JPH0621876B2 - 表面状態測定装置 - Google Patents
表面状態測定装置Info
- Publication number
- JPH0621876B2 JPH0621876B2 JP61030360A JP3036086A JPH0621876B2 JP H0621876 B2 JPH0621876 B2 JP H0621876B2 JP 61030360 A JP61030360 A JP 61030360A JP 3036086 A JP3036086 A JP 3036086A JP H0621876 B2 JPH0621876 B2 JP H0621876B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- substrate
- incident
- light receiving
- flux
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は表面状態測定装置に関し、特に半導体製造装置
で使用される回路パターンが形成されているレチクルや
フォトマスク等の基板上に回路パターン以外の異物、例
ばば不透明性のゴミ等を検出する際に好適な表面状態測
定装置に関するものである。
で使用される回路パターンが形成されているレチクルや
フォトマスク等の基板上に回路パターン以外の異物、例
ばば不透明性のゴミ等を検出する際に好適な表面状態測
定装置に関するものである。
（従来の技術） 一般にＩＣ製造工程においてはレチクル又はフォトマス
ク等の基板上に形成されている露光用の回路パターンを
半導体焼付け装置（ステッパー又はマスクアライナー）
によりレジストが塗布されたウエハ面上に転写して製造
している。
ク等の基板上に形成されている露光用の回路パターンを
半導体焼付け装置（ステッパー又はマスクアライナー）
によりレジストが塗布されたウエハ面上に転写して製造
している。
この際、基板面上にゴミ等の異物が存在すると転写する
際、異物も同時に転写されてしまいＩＣ製造の歩留りを
低下させる原因となってくる。
際、異物も同時に転写されてしまいＩＣ製造の歩留りを
低下させる原因となってくる。
特にレチクルを使用し、ステップアンドリピート方法に
より繰り返してウエハ面上に回路パターンを焼付ける場
合、レチクル面上の１個の異物がウエハ全面に焼付けら
れてしまいＩＣ製造の歩留りを大きく低下させる原因と
なってくる。
より繰り返してウエハ面上に回路パターンを焼付ける場
合、レチクル面上の１個の異物がウエハ全面に焼付けら
れてしまいＩＣ製造の歩留りを大きく低下させる原因と
なってくる。
その為、ＩＣ製造過程においては基板上の異物の存在を
検出するのが不可欠となっており、従来より種々の検査
方法が提案されている。例えば第２図は異物が等方的に
光を散乱する性質を利用する方法の一例である。同図に
おいては、走査用ミラー11とレンジ12を介してレーザー
10からの光束をハーフミラー13により２つに分け、２つ
のミラー14，45により各々基板15の表面と裏面に入射さ
せ、走査用ミラー11を回転若しくは振動させて基板15上
を走査している。そして基板15からの直接の反射光及び
透過光の光路から離れた位置に複数の受光部16，17，18
を設け、これら複数の受光部16，17，18からの出力信号
を用いて基板15上の異物の存在を検出している。
検出するのが不可欠となっており、従来より種々の検査
方法が提案されている。例えば第２図は異物が等方的に
光を散乱する性質を利用する方法の一例である。同図に
おいては、走査用ミラー11とレンジ12を介してレーザー
10からの光束をハーフミラー13により２つに分け、２つ
のミラー14，45により各々基板15の表面と裏面に入射さ
せ、走査用ミラー11を回転若しくは振動させて基板15上
を走査している。そして基板15からの直接の反射光及び
透過光の光路から離れた位置に複数の受光部16，17，18
を設け、これら複数の受光部16，17，18からの出力信号
を用いて基板15上の異物の存在を検出している。
即ち回路パターンからの回折光は方向性が強い為、各受
光部からの出力値は異なるが異物に光束が入射すると入
射光束は等方向に散乱される為、複数の受光部からの出
力値が各々等しくなってくる。従ってこのときの出力値
を比較することにより異物の存在を検出している。
