JPH06215917A - 電極薄膜 - Google Patents
電極薄膜Info
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- JPH06215917A JPH06215917A JP5021741A JP2174193A JPH06215917A JP H06215917 A JPH06215917 A JP H06215917A JP 5021741 A JP5021741 A JP 5021741A JP 2174193 A JP2174193 A JP 2174193A JP H06215917 A JPH06215917 A JP H06215917A
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- Japan
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- thin film
- film
- nickel
- electrode
- boron
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- Pending
Links
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Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 比抵抗の小さい耐熱性、耐候性の優れた電
極薄膜を提供する。 【構成】 ニッケルボロン金属薄膜は耐熱性、耐候性
に優れているが、比抵抗が高いため電子部品の電極薄膜
として適用するには問題があった。ニッケルにボロン
０．３〜１０ｗｔ％を添加した金属薄膜にパラジウムを
着膜することにより、比抵抗が下がり、耐熱性、耐候性
に優れた電極薄膜として適用することが可能となった。
極薄膜を提供する。 【構成】 ニッケルボロン金属薄膜は耐熱性、耐候性
に優れているが、比抵抗が高いため電子部品の電極薄膜
として適用するには問題があった。ニッケルにボロン
０．３〜１０ｗｔ％を添加した金属薄膜にパラジウムを
着膜することにより、比抵抗が下がり、耐熱性、耐候性
に優れた電極薄膜として適用することが可能となった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品に活用される
金属薄膜に関するものである。
金属薄膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、純ニッケル及びニッケルリンの金
属薄膜を用いた電子部品は耐熱性に劣り、製造工程に伴
なう熱処理等による表面酸化の対策として真空中又は不
活性ガス雰囲気中で実施する必要があったが、ニッケル
ボロン薄膜を用いることにより大気中での処理が可能と
なった。
属薄膜を用いた電子部品は耐熱性に劣り、製造工程に伴
なう熱処理等による表面酸化の対策として真空中又は不
活性ガス雰囲気中で実施する必要があったが、ニッケル
ボロン薄膜を用いることにより大気中での処理が可能と
なった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ニッケルボロン金属薄
膜は耐熱性、耐候性に優れているが、単独では比抵抗が
高いため電圧降下が大きく、電子部品の電極薄膜として
適用するには問題があった。
膜は耐熱性、耐候性に優れているが、単独では比抵抗が
高いため電圧降下が大きく、電子部品の電極薄膜として
適用するには問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】ニッケルにボロン０．３
〜１０ｗｔ％を添加した金属薄膜にパラジウムを着膜す
ることにより、比抵抗が下がり、耐熱性、耐候性に優れ
た電極薄膜として適用することが可能となった。
〜１０ｗｔ％を添加した金属薄膜にパラジウムを着膜す
ることにより、比抵抗が下がり、耐熱性、耐候性に優れ
た電極薄膜として適用することが可能となった。
【０００５】
【実施例１】この実施例に於ては、電気的絶縁基板とし
て５０ｍｍ×６０ｍｍ、厚みが０．６３５ｍｍのセラミ
ック基板を用いた。該基板表面にマグネトロンスパッタ
法によりニッケルクロム系の抵抗薄膜及び一次電極薄膜
としてボロンを４ｗｔ％添加したニッケル金属薄膜を着
膜した後、連続してパラジウムを着膜し、該薄膜をホト
エッチング法で図１（２）及び（３），（４）の如くパ
タンを形成した。次いで該パタン形成済み基板に２５０
〜４００℃で１時間以上の熱処理を施した後、レーザ光
で抵抗値調整を行ない、図２の如く該基板を単独のＳＩ
Ｐ形抵抗の形状にダイサーで切断した。次いで電極パッ
トにリードフレーム（５）を挿入した後、はんだ付け
（６）と外装（７）を施して図３の如く完成した。
て５０ｍｍ×６０ｍｍ、厚みが０．６３５ｍｍのセラミ
ック基板を用いた。該基板表面にマグネトロンスパッタ
法によりニッケルクロム系の抵抗薄膜及び一次電極薄膜
としてボロンを４ｗｔ％添加したニッケル金属薄膜を着
膜した後、連続してパラジウムを着膜し、該薄膜をホト
