JPH06215332A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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- JPH06215332A JPH06215332A JP635893A JP635893A JPH06215332A JP H06215332 A JPH06215332 A JP H06215332A JP 635893 A JP635893 A JP 635893A JP 635893 A JP635893 A JP 635893A JP H06215332 A JPH06215332 A JP H06215332A
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- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 98
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005330 Barkhausen effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- Magnetic Heads (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＲ素子１と、ＭＲ素子１の抵抗変化を検出
するための一対の電極層２、２と、ＭＲ素子１及び電極
層２、２を挟んでトラック長手方向の両側に配置された
一対のシールド層３、４とを具えたＭＲヘッドにおい
て、信号再生時の隣接トラックからのクロストークを効
果的に抑制する。 【構成】 両シールド層３、４間には、両電極層２、２
に跨がる広さの補償導体層５が配置され、両電極層２、
２間に生じる再生出力電圧から補償導体層５の両端に生
じる誘導起電圧を差し引くことによって、再生出力を補
償する。
するための一対の電極層２、２と、ＭＲ素子１及び電極
層２、２を挟んでトラック長手方向の両側に配置された
一対のシールド層３、４とを具えたＭＲヘッドにおい
て、信号再生時の隣接トラックからのクロストークを効
果的に抑制する。 【構成】 両シールド層３、４間には、両電極層２、２
に跨がる広さの補償導体層５が配置され、両電極層２、
２間に生じる再生出力電圧から補償導体層５の両端に生
じる誘導起電圧を差し引くことによって、再生出力を補
償する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果素子(以
下、ＭＲ素子という)を具えた磁気抵抗効果型ヘッド(以
下、ＭＲヘッドという)に関するものである。
下、ＭＲ素子という)を具えた磁気抵抗効果型ヘッド(以
下、ＭＲヘッドという)に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置やＶＴＲ(ビ
デオテープレコーダ)等の各種信号記録再生装置の高密
度化、小形化に対応するために、再生出力特性に優れた
ＭＲヘッドの開発が進んでいる。
デオテープレコーダ)等の各種信号記録再生装置の高密
度化、小形化に対応するために、再生出力特性に優れた
ＭＲヘッドの開発が進んでいる。
【０００３】ＭＲヘッドは、電流の方向と磁化の方向の
為す角度によって抵抗値が変化するＭＲ素子を用い、信
号磁界の変化を抵抗変化として検出するものであり、そ
の再生出力電圧が媒体−ヘッド間の相対速度に依存しな
いという特徴を有する。
為す角度によって抵抗値が変化するＭＲ素子を用い、信
号磁界の変化を抵抗変化として検出するものであり、そ
の再生出力電圧が媒体−ヘッド間の相対速度に依存しな
いという特徴を有する。
【０００４】従来のＭＲヘッドの基本的な構成を図５に
示す。帯板状のＭＲ素子(１)の表面には、トラック幅Ｔ
Wに一致する間隔をおいて一対の電極層(２)(２)が形成
されると共に、ＭＲ素子(１)及び電極層(２)(２)を挟ん
でトラック長手方向の両側には、軟磁性材料からなる一
対のシールド層(３)(４)が配置されている。
示す。帯板状のＭＲ素子(１)の表面には、トラック幅Ｔ
Wに一致する間隔をおいて一対の電極層(２)(２)が形成
されると共に、ＭＲ素子(１)及び電極層(２)(２)を挟ん
でトラック長手方向の両側には、軟磁性材料からなる一