光部からの出力値は異なるが異物に光束が入射すると入
射光束は等方向に散乱される為、複数の受光部からの出
力値が各々等しくなってくる。従ってこのときの出力値
を比較することにより異物の存在を検出している。
又第３図は異物が入射光束の偏光特性を乱す性質を利用
する方法の一例である。同図において偏光子19、走査用
ミラー11そしてレンズ12を介してレーザー10からの光束
を所定の偏光状態の光束としハーフミラー13により２つ
に分け、２つのミラー14，45により各々基板15の表面と
裏面に入射させて走査用ミラー11により基板15上を走査
している。そして基板15からの直接反射光及び透過光の
光路から離れた位置に各々検光子20，21を前方に配置し
た２つの受光部21，23を設けている。そして回路パター
ンからの回折光と異物からの散乱光との偏光比率の違い
から生ずる受光量の差を２つの受光部21，23より検出
し、これにより基板15上の回路パターンと異物とを弁別
している。
する方法の一例である。同図において偏光子19、走査用
ミラー11そしてレンズ12を介してレーザー10からの光束
を所定の偏光状態の光束としハーフミラー13により２つ
に分け、２つのミラー14，45により各々基板15の表面と
裏面に入射させて走査用ミラー11により基板15上を走査
している。そして基板15からの直接反射光及び透過光の
光路から離れた位置に各々検光子20，21を前方に配置し
た２つの受光部21，23を設けている。そして回路パター
ンからの回折光と異物からの散乱光との偏光比率の違い
から生ずる受光量の差を２つの受光部21，23より検出
し、これにより基板15上の回路パターンと異物とを弁別
している。
しかしながら第２図，第３図に示す検出方法はいずれも
受光部には入射光束の直接の反射光及び透過光は入射し
ないが回路パターンからの各次数の回折光の一部が入射
してしまう。この為、回路パターンからの回折光と異物
からの散乱光の双方の出力差をとる場合、異物の反射率
や形状等が異ってくると双方の出力差が変動し異物の検
出率が低下してくる欠点があった。
受光部には入射光束の直接の反射光及び透過光は入射し
ないが回路パターンからの各次数の回折光の一部が入射
してしまう。この為、回路パターンからの回折光と異物
からの散乱光の双方の出力差をとる場合、異物の反射率
や形状等が異ってくると双方の出力差が変動し異物の検
出率が低下してくる欠点があった。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明は基板上に存在しているゴミ等どのような状態の
異物であっても回路パターンと高い精度で分離検出する
ことのでき高い分離検出率を有した表面状態測定装置の
提供を目的とする。
異物であっても回路パターンと高い精度で分離検出する
ことのでき高い分離検出率を有した表面状態測定装置の
提供を目的とする。
（問題点を解決するための手段） パターンが形成されている基板に光束を入射させ、前記
光束で前記基板を走査する投光手段と、前記基板上の主
パターンから生じる回折光とは異なる前記基板からの散
乱光束を受光面で受ける受光手段とを有し、前記受光手
段からの出力信号を利用して前記基板の表面状態を測定
する装置において、前記投光手段は前記光束で前記基板
を走査するための走査ミラーを備え且つ前記光束を前記
基板面の法線に対して傾斜した方向から前記基板に斜入
射せしめるよう構成され、前記受光手段は前記散乱光束
を前記基板面の法線に対して前記投光手段側に傾斜した
方向から受光し且つ前記投光手段の前記走査ミラーの反
射点が前記受光面上に結像するよう構成されていること
である。
光束で前記基板を走査する投光手段と、前記基板上の主
パターンから生じる回折光とは異なる前記基板からの散
乱光束を受光面で受ける受光手段とを有し、前記受光手
段からの出力信号を利用して前記基板の表面状態を測定
する装置において、前記投光手段は前記光束で前記基板
を走査するための走査ミラーを備え且つ前記光束を前記
基板面の法線に対して傾斜した方向から前記基板に斜入
射せしめるよう構成され、前記受光手段は前記散乱光束
を前記基板面の法線に対して前記投光手段側に傾斜した
方向から受光し且つ前記投光手段の前記走査ミラーの反
射点が前記受光面上に結像するよう構成されていること
である。
この他、本発明の特徴は実施例において記載されてい
る。
る。
