JPH06215519A - シャッター - Google Patents

シャッター

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JPH06215519A
JPH06215519A JP5004927A JP492793A JPH06215519A JP H06215519 A JPH06215519 A JP H06215519A JP 5004927 A JP5004927 A JP 5004927A JP 492793 A JP492793 A JP 492793A JP H06215519 A JPH06215519 A JP H06215519A
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JP5004927A
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Yasusada Yokota
養貞 横田
Masahiko Niino
雅彦 二井野
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Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 ポリアセタール樹脂100重量部に対し 帯電防止剤0.01〜5重量部 を配合してなる材料から成形された、スキン層の厚みが
15μm以下で、最大球晶サイズが40μm以下である
ディスクまたはテープカートリッジのシャッター。 【効果】 帯電防止性に優れ、かつ、帯電防止性の経時
変化の少ないシャッターが得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はポリアセタール樹脂から
なり、帯電防止性に優れ、かつ、帯電防止性の経時変化
の少ないシャッターに関する。
【0002】
【従来の技術】ポリアセタール樹脂は優れた機械物性や
成形加工性を有するため、エンジニアリング樹脂として
種々の分野、特に自動車、家電分野等で幅広く利用され
ているプラスチックスである。しかしながら摩擦を伴う
部品などの用途では、静電気が発生し易く種々の障害を
引き起こすことが多い。即ち、ホコリが付き易くなった
り、放電を起こし、電気的ノイズの発生などの問題を起
こす。それ故に、これらの問題の少ない帯電防止性に優
れた材料が望まれていた。
【0003】帯電防止性を改良する方法として以下の方
法等がある。特公昭56−22341号公報にポリオキ
シアルキレン−ポリシロキサンブロックコポリマーをポ
リアセタールに均一に分布させる方法がある。また、特
公昭56−52940号公報に水酸基を有する多価アル
コール脂肪酸エステルとポリエチレングリコールをポリ
アセタールに配合する方法がある。
【0004】また、特公昭57−15616号公報にグ
リセリンモノ脂肪酸エステルのホウ酸エステルをポリア
セタールに配合する方法がある。また、特公平2−57
583号公報にアセタール樹脂とポリエーテルエステル
アミド共重合体とからなる組成物に帯電防止剤0.00
5〜5重量部配合する方法がある。
【0005】また、特公平4−14709号公報にヒン
ダードアミン化合物0.01〜3重量%と帯電防止化有
効量の帯電防止剤をポリアセタール樹脂に配合する方法
がある。ところが、これらの従来知られている帯電防止
化の技術では、必ずしも満足な帯電防止性を示さず、帯
電防止性の経時変化については殆ど改良されていないの
が現状であった。
【0006】また、特公平3−80819号公報にポリ
オキシメチレン樹脂に導電性カーボンブラック0.5〜
30重量%、エポキシ化合物0.05〜10重量%、有
機リン化合物0.1〜10重量%配合し、帯電防止性を
改良する方法がある。ところが、この技術では、導電性
カーボンブラックを配合するために、樹脂の色が黒に限
定されるほか、ポリオキシメチレン樹脂の持つ潤滑性や
熱安定性を大きく損なってしまうという欠点を有してい
る。
【0007】また、特開昭61−41583号公報に
は、鮮明な浸透印刷をポリアセタール樹脂に行うため
に、完全球晶層までの深さが200μm以下のポリアセ
タール樹脂成形体に浸透印刷する方法が開示されている
が、該引例におけるポリアセタール樹脂成形体は最大球
晶径が全て大きすぎて、帯電防止性の経時変化について
は殆ど改良されていなかった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、充分
な初期の帯電防止性と、経時変化の少ない帯電防止性を
実現したポリアセタール樹脂からなるシャッターを提供
することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、 ポリアセタール樹脂100重量部に対し 帯電防止剤0.01〜5重量部 を配合してなる材料から成形された、スキン層の厚みが
15μm以下で、最大球晶サイズが40μm以下である
ディスクまたはテープカートリッジのシャッターを提供
