JPH06215519A - シャッター - Google Patents
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- JPH06215519A JPH06215519A JP5004927A JP492793A JPH06215519A JP H06215519 A JPH06215519 A JP H06215519A JP 5004927 A JP5004927 A JP 5004927A JP 492793 A JP492793 A JP 492793A JP H06215519 A JPH06215519 A JP H06215519A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ポリアセタール樹脂100重量部に対し
帯電防止剤0.01〜5重量部
を配合してなる材料から成形された、スキン層の厚みが
15μm以下で、最大球晶サイズが40μm以下である
ディスクまたはテープカートリッジのシャッター。 【効果】 帯電防止性に優れ、かつ、帯電防止性の経時
変化の少ないシャッターが得られる。
15μm以下で、最大球晶サイズが40μm以下である
ディスクまたはテープカートリッジのシャッター。 【効果】 帯電防止性に優れ、かつ、帯電防止性の経時
変化の少ないシャッターが得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はポリアセタール樹脂から
なり、帯電防止性に優れ、かつ、帯電防止性の経時変化
の少ないシャッターに関する。
なり、帯電防止性に優れ、かつ、帯電防止性の経時変化
の少ないシャッターに関する。
【0002】
【従来の技術】ポリアセタール樹脂は優れた機械物性や
成形加工性を有するため、エンジニアリング樹脂として
種々の分野、特に自動車、家電分野等で幅広く利用され
ているプラスチックスである。しかしながら摩擦を伴う
部品などの用途では、静電気が発生し易く種々の障害を
引き起こすことが多い。即ち、ホコリが付き易くなった
り、放電を起こし、電気的ノイズの発生などの問題を起
こす。それ故に、これらの問題の少ない帯電防止性に優
れた材料が望まれていた。
成形加工性を有するため、エンジニアリング樹脂として
種々の分野、特に自動車、家電分野等で幅広く利用され
ているプラスチックスである。しかしながら摩擦を伴う
部品などの用途では、静電気が発生し易く種々の障害を
引き起こすことが多い。即ち、ホコリが付き易くなった
り、放電を起こし、電気的ノイズの発生などの問題を起
こす。それ故に、これらの問題の少ない帯電防止性に優
れた材料が望まれていた。
【0003】帯電防止性を改良する方法として以下の方
法等がある。特公昭56−22341号公報にポリオキ
シアルキレン−ポリシロキサンブロックコポリマーをポ
リアセタールに均一に分布させる方法がある。また、特
公昭56−52940号公報に水酸基を有する多価アル
コール脂肪酸エステルとポリエチレングリコールをポリ
アセタールに配合する方法がある。
法等がある。特公昭56−22341号公報にポリオキ
シアルキレン−ポリシロキサンブロックコポリマーをポ
リアセタールに均一に分布させる方法がある。また、特
公昭56−52940号公報に水酸基を有する多価アル
コール脂肪酸エステルとポリエチレングリコールをポリ
アセタールに配合する方法がある。
【0004】また、特公昭57−15616号公報にグ
リセリンモノ脂肪酸エステルのホウ酸エステルをポリア
セタールに配合する方法がある。また、特公平2−57
583号公報にアセタール樹脂とポリエーテルエステル
アミド共重合体とからなる組成物に帯電防止剤0.00
5〜5重量部配合する方法がある。
リセリンモノ脂肪酸エステルのホウ酸エステルをポリア
セタールに配合する方法がある。また、特公平2−57
583号公報にアセタール樹脂とポリエーテルエステル
アミド共重合体とからなる組成物に帯電防止剤0.00
5〜5重量部配合する方法がある。
【0005】また、特公平4−14709号公報にヒン
ダードアミン化合物0.01〜3重量%と帯電防止化有
効量の帯電防止剤をポリアセタール樹脂に配合する方法
がある。ところが、これらの従来知られている帯電防止
化の技術では、必ずしも満足な帯電防止性を示さず、帯
電防止性の経時変化については殆ど改良されていないの