対のシールド層(３)(４)が配置されている。
【０００５】ＭＲ素子(１)は、その長手方向(図５の左
右方向)に磁化容易軸を持つようにパターン化され、記
録媒体(６)との対接面に端面を露出して、信号磁界を検
出する。記録媒体(６)からの信号磁界に応じてＭＲ素子
(１)の磁化の向きが変化すると、これに伴ってＭＲ素子
(１)の抵抗値が変化し、該抵抗値の変化が一対の電極層
(２)(２)によって電圧変化として検出される。
右方向)に磁化容易軸を持つようにパターン化され、記
録媒体(６)との対接面に端面を露出して、信号磁界を検
出する。記録媒体(６)からの信号磁界に応じてＭＲ素子
(１)の磁化の向きが変化すると、これに伴ってＭＲ素子
(１)の抵抗値が変化し、該抵抗値の変化が一対の電極層
(２)(２)によって電圧変化として検出される。
【０００６】上記ＭＲヘッドにおいては、ＭＲ素子(１)
の上下にシールド層(３)(４)が配置されているから、高
い再生分解能が得られる。
の上下にシールド層(３)(４)が配置されているから、高
い再生分解能が得られる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＭＲヘッド
においては、ＭＲ素子(１)のアスペクト比を出来るだけ
高く設定して、その磁区構造を単磁区化し易い構造と
し、所謂バルクハウゼンノイズの防止が図られる。従っ
て、ＭＲ素子(１)のトラック幅方向の長さは、トラック
幅ＴWの数μmに対して、数十〜百数十μmと大きくな
る。又、ＭＲヘッドの製造工程を容易化するために、シ
ールド層(３)(４)のトラック幅方向の長さは、ＭＲ素子
(１)の長さよりも大きく形成される。
においては、ＭＲ素子(１)のアスペクト比を出来るだけ
高く設定して、その磁区構造を単磁区化し易い構造と
し、所謂バルクハウゼンノイズの防止が図られる。従っ
て、ＭＲ素子(１)のトラック幅方向の長さは、トラック
幅ＴWの数μmに対して、数十〜百数十μmと大きくな
る。又、ＭＲヘッドの製造工程を容易化するために、シ
ールド層(３)(４)のトラック幅方向の長さは、ＭＲ素子
(１)の長さよりも大きく形成される。
【０００８】従って、シールド層(３)(４)は、ＭＲ素子
(１)により再生すべきトラックＴMから隣接するトラッ
クＴL、ＴNにまで跨がり、隣接するトラックＴL、ＴNか
ら発生する磁束を吸引する作用を生じる。該磁束はシー
ルド層(３)(４)を通過して、ＭＲ素子(１)及び電極層
(２)(２)へ流入し、隣接トラックＴL、ＴNからのクロス
トークの原因となる。
(１)により再生すべきトラックＴMから隣接するトラッ
クＴL、ＴNにまで跨がり、隣接するトラックＴL、ＴNか
ら発生する磁束を吸引する作用を生じる。該磁束はシー
ルド層(３)(４)を通過して、ＭＲ素子(１)及び電極層
(２)(２)へ流入し、隣接トラックＴL、ＴNからのクロス
トークの原因となる。
【０００９】この様なクロストークは高トラック密度化
の妨げとなり、磁気ディスク装置の小型化、高記録密度
化を阻んでいた。本発明の目的は、シールド型のＭＲヘ
ッドにおける隣接トラックからのクロストークを効果的
に抑制することである。
の妨げとなり、磁気ディスク装置の小型化、高記録密度
化を阻んでいた。本発明の目的は、シールド型のＭＲヘ
ッドにおける隣接トラックからのクロストークを効果的
に抑制することである。
【００１０】
【課題を解決する為の手段】本発明に係るＭＲヘッドに
おいては、一対のシールド層(３)(４)間に、一対の電極
層(２)(２)に跨がる広さの補償導体層(５)が配置され、
両電極層(２)(２)間に生じる再生出力電圧から補償導体
層(５)の両端に生じる誘導起電圧を差し引くことによっ
て、再生出力を補償する。
おいては、一対のシールド層(３)(４)間に、一対の電極
層(２)(２)に跨がる広さの補償導体層(５)が配置され、
両電極層(２)(２)間に生じる再生出力電圧から補償導体
層(５)の両端に生じる誘導起電圧を差し引くことによっ
て、再生出力を補償する。
【００１１】
【作用】ＭＲ素子(１)と電極層(２)(２)は、巻数１回の
コイルを構成していると考えられ、シールド層(３)(４)
によって吸引された隣接トラックからの磁束が該コイル
と鎖交することによって、誘起起電圧が発生する。この
誘起起電圧が、前述のクロストークによるノイズの原因
となるのである。