するものである。
【0010】以下に本発明を詳細に説明する。本発明に
おけるポリアセタール樹脂とは、ホルムアルデヒド単量
体またはその3量体(トリオキサン)もしくは4量体
(テトラオキサン)等の環状オリゴマーを原料として製
造された実質的にオキシメチレン単位からなるオキシメ
チレンホモポリマー、及び上記原料とエチレンオキサイ
ド、プロピレンオキサイド、エピクロルヒドリン、1,
3−ジオキソラン、グリコールのホルマール、ジグリコ
ールのホルマール等の環状エーテルとから製造された炭
素数2−8のオキシアルキレン単位を0.1〜20重量
%含有するオキシメチレンコポリマーである。また、分
子鎖が分岐化したオキシメチレンコポリマー、及びオキ
シメチレンの繰り返し単位を50重量%以上含み異種ポ
リマー単位を50重量%未満含むオキシメチレンブロッ
クコポリマーも包含する。また本発明では、オキシメチ
レンホモポリマー、オキシメチレンコポリマー、分岐ポ
リマー及びオキシメチレンブロックコポリマーの中から
選ばれる2種以上をブレンドして使うことができる。
【0011】本発明で用いられるポリアセタール樹脂の
FR(ASTM D1238−57E条件)は、20〜
100g/10分が好ましい。FRが20g/10分未
満ではスキン層の厚みが15μm以下のシャッターを得
ることが難しくなる。FRが100g/10分を超える
と帯電防止性が低下し好ましくない。本発明で用いられ
る帯電防止剤は、0.3%以上の吸水率を持つ高・低分
子量化合物であり、一般式(I)で表されるアミン化合
物のエチレンオキシド付加体
【0012】
【化1】
【0013】(式中R1 は、炭素数10〜22のアルキ
ルまたはアルケニル基であり、m1及びn1 はいずれも
1〜10の整数を示す。)、一般式(II)で表される
アミド化合物
【0014】
【化2】
【0015】(式中R2 はカルボン酸残基、x,yはそ
れぞれ0または1以上の整数、n2は1以上の整数を示
す。)、一般式(III)で表されるエチレンオキシド
―プロピレンオキシド共重合体
【0016】
【化3】
【0017】(式中m3 ,n3 は1〜99の整数で、m
3 +n3 が10〜100の整数を示す。)、一般式(I
V)で表されるポリエチレングリコールアルキルエーテ
【0018】
【化4】
【0019】(式中R4 は炭素数10〜32の整数であ
り、n4 は6〜30の整数を示す。)、ポリオキシアル
キレン−ポリシロキサンブロックコポリマー、水酸基を
有する多価アルコール脂肪酸エステル、グリセリンモノ
脂肪酸エステルのホウ酸エステル、ポリエチレングリコ
ール、エチレンビスステアリルアミド等であるが、なか
でもポリエチレングリコールステアリルエーテル、グリ
セリンモノステアレートのホウ酸エステル、ポリエチレ
ングリコール(分子量1000〜10000)、エチレ
ンビスステアリルアミドがより好ましい。
【0020】上記の帯電防止剤は、それぞれ単独で用い
ても良いし、2種以上組み合わせて用いても良い。帯電
防止剤の分子量は200〜20000が好ましく、30
0〜10000がより好ましい。本発明における上記帯
電防止剤の配合量は、ポリアセタール樹脂100重量部
に対し、0.01〜5重量部、好ましくは0.03〜
3.0重量部の範囲で選ばれる。この配合量が0.01
重量部未満ではやはり十分な帯電防止性が得られない。
また、5重量部を超えると熱安定性が低下し、成形加工
時の分解ガスによるシルバーストリーク(銀条)が発生
したり、シャッターの外観が著しく悪くなり好ましくな
い。
【0021】本発明のシャッターを成形するための材料
には、さらにポリアセタール樹脂に慣用されている添加
剤、例えば特開平3−234729号公報に製造方法が
記載されているβ−アラニン重合体、6−6,6−6,
10共重合ナイロン、ナイロン−6,6などのポリアミ
ド、メラミンなどの熱安定剤、2,2’−メチレン−ビ
ス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、トリエ
チレングリコール−ビス〔3−(3−t−ブチル−5−
メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕、
ペンタエリスリトール−テトラキス〔3−(3,5−ジ
−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネー
ト〕などの酸化防止剤、滑剤、ガラス繊維、炭素繊維、
チタン酸カリウム繊維、有機繊維などの補強材、ガラス
ビーズ、タルク、炭酸カルシウムなどの無機充填材、核
剤、離型剤、可塑剤、カーボンブラック及び顔料等を本
発明の目的を損なわない程度に配合することができる。
【0022】本発明のシャッター表面のスキン層の厚み
は、15μm以下である必要がある。本発明におけるス
キン層の厚みとは、シャッターを構成する樹脂成形体を
肉厚方向に10μmの厚みにミクロトームで薄切片にス
ライスし、クロスニコルを用いた透過型偏光顕微鏡によ