が現状であった。
ダードアミン化合物0.01〜3重量%と帯電防止化有
効量の帯電防止剤をポリアセタール樹脂に配合する方法
がある。ところが、これらの従来知られている帯電防止
化の技術では、必ずしも満足な帯電防止性を示さず、帯
電防止性の経時変化については殆ど改良されていないの
が現状であった。
【0006】また、特公平3−80819号公報にポリ
オキシメチレン樹脂に導電性カーボンブラック0.5〜
30重量%、エポキシ化合物0.05〜10重量%、有
機リン化合物0.1〜10重量%配合し、帯電防止性を
改良する方法がある。ところが、この技術では、導電性
カーボンブラックを配合するために、樹脂の色が黒に限
定されるほか、ポリオキシメチレン樹脂の持つ潤滑性や
熱安定性を大きく損なってしまうという欠点を有してい
る。
オキシメチレン樹脂に導電性カーボンブラック0.5〜
30重量%、エポキシ化合物0.05〜10重量%、有
機リン化合物0.1〜10重量%配合し、帯電防止性を
改良する方法がある。ところが、この技術では、導電性
カーボンブラックを配合するために、樹脂の色が黒に限
定されるほか、ポリオキシメチレン樹脂の持つ潤滑性や
熱安定性を大きく損なってしまうという欠点を有してい
る。
【0007】また、特開昭61−41583号公報に
は、鮮明な浸透印刷をポリアセタール樹脂に行うため
に、完全球晶層までの深さが200μm以下のポリアセ
タール樹脂成形体に浸透印刷する方法が開示されている
が、該引例におけるポリアセタール樹脂成形体は最大球
晶径が全て大きすぎて、帯電防止性の経時変化について
は殆ど改良されていなかった。
は、鮮明な浸透印刷をポリアセタール樹脂に行うため
に、完全球晶層までの深さが200μm以下のポリアセ
タール樹脂成形体に浸透印刷する方法が開示されている
が、該引例におけるポリアセタール樹脂成形体は最大球
晶径が全て大きすぎて、帯電防止性の経時変化について
は殆ど改良されていなかった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、充分
な初期の帯電防止性と、経時変化の少ない帯電防止性を
実現したポリアセタール樹脂からなるシャッターを提供
することである。
な初期の帯電防止性と、経時変化の少ない帯電防止性を
実現したポリアセタール樹脂からなるシャッターを提供
することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、 ポリアセタール樹脂100重量部に対し 帯電防止剤0.01〜5重量部 を配合してなる材料から成形された、スキン層の厚みが
15μm以下で、最大球晶サイズが40μm以下である
ディスクまたはテープカートリッジのシャッターを提供
するものである。
15μm以下で、最大球晶サイズが40μm以下である
ディスクまたはテープカートリッジのシャッターを提供
するものである。
【0010】以下に本発明を詳細に説明する。本発明に
おけるポリアセタール樹脂とは、ホルムアルデヒド単量
体またはその3量体(トリオキサン)もしくは4量体
(テトラオキサン)等の環状オリゴマーを原料として製
造された実質的にオキシメチレン単位からなるオキシメ
チレンホモポリマー、及び上記原料とエチレンオキサイ
ド、プロピレンオキサイド、エピクロルヒドリン、1,
3−ジオキソラン、グリコールのホルマール、ジグリコ
ールのホルマール等の環状エーテルとから製造された炭
素数2−8のオキシアルキレン単位を0.1〜20重量
%含有するオキシメチレンコポリマーである。また、分
子鎖が分岐化したオキシメチレンコポリマー、及びオキ
シメチレンの繰り返し単位を50重量%以上含み異種ポ
リマー単位を50重量%未満含むオキシメチレンブロッ
クコポリマーも包含する。また本発明では、オキシメチ
レンホモポリマー、オキシメチレンコポリマー、分岐ポ
リマー及びオキシメチレンブロックコポリマーの中から
選ばれる2種以上をブレンドして使うことができる。
おけるポリアセタール樹脂とは、ホルムアルデヒド単量
体またはその3量体(トリオキサン)もしくは4量体
(テトラオキサン)等の環状オリゴマーを原料として製
造された実質的にオキシメチレン単位からなるオキシメ
チレンホモポリマー、及び上記原料とエチレンオキサイ
ド、プロピレンオキサイド、エピクロルヒドリン、1,
3−ジオキソラン、グリコールのホルマール、ジグリコ