（実施例） 第１図は本発明の一実施例の光学系の概略図である。同
図において光源であるレーザー１からの光束をポリゴン
ミラー２により一方向へ反射させ、例えばｆ−θレンズ
を有する投光部４によりレチクル等の被測定物である基
板５上の回路パターンが形成されている点Ｏに集光して
いる。
図において光源であるレーザー１からの光束をポリゴン
ミラー２により一方向へ反射させ、例えばｆ−θレンズ
を有する投光部４によりレチクル等の被測定物である基
板５上の回路パターンが形成されている点Ｏに集光して
いる。
ポリンゴンミラー２と投光部４は投光手段の一部を構成
している。そしてポリゴンミラー２を回転させ基板５上
を点Ｂ１から点Ｂ２方向に走査すると共に、基板５を矢
印Ｓ１若しくは矢印Ｓ２方向に移動させることにより基
板５上の全面を走査している。
している。そしてポリゴンミラー２を回転させ基板５上
を点Ｂ１から点Ｂ２方向に走査すると共に、基板５を矢
印Ｓ１若しくは矢印Ｓ２方向に移動させることにより基
板５上の全面を走査している。
そして基板５の入射面の法線に対して入射側に集光部６
を設け、基板５上の異物からの散乱光束を集光し、ミラ
ー７を介して点ＰＧ′に集光し、その後レンズ８により
受光面９に導光している。
を設け、基板５上の異物からの散乱光束を集光し、ミラ
ー７を介して点ＰＧ′に集光し、その後レンズ８により
受光面９に導光している。
集光部６とミラー７そしてレンズ８は受光手段の一部を
構成している。レンズ８の光軸８１の延長上のミラー７
との交点７１と基板５上の交点Ｏとを結ぶ線は集光部６
の光軸であり、又点Ｏとポリゴンミラー２の反射点ＰＧ
を結ぶ線は投光部５の光軸である。
構成している。レンズ８の光軸８１の延長上のミラー７
との交点７１と基板５上の交点Ｏとを結ぶ線は集光部６
の光軸であり、又点Ｏとポリゴンミラー２の反射点ＰＧ
を結ぶ線は投光部５の光軸である。
本実施例における点ＰＧ′はポリゴンミラー２の回転に
伴って、その反射点ＰＧから発散した光束が基板５上の
異物で散乱し、集光部６により集光する位置である。
伴って、その反射点ＰＧから発散した光束が基板５上の
異物で散乱し、集光部６により集光する位置である。
本実施例ではポリゴンミラー２の回転によって基板５面
上を光束で走査する際、一方向の走査によって形成され
る点Ｂ１と点Ｂ２を結ぶ交線１が基板５に形成されてい
る主パターンから生じる回折光の方向と一致しないよう
に角度βだけずらしている。
上を光束で走査する際、一方向の走査によって形成され
る点Ｂ１と点Ｂ２を結ぶ交線１が基板５に形成されてい
る主パターンから生じる回折光の方向と一致しないよう
に角度βだけずらしている。
そして集光部６を該集光部６の光軸の基板５への投影像
が基板５上の主パターンから生じる回折光の方向と一致
しないように角度βだけずらして配置している。
が基板５上の主パターンから生じる回折光の方向と一致
しないように角度βだけずらして配置している。
即ち本実施例では集光部６を入射光束による基板上の交
線１と対応する集光用の交線１′が交線１と略一致する
ようにして基板上の異物から生じる散乱光束を効率良く
受光面９に導光している。レンズ８の光学的作用として
はポリゴンミラー２の反射点ＰＧと共役な点ＰＧ′を受
光面９上に結像させている。
線１と対応する集光用の交線１′が交線１と略一致する
ようにして基板上の異物から生じる散乱光束を効率良く
受光面９に導光している。レンズ８の光学的作用として
はポリゴンミラー２の反射点ＰＧと共役な点ＰＧ′を受
光面９上に結像させている。
尚、集光用の交線１′は交線１と厳密に一致していなく
ても異物からの散乱光束が集光可能な範囲内で光線１と
一致していれば良い。又、集光部６を該集光部６の光軸
の基板５上への投影像が基板５の主パターンによる回折
光の生じる方向とずらして配置さえすれば投光部４によ
る基板５上の交線１が基板５上の主パターンによる回折
光の生じる方向と一致するように配置しても良い。
ても異物からの散乱光束が集光可能な範囲内で光線１と
一致していれば良い。又、集光部６を該集光部６の光軸
の基板５上への投影像が基板５の主パターンによる回折
光の生じる方向とずらして配置さえすれば投光部４によ
る基板５上の交線１が基板５上の主パターンによる回折
光の生じる方向と一致するように配置しても良い。
第４図は第１図の実施例における入射光束と基板５上の
