JPH0621347B2 - 真空装置 - Google Patents

真空装置

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JPH0621347B2
JPH0621347B2 JP60259519A JP25951985A JPH0621347B2 JP H0621347 B2 JPH0621347 B2 JP H0621347B2 JP 60259519 A JP60259519 A JP 60259519A JP 25951985 A JP25951985 A JP 25951985A JP H0621347 B2 JPH0621347 B2 JP H0621347B2
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JP
Japan
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vacuum
vent gas
gas
vent
substrate
Prior art date
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JP60259519A
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JPS62119926A (ja
Inventor
裕義 室田
信行 高橋
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Canon Anelva Corp
Original Assignee
Anelva Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、基板等の真空処理に際し、該基板等へのゴミ
付着を防止する手段を備えた真空装置に関するものであ
る。
(従来の技術) 第3図には従来の真空装置の構成が示されている。図に
おいて、真空容器1内には基板やガラス板等の被真空処
理部材(以下基体2という)が配置されており、この状
態で真空容器1内が真空ポンプ3により真空排気され、
図示されていない真空処理手段により基体2のスパッタ
リング、蒸着、エッチング等の真空処理が行われる。
一方、真空容器1のベント口1aには取付板7を介して
ガス導入管4の一端部が下向きに連結されており、この
ガス導入管4の他端部はバルブ5およびフィルター6を
介して図示されていないガス供給源に連結されている。
このガス供給源には窒素や乾燥空気等のベントガスが収
容されており、このベントガスは前記真空処理後に真空
容器1内に放出され、真空容器1内の大気圧に戻すもの
である。そして、真空容器1内が大気圧となったとき
に、真空蓋13が明けられ、真空処理済みの基体2の取
り出しと未処理基体2の導入が行われ、該未処理基体2
の真空処理がひき続いて行われるのである。
(発明が解決しようとする問題点) 周知のように、上記真空処理済みの基体2の取り出しと
未処理基体2の導入が行われる毎に、大気中のごみが真
空容器1内に入り込み、真空容器1内の底部や段部等に
堆積付着し、又ガス導入管4内部には溶接の際発生する
ごみが堆積付着する現象が生じる。従ってベントガスの
導入に際し、フィルター6で浄化されたベントガスがベ
ント口1aに至るまでにガス導入管4内のごみで汚染さ
れ、この汚染されたベントガスがベント口1aから真空
容器1内に吹き出し、真空容器1内にごみを浮遊させた
り、ベント口1aから下方に向けて吹き出すベントガス
の勢いによって真空容器1の底部や段部に堆積付着して
いたごみが舞い上がる等の現象が生じる。そのため、真
空容器1内に導入された未処理基体2にこれらのごみが
付着してしまい、基体2の真空処理に不良状態が発生
し、製品の良品率が低下してしまうという問題があっ
た。本発明は上記従来の問題点を解決するためになされ
たものであり、その目的は、ベントガスの導入に起因し
て生じる基体へのごみ付着を効果的に防止することがで
きる真空装置を提供することにある。
(問題点を解決するための手段) 本発明は上記目的を達成するために次のように構成され
ている。すなわち、本発明は、被処理物である基体を出
し入れする開口部の真空蓋を開け、該開口部より基体を
内部へ入れて真空蓋を閉じ、真空ポンプにより内部を真
空にして、基体に対して真空処理を施す真空室におい
て、ベント口より真空室内へ気密に導入されたベントガ
ス導入管と、該ベントガス導入管の先端に着脱自在に取
り付けられたフィルターと、該フィルターでろ過された
ベントガスを水平より上向き方向に向けて真空室内へ放
出する着脱自在のベントガス吹出管と、を具備すること
を特徴とする真空装置である。
(作 用) 上記構成からなる本発明において、ベントガスの真空容
器内への導入は次のようにして行われる。まず。ベント
ガスはベントガス供給手段によって真空容器のベント口
へ供給され、さらに、該ベント口に取り付けられたフィ
ルターおよびベントガス吹出管を通して真空容器内へ放
出される。
この場合、フィルターはベント口に取り付けられている
から、ベント口までのガス導入管内のゴミは、全て除去
され、ごみ汚染のない浄化されたベントガスが真空容器
内に放出できる。即ち、フィルター以後ベントガス吹出
管までの管路の長さが短くなるので導入管内に付着堆積
する塵埃の真空容器内への侵入がその分だけ少なくな
る。また、ベントガス吹出管からのガスの吹き出しは所
望の方位、すなわち、ごみが堆積付着する底部等を避け
た向きに放出できるので、底部等に堆積付着したごみを
舞い上げることもない。このように、本発明において
は、ベントガスの導入に起因して従来生じた未処理基体
へのごみ付着を確実に防止することが可能となるもので