ールのホルマール等の環状エーテルとから製造された炭
素数2−8のオキシアルキレン単位を0.1〜20重量
%含有するオキシメチレンコポリマーである。また、分
子鎖が分岐化したオキシメチレンコポリマー、及びオキ
シメチレンの繰り返し単位を50重量%以上含み異種ポ
リマー単位を50重量%未満含むオキシメチレンブロッ
クコポリマーも包含する。また本発明では、オキシメチ
レンホモポリマー、オキシメチレンコポリマー、分岐ポ
リマー及びオキシメチレンブロックコポリマーの中から
選ばれる2種以上をブレンドして使うことができる。
【0011】本発明で用いられるポリアセタール樹脂の
FR(ASTM D1238−57E条件)は、20〜
100g/10分が好ましい。FRが20g/10分未
満ではスキン層の厚みが15μm以下のシャッターを得
ることが難しくなる。FRが100g/10分を超える
と帯電防止性が低下し好ましくない。本発明で用いられ
る帯電防止剤は、0.3%以上の吸水率を持つ高・低分
子量化合物であり、一般式(I)で表されるアミン化合
物のエチレンオキシド付加体
FR(ASTM D1238−57E条件)は、20〜
100g/10分が好ましい。FRが20g/10分未
満ではスキン層の厚みが15μm以下のシャッターを得
ることが難しくなる。FRが100g/10分を超える
と帯電防止性が低下し好ましくない。本発明で用いられ
る帯電防止剤は、0.3%以上の吸水率を持つ高・低分
子量化合物であり、一般式(I)で表されるアミン化合
物のエチレンオキシド付加体
【0012】
【化1】
【0013】(式中R1 は、炭素数10〜22のアルキ
ルまたはアルケニル基であり、m1及びn1 はいずれも
1〜10の整数を示す。)、一般式(II)で表される
アミド化合物
ルまたはアルケニル基であり、m1及びn1 はいずれも
1〜10の整数を示す。)、一般式(II)で表される
アミド化合物
【0014】
【化2】
【0015】(式中R2 はカルボン酸残基、x,yはそ
れぞれ0または1以上の整数、n2は1以上の整数を示
す。)、一般式(III)で表されるエチレンオキシド
―プロピレンオキシド共重合体
れぞれ0または1以上の整数、n2は1以上の整数を示
す。)、一般式(III)で表されるエチレンオキシド
―プロピレンオキシド共重合体
【0016】
【化3】
【0017】(式中m3 ,n3 は1〜99の整数で、m
3 +n3 が10〜100の整数を示す。)、一般式(I
V)で表されるポリエチレングリコールアルキルエーテ
ル
3 +n3 が10〜100の整数を示す。)、一般式(I
V)で表されるポリエチレングリコールアルキルエーテ
ル
【0018】
【化4】
【0019】(式中R4 は炭素数10〜32の整数であ
り、n4 は6〜30の整数を示す。)、ポリオキシアル
キレン−ポリシロキサンブロックコポリマー、水酸基を
有する多価アルコール脂肪酸エステル、グリセリンモノ
脂肪酸エステルのホウ酸エステル、ポリエチレングリコ
ール、エチレンビスステアリルアミド等であるが、なか
でもポリエチレングリコールステアリルエーテル、グリ
セリンモノステアレートのホウ酸エステル、ポリエチレ
ングリコール(分子量1000〜10000)、エチレ
ンビスステアリルアミドがより好ましい。
り、n4 は6〜30の整数を示す。)、ポリオキシアル
キレン−ポリシロキサンブロックコポリマー、水酸基を
有する多価アルコール脂肪酸エステル、グリセリンモノ
脂肪酸エステルのホウ酸エステル、ポリエチレングリコ
ール、エチレンビスステアリルアミド等であるが、なか
でもポリエチレングリコールステアリルエーテル、グリ
セリンモノステアレートのホウ酸エステル、ポリエチレ
ングリコール(分子量1000〜10000)、エチレ
ンビスステアリルアミドがより好ましい。
【0020】上記の帯電防止剤は、それぞれ単独で用い
ても良いし、2種以上組み合わせて用いても良い。帯電
防止剤の分子量は200〜20000が好ましく、30
0〜10000がより好ましい。本発明における上記帯
電防止剤の配合量は、ポリアセタール樹脂100重量部
に対し、0.01〜5重量部、好ましくは0.03〜
3.0重量部の範囲で選ばれる。この配合量が0.01
重量部未満ではやはり十分な帯電防止性が得られない。
また、5重量部を超えると熱安定性が低下し、成形加工
時の分解ガスによるシルバーストリーク(銀条)が発生