回路パターンから生じる回折光の説明図である。今、基
板上の回路パターン面が模式的に描いた球体Ｓの赤道面
に一致しているとする。現在使用されている半導体回路
パターンの基板上の回路パターンの形状は殆どが例えば
Ｔ１，Ｔ２で示すその縦横方向で互いに直交しているパ
ターンで構成されている。今、基板上のパターンＴ１及
びパターンＴ２に対し斜め上方の角度αと主パターンに
より生ずる回折光の方向とずらした角度βの球面上の点
Ｐ０を通る方向より光束を入射させる。そうすると図中
点Ａ，μ，Ａ′で形成される平面が入射面となり基板５
からの直接の反射光は矢印Ｉ′で示すように球体Ｓ上の
点Ｐ０′を通過する方向に反射される。
回路パターンから生じる回折光の説明図である。今、基
板上の回路パターン面が模式的に描いた球体Ｓの赤道面
に一致しているとする。現在使用されている半導体回路
パターンの基板上の回路パターンの形状は殆どが例えば
Ｔ１，Ｔ２で示すその縦横方向で互いに直交しているパ
ターンで構成されている。今、基板上のパターンＴ１及
びパターンＴ２に対し斜め上方の角度αと主パターンに
より生ずる回折光の方向とずらした角度βの球面上の点
Ｐ０を通る方向より光束を入射させる。そうすると図中
点Ａ，μ，Ａ′で形成される平面が入射面となり基板５
からの直接の反射光は矢印Ｉ′で示すように球体Ｓ上の
点Ｐ０′を通過する方向に反射される。
又パターンＴ２の方向と平行の球体Ｓ上の点Ｐから中心
点Ｏに光束を入射させたとした場合の反射光の球体Ｓと
の交点をＰ′とすると、点Ｐ′を中心にして各々のパタ
ーンＴ１，Ｔ２と直交する方向に各次数の回折像が形成
する。回路パターンが孤立線の場合はその回折像Ｑは第
５図(A)に示す如く、パターンＴと直交する方向に連続
的に現われる。又、回路パターンがメモリーのような繰
り返しパターンの場合はその回折像Ｑは第５図(B)に示
す如く離散的に現われる。
点Ｏに光束を入射させたとした場合の反射光の球体Ｓと
の交点をＰ′とすると、点Ｐ′を中心にして各々のパタ
ーンＴ１，Ｔ２と直交する方向に各次数の回折像が形成
する。回路パターンが孤立線の場合はその回折像Ｑは第
５図(A)に示す如く、パターンＴと直交する方向に連続
的に現われる。又、回路パターンがメモリーのような繰
り返しパターンの場合はその回折像Ｑは第５図(B)に示
す如く離散的に現われる。
第５図(C)は光束の入射方向と回折光の生じる方向の説
明図である。同図は矢印51で示す方向より光束を基板５
上に入射させた場合、基板上の主パターンＴ１，Ｔ２に
より回折光が矢印52，53で示す方向に、即ち入射方向と
角度βだけずれた方向に生じている様子を示している。
明図である。同図は矢印51で示す方向より光束を基板５
上に入射させた場合、基板上の主パターンＴ１，Ｔ２に
より回折光が矢印52，53で示す方向に、即ち入射方向と
角度βだけずれた方向に生じている様子を示している。
いずれの場合でも直接の反射光束の点Ｐｏ′及び点Ｐ′
から遠ざかる程、反射光及び回路パターンからの回折像
の強度は弱くなる。即ち点Ｐ０′から入射面内の法線μ
を過ぎ入射光束の入射側の球体と交わる点Ｐｏの近傍ま
でくると回折光の強度はかなり弱くなってくる。
から遠ざかる程、反射光及び回路パターンからの回折像
の強度は弱くなる。即ち点Ｐ０′から入射面内の法線μ
を過ぎ入射光束の入射側の球体と交わる点Ｐｏの近傍ま
でくると回折光の強度はかなり弱くなってくる。
これに対して異物の散乱光は等方的に生じるので入射側
にも多く現われる。
にも多く現われる。
そこで本実施例では受光手段の集光部の光軸が直接の反
射光の光路からなるべく遠い位置、即ち入射面内の法線
μに対して入射側で、かつ基板上の主パターンより生じ
る回折光の方向とずらした例えば点Ｐｏ近傍位置に集光
部の光軸がくるように配置することにより回路パターン
からの回折光の影響をなるべく少なくして基板５上の異
物からの散乱光のみを主に受光するようにしている。
射光の光路からなるべく遠い位置、即ち入射面内の法線
μに対して入射側で、かつ基板上の主パターンより生じ
る回折光の方向とずらした例えば点Ｐｏ近傍位置に集光
部の光軸がくるように配置することにより回路パターン
からの回折光の影響をなるべく少なくして基板５上の異
物からの散乱光のみを主に受光するようにしている。
即ち集光部の光軸が第１図に示すように基板５に対して
角度α′となり、かつ集光部の光軸の基板６上への投影