コイルを構成していると考えられ、シールド層(３)(４)
によって吸引された隣接トラックからの磁束が該コイル
と鎖交することによって、誘起起電圧が発生する。この
誘起起電圧が、前述のクロストークによるノイズの原因
となるのである。
【００１２】上記本発明のＭＲヘッドにおいては、シー
ルド層(３)(４)間に配置された補償導体層(５)が巻数１
回のコイルを構成し、ＭＲ素子(１)及び電極層(２)(２)
に起因する起電圧と同一レベルの誘起起電圧を発生する
ことなる。従って、両電極層(２)(２)間に生じる再生出
力電圧から補償導体層(５)の両端に生じる誘導起電圧を
差し引くことによって、クロストークノイズがキャンセ
ルされ、ＭＲ素子(１)の抵抗変化に基づく出力電圧のみ
が得られる。
ルド層(３)(４)間に配置された補償導体層(５)が巻数１
回のコイルを構成し、ＭＲ素子(１)及び電極層(２)(２)
に起因する起電圧と同一レベルの誘起起電圧を発生する
ことなる。従って、両電極層(２)(２)間に生じる再生出
力電圧から補償導体層(５)の両端に生じる誘導起電圧を
差し引くことによって、クロストークノイズがキャンセ
ルされ、ＭＲ素子(１)の抵抗変化に基づく出力電圧のみ
が得られる。
【００１３】
【発明の効果】本発明のＭＲヘッドによれば、隣接トラ
ックからのクロストークを効果的に抑制することが可能
であり、これによって高トラック密度化、ひいては磁気
ディスク装置の小型化、高記録密度化が達成される。
ックからのクロストークを効果的に抑制することが可能
であり、これによって高トラック密度化、ひいては磁気
ディスク装置の小型化、高記録密度化が達成される。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の一実施例につき、図面に沿っ
て詳述する。図１に示す如く本発明のＭＲヘッドは、Ｍ
Ｒ素子(１)及び一対の電極層(２)(２)を挟んでトラック
長手方向の両側に、一対のシールド層(３)(４)を配置し
て、シールド型のＭＲヘッドを構成している。
て詳述する。図１に示す如く本発明のＭＲヘッドは、Ｍ
Ｒ素子(１)及び一対の電極層(２)(２)を挟んでトラック
長手方向の両側に、一対のシールド層(３)(４)を配置し
て、シールド型のＭＲヘッドを構成している。
【００１５】両シールド層(３)(４)間には、ＭＲ素子
(１)及び電極層(２)(２)の上部に、両電極層(２)(２)に
跨がる幅の補償導体層(５)が配置されている。補償導体
層(５)は、Ａu、Ａg、Ｃu、Ａl等の非磁性金属から形成
される。又、シールド層(３)とＭＲ素子(１)の間、ＭＲ
素子(１)と補償導体層(５)の間、及び補償導体層(５)と
シールド層(４)の間には夫々絶縁層(図示省略)が介在し
ている。一対の電極層(２)(２)にはＭＲ素子(１)にセン
ス電流を供給するための電源(７)が接続され、補償導体
層(５)の一端はアースされている。
(１)及び電極層(２)(２)の上部に、両電極層(２)(２)に
跨がる幅の補償導体層(５)が配置されている。補償導体
層(５)は、Ａu、Ａg、Ｃu、Ａl等の非磁性金属から形成
される。又、シールド層(３)とＭＲ素子(１)の間、ＭＲ
素子(１)と補償導体層(５)の間、及び補償導体層(５)と
シールド層(４)の間には夫々絶縁層(図示省略)が介在し
ている。一対の電極層(２)(２)にはＭＲ素子(１)にセン
ス電流を供給するための電源(７)が接続され、補償導体
層(５)の一端はアースされている。
【００１６】上記ＭＲヘッドにおいては、信号再生時に
図２に破線で示す如き磁束の流れが形成される。シール
ド層(３)(４)によって吸引された隣接トラックからの磁
束は、ＭＲ素子(１)及び電極層(２)(２)に鎖交すると共
に、補償導体層(５)にも鎖交して、電極層(２)(２)と補
償導体層(５)の両端には夫々誘起起電圧が発生する。
図２に破線で示す如き磁束の流れが形成される。シール
ド層(３)(４)によって吸引された隣接トラックからの磁
束は、ＭＲ素子(１)及び電極層(２)(２)に鎖交すると共
に、補償導体層(５)にも鎖交して、電極層(２)(２)と補
償導体層(５)の両端には夫々誘起起電圧が発生する。
【００１７】そこで、本発明のＭＲヘッドにおいては、
図１に示す如く電極層(２)からの出力電圧と補償導体層
(５)からの出力電圧とをミキサ(８)へ供給して、電極層
(２)の出力電圧から補償導体層(５)の出力電圧を差し引