り340倍で観察した時、成形体外側部の表面にある偏
光のかからない層の厚みをいう。このスキン層の厚みを
薄くすることができれば帯電防止性の経時変化を非常に
小さくすることができる。スキン層の厚みが、15μm
を超えると、帯電防止性の経時変化が大きくなる。
【0023】本発明のシャッターを構成する成形体のス
キン層の厚みは、(1)樹脂の結晶化時間をコントロー
ルする方法、(2)適切な成形方法を選択する方法等に
より得られる。これらの方法は、単独でもよいし併用し
てもよい。樹脂の結晶化時間によってコントロールする
方法としては、結晶化時間を20〜100秒にする方法
がある。
【0024】本発明における結晶化時間とは、5mgの
ポリアセタール樹脂のサンプルをDSCにより320℃
/分で200℃まで昇温し、200℃で2分間ホールド
し、80℃/分で150℃に降温させたとき、サンプル
ホルダーの温度が150℃になってからポリアセタール
樹脂の結晶化に伴う発熱ピークトップが検出されるまで
の時間(秒)である。
【0025】結晶化時間を20〜100秒にコントロー
ルする方法は、通常知られている結晶核剤すなわち、タ
ルク、ウオラストナイトなどのケイ酸塩(無機フィラ
ー)粉末、ハイドロタルサイト、炭酸カルシウムなどの
炭酸塩および/または分岐ポリアセタールコポリマーな
どの有機核剤などを適量添加する方法がある。その他の
結晶化時間をコントロールする添加剤としてはメラミ
ン、ジシアンジアミン等のアミン系化合物、窒化ホウ素
などの窒化物、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化カルシウ
ム、酸化マグネシウム等の酸化物、アセチレンブラッ
ク、導電性カーボンブラック等のカーボン粉末、ナイロ
ン6,6およびアクリルアミドのイオン重合体などのア
ミド系樹脂の粉末、アクリルアミドのラジカル重合体な
どのビニル重合体の粉末などがあるが特にこれらに限定
はしない。ただし、それらの中でも好ましい結晶核剤
は、窒化ホウ素などの窒化物、およびナイロン6,6お
よびアクリルアミドのイオン重合体などのアミド系樹脂
の粉末であり、窒化ホウ素がさらに好ましい。好ましい
窒化ホウ素は平均粒径1〜10μm、好ましくは2〜7
μmで三酸化二ホウ素含有率が0.05〜0.7重量
%、好ましくは0.1〜0.6重量%のものであり、そ
の添加量は5〜200ppm、好ましくは20〜200
ppmがよい。しかしながら、厳密には、ポリアセター
ル樹脂からなるシャッターが、シャッター開き以外に他
の特性(例えば、熱エージング性、耐熱水性、耐侯性、
帯電防止性、摺動性、離型性、成形時の熱安定性・熱分
解性、など)を要求される場合が多いため、同時に添加
する結晶核剤以外の添加物と結晶核剤との相性を考慮し
適切な結晶核剤を選択する必要がある。
【0026】適切な成形方法を選択することによりコン
トロールする方法として、以下の方法がある。まず、
金型温度を100℃以上150℃以下好ましくは110
℃以上140℃以下に設定し成形する方法。次に、特
公昭58−40804号公報に開示されている高周波に
よる誘導加熱により射出成形用金型表面(キャビティ)
を選択的に加熱して射出成形する方法。次に、熱プレ
スで圧縮成形し、その後徐冷する方法。押し出し成形
した丸棒等を切削、研磨、サンドブラスト加工する方
法。次に、金型温度10℃以上100℃未満で射出成
形した成形体を150℃以上ポリアセタール樹脂の融点
未満で熱アニールする方法である。これらの成形方法の
うち生産性を考えると、またはの方法が好ましい。
【0027】本発明のシャッターを構成する樹脂の結晶
の最大球晶サイズは40μm以下である必要がある。本
発明における最大球晶サイズとは、成形体の断面を10
μmの厚みにミクロトームで薄切片にスライスし、クロ
スニコルを用いた透過型偏光顕微鏡により340倍で観
察した時、球晶径が明確に判別できるときはそれらの球
晶のうち最大のものの球晶径をいい、球晶径が明確に判
別できないときは同一偏光部分(同一色部分)が他の偏
光部分とつながらず粒子状として確認できたもののうち
最大長をもつものの2倍の値をいう(同一偏光最大長を
球晶の径の1/2とみなす)。
【0028】シャッターを構成する樹脂の結晶の最大球
晶サイズが40μmを超えると成形体の球晶状態が変化
しやすく表面の帯電防止剤の量が経時的に変化してい
く。好ましい最大球晶サイズは寸法安定性、帯電防止性
の安定性の点から6〜30μm、さらには10〜20μ
mである。本発明の用途は厚みが1mm以下のディスク
またはテープカートリッジのシャッターであるが、さら
には、フロッピーディスクシャッターが好ましい。
【0029】本発明におけるディスクまたはテープカー
トリッジのシャッターとは、磁気ディスクまたは磁気テ
ープを内蔵するディスクまたはテープカートリッジに関
し、ケース外面にヘッド挿入窓を開閉するために付設さ
れるシャッターである。
【0030】
【実施例】
【0031】
【参考例】
〈ポリアセタール樹脂の製造〉エチレンオキサイド2.
