JPH0621316A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0621316A JPH0621316A JP4176400A JP17640092A JPH0621316A JP H0621316 A JPH0621316 A JP H0621316A JP 4176400 A JP4176400 A JP 4176400A JP 17640092 A JP17640092 A JP 17640092A JP H0621316 A JPH0621316 A JP H0621316A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- die pad
- semiconductor device
- lead
- wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ワイヤーボンディング工程中インナーリードと
ダイパットが同一平面上にあり、ワイヤーボンディング
工程で用いられるリードフレーム固定治具を共用化で
き、かつワイヤーボンディング工程後にダイパッドの位
置をインナーリードの下方に設置できる半導体装置用リ
ードフレームを提供する。 【構成】リードフレーム上に半導体素子を接着固定し、
半導体素子のボンディングディングパットとインナーリ
ードとを金線等のワイヤーにて接続した後、樹脂等で封
止してなる半導体装置に用いるリードフレームの素材に
形状記憶合金を用いる。 【効果】従来ダイパッドの大きさが変わるごとに必要で
あった、リードフレーム固定治具の交換を不要とする。
ダイパットが同一平面上にあり、ワイヤーボンディング
工程で用いられるリードフレーム固定治具を共用化で
き、かつワイヤーボンディング工程後にダイパッドの位
置をインナーリードの下方に設置できる半導体装置用リ
ードフレームを提供する。 【構成】リードフレーム上に半導体素子を接着固定し、
半導体素子のボンディングディングパットとインナーリ
ードとを金線等のワイヤーにて接続した後、樹脂等で封
止してなる半導体装置に用いるリードフレームの素材に
形状記憶合金を用いる。 【効果】従来ダイパッドの大きさが変わるごとに必要で
あった、リードフレーム固定治具の交換を不要とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームに形状
記憶合金を使用した半導体装置及びその製造方法に関す
る。
記憶合金を使用した半導体装置及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来のリードフレームの図であ
る。ダイパッド６１は半導体素子６２を接着固定し半導
体素子６２上のボンディングディングパッド６３とイン
ナーリード６４を金線６５等で接続する際、半導体素子
６２と金線６５等が金線等のたわみによりショートする
ことを防止するために予めインナーリード６４より下方
にタブ吊りリード６６により支持されている。半導体素
子上のボンディングディングパッド６３とインナーリー
ド６４を金線等６５で接続するワイヤーボンディング工
程で用いられるリードフレーム固定治具６７にはダイパ
ットのにげ６８が設けられている。
る。ダイパッド６１は半導体素子６２を接着固定し半導
体素子６２上のボンディングディングパッド６３とイン
ナーリード６４を金線６５等で接続する際、半導体素子
６２と金線６５等が金線等のたわみによりショートする
ことを防止するために予めインナーリード６４より下方
にタブ吊りリード６６により支持されている。半導体素
子上のボンディングディングパッド６３とインナーリー
ド６４を金線等６５で接続するワイヤーボンディング工
程で用いられるリードフレーム固定治具６７にはダイパ
ットのにげ６８が設けられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のリードフレ
ームのダイパッドはインナーリードより下方にタブ吊り
リードにより支持されるため、半導体素子上のボンディ
ングディングパッドとインナーリードを金線等で接続す
るワイヤーボンディング工程で用いられるリードフレー
ム固定治具にはダイパットのにげが設けられており、ダ
イパッドの大きさが変わるごとに固定治具を交換すると
いう問題点があった。
ームのダイパッドはインナーリードより下方にタブ吊り
リードにより支持されるため、半導体素子上のボンディ
ングディングパッドとインナーリードを金線等で接続す
るワイヤーボンディング工程で用いられるリードフレー
ム固定治具にはダイパットのにげが設けられており、ダ
イパッドの大きさが変わるごとに固定治具を交換すると
いう問題点があった。
【０００４】本発明の目的は上記問題点を解決する技術
で、その目的とするところはワイヤーボンディング工程
中インナーリードとダイパットが同一平面上にあり固定
治具を共用化でき、かつワイヤーボンディング工程後に
ダイパッドの位置をインナーリードの下方に設置できる
半導体装置用リードフレームを提供することを目的とす
る。
で、その目的とするところはワイヤーボンディング工程
中インナーリードとダイパットが同一平面上にあり固定