き、更に該出力電圧の差を増幅器(９)にて増幅し、後段
回路へ出力する。
図１に示す如く電極層(２)からの出力電圧と補償導体層
(５)からの出力電圧とをミキサ(８)へ供給して、電極層
(２)の出力電圧から補償導体層(５)の出力電圧を差し引
き、更に該出力電圧の差を増幅器(９)にて増幅し、後段
回路へ出力する。
【００１８】これによって、隣接トラックからのクロス
トークノイズがキャンセルされ、ＭＲ素子(１)の抵抗変
化に応じた出力電圧のみに基づいて、忠実な信号再生が
実現される。
トークノイズがキャンセルされ、ＭＲ素子(１)の抵抗変
化に応じた出力電圧のみに基づいて、忠実な信号再生が
実現される。
【００１９】次に、本発明のＭＲヘッドの製造方法につ
いて説明する。図３(ａ)に示す如く、厚さ２.６mmのＡl
2Ｏ3-ＴiＣからなる基板(11)上に、厚さ５〜１０μmの
Ａl2Ｏ3からなる絶縁層(12)をスパッタリング法によっ
て形成する。更に該絶縁層(12)上に、下部シールド層と
なる厚さ１μmのパーマロイ層(13)をＲＦスパッタリン
グ法によって形成し、該パーマロイ層(13)をイオンミリ
ングにより150μm×200μmの矩形状にパターン化する。
尚、シールド層となるパーマロイ膜の形成には−100Ｖ
の基板バイアスを印加して、膜特性の向上を図ってい
る。
いて説明する。図３(ａ)に示す如く、厚さ２.６mmのＡl
2Ｏ3-ＴiＣからなる基板(11)上に、厚さ５〜１０μmの
Ａl2Ｏ3からなる絶縁層(12)をスパッタリング法によっ
て形成する。更に該絶縁層(12)上に、下部シールド層と
なる厚さ１μmのパーマロイ層(13)をＲＦスパッタリン
グ法によって形成し、該パーマロイ層(13)をイオンミリ
ングにより150μm×200μmの矩形状にパターン化する。
尚、シールド層となるパーマロイ膜の形成には−100Ｖ
の基板バイアスを印加して、膜特性の向上を図ってい
る。
【００２０】その後、図３(ｂ)の如くパーマロイ層(13)
の周囲にＳiＯ2層(14)を形成して、表面を平坦化した
後、その表面に厚さ０.１μmのＳiＯ2層(15)をスパッタ
リング法にて形成し、絶縁層とする。
の周囲にＳiＯ2層(14)を形成して、表面を平坦化した
後、その表面に厚さ０.１μmのＳiＯ2層(15)をスパッタ
リング法にて形成し、絶縁層とする。
【００２１】次に図３(ｃ)の様に、ＳiＯ2層(15)の表面
にＭＲ素子層(16)を形成する。尚、シャントバイアス法
を採用する場合は、ＳiＯ2層(15)とＭＲ素子層(16)の間
にシャント層を形成する。この際、先ずシャント層とな
るＴi膜を1000オングストロームの厚さに蒸着し、続い
て同一装置内で真空を破ることなく、ＭＲ素子層となる
パーマロイ(13重量％Ni-19重量％Fe)の膜を400オングス
トロームの厚さに蒸着する。ここで、パーマロイ膜の蒸
着時には70Ｏeの磁界を印加し、一軸異方性を付与す
る。該パーマロイ膜の比抵抗は約23μΩ・cmである。そ
して、該パーマロイ膜にイオンミリングを施して、長手
方向が磁化容易軸方向となる様に５μm×100μmの矩形
にパターン化し、ＭＲ素子層(16)を形成する。
にＭＲ素子層(16)を形成する。尚、シャントバイアス法
を採用する場合は、ＳiＯ2層(15)とＭＲ素子層(16)の間
にシャント層を形成する。この際、先ずシャント層とな
るＴi膜を1000オングストロームの厚さに蒸着し、続い
て同一装置内で真空を破ることなく、ＭＲ素子層となる
パーマロイ(13重量％Ni-19重量％Fe)の膜を400オングス
トロームの厚さに蒸着する。ここで、パーマロイ膜の蒸
着時には70Ｏeの磁界を印加し、一軸異方性を付与す
る。該パーマロイ膜の比抵抗は約23μΩ・cmである。そ
して、該パーマロイ膜にイオンミリングを施して、長手
方向が磁化容易軸方向となる様に５μm×100μmの矩形
にパターン化し、ＭＲ素子層(16)を形成する。
【００２２】その後、図４(ａ)の如くＭＲ素子層(16)に
センス電流を供給するための一対の電極層(18)(18)を形
成する。電極層(18)は、ＴiとＣuの積層膜をスパッタリ
ング法によって形成した後、周知のフォトリソグラフィ
ー技術を用いて所望の形状にパターン化する。ここで、
トラック幅となる両電極層(18)(18)の間隔は５μmとし
た。又、ＴiとＣuの膜厚は各々200オングストローム、2