像が基板５の主パターンによる回折光の生じる方向であ
る、例えば基板５の縦横方向となす角と平行若しくは直
交方向より角度βだけずれるようにしている。
角度α′となり、かつ集光部の光軸の基板６上への投影
像が基板５の主パターンによる回折光の生じる方向であ
る、例えば基板５の縦横方向となす角と平行若しくは直
交方向より角度βだけずれるようにしている。
尚、集光部６の光軸の基板５上への投影像と投光部５の
光軸の基板５上への投影像とが一致するように構成した
が集光部６により異物からの散乱光を集光することので
きる範囲内であれば双者は必ずしも一致させる必要はな
い。
光軸の基板５上への投影像とが一致するように構成した
が集光部６により異物からの散乱光を集光することので
きる範囲内であれば双者は必ずしも一致させる必要はな
い。
以上にように基板に対する投光部と集光部の位置を特定
し、これにより回路パターンに対する異物の分離検出率
を高めている。尚、分離検出率を高めるには仮りに集光
部の光軸が点Ｐｏ上にくるように配置したとすると点Ｐ
ｏ′と点Ｐｏの中心Ｏに対して張る角δが大きい程例え
ば90゜＜δ＜ 180゜の範囲に設定するのが好ましい。
し、これにより回路パターンに対する異物の分離検出率
を高めている。尚、分離検出率を高めるには仮りに集光
部の光軸が点Ｐｏ上にくるように配置したとすると点Ｐ
ｏ′と点Ｐｏの中心Ｏに対して張る角δが大きい程例え
ば90゜＜δ＜ 180゜の範囲に設定するのが好ましい。
又、本実施例において集光部の光軸が投光部の光軸に対
して±45度以内となるように各要素を配置するのが回路
パターンに対する異物の分離検出率を効果的に高めるこ
とが出来るので好ましい。実際の基板上の回路パターン
には基板の縦横方向に対して30度，45度そして60度方向
のパターンも存在する場合がある。このような基板に対
しても本発明の効果を十分発揮させる為には、集光部の
光軸の基板面上への投影像と基板の縦横方向とのなす角
が平行若しくは直交方向より15度± 5度の範囲内に設定
するのが良い。
して±45度以内となるように各要素を配置するのが回路
パターンに対する異物の分離検出率を効果的に高めるこ
とが出来るので好ましい。実際の基板上の回路パターン
には基板の縦横方向に対して30度，45度そして60度方向
のパターンも存在する場合がある。このような基板に対
しても本発明の効果を十分発揮させる為には、集光部の
光軸の基板面上への投影像と基板の縦横方向とのなす角
が平行若しくは直交方向より15度± 5度の範囲内に設定
するのが良い。
尚、本実施例において基板に対する投光部の光軸と集光
部の光軸が光束の入射面内の法線に対して同一方向では
なく、法線に対して左右に分けて配置しても同様に本発
明の目的を達成することができる。
部の光軸が光束の入射面内の法線に対して同一方向では
なく、法線に対して左右に分けて配置しても同様に本発
明の目的を達成することができる。
第６図は本発明の他の実施例の光学系の概略図である。
本実施例では第１図の実施例における投光部４と集光部
６とを１つの光学系61より構成し、基板５への入射光束
の入射方向と同一の方向より異物からの散乱光束を集光
する場合であり、これに伴い第１図のミラー７の代わり
にハーフミラー62を用い、入射光束及び散乱光束の一部
を透過及び反射させている。その他、第１図に示す要素
と同一要素には同符番を付してある。
本実施例では第１図の実施例における投光部４と集光部
６とを１つの光学系61より構成し、基板５への入射光束
の入射方向と同一の方向より異物からの散乱光束を集光
する場合であり、これに伴い第１図のミラー７の代わり
にハーフミラー62を用い、入射光束及び散乱光束の一部
を透過及び反射させている。その他、第１図に示す要素
と同一要素には同符番を付してある。
本実施例において基板５と受光面９を共役関係とし、点
ＰＧ′から発した光束を平行光束として受光面９に導光
させるものでも良い。
ＰＧ′から発した光束を平行光束として受光面９に導光
させるものでも良い。
（発明の効果） 本発明によれば基板上の回路パターンから生じる回折光
を空間配置的に避けて基板上に存在している異物からの
散乱光束だけを選択的に受光することができる為、回路
パターンに対する異物の分離検出率の高い表面状態測定
装置を達成することができる。
を空間配置的に避けて基板上に存在している異物からの
