形成するに際し、系内を５×１
０-5Torr以下に減圧した後、窒素含有ガスを系内に導入
して０．８〜２．０×１０-4Torrの減圧条件下に蒸着操
作を行なうことを特徴とする薄膜形成方法。
【０００７】２． 窒素含有ガスが、空気または空気よ
りも窒素濃度の高い窒素−酸素混合ガスである上記項１
に記載の薄膜形成方法。
りも窒素濃度の高い窒素−酸素混合ガスである上記項１
に記載の薄膜形成方法。
【０００８】本発明で薄膜形成成分となるものは、チタ
ン、ジルコニウム、セリウム、ケイ素、アルミニウムな
どの金属酸化物である。これらの金属酸化物中でも、酸
化チタン（ＴｉＯ、ＴｉＯ2 、Ｔｉ2 Ｏ3 など）、Ｚｒ
Ｏ2 などがより好ましい。
ン、ジルコニウム、セリウム、ケイ素、アルミニウムな
どの金属酸化物である。これらの金属酸化物中でも、酸
化チタン（ＴｉＯ、ＴｉＯ2 、Ｔｉ2 Ｏ3 など）、Ｚｒ
Ｏ2 などがより好ましい。
【０００９】基材としては、各種の透明樹脂類（ポリメ
チルメタクリレート、ポリカーボネート、ジグリコール
ジアリルカーボネートなど）、ガラスなどが挙げられ
る。特に、従来技術によりポリメチルメタクリレートな
どのアクリル樹脂系基材にＴｉＯ2 薄膜を蒸着形成する
場合には、密着性が極めて低いが、本発明方法によれ
ば、アクリル樹脂系基材を使用する場合にも、蒸着膜と
の密着性が著しく改善される。
チルメタクリレート、ポリカーボネート、ジグリコール
ジアリルカーボネートなど）、ガラスなどが挙げられ
る。特に、従来技術によりポリメチルメタクリレートな
どのアクリル樹脂系基材にＴｉＯ2 薄膜を蒸着形成する
場合には、密着性が極めて低いが、本発明方法によれ
ば、アクリル樹脂系基材を使用する場合にも、蒸着膜と
の密着性が著しく改善される。
【００１０】本発明で採用する蒸着方法は、装置内を５
×１０-5Torrとなるまで排気減圧した後、窒素含有ガス
を導入する以外の点では、従来技術と異なるところはな
い。即ち、抵抗加熱による蒸着成膜法、電子加熱による
蒸着成膜法などをそのまま採用することができる。
×１０-5Torrとなるまで排気減圧した後、窒素含有ガス
を導入する以外の点では、従来技術と異なるところはな
い。即ち、抵抗加熱による蒸着成膜法、電子加熱による
蒸着成膜法などをそのまま採用することができる。
【００１１】装置内を５×１０-5Torr以下に排気減圧し
た後に導入する窒素含有ガスとしては、空気または空気
よりも高い窒素濃度の窒素−酸素混合ガスを使用する。
空気よりも窒素濃度の低い窒素−酸素混合ガスを使用し
ても、蒸着膜の密着性は改善されるが、改善の程度は低
い。窒素含有ガスの導入量は、蒸着操作時の装置内圧力
が、０．８〜２．０×１０-4Torrとなる量である。
た後に導入する窒素含有ガスとしては、空気または空気
よりも高い窒素濃度の窒素−酸素混合ガスを使用する。
空気よりも窒素濃度の低い窒素−酸素混合ガスを使用し
ても、蒸着膜の密着性は改善されるが、改善の程度は低
い。窒素含有ガスの導入量は、蒸着操作時の装置内圧力
が、０．８〜２．０×１０-4Torrとなる量である。
【００１２】本発明方法は、基材への多層膜の形成にも
適用できる。この場合、異種の酸化物の薄膜を順次形成
することも可能である。
適用できる。この場合、異種の酸化物の薄膜を順次形成
することも可能である。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、基材上に形成された金
属酸化物薄膜の屈折率を高めることができる。また、基
材と金属酸化薄膜との密着性も改善される。
属酸化物薄膜の屈折率を高めることができる。また、基
材と金属酸化薄膜との密着性も改善される。
【００１４】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明の特徴とすると
ころをより一層明確にする。
ころをより一層明確にする。
【００１５】実施例１ 電子銃を備えた真空蒸着装置内にガラス基板（ＢＫ−
７）およびポリメチルメタクリレート基板を設置した
後、装置内を３×１０-5Torrまで排気した。次いで、装
置内に大気を導入し、圧力を１×１０-4に保持した状態
で２オングストローム／秒の蒸着速度で光学膜厚＝λ／
４のＴｉＯ2 薄膜を形成させた。
７）およびポリメチルメタクリレート基板を設置した
後、装置内を３×１０-5Torrまで排気した。次いで、装
置内に大気を導入し、圧力を１×１０-4に保持した状態
で２オングストローム／秒の蒸着速度で光学膜厚＝λ／
４のＴｉＯ2 薄膜を形成させた。
【００１６】得られた蒸着膜の反射率を測定し、反射率
から計算により膜の屈折率を求めたところ、λ＝５５０
ｎｍにおいて、ガラス基板上で２．０４、ポリメチルメ
タクリレート基板上で２．０５であった。
から計算により膜の屈折率を求めたところ、λ＝５５０
ｎｍにおいて、ガラス基板上で２．０４、ポリメチルメ
タクリレート基板上で２．０５であった。
【００１７】また、得られた膜の密着性をテープ剥離法
により測定したところ、ポリメチルメタクリレート基板
では、０／１００（剥離無し）であったが、ガラス基板
では１００／１００（剥離）であった。
により測定したところ、ポリメチルメタクリレート基板
では、０／１００（剥離無し）であったが、ガラス基板
では１００／１００（剥離）であった。