000オングストロームとした。
センス電流を供給するための一対の電極層(18)(18)を形
成する。電極層(18)は、ＴiとＣuの積層膜をスパッタリ
ング法によって形成した後、周知のフォトリソグラフィ
ー技術を用いて所望の形状にパターン化する。ここで、
トラック幅となる両電極層(18)(18)の間隔は５μmとし
た。又、ＴiとＣuの膜厚は各々200オングストローム、2
000オングストロームとした。
【００２３】図４(ａ)の如く電極層(18)の周囲にＳiＯ2
層(17)を形成して、表面を平坦化した後、その表面に厚
さ０.１μmのＳiＯ2からなる絶縁層(19)をスパッタリン
グ法によって形成する。
層(17)を形成して、表面を平坦化した後、その表面に厚
さ０.１μmのＳiＯ2からなる絶縁層(19)をスパッタリン
グ法によって形成する。
【００２４】さらに図４(ｂ)の如く、前記電極層と同様
のＴi及びＣuの積層膜からなる補償導体層(21)を形成す
る。この際、フォトリソグラフィー技術を用いたパター
ン化により、補償導体層(21)の幅を両電極層(18)(18)の
全幅と一致せしめる。その後、補償導体層(21)の周囲に
ＳiＯ2層(22)を形成し、表面を平坦化する。
のＴi及びＣuの積層膜からなる補償導体層(21)を形成す
る。この際、フォトリソグラフィー技術を用いたパター
ン化により、補償導体層(21)の幅を両電極層(18)(18)の
全幅と一致せしめる。その後、補償導体層(21)の周囲に
ＳiＯ2層(22)を形成し、表面を平坦化する。
【００２５】図４(ｃ)に示すように、補償導体層(21)及
びＳiＯ2層(22)の表面を覆って厚さ０.１μmのＳiＯ2か
らなる絶縁層(23)をスパッタリング法によって形成す
る。更に絶縁層(23)の上に、下部シールド層となる厚さ
１μmのパーマロイ層(24)をＲＦスパッタリング法によ
って形成し、該パーマロイ層(24)をイオンミリングによ
り150μm×200μmの矩形状にパターン化する。その後、
パーマロイ層(24)を覆って厚さ５〜１０μmのＡl2Ｏ3か
らなる保護層(25)をスパッタリング法によって形成する
ことにより、ＭＲヘッドが完成する。
びＳiＯ2層(22)の表面を覆って厚さ０.１μmのＳiＯ2か
らなる絶縁層(23)をスパッタリング法によって形成す
る。更に絶縁層(23)の上に、下部シールド層となる厚さ
１μmのパーマロイ層(24)をＲＦスパッタリング法によ
って形成し、該パーマロイ層(24)をイオンミリングによ
り150μm×200μmの矩形状にパターン化する。その後、
パーマロイ層(24)を覆って厚さ５〜１０μmのＡl2Ｏ3か
らなる保護層(25)をスパッタリング法によって形成する
ことにより、ＭＲヘッドが完成する。
【００２６】該ＭＲヘッドを図１に示す如く電源(７)、
ミキサ(８)及び増幅器(９)と接続して、ＭＲ素子へセン
ス電流を供給すると共に、電極層(２)(２)の出力電圧か
ら補償導体層(５)の出力電圧をキャンセルすることによ
り、信号再生時の隣接トラックからのクロストークを効
果的に抑制することが出来る。
ミキサ(８)及び増幅器(９)と接続して、ＭＲ素子へセン
ス電流を供給すると共に、電極層(２)(２)の出力電圧か
ら補償導体層(５)の出力電圧をキャンセルすることによ
り、信号再生時の隣接トラックからのクロストークを効
果的に抑制することが出来る。
【００２７】上記実施例の説明は、本発明を説明するた
めのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定
し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。又、本
発明の各部構成は上記実施例に限らず、特許請求の範囲
に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であることは
勿論である。
めのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定
し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。又、本
発明の各部構成は上記実施例に限らず、特許請求の範囲
に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であることは
勿論である。