治具を共用化でき、かつワイヤーボンディング工程後に
ダイパッドの位置をインナーリードの下方に設置できる
半導体装置用リードフレームを提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の目的はある温度
以上の熱を加えることにより記憶された形状に復元する
形状記憶合金を用いて半導体半導体装置を製造すること
を特徴とする。
以上の熱を加えることにより記憶された形状に復元する
形状記憶合金を用いて半導体半導体装置を製造すること
を特徴とする。
【０００６】
【実施例】図１は本発明の実施例における半導体装置用
リードフレームであり、１はダイパッドであり２はタブ
吊りリードであり３はインナーリードである。ダイパッ
ド１とインナーリード３は同一平面上に存在するように
配置される。本実施例においては半導体装置用リードフ
レーム全体を形状記憶合金を用いて製造された半導体装
置用リードフレームである。
リードフレームであり、１はダイパッドであり２はタブ
吊りリードであり３はインナーリードである。ダイパッ
ド１とインナーリード３は同一平面上に存在するように
配置される。本実施例においては半導体装置用リードフ
レーム全体を形状記憶合金を用いて製造された半導体装
置用リードフレームである。
【０００７】図２は本発明の実施例における半導体装置
用リードフレームの一部に形状記憶合金を用いた半導体
装置用リードフレームである。４はダイパッドであり５
はタブ吊りリードであり６はインナーリードである。ダ
イパッド４とインナーリード６は同一平面上に存在する
ように配置される。本実施例においてはタブ吊りリード
５のみに形状記憶合金を用いて従来の半導体半導体装置
用リードフレームに溶接等７を用いて製造されている。
用リードフレームの一部に形状記憶合金を用いた半導体
装置用リードフレームである。４はダイパッドであり５
はタブ吊りリードであり６はインナーリードである。ダ
イパッド４とインナーリード６は同一平面上に存在する
ように配置される。本実施例においてはタブ吊りリード
５のみに形状記憶合金を用いて従来の半導体半導体装置
用リードフレームに溶接等７を用いて製造されている。
【０００８】図３は本実施例のリードフレームをワイヤ
ーボンディング治具に固定した断面図を示す。３１は固
定治具であり１はダイパッドであり３はインナーリード
であり３２は半導体素子であり３３はクランパーと呼ば
れるリード押さえ治具であり３４は金線である。本実施
例においては半導体チップの角と金線等のショートを防
止するため従来の技術で用いられたインナーリードとダ
イパッドの段差をワイヤーボンディング時には無くし平
面のみで構成される固定用治具を用いて固定することが
できる。
ーボンディング治具に固定した断面図を示す。３１は固
定治具であり１はダイパッドであり３はインナーリード
であり３２は半導体素子であり３３はクランパーと呼ば
れるリード押さえ治具であり３４は金線である。本実施
例においては半導体チップの角と金線等のショートを防
止するため従来の技術で用いられたインナーリードとダ
イパッドの段差をワイヤーボンディング時には無くし平
面のみで構成される固定用治具を用いて固定することが
できる。
【０００９】図４は本実施例のワイヤーボンディングデ
ィング終了後にダイパッドを加熱により成形後の図を示
す。４２はダイパッドであり３２は半導体素子であり３
４は金線であり３はインナーリードである。加熱治具に
より形状変化が起こるしきい値以上に加熱することによ
りタブ吊りリードが予め記憶されていた形状に復元され
ることにより、ダイパッド４２はインナーリード３より
下方に設置される。
ィング終了後にダイパッドを加熱により成形後の図を示
す。４２はダイパッドであり３２は半導体素子であり３
４は金線であり３はインナーリードである。加熱治具に
より形状変化が起こるしきい値以上に加熱することによ
りタブ吊りリードが予め記憶されていた形状に復元され
ることにより、ダイパッド４２はインナーリード３より
下方に設置される。
【００１０】図５は本実施例のリードフレームの製造方
法である。図５（ａ）において１はダイパッドであり３
はインナリードであり５１および５２は凹凸をした金型
である。形状記憶合金はある温度以上で加工されるとそ
の形状を記憶し、室温での変形によりとられた形状から
加熱によって記憶した形状に復元する性質を有する。形
状記憶合金を一部または全部に用いエッチング等で製造
された半導体用リードフレームをある温度以上で金型５
１および５２を用いてダイパッド１の位置を加工する。
図５（ｂ）において５３はダイパッドであり３はインナ
ーリードである。先に述べた加工によりダイパッド５３
はインナーリード３より下方に位置するよう記憶され
る。図５（ｃ）において５４および５５は平打用金型で
あり５４はダイパッドであり３はインナーリードであ
る。室温に置いて平打用金型５４および５５によりダイ
パッド５４はインナーリード３と同一平面上に加工され
る。図５（ｄ）において５４はダイパッドであり３はイ
ンナーリードである。以上の工程によりワイヤーボンデ
ィング後の加熱によりダイパッド５４がインナーリード