【００１８】比較例１ 装置内の排気後に導入する気体として酸素を使用する以
外は実施例１と同様にしてＴｉＯ2 薄膜を形成させた。
外は実施例１と同様にしてＴｉＯ2 薄膜を形成させた。
【００１９】得られた蒸着膜の屈折率は、λ＝５５０ｎ
ｍにおいて、ガラス基板上で１．９３、ポリメチルメタ
クリレート基板上で１．９４であった。
ｍにおいて、ガラス基板上で１．９３、ポリメチルメタ
クリレート基板上で１．９４であった。
【００２０】また、得られた膜の密着性は極めて悪く、
テープ剥離法により測定したところ、いずれの場合に
も、１００／１００（剥離）であった。
テープ剥離法により測定したところ、いずれの場合に
も、１００／１００（剥離）であった。
【００２１】実施例２ 蒸着成分としてＴｉＯを使用する以外は実施例１と同様
にしてＴｉＯ薄膜を形成させた。
にしてＴｉＯ薄膜を形成させた。
【００２２】得られた蒸着膜の反射率を測定し、反射率
から計算により膜の屈折率を求めたところ、２．０８で
あった。
から計算により膜の屈折率を求めたところ、２．０８で
あった。
【００２３】また、得られて膜の密着性をテープ剥離法
により測定したところ、０／１００（剥離無し）であっ
た。
により測定したところ、０／１００（剥離無し）であっ
た。
【００２４】比較例２ 装置内の排気後に導入する気体として酸素を使用する以
外は実施例２と同様にしてＴｉＯ薄膜を形成させた。
外は実施例２と同様にしてＴｉＯ薄膜を形成させた。
【００２５】得られた蒸着膜の屈折率は、１．９３であ
った。
った。
【００２６】また、得られて膜の密着性はやはり極めて
悪く、テープ剥離法により測定したところ、１００／１
００（剥離）であった。
悪く、テープ剥離法により測定したところ、１００／１
００（剥離）であった。
【００２７】実施例３ 蒸着成分としＺｒＯ2 を使用する以外は実施例１と同様
にしてＺｒＯ2 薄膜を形成させた。
にしてＺｒＯ2 薄膜を形成させた。
【００２８】得られた蒸着膜の反射率を測定し、反射率
から計算により膜の屈折率を求めたところ、１．９７で
あった。
から計算により膜の屈折率を求めたところ、１．９７で
あった。
【００２９】また、得られて膜の密着性をテープ剥離法
により測定したところ、０／１００（剥離無し）であっ
た。
により測定したところ、０／１００（剥離無し）であっ
た。
【００３０】比較例３ 装置内の排気後に導入する気体として酸素を使用する以
外は実施例３と同様にしてＺｒＯ2 薄膜を形成させた。
外は実施例３と同様にしてＺｒＯ2 薄膜を形成させた。
【００３１】得られた蒸着膜の屈折率は、１．８８であ
った。
った。
【００３２】実施例４ 抵抗加熱体を備えた真空蒸着装置内にガラス基板（ＢＫ
−７）およびポリメチルメタクリレート基板を設置した
後、装置内を３×１０-5Torrまで排気した。次いで、装
置内に大気を導入し、圧力を１×１０-4に保持した状態
で、光学膜厚＝λ／４のＴｉＯ2 薄膜を形成させた。
−７）およびポリメチルメタクリレート基板を設置した
後、装置内を３×１０-5Torrまで排気した。次いで、装
置内に大気を導入し、圧力を１×１０-4に保持した状態
で、光学膜厚＝λ／４のＴｉＯ2 薄膜を形成させた。
【００３３】得られた蒸着膜の反射率を測定し、反射率
から計算により膜の屈折率を求めたところ、λ＝５５０
ｎｍにおいて、ガラス基板上で２．１０、ポリメチルメ
タクリレート基板上で２．１０であった。
から計算により膜の屈折率を求めたところ、λ＝５５０
ｎｍにおいて、ガラス基板上で２．１０、ポリメチルメ
タクリレート基板上で２．１０であった。
【００３４】また、得られた膜の密着性をテープ剥離法
により測定したところ、ポリメチルメタクリレート基板
およびガラス基板のいずれにおいても、０／１００（剥
離無し）であった。
により測定したところ、ポリメチルメタクリレート基板
およびガラス基板のいずれにおいても、０／１００（剥
離無し）であった。
【００３５】比較例４ 装置内の排気後に導入する気体として酸素を使用する以
外は実施例４と同様にしてＴｉＯ2 薄膜を形成させた。
外は実施例４と同様にしてＴｉＯ2 薄膜を形成させた。
【００３６】得られた蒸着膜の屈折率は、λ＝５５０ｎ
ｍにおいて、ガラス基板上で１．９６、ポリメチルメタ
クリレート基板上で１．９５であった。
ｍにおいて、ガラス基板上で１．９６、ポリメチルメタ
クリレート基板上で１．９５であった。
【００３７】また、得られた膜の密着性は極めて悪く、
テープ剥離法により測定したところ、いずれの場合に
も、１００／１００（剥離）であった。
テープ剥離法により測定したところ、いずれの場合に
も、１００／１００（剥離）であった。
【００３８】実施例５ 真空蒸着装置内を３×１０-5Torrまで排気した後、装置
内に酸素を導入し、圧力を１×１０-4に保持した状態と
した以外は実施例１と同様にして、光学膜厚＝λ／４の
ＴｉＯ2 薄膜を形成させた。
内に酸素を導入し、圧力を１×１０-4に保持した状態と
した以外は実施例１と同様にして、光学膜厚＝λ／４の
ＴｉＯ2 薄膜を形成させた。
【００３９】得られた蒸着膜の反射率を測定し、反射率
から計算により膜の屈折率を求めたところ、λ＝５５０
ｎｍにおいて、ガラス基板上で２．０３、ポリメチルメ
タクリレート基板上で２．０６であった。