したり、シャッターの外観が著しく悪くなり好ましくな
い。
ても良いし、2種以上組み合わせて用いても良い。帯電
防止剤の分子量は200〜20000が好ましく、30
0〜10000がより好ましい。本発明における上記帯
電防止剤の配合量は、ポリアセタール樹脂100重量部
に対し、0.01〜5重量部、好ましくは0.03〜
3.0重量部の範囲で選ばれる。この配合量が0.01
重量部未満ではやはり十分な帯電防止性が得られない。
また、5重量部を超えると熱安定性が低下し、成形加工
時の分解ガスによるシルバーストリーク(銀条)が発生
したり、シャッターの外観が著しく悪くなり好ましくな
い。
【0021】本発明のシャッターを成形するための材料
には、さらにポリアセタール樹脂に慣用されている添加
剤、例えば特開平3−234729号公報に製造方法が
記載されているβ−アラニン重合体、6−6,6−6,
10共重合ナイロン、ナイロン−6,6などのポリアミ
ド、メラミンなどの熱安定剤、2,2’−メチレン−ビ
ス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、トリエ
チレングリコール−ビス〔3−(3−t−ブチル−5−
メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、
ペンタエリスリトール−テトラキス〔3−(3,5−ジ
−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネー
ト〕などの酸化防止剤、滑剤、ガラス繊維、炭素繊維、
チタン酸カリウム繊維、有機繊維などの補強材、ガラス
ビーズ、タルク、炭酸カルシウムなどの無機充填材、核
剤、離型剤、可塑剤、カーボンブラック及び顔料等を本
発明の目的を損なわない程度に配合することができる。
には、さらにポリアセタール樹脂に慣用されている添加
剤、例えば特開平3−234729号公報に製造方法が
記載されているβ−アラニン重合体、6−6,6−6,
10共重合ナイロン、ナイロン−6,6などのポリアミ
ド、メラミンなどの熱安定剤、2,2’−メチレン−ビ
ス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、トリエ
チレングリコール−ビス〔3−(3−t−ブチル−5−
メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、
ペンタエリスリトール−テトラキス〔3−(3,5−ジ
−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネー
ト〕などの酸化防止剤、滑剤、ガラス繊維、炭素繊維、
チタン酸カリウム繊維、有機繊維などの補強材、ガラス
ビーズ、タルク、炭酸カルシウムなどの無機充填材、核
剤、離型剤、可塑剤、カーボンブラック及び顔料等を本
発明の目的を損なわない程度に配合することができる。
【0022】本発明のシャッター表面のスキン層の厚み
は、15μm以下である必要がある。本発明におけるス
キン層の厚みとは、シャッターを構成する樹脂成形体を
肉厚方向に10μmの厚みにミクロトームで薄切片にス
ライスし、クロスニコルを用いた透過型偏光顕微鏡によ
り340倍で観察した時、成形体外側部の表面にある偏
光のかからない層の厚みをいう。このスキン層の厚みを
薄くすることができれば帯電防止性の経時変化を非常に
小さくすることができる。スキン層の厚みが、15μm
を超えると、帯電防止性の経時変化が大きくなる。
は、15μm以下である必要がある。本発明におけるス
キン層の厚みとは、シャッターを構成する樹脂成形体を
肉厚方向に10μmの厚みにミクロトームで薄切片にス
ライスし、クロスニコルを用いた透過型偏光顕微鏡によ
り340倍で観察した時、成形体外側部の表面にある偏
光のかからない層の厚みをいう。このスキン層の厚みを
薄くすることができれば帯電防止性の経時変化を非常に
小さくすることができる。スキン層の厚みが、15μm
を超えると、帯電防止性の経時変化が大きくなる。
【0023】本発明のシャッターを構成する成形体のス
キン層の厚みは、(1)樹脂の結晶化時間をコントロー
ルする方法、(2)適切な成形方法を選択する方法等に
より得られる。これらの方法は、単独でもよいし併用し
てもよい。樹脂の結晶化時間によってコントロールする