３の下方に位置する半導体用リードフレームが製造され
る。
法である。図５（ａ）において１はダイパッドであり３
はインナリードであり５１および５２は凹凸をした金型
である。形状記憶合金はある温度以上で加工されるとそ
の形状を記憶し、室温での変形によりとられた形状から
加熱によって記憶した形状に復元する性質を有する。形
状記憶合金を一部または全部に用いエッチング等で製造
された半導体用リードフレームをある温度以上で金型５
１および５２を用いてダイパッド１の位置を加工する。
図５（ｂ）において５３はダイパッドであり３はインナ
ーリードである。先に述べた加工によりダイパッド５３
はインナーリード３より下方に位置するよう記憶され
る。図５（ｃ）において５４および５５は平打用金型で
あり５４はダイパッドであり３はインナーリードであ
る。室温に置いて平打用金型５４および５５によりダイ
パッド５４はインナーリード３と同一平面上に加工され
る。図５（ｄ）において５４はダイパッドであり３はイ
ンナーリードである。以上の工程によりワイヤーボンデ
ィング後の加熱によりダイパッド５４がインナーリード
３の下方に位置する半導体用リードフレームが製造され
る。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば半導
体素子の角と金線のショートを防ぐために必要なダイパ
ッドをインナーリードの下方に支持する技術とダイパッ
ドをリードの下方に支持するために生じるワイヤーボン
ディングディング時の治具交換の矛盾する問題をリード
フレームに形状記憶合金を用いることで解決できるとい
う効果を有しかつ形状記憶合金を一部に用いることで従
来と同じ電気特性を得られるという効果も有する。
体素子の角と金線のショートを防ぐために必要なダイパ
ッドをインナーリードの下方に支持する技術とダイパッ
ドをリードの下方に支持するために生じるワイヤーボン
ディングディング時の治具交換の矛盾する問題をリード
フレームに形状記憶合金を用いることで解決できるとい
う効果を有しかつ形状記憶合金を一部に用いることで従
来と同じ電気特性を得られるという効果も有する。
【図１】本発明実施例の半導体装置用リードフレーム平
面図。
面図。
【図２】本発明実施例の半導体装置用リードフレーム平
面図。
面図。
【図３】本発明実施例の半導体装置用リードフレームを
ワイヤーボンディング治具に固定した断面図。
ワイヤーボンディング治具に固定した断面図。
【図４】本発明実施例のワイヤーボンディングディング
終了後にダイパッドを加熱により成形後の図。
終了後にダイパッドを加熱により成形後の図。
【図５】本実施例の製造方法の断面図。
【図６】従来の半導体装置用リードフレーム平面図。
１，４・・・ダイパッド ２，５・・・タブ吊りリード ３，６・・・インナーリード ３４ ・・・金線 ３２ ・・・半導体素子
Claims (4)
- 【請求項１】 リードフレーム上に半導体素子を接着固
定し、半導体素子のボンディングディングパットとイン
ナーリードとを金線等のワイヤーにて接続した後、樹脂
等で封止してなる半導体装置に用いるリードフレームの
素材に形状記憶合金を用いることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】 請求項１記載のリードフレームにおい
て、リードフレーム全体に形状記憶合金を用いることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１記載のリードフレームにおい
て、リードフレームの一部に形状記憶合金を用いること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体装置において、リ
ードフレームに形状記憶合金を用い高温でダイパッド部
をデプレス加工し常温でダイパッド部を平打ちして平坦
にし、ワイヤーボンディング終了後の加熱によりダイパ
ットを成形することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4176400A JPH0621316A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4176400A JPH0621316A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621316A true JPH0621316A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16013013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4176400A Pending JPH0621316A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621316A (ja) |
-
1992
- 1992-07-03 JP JP4176400A patent/JPH0621316A/ja active Pending
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