から計算により膜の屈折率を求めたところ、λ＝５５０
ｎｍにおいて、ガラス基板上で２．０３、ポリメチルメ
タクリレート基板上で２．０６であった。
【００４０】また、得られた膜の密着性をテープ剥離法
により測定したところ、ポリメチルメタクリレート基板
およびガラス基板のいずれにおいても、０／１００（剥
離無し）であった。
により測定したところ、ポリメチルメタクリレート基板
およびガラス基板のいずれにおいても、０／１００（剥
離無し）であった。
Claims (2)
- 【請求項１】蒸着法により減圧下に基材上に酸化物誘電
体の薄膜を形成するに際し、系内を５×１０-5Torr以下
に減圧した後、窒素含有ガスを系内に導入して０．８〜
２．０×１０-4Torrの減圧条件下に蒸着操作を行なうこ
とを特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項２】窒素含有ガスが、空気または空気よりも窒
素濃度の高い窒素−酸素混合ガスである請求項１に記載
の薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16593192A JPH062113A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16593192A JPH062113A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH062113A true JPH062113A (ja) | 1994-01-11 |
Family
ID=15821736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16593192A Pending JPH062113A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH062113A (ja) |
-
1992
- 1992-06-24 JP JP16593192A patent/JPH062113A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3980643B2 (ja) | 二酸化チタンによる基材の被覆方法 | |
| JP3782608B2 (ja) | 薄膜材料および薄膜作成法 | |
| JP3808917B2 (ja) | 薄膜の製造方法及び薄膜 | |
| US8263172B2 (en) | Method for producing optical element having multi-layered film | |
| WO2000051139A1 (en) | Transparent conductive laminate, its manufacturing method, and display comprising transparent conductive laminate | |
| EP0299754A3 (en) | Method of plasma enhanced silicon oxide deposition | |
| US7842168B2 (en) | Method for producing silicon oxide film and method for producing optical multilayer film | |
| JP3502504B2 (ja) | 酸化ケイ素層の析出方法 | |
| Fu et al. | Single films and heat mirrors produced by plasma ion assisted deposition | |
| JP2003177208A (ja) | 表示装置用反射防止帯電防止多層構造 | |
| JPH03109503A (ja) | プラスチック製光学部品の反射防止膜とその形成方法 | |
| JPS5860701A (ja) | 反射防止膜 | |
| JPH05186872A (ja) | 酸化物膜積層体のプラズマ促進化学蒸着法 | |
| JP4106931B2 (ja) | 透明ガスバリア薄膜被覆フィルム | |
| JPH062113A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS62287513A (ja) | 透明導電膜およびその製造方法 | |
| CN109231849A (zh) | 红外截止膜以及镀有红外截止膜的产品 | |
| JPH07248415A (ja) | 光学薄膜の製造方法 | |
| JP3506782B2 (ja) | 光学薄膜の製造方法 | |
| JPH07216543A (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| JPH0553001A (ja) | 合成樹脂製光学部品の多層反射防止膜 | |
| JPH02212843A (ja) | フオトマスクブランク、フオトマスクおよびその製法 | |
| JPH03188263A (ja) | 金属酸化物被覆プラスチック | |
| JP2915525B2 (ja) | 銀表面透明保護膜構造 | |
| JPH0369988B2 (ja) |