方法としては、結晶化時間を20〜100秒にする方法
がある。
キン層の厚みは、(1)樹脂の結晶化時間をコントロー
ルする方法、(2)適切な成形方法を選択する方法等に
より得られる。これらの方法は、単独でもよいし併用し
てもよい。樹脂の結晶化時間によってコントロールする
方法としては、結晶化時間を20〜100秒にする方法
がある。
【0024】本発明における結晶化時間とは、5mgの
ポリアセタール樹脂のサンプルをDSCにより320℃
/分で200℃まで昇温し、200℃で2分間ホールド
し、80℃/分で150℃に降温させたとき、サンプル
ホルダーの温度が150℃になってからポリアセタール
樹脂の結晶化に伴う発熱ピークトップが検出されるまで
の時間(秒)である。
ポリアセタール樹脂のサンプルをDSCにより320℃
/分で200℃まで昇温し、200℃で2分間ホールド
し、80℃/分で150℃に降温させたとき、サンプル
ホルダーの温度が150℃になってからポリアセタール
樹脂の結晶化に伴う発熱ピークトップが検出されるまで
の時間(秒)である。
【0025】結晶化時間を20〜100秒にコントロー
ルする方法は、通常知られている結晶核剤すなわち、タ
ルク、ウオラストナイトなどのケイ酸塩(無機フィラ
ー)粉末、ハイドロタルサイト、炭酸カルシウムなどの
炭酸塩および/または分岐ポリアセタールコポリマーな
どの有機核剤などを適量添加する方法がある。その他の
結晶化時間をコントロールする添加剤としてはメラミ
ン、ジシアンジアミン等のアミン系化合物、窒化ホウ素
などの窒化物、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化カルシウ
ム、酸化マグネシウム等の酸化物、アセチレンブラッ
ク、導電性カーボンブラック等のカーボン粉末、ナイロ
ン6,6およびアクリルアミドのイオン重合体などのア
ミド系樹脂の粉末、アクリルアミドのラジカル重合体な
どのビニル重合体の粉末などがあるが特にこれらに限定
はしない。ただし、それらの中でも好ましい結晶核剤
は、窒化ホウ素などの窒化物、およびナイロン6,6お
よびアクリルアミドのイオン重合体などのアミド系樹脂
の粉末であり、窒化ホウ素がさらに好ましい。好ましい
窒化ホウ素は平均粒径1〜10μm、好ましくは2〜7
μmで三酸化二ホウ素含有率が0.05〜0.7重量
%、好ましくは0.1〜0.6重量%のものであり、そ
の添加量は5〜200ppm、好ましくは20〜200
ppmがよい。しかしながら、厳密には、ポリアセター
ル樹脂からなるシャッターが、シャッター開き以外に他
の特性(例えば、熱エージング性、耐熱水性、耐侯性、
帯電防止性、摺動性、離型性、成形時の熱安定性・熱分
解性、など)を要求される場合が多いため、同時に添加
する結晶核剤以外の添加物と結晶核剤との相性を考慮し
適切な結晶核剤を選択する必要がある。
ルする方法は、通常知られている結晶核剤すなわち、タ
ルク、ウオラストナイトなどのケイ酸塩(無機フィラ
ー)粉末、ハイドロタルサイト、炭酸カルシウムなどの
炭酸塩および/または分岐ポリアセタールコポリマーな
どの有機核剤などを適量添加する方法がある。その他の
結晶化時間をコントロールする添加剤としてはメラミ
ン、ジシアンジアミン等のアミン系化合物、窒化ホウ素
などの窒化物、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化カルシウ
ム、酸化マグネシウム等の酸化物、アセチレンブラッ
ク、導電性カーボンブラック等のカーボン粉末、ナイロ
ン6,6およびアクリルアミドのイオン重合体などのア
ミド系樹脂の粉末、アクリルアミドのラジカル重合体な
どのビニル重合体の粉末などがあるが特にこれらに限定
はしない。ただし、それらの中でも好ましい結晶核剤
は、窒化ホウ素などの窒化物、およびナイロン6,6お
よびアクリルアミドのイオン重合体などのアミド系樹脂
の粉末であり、窒化ホウ素がさらに好ましい。好ましい
窒化ホウ素は平均粒径1〜10μm、好ましくは2〜7
μmで三酸化二ホウ素含有率が0.05〜0.7重量
%、好ましくは0.1〜0.6重量%のものであり、そ
の添加量は5〜200ppm、好ましくは20〜200
ppmがよい。しかしながら、厳密には、ポリアセター
ル樹脂からなるシャッターが、シャッター開き以外に他
の特性(例えば、熱エージング性、耐熱水性、耐侯性、