【図１】本発明に係るＭＲヘッドの基本的な構成を示す
一部破断斜視図である。
一部破断斜視図である。
【図２】該ＭＲヘッドにおける磁束の流れを示す図であ
る。
る。
【図３】本発明のＭＲヘッドの製造方法の前半部分を示
す工程図である。
す工程図である。
【図４】同上製造方法の後半部分を示す工程図である。
【図５】従来のＭＲヘッドを示す斜視図である。
(１) ＭＲ素子 (２) 電極層 (３) シールド層 (４) シールド層 (５) 補償導体層 (６) 記録媒体 (７) 電源 (８) ミキサ (９) 増幅器
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１２月１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】次に図３(ｃ)の様に、ＳiＯ2層(15)の表面
にＭＲ素子層(16)を形成する。尚、シャントバイアス法
を採用する場合は、ＳiＯ2層(15)とＭＲ素子層(16)の間
にシャント層を形成する。この際、先ずシャント層とな
るＴi膜を1000オングストロームの厚さに蒸着し、続い
て同一装置内で真空を破ることなく、ＭＲ素子層となる
パーマロイ(81重量％Ni-19重量％Fe)の膜を400オングス
トロームの厚さに蒸着する。ここで、パーマロイ膜の蒸
着時には70Ｏeの磁界を印加し、一軸異方性を付与す
る。該パーマロイ膜の比抵抗は約23μΩ・cmである。そ
して、該パーマロイ膜にイオンミリングを施して、長手
方向が磁化容易軸方向となる様に５μm×100μmの矩形
にパターン化し、ＭＲ素子層(16)を形成する。
にＭＲ素子層(16)を形成する。尚、シャントバイアス法
を採用する場合は、ＳiＯ2層(15)とＭＲ素子層(16)の間
にシャント層を形成する。この際、先ずシャント層とな
るＴi膜を1000オングストロームの厚さに蒸着し、続い
て同一装置内で真空を破ることなく、ＭＲ素子層となる
パーマロイ(81重量％Ni-19重量％Fe)の膜を400オングス
トロームの厚さに蒸着する。ここで、パーマロイ膜の蒸
着時には70Ｏeの磁界を印加し、一軸異方性を付与す
る。該パーマロイ膜の比抵抗は約23μΩ・cmである。そ
して、該パーマロイ膜にイオンミリングを施して、長手
方向が磁化容易軸方向となる様に５μm×100μmの矩形
にパターン化し、ＭＲ素子層(16)を形成する。
Claims (1)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子(１)と、磁気抵抗効果
素子(１)の抵抗変化を検出するための一対の電極層(２)
(２)と、磁気抵抗効果素子(１)及び電極層(２)(２)を挟
んでトラック長手方向の両側に配置された一対のシール
ド層(３)(４)とを具えた磁気抵抗効果型ヘッドにおい
て、両シールド層(３)(４)間には、両電極層(２)(２)に
跨がる広さの補償導体層(５)が配置され、両電極層(２)
(２)間に生じる再生出力電圧から補償導体層(５)の両端
に生じる誘導起電圧を差し引くことによって、再生出力
を補償することが可能な磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP635893A JPH06215332A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP635893A JPH06215332A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06215332A true JPH06215332A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=11636150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP635893A Withdrawn JPH06215332A (ja) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06215332A (ja) |
-
1993
- 1993-01-19 JP JP635893A patent/JPH06215332A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000404 |