エッチング法で図１（２）及び（３），（４）の如くパ
タンを形成した。次いで該パタン形成済み基板に２５０
〜４００℃で１時間以上の熱処理を施した後、レーザ光
で抵抗値調整を行ない、図２の如く該基板を単独のＳＩ
Ｐ形抵抗の形状にダイサーで切断した。次いで電極パッ
トにリードフレーム（５）を挿入した後、はんだ付け
（６）と外装（７）を施して図３の如く完成した。
【実施例２】この実施例は実施例１の抵抗薄膜（２）及
び電極薄膜（３），（４）のパターンをチップ部品に応
用したものであり、熱処理及び抵抗値調整を行なったも
のに図４（８）の如く絶縁保護膜を形成した。次いで基
板を短冊状にダイサーで切断した後、マグネトロンスパ
ッタ法で一次電極と同じ金属薄膜により図４（９）の如
く３面電極を形成した。次いで印刷により外装を図４
（１０）の如く施した後、チップ形に切断し図４（１
１）の如くはんだめっきを施して完成した。尚、以上の
実施例に基ずく説明は本発明について何等限定的な意味
を持つものではなく、多数の変形が可能である。
び電極薄膜（３），（４）のパターンをチップ部品に応
用したものであり、熱処理及び抵抗値調整を行なったも
のに図４（８）の如く絶縁保護膜を形成した。次いで基
板を短冊状にダイサーで切断した後、マグネトロンスパ
ッタ法で一次電極と同じ金属薄膜により図４（９）の如
く３面電極を形成した。次いで印刷により外装を図４
（１０）の如く施した後、チップ形に切断し図４（１
１）の如くはんだめっきを施して完成した。尚、以上の
実施例に基ずく説明は本発明について何等限定的な意味
を持つものではなく、多数の変形が可能である。
【０００６】
【発明の効果】本発明により耐熱性、耐候性の良好な電
極薄膜を容易に得ることができる。
極薄膜を容易に得ることができる。
【図１】セラミック基板表面の機能性パタンを示した断
面図である。
面図である。
【図２】ＳＩＰ形抵抗器を示した正面図である。
【図３】ＳＩＰ形抵抗器の構成を示した立体図である。
【図４】チップ形抵抗器を示した断面図である。
１ セラミック基板 ２ ニッケルクロム系抵抗膜 ３ ボロンを４ｗｔ％添加したニッケル金属薄膜を用い
た電極薄膜 ４ パラジウム薄膜 ５ リードフレーム ６ はんだ ７ 外装 ８ 絶縁保護膜 ９ 電極薄膜 １０ 外装 １１ はんだめっき外部電極
た電極薄膜 ４ パラジウム薄膜 ５ リードフレーム ６ はんだ ７ 外装 ８ 絶縁保護膜 ９ 電極薄膜 １０ 外装 １１ はんだめっき外部電極
Claims (2)
- 【請求項１】ニッケルにボロンを０．３〜１０ｗｔ％添
加した金属薄膜上にパラジウム膜を着膜することを特徴
とした電極薄膜。 - 【請求項２】「請求項１」の金属薄膜を電子部品の電極
薄膜として用いた電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5021741A JPH06215917A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 電極薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5021741A JPH06215917A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 電極薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06215917A true JPH06215917A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=12063504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5021741A Pending JPH06215917A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 電極薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06215917A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019149543A (ja) * | 2018-01-23 | 2019-09-05 | バイオトロニック エスエー アンド カンパニー カーゲーＢＩＯＴＲＯＮＩＫ ＳＥ ＆ Ｃｏ． ＫＧ | 特に医療インプラント用の抵抗器 |
-
1993
- 1993-01-14 JP JP5021741A patent/JPH06215917A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019149543A (ja) * | 2018-01-23 | 2019-09-05 | バイオトロニック エスエー アンド カンパニー カーゲーＢＩＯＴＲＯＮＩＫ ＳＥ ＆ Ｃｏ． ＫＧ | 特に医療インプラント用の抵抗器 |
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