帯電防止性、摺動性、離型性、成形時の熱安定性・熱分
解性、など)を要求される場合が多いため、同時に添加
する結晶核剤以外の添加物と結晶核剤との相性を考慮し
適切な結晶核剤を選択する必要がある。
【0026】適切な成形方法を選択することによりコン
トロールする方法として、以下の方法がある。まず、
金型温度を100℃以上150℃以下好ましくは110
℃以上140℃以下に設定し成形する方法。次に、特
公昭58−40804号公報に開示されている高周波に
よる誘導加熱により射出成形用金型表面(キャビティ)
を選択的に加熱して射出成形する方法。次に、熱プレ
スで圧縮成形し、その後徐冷する方法。押し出し成形
した丸棒等を切削、研磨、サンドブラスト加工する方
法。次に、金型温度10℃以上100℃未満で射出成
形した成形体を150℃以上ポリアセタール樹脂の融点
未満で熱アニールする方法である。これらの成形方法の
うち生産性を考えると、またはの方法が好ましい。
トロールする方法として、以下の方法がある。まず、
金型温度を100℃以上150℃以下好ましくは110
℃以上140℃以下に設定し成形する方法。次に、特
公昭58−40804号公報に開示されている高周波に
よる誘導加熱により射出成形用金型表面(キャビティ)
を選択的に加熱して射出成形する方法。次に、熱プレ
スで圧縮成形し、その後徐冷する方法。押し出し成形
した丸棒等を切削、研磨、サンドブラスト加工する方
法。次に、金型温度10℃以上100℃未満で射出成
形した成形体を150℃以上ポリアセタール樹脂の融点
未満で熱アニールする方法である。これらの成形方法の
うち生産性を考えると、またはの方法が好ましい。
【0027】本発明のシャッターを構成する樹脂の結晶
の最大球晶サイズは40μm以下である必要がある。本
発明における最大球晶サイズとは、成形体の断面を10
μmの厚みにミクロトームで薄切片にスライスし、クロ
スニコルを用いた透過型偏光顕微鏡により340倍で観
察した時、球晶径が明確に判別できるときはそれらの球
晶のうち最大のものの球晶径をいい、球晶径が明確に判
別できないときは同一偏光部分(同一色部分)が他の偏
光部分とつながらず粒子状として確認できたもののうち
最大長をもつものの2倍の値をいう(同一偏光最大長を
球晶の径の1/2とみなす)。
の最大球晶サイズは40μm以下である必要がある。本
発明における最大球晶サイズとは、成形体の断面を10
μmの厚みにミクロトームで薄切片にスライスし、クロ
スニコルを用いた透過型偏光顕微鏡により340倍で観
察した時、球晶径が明確に判別できるときはそれらの球
晶のうち最大のものの球晶径をいい、球晶径が明確に判
別できないときは同一偏光部分(同一色部分)が他の偏
光部分とつながらず粒子状として確認できたもののうち
最大長をもつものの2倍の値をいう(同一偏光最大長を
球晶の径の1/2とみなす)。
【0028】シャッターを構成する樹脂の結晶の最大球
晶サイズが40μmを超えると成形体の球晶状態が変化
しやすく表面の帯電防止剤の量が経時的に変化してい
く。好ましい最大球晶サイズは寸法安定性、帯電防止性
の安定性の点から6〜30μm、さらには10〜20μ
mである。本発明の用途は厚みが1mm以下のディスク
またはテープカートリッジのシャッターであるが、さら
には、フロッピーディスクシャッターが好ましい。
晶サイズが40μmを超えると成形体の球晶状態が変化
しやすく表面の帯電防止剤の量が経時的に変化してい
く。好ましい最大球晶サイズは寸法安定性、帯電防止性
の安定性の点から6〜30μm、さらには10〜20μ
mである。本発明の用途は厚みが1mm以下のディスク
またはテープカートリッジのシャッターであるが、さら
には、フロッピーディスクシャッターが好ましい。
【0029】本発明におけるディスクまたはテープカー
トリッジのシャッターとは、磁気ディスクまたは磁気テ
ープを内蔵するディスクまたはテープカートリッジに関
し、ケース外面にヘッド挿入窓を開閉するために付設さ
れるシャッターである。
トリッジのシャッターとは、磁気ディスクまたは磁気テ
ープを内蔵するディスクまたはテープカートリッジに関
し、ケース外面にヘッド挿入窓を開閉するために付設さ
れるシャッターである。
【0030】
【0031】
〈ポリアセタール樹脂の製造〉エチレンオキサイド2.
8%を共重合されたポリアセタールを米国特許3027