8%を共重合されたポリアセタールを米国特許3027
352に記載の公知の方法で合成した。このものの固有
粘度は1.0であった。(固有粘度は2重量%のアルフ
ァピネンを含有するp−クロロフェノール溶液に重合体
0.1重量%を溶かし60℃にて測定した。)また、A
STM D1238−57T(E条件)でのメルトイン
デックスは30.0g/10分であった。このポリアセ
タールをP−1とする。
【0032】両末端アセチル化されたポリアセタールホ
モポリマー粉末を米国特許2998409にある公知の
方法で製造した。このものの固有粘度は1.2であっ
た。(固有粘度は2重量%のアルファピネンを含有する
p−クロロフェノール溶液に重合体0.1重量%を溶か
し60℃にて測定した。)また、ASTM D1238
−57T(E条件)でのメルトインデックスは40.0
g/10分であった。このポリアセタールをP−2とす
る。
【0033】
【実施例1〜18、比較例1〜14】トリエチレングリ
コール−ビス〔3−(3−t−ブチル−5−メチル−4
−ヒドロキシフェニル)プロピオネート〕0.2重量部
と表1、2に示すポリアセタール、帯電防止剤及び核剤
を、表に示した配合比率で窒素雰囲気でブレンドし、2
00℃に設定されたL/D=25の単軸ベント付押出機
(条件:スクリュ回転数;100rpm、吐出6kg/
hr)で溶融混練して得られたペレットを乾燥し、5オ
ンス成形機にて3.5インチフロッピーディスク用シャ
ッターを成形した(条件:金型温度100℃、冷却時間
10秒)。このシャッターを温度20℃、湿度50%の
恒温恒湿室中において、1時間及び500時間放置して
試料とした後、試料に対し10KVの電圧を印加し、印
加停止後の帯電圧半減期(秒)をスタテックオネストメ
ーターにより測定した。
【0034】結果を表1、2に記載した。また、表中の
記号は次のものを示す。(T)帯電防止剤 : T−1:ポリエチレングリコールステアリルエーテル T−2:グリセリンモノステアレートのホウ酸エステル T−3:ポリエチレングリコール(分子量 6000)(K)核剤 : K−1:窒化ホウ素(平均粒径2μm) K−2:窒化ホウ素(平均粒径5μm) K−3:タルク(平均粒径5μm)
【0035】
【表1】
【0036】
【表2】
【0037】
【発明の効果】本発明によれば、帯電防止性に優れ、か
つ、帯電防止性の経時変化の少ないシャッターを提供す
ることができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ポリアセタール樹脂100重量部に対
    し 帯電防止剤0.01〜5重量部 を配合してなる材料から成形された、スキン層の厚みが
    15μm以下で、最大球晶サイズが40μm以下である
    ディスクまたはテープカートリッジのシャッター。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6011676A (en) * 1996-12-27 2000-01-04 Sony Corporation Tape cassette for magnetic recording

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6437972U (ja) * 1987-08-31 1989-03-07
JPS6470980A (en) * 1987-09-11 1989-03-16 Hitachi Maxell Disk cartridge

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