散乱光束だけを選択的に受光することができる為、回路
パターンに対する異物の分離検出率の高い表面状態測定
装置を達成することができる。
第１図は本発明の一実施例の光学系の概略図、第４図は
第１図の実施例における入射光束と回路パターンによる
回折光の説明図、第５図(A)，(B)，(C)は回路パターン
と回折像との関係を示す説明図、第６図は本発明の他の
一実施例の光学系の概略図、第２図，第３図は各々従来
の表面状態測定装置の一例である。図中１は光源、２は
ポリゴンミラー、４は投光部、５は基板、６は集光部、
７はミラー、８はレンズ、９は受光面、10は光学系、11
はハーフミラーである。
第１図の実施例における入射光束と回路パターンによる
回折光の説明図、第５図(A)，(B)，(C)は回路パターン
と回折像との関係を示す説明図、第６図は本発明の他の
一実施例の光学系の概略図、第２図，第３図は各々従来
の表面状態測定装置の一例である。図中１は光源、２は
ポリゴンミラー、４は投光部、５は基板、６は集光部、
７はミラー、８はレンズ、９は受光面、10は光学系、11
はハーフミラーである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−128834（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−22239（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭63−58369（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (1)
- 【請求項１】パターンが形成されている基板に光束を入
射させ、前記光束で前記基板を走査する投光手段と、前
記基板上の主パターンから生じる回折光とは異なる前記
基板からの散乱光束を受光面で受ける受光手段とを有
し、前記受光手段からの出力信号を利用して前記基板の
表面状態を測定する装置において、前記投光手段は前記
光束で前記基板を走査するための走査ミラーを備え且つ
前記光束を前記基板面の法線に対して傾斜した方向から
前記基板に斜入射せしめるよう構成され、前記受光手段
は前記散乱光束を前記基板面の法線に対して前記投光手
段側に傾斜した方向から受光し且つ前記投光手段の前記
走査ミラーの反射点が前記受光面上に結像するよう構成
されていることを特徴とする表面状態検査装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61030360A JPH0621876B2 (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | 表面状態測定装置 |
| US07/014,033 US4795911A (en) | 1986-02-14 | 1987-02-12 | Surface examining apparatus for detecting the presence of foreign particles on the surface |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61030360A JPH0621876B2 (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | 表面状態測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62188943A JPS62188943A (ja) | 1987-08-18 |
| JPH0621876B2 true JPH0621876B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=12301693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61030360A Expired - Lifetime JPH0621876B2 (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | 表面状態測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621876B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0675039B2 (ja) * | 1988-08-08 | 1994-09-21 | キヤノン株式会社 | 表面状態測定装置 |