ある。
(実施例) 以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。な
お、本実施例の説明において従来例と同一の構成部分に
は同一符号を付してその説明を省略する。第1図には本
発明に係る一実施例の構成が示されている。図におい
て、ガス導入管4と、バルブ5と、図示されていないガ
ス供給源とによってベントガス供給手段が構成されてお
り、前記ガス導入管4は真空容器1のベント口1aに取
付板7を介して気密に固定されている。前記ガス導入管
4はさらにベント口1aを通り真下に向けて伸張されそ
の先端部は水平に向けて折曲されている。そして、ガス
導入管4の折曲端部にはフィルター8が着脱自在に取り
付けられ、ガス供給源からガス導入管4を通って供給さ
れるベントガスを浄化するようになっている。さらに、
フィルター8の出口側には継手金具9を介してベントガ
ス吹出管10が着脱自在に取り付けられており、該ベン
トガス吹出管10の出口は管蓋11によって閉鎖されて
いる。ベントガス吹出管10には第1図および第2図に
示すように、斜め上方に向けてベントガスを吹き出す複
数のガス吹出孔12が設けられている。
したがって、本実施例によれば、ガス吹出孔12から放
出されたベントガスは真空容器1の頂壁1bに当たって
その勢力が弱められ、真空容器1の底部等に堆積付着し
ているごみを舞い上げることはない。また、フィルター
8はガス導入管4の先端部に設けられているから、ガス
導入管内のゴミは全て除去され、この結果、真空容器1
内にごみ汚染のない浄化されたベントガスを放出でき
る。すなわち、本実施例においては、ベントガスの放出
に際し、真空容器1内にごみを浮遊させることがないの
で、真空容器1内に導入された未処理基体2へのごみ付
着を防止でき、これにより、ごみ弊害のない優れた基体
2の真空処理を達成できる。さらに、本実施例では、ベ
ントガス吹出管10を着脱自在に設けているから、適宜
これを取り外して洗浄することが可能となり、ベントガ
ス吹出管10のごみ汚染も確実に防止でき、前記ベント
ガス導入に際しての基体2に対するごみ付着の防止をよ
りいっそう確実に行うことができる。
なお、上記実施例ぜは、ベントガス吹出管10の形状を
直線パイプ状に構成したが、必ずしもこれに限定される
ことはなく、真空容器1の形状、大きさおよび処理基体
2の形状、大きさ、配設位置等の各条件を考慮して最適
形状に設計すればよい。
(発明の効果) 本発明は以上説明したような構成と作用とを有している
ので、真空容器内へのベントガスの導入に際し、真空容
器内にごみを放出したり真空容器内にごみを舞い上げた
りすることがない。したがって、真空容器内に導入され
た基体にごみが付着するという従来の欠点は確実に防止
できる結果、不良のない優れた基体の真空処理を達成す
ることが可能となる。また、本発明の装置構成は簡易で
あるから、装置製作が容易であり、したがって、本発明
装置を安価に提供できるという利益がある
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る一実施例の構成を示す断面図、第
2図は第1図のX−X断面図、第3図は従来装置の構成
を示す断面図である。 1……真空容器、1a……ベント口、 1b……頂壁、2……基体、3……真空ポンプ、 4……ガス導入管、5……バルブ、 6……フィルター、7……取付板、 8……フィルター、9……継手金具、 10……ベントガス吹出管、11……管蓋、 12……ガス吹出孔、13……真空蓋。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】被処理物である基体を出し入れする開口部
    の真空蓋を開け、該開口部より基体を内部へ入れて真空
    蓋を閉じ、真空ポンプにより内部を真空にして、基体に
    対して真空処理を施す真空室において、ベント口より真
    空室内へ気密に導入されたベントガス導入管と、該ベン
    トガス導入管の先端に着脱自在に取り付けられたフィル
    ターと、該フィルターでろ過されたベントガスを水平よ
    り上向き方向に向けて真空室内へ放出する着脱自在のベ
    ントガス吹出管と、を具備することを特徴とする真空装
    置。
JP60259519A 1985-11-19 1985-11-19 真空装置 Expired - Lifetime JPH0621347B2 (ja)

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JP60259519A JPH0621347B2 (ja) 1985-11-19 1985-11-19 真空装置

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JP60259519A JPH0621347B2 (ja) 1985-11-19 1985-11-19 真空装置

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JPS62119926A JPS62119926A (ja) 1987-06-01
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5878429A (ja) * 1981-11-04 1983-05-12 Toshiba Corp 反応性イオンエツチング装置
JPS60131969A (ja) * 1983-12-20 1985-07-13 Applied Material Japan Kk 化学気相成長処理装置

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