352に記載の公知の方法で合成した。このものの固有
粘度は1.0であった。(固有粘度は2重量%のアルフ
ァピネンを含有するp−クロロフェノール溶液に重合体
0.1重量%を溶かし60℃にて測定した。)また、A
STM D1238−57T(E条件)でのメルトイン
デックスは30.0g/10分であった。このポリアセ
タールをP−1とする。
8%を共重合されたポリアセタールを米国特許3027
352に記載の公知の方法で合成した。このものの固有
粘度は1.0であった。(固有粘度は2重量%のアルフ
ァピネンを含有するp−クロロフェノール溶液に重合体
0.1重量%を溶かし60℃にて測定した。)また、A
STM D1238−57T(E条件)でのメルトイン
デックスは30.0g/10分であった。このポリアセ
タールをP−1とする。
【0032】両末端アセチル化されたポリアセタールホ
モポリマー粉末を米国特許2998409にある公知の
方法で製造した。このものの固有粘度は1.2であっ
た。(固有粘度は2重量%のアルファピネンを含有する
p−クロロフェノール溶液に重合体0.1重量%を溶か
し60℃にて測定した。)また、ASTM D1238
−57T(E条件)でのメルトインデックスは40.0
g/10分であった。このポリアセタールをP−2とす
る。
モポリマー粉末を米国特許2998409にある公知の
方法で製造した。このものの固有粘度は1.2であっ
た。(固有粘度は2重量%のアルファピネンを含有する
p−クロロフェノール溶液に重合体0.1重量%を溶か
し60℃にて測定した。)また、ASTM D1238
−57T(E条件)でのメルトインデックスは40.0
g/10分であった。このポリアセタールをP−2とす
る。
【0033】
【実施例1〜18、比較例1〜14】トリエチレングリ
コール−ビス〔3−(3−t−ブチル−5−メチル−4
−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕0.2重量部
と表1、2に示すポリアセタール、帯電防止剤及び核剤
を、表に示した配合比率で窒素雰囲気でブレンドし、2
00℃に設定されたL/D=25の単軸ベント付押出機
(条件:スクリュ回転数;100rpm、吐出6kg/
hr)で溶融混練して得られたペレットを乾燥し、5オ
ンス成形機にて3.5インチフロッピーディスク用シャ
ッターを成形した(条件:金型温度100℃、冷却時間
10秒)。このシャッターを温度20℃、湿度50%の
恒温恒湿室中において、1時間及び500時間放置して
試料とした後、試料に対し10KVの電圧を印加し、印
加停止後の帯電圧半減期(秒)をスタテックオネストメ
ーターにより測定した。
コール−ビス〔3−(3−t−ブチル−5−メチル−4
−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕0.2重量部
と表1、2に示すポリアセタール、帯電防止剤及び核剤
を、表に示した配合比率で窒素雰囲気でブレンドし、2
00℃に設定されたL/D=25の単軸ベント付押出機
(条件:スクリュ回転数;100rpm、吐出6kg/
hr)で溶融混練して得られたペレットを乾燥し、5オ
ンス成形機にて3.5インチフロッピーディスク用シャ
ッターを成形した(条件:金型温度100℃、冷却時間
10秒)。このシャッターを温度20℃、湿度50%の
恒温恒湿室中において、1時間及び500時間放置して
試料とした後、試料に対し10KVの電圧を印加し、印
加停止後の帯電圧半減期(秒)をスタテックオネストメ
ーターにより測定した。
【0034】結果を表1、2に記載した。また、表中の
記号は次のものを示す。(T)帯電防止剤 : T−1:ポリエチレングリコールステアリルエーテル T−2:グリセリンモノステアレートのホウ酸エステル T−3:ポリエチレングリコール(分子量 6000)(K)核剤 : K−1:窒化ホウ素(平均粒径2μm) K−2:窒化ホウ素(平均粒径5μm) K−3:タルク(平均粒径5μm)
記号は次のものを示す。(T)帯電防止剤 : T−1:ポリエチレングリコールステアリルエーテル T−2:グリセリンモノステアレートのホウ酸エステル T−3:ポリエチレングリコール(分子量 6000)(K)核剤 : K−1:窒化ホウ素(平均粒径2μm) K−2:窒化ホウ素(平均粒径5μm) K−3:タルク(平均粒径5μm)
【0035】
【表1】
【0036】
【表2】
【0037】
【発明の効果】本発明によれば、帯電防止性に優れ、か
つ、帯電防止性の経時変化の少ないシャッターを提供す
ることができる。
つ、帯電防止性の経時変化の少ないシャッターを提供す
ることができる。
Claims (1)
- 【請求項1】 ポリアセタール樹脂100重量部に対
し 帯電防止剤0.01〜5重量部 を配合してなる材料から成形された、スキン層の厚みが
15μm以下で、最大球晶サイズが40μm以下である
ディスクまたはテープカートリッジのシャッター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5004927A JP2660896B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | シャッター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5004927A JP2660896B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | シャッター |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06215519A true JPH06215519A (ja) | 1994-08-05 |
| JP2660896B2 JP2660896B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=11597234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5004927A Expired - Fee Related JP2660896B2 (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | シャッター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2660896B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6011676A (en) * | 1996-12-27 | 2000-01-04 | Sony Corporation | Tape cassette for magnetic recording |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437972U (ja) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | ||
| JPS6470980A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-16 | Hitachi Maxell | Disk cartridge |
-
1993
- 1993-01-14 JP JP5004927A patent/JP2660896B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437972U (ja) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | ||
| JPS6470980A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-16 | Hitachi Maxell | Disk cartridge |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6011676A (en) * | 1996-12-27 | 2000-01-04 | Sony Corporation | Tape cassette for magnetic recording |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2660896B2 (ja) | 1997-10-08 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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