| JP3259331B2 (ja) * | 1992-05-29 | 2002-02-25 | キヤノン株式会社 | 表面状態検査装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5722239U (ja) * | 1980-07-11 | 1982-02-04 | ||
| JPS57128834A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Inspecting apparatus of foreign substance |
| JPS6358369A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 記録装置 |
-
1986
- 1986-02-14 JP JP61030360A patent/JPH0621876B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62188943A (ja) | 1987-08-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4669875A (en) | Foreign particle detecting method and apparatus | |
| US7834993B2 (en) | Surface inspection apparatus and surface inspection method | |
| US7072040B2 (en) | Mask for inspecting an exposure apparatus, a method of inspecting an exposure apparatus, and an exposure apparatus | |
| CA2078731C (en) | Positional deviation measuring device and method thereof | |
| JPH0915163A (ja) | 異物検査方法及び装置 | |
| JPH04273008A (ja) | 表面状態検査装置 | |
| JPH075115A (ja) | 表面状態検査装置 | |
| JPH04232951A (ja) | 面状態検査装置 | |
| US5162867A (en) | Surface condition inspection method and apparatus using image transfer | |
| JPH05332943A (ja) | 表面状態検査装置 | |
| JPH0145973B2 (ja) | ||
| JPH0621877B2 (ja) | 表面状態測定装置 | |
| JPH04122042A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH0621876B2 (ja) | 表面状態測定装置 | |
| JPH02206706A (ja) | 位置検出装置及び位置検出方法 | |
| JPH0675039B2 (ja) | 表面状態測定装置 | |
| JPH04339245A (ja) | 表面状態検査装置 | |
| JPH0646182B2 (ja) | マスク上の異物検査装置およびその方法 | |
| JPS62188944A (ja) | 表面状態測定装置 | |
| JP2962752B2 (ja) | パターン検査装置 | |
| JPH02186248A (ja) | 表面状態検査装置 | |
| EP0598582B1 (en) | Inspection method and apparatus | |
| JP2006250843A (ja) | 表面検査装置 | |
| JPH07333167A (ja) | 表面状態検査装置及びそれを用いた露光装置 | |
| JPH08226900A (ja) | 表面状態検査方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |