JPH0621877B2 - 表面状態測定装置 - Google Patents
表面状態測定装置Info
- Publication number
- JPH0621877B2 JPH0621877B2 JP61030363A JP3036386A JPH0621877B2 JP H0621877 B2 JPH0621877 B2 JP H0621877B2 JP 61030363 A JP61030363 A JP 61030363A JP 3036386 A JP3036386 A JP 3036386A JP H0621877 B2 JPH0621877 B2 JP H0621877B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- light
- circuit pattern
- pattern
- foreign matter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は表面状態測定装置に関し、特に半導体製造装置
で使用される回路パターンが形成されているレチクルや
フォトマスク等の基板上に回路パターン以外の異物、例
えば不透過性のゴミ等を検出する際に好適な表面状態測
定装置に関するものである。
で使用される回路パターンが形成されているレチクルや
フォトマスク等の基板上に回路パターン以外の異物、例
えば不透過性のゴミ等を検出する際に好適な表面状態測
定装置に関するものである。
（従来の技術） 一般にＩＣ製造工程においてはレチクル又はフォトマス
ク等の基板上に形成されている露光用の回路パターンを
半導体焼付け装置（ステッパー又はマスクアライナー）
によりレジストが塗布されたウエハ面上に転写して製造
している。
ク等の基板上に形成されている露光用の回路パターンを
半導体焼付け装置（ステッパー又はマスクアライナー）
によりレジストが塗布されたウエハ面上に転写して製造
している。
この際、基板面上にゴミ等の異物が存在すると転写する
際、異物も同時に転写されてしまいＩＣ製造の歩留りを
低下させる原因となってくる。
際、異物も同時に転写されてしまいＩＣ製造の歩留りを
低下させる原因となってくる。
特にレチクルを使用し、ステップアンドリピート方法に
より繰り返してウエハ面上に回路パターンを焼付ける場
合、レチクル面上の１個の異物がウエハ全面に焼付けら
れてしまいＩＣ製造の歩留りを大きく低下させる原因と
なってくる。
より繰り返してウエハ面上に回路パターンを焼付ける場
合、レチクル面上の１個の異物がウエハ全面に焼付けら
れてしまいＩＣ製造の歩留りを大きく低下させる原因と
なってくる。
その為、ＩＣ製造過程においては基板上の異物の存在を
検出するのが不可欠となっており、従来より種々の検査
方法が提案されている。例えば第２図は異物が等方向に
光を散乱する性質を利用する方法の一例である。同図に
おいては、走査用ミラー11とレンズ12を介してレーザー
10からの光束をハーフミラー13により２つに分け、２つ
のミラー14，45により各々基板15の表面と裏面に入射さ
せ、走査用ミラー11を回転若しくは振動させて基板15上
を走査している。そして基板15からの直接の反射光及び
透過光の光路から離れた位置に複数の受光部16，17，18
を設け、これらの複数の受光部16，17，18からの出力信
号を用いて基板15上の異物の存在を検出している。
検出するのが不可欠となっており、従来より種々の検査
方法が提案されている。例えば第２図は異物が等方向に
光を散乱する性質を利用する方法の一例である。同図に
おいては、走査用ミラー11とレンズ12を介してレーザー
10からの光束をハーフミラー13により２つに分け、２つ
のミラー14，45により各々基板15の表面と裏面に入射さ
せ、走査用ミラー11を回転若しくは振動させて基板15上
を走査している。そして基板15からの直接の反射光及び
透過光の光路から離れた位置に複数の受光部16，17，18
を設け、これらの複数の受光部16，17，18からの出力信
号を用いて基板15上の異物の存在を検出している。
即ち回路パターンからの回折光は方向性が強い為、各受
光部からの出力値は異なるが異物に光束が入射すると入
射光束は等方向に散乱される為、複数の受光部からの出
力値が各々等しくなってくる。従ってこのときの出力値
を比較することにより異物の存在を検出している。
光部からの出力値は異なるが異物に光束が入射すると入
射光束は等方向に散乱される為、複数の受光部からの出
力値が各々等しくなってくる。従ってこのときの出力値
を比較することにより異物の存在を検出している。
又第３図は異物が入射光束の偏光特性を乱す性質を利用
する方法の一例である。同図において偏光子19、走査用
ミラー11そしてレンズ12を介してレーザー10からの光束
を所定の偏光状態の光束としハーフミラー13により２つ
に分け、２つのミラー14，45により各々基板15の表面と
裏面に入射させて走査用ミラー11により基板15上を走査
している。そして基板15からの直接の反射光及び透過光
の光路から離れた位置に各々検光子20，21を前方に配置
した２つの受光部21，23を設けている。そして回路パタ
ーンからの回折光と異物からの散乱光との偏光比率の違
いから生ずる受光量の差を２つの受光部21，23より検出
し、これにより基板15上の回路パターンと異物とを弁別
している。
する方法の一例である。同図において偏光子19、走査用
ミラー11そしてレンズ12を介してレーザー10からの光束
を所定の偏光状態の光束としハーフミラー13により２つ
に分け、２つのミラー14，45により各々基板15の表面と
裏面に入射させて走査用ミラー11により基板15上を走査
している。そして基板15からの直接の反射光及び透過光
の光路から離れた位置に各々検光子20，21を前方に配置
した２つの受光部21，23を設けている。そして回路パタ
ーンからの回折光と異物からの散乱光との偏光比率の違
いから生ずる受光量の差を２つの受光部21，23より検出
し、これにより基板15上の回路パターンと異物とを弁別
している。
しかしながら第２図，第３図に示す検出方法はいずれも
受光部には入射光束の直接の反射光及び透過光は入射し
ないが回路パターンからの各次数の回折光の一部が入射
してしまう。この為、回路パターンからの回折光と異物
からの散乱光の双方の出力差をとる場合、異物の反射率
や形状等が異ってくると双方の出力差が変動し異物の検
出率が低下してくる欠点があった。
受光部には入射光束の直接の反射光及び透過光は入射し
ないが回路パターンからの各次数の回折光の一部が入射
してしまう。この為、回路パターンからの回折光と異物
からの散乱光の双方の出力差をとる場合、異物の反射率
や形状等が異ってくると双方の出力差が変動し異物の検
出率が低下してくる欠点があった。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明は基板上に存在しているゴミ等どのような状態の
異物であっても回路パターンと高い精度で分離検出する
ことのできる高い分離検出率を有した表面状態測定装置
の提供を目的とする。
異物であっても回路パターンと高い精度で分離検出する
ことのできる高い分離検出率を有した表面状態測定装置
の提供を目的とする。
（問題点を解決するための手段） パターンが形成されている基板に光束を入射させ、前記
光束で前記基板を走査する投光手段と、前記基板上の主
パターンから生じる回折光とは異なる前記基板からの散
乱光束を受光する受光手段とを有し、該受光手段からの
出力信号を利用して前記基板の表面状態を測定する装置
において、前記投光手段は、前記光束を前記基板面の法
線に対して傾いた方向から前記基板に斜入射させ且つ前
記基板上の前記主パターンが延びる方向に対し傾いた方
向に光軸を有し、前記光束で前記主パターンが延びる方
向に対し傾いた方向に前記基板を走査することである。
光束で前記基板を走査する投光手段と、前記基板上の主
パターンから生じる回折光とは異なる前記基板からの散
乱光束を受光する受光手段とを有し、該受光手段からの
出力信号を利用して前記基板の表面状態を測定する装置
において、前記投光手段は、前記光束を前記基板面の法
線に対して傾いた方向から前記基板に斜入射させ且つ前
記基板上の前記主パターンが延びる方向に対し傾いた方
向に光軸を有し、前記光束で前記主パターンが延びる方
向に対し傾いた方向に前記基板を走査することである。
この他、本発明の特徴は実施例において記載されてい
る。
る。
（実施例） 第１図は本発明の一実施例の光学系の概略図である。同
図において光源であるレーザー１からの光束をポリゴン
ミラー２により一方向へ反射させ、例えばｆ−θレンズ
を有する投光部４によりレチクル等の被測定物である基
板５上の回路パターンが形成されている点Ｏに集光して
いる。
図において光源であるレーザー１からの光束をポリゴン
ミラー２により一方向へ反射させ、例えばｆ−θレンズ
を有する投光部４によりレチクル等の被測定物である基
板５上の回路パターンが形成されている点Ｏに集光して
いる。
ポリゴンミラー２と投光部４は投光手段の一部を構成し
ている。そしてポリゴンミラー２を回転させ基板５上を
点Ｂ１から点Ｂ２方向に走査すると共に、基板５を矢印
Ｓ１若しくは矢印Ｓ２方向に移動させることにより基板
５上の全面を走査している。投光部による光束の基板面
上への入射方向は垂直入射の他にどのような方向からで
も良く、例えば傾いた方向から入射させても良い。
ている。そしてポリゴンミラー２を回転させ基板５上を
点Ｂ１から点Ｂ２方向に走査すると共に、基板５を矢印
Ｓ１若しくは矢印Ｓ２方向に移動させることにより基板
５上の全面を走査している。投光部による光束の基板面
上への入射方向は垂直入射の他にどのような方向からで
も良く、例えば傾いた方向から入射させても良い。
そして基板５の上方に集光部６を設け、基板５上の異物
からの散乱光束を集光し、ミラー７を介して点ＰＧ′に
集光し、その後レンズ８により受光面９に導光してい
る。
からの散乱光束を集光し、ミラー７を介して点ＰＧ′に
集光し、その後レンズ８により受光面９に導光してい
る。
集光部６とミラー７そしてレンズ８は受光手段の一部を
構成している。レンズ８の光軸８１の延長上のミラー７
との交点７１と基板５上の交点Ｏとを結ぶ線は集光部６
の光軸であり、又点Ｏとポリゴンミラー２の反射点ＰＧ
を結ぶ線は投光部５の光軸である。
構成している。レンズ８の光軸８１の延長上のミラー７
との交点７１と基板５上の交点Ｏとを結ぶ線は集光部６
の光軸であり、又点Ｏとポリゴンミラー２の反射点ＰＧ
を結ぶ線は投光部５の光軸である。
本実施例における点ＰＧ′はポリゴンミラー２の回転に
伴って、その反射点ＰＧから発散した光束が基板５上の
異物で散乱し、集光部６により集光する位置である。
伴って、その反射点ＰＧから発散した光束が基板５上の
異物で散乱し、集光部６により集光する位置である。
本実施例ではポリゴンミラー２の回転によって基板５面
上を光束で走査する際、一方向の走査によって形成され
る点Ｂ１と点Ｂ２を結ぶ交線１が基板５に形成されてい
る主パターンから生じる回折光の方向と一致しないよう
に傾いた方向に角度βだけずらしている。
上を光束で走査する際、一方向の走査によって形成され
る点Ｂ１と点Ｂ２を結ぶ交線１が基板５に形成されてい
る主パターンから生じる回折光の方向と一致しないよう
に傾いた方向に角度βだけずらしている。
そして集光部６を該集光部６の光軸の基板５への投影像
が基板５上の主パターンから生じる回折光の方向と一致
しないように角度βだけずらして配置している。
が基板５上の主パターンから生じる回折光の方向と一致
しないように角度βだけずらして配置している。
即ち本実施例では集光部６を入射光束による基板上の交
線１と対応する集光用の交線１′が交線１と略一致する
ようにして基板上の異物から生じる散乱光束を効率良く
受光面９に導光している。
線１と対応する集光用の交線１′が交線１と略一致する
ようにして基板上の異物から生じる散乱光束を効率良く
受光面９に導光している。
尚、集光用の交線１′は交線１と厳密に一致していなく
ても異物からの散乱光即が集光可能な範囲内で光線１と
一致していれば良い。又、集光部６を該集光部６の光軸
の基板５上への投影像が基板５の主パターンによる回折
光の生じる方向とずらして配置さえすれば投光部４によ
る基板５上の交線１が基板５上の主パターンによる回折
光の生じる方向と一致するように配置しても良い。
ても異物からの散乱光即が集光可能な範囲内で光線１と
一致していれば良い。又、集光部６を該集光部６の光軸
の基板５上への投影像が基板５の主パターンによる回折
光の生じる方向とずらして配置さえすれば投光部４によ
る基板５上の交線１が基板５上の主パターンによる回折
光の生じる方向と一致するように配置しても良い。
第４図は第１図の実施例における入射光速と基板５上の
回路パターンから生じる回折光の説明図である。今、基
板上の回路パターン面が模式的に描いた球体Ｓの赤道面
に一致しているとする。現在使用されている半導体回路
パターンの基板上の回路パターンの形状は殆どが例えば
Ｔ１，Ｔ２で示すその縦横方向で互いに直交しているパ
ターンで構成されている。今、基板上のパターンＴ１及
びパターンＴ２に対し基板５の垂直方向の矢印Ｉで示す
方向から光束を入射させる。そうすると基板５からの直
接の反射光は入射方向に戻ってくる。このときの反射光
の球体Ｓの交点をＰ′とすると、点Ｐ′を中心にして各
々のパターンＴ１，Ｔ２と直交する方向に各次数の回折
像が形成する。回路パターンが孤立線の場合はその回折
像Ｑは第５図(A) に示す如く、パターンＴと直交する方
向に連続的に現われる。又、回路パターンがメモリーの
ような繰り返しパターンの場合はその回折像Ｑは第５図
(B) に示す如く離散的に現われる。
回路パターンから生じる回折光の説明図である。今、基
板上の回路パターン面が模式的に描いた球体Ｓの赤道面
に一致しているとする。現在使用されている半導体回路
パターンの基板上の回路パターンの形状は殆どが例えば
Ｔ１，Ｔ２で示すその縦横方向で互いに直交しているパ
ターンで構成されている。今、基板上のパターンＴ１及
びパターンＴ２に対し基板５の垂直方向の矢印Ｉで示す
方向から光束を入射させる。そうすると基板５からの直
接の反射光は入射方向に戻ってくる。このときの反射光
の球体Ｓの交点をＰ′とすると、点Ｐ′を中心にして各
々のパターンＴ１，Ｔ２と直交する方向に各次数の回折
像が形成する。回路パターンが孤立線の場合はその回折
像Ｑは第５図(A) に示す如く、パターンＴと直交する方
向に連続的に現われる。又、回路パターンがメモリーの
ような繰り返しパターンの場合はその回折像Ｑは第５図
(B) に示す如く離散的に現われる。
いずれも場合でも直接の反射光即の点Ｐ′から遠ざかる
程、回路パターンからの回折像の強度は弱くなる。即ち
点Ｐ′から各回折光の生じる方向である点Ａ′，Ｐ′，
Ａより成る平面Ａ′Ｐ′Ａと点Ｃ′，Ｐ′，Ｃより成る
平面Ｃ′Ｐ′Ｃの平面内において、遠ざかるに従い回折
光の強度はかなり弱くなっている。
程、回路パターンからの回折像の強度は弱くなる。即ち
点Ｐ′から各回折光の生じる方向である点Ａ′，Ｐ′，
Ａより成る平面Ａ′Ｐ′Ａと点Ｃ′，Ｐ′，Ｃより成る
平面Ｃ′Ｐ′Ｃの平面内において、遠ざかるに従い回折
光の強度はかなり弱くなっている。
これに対して異物の散乱光は等方的に生じる。そこで本
実施例では受光手段の集光部の光軸が直接の反射光の光
路からなるべく遠くで、かつ基板上の主パターンより生
じる回折光の方向とずらした例えば点Ｐｏ近傍位置に集
光部の光軸がくるように配置することにより回路パター
ンからの回折光の影響をなるべく少なくして基板５上の
異物からの散乱光のみを主に受光するようにしている。
実施例では受光手段の集光部の光軸が直接の反射光の光
路からなるべく遠くで、かつ基板上の主パターンより生
じる回折光の方向とずらした例えば点Ｐｏ近傍位置に集
光部の光軸がくるように配置することにより回路パター
ンからの回折光の影響をなるべく少なくして基板５上の
異物からの散乱光のみを主に受光するようにしている。
即ち集光部の光軸が第１図に示すように基板５に対して
角度αとなり、かつ集光部の光軸の基板６上への投影像
が基板５の主パターンによる回折光の生じる方向であ
る、例えば基板５の縦横方向となす角と平行若しくは直
交方向より角度βだけずれるようにしている。
角度αとなり、かつ集光部の光軸の基板６上への投影像
が基板５の主パターンによる回折光の生じる方向であ
る、例えば基板５の縦横方向となす角と平行若しくは直
交方向より角度βだけずれるようにしている。
第５図(C) は回折光の生じる方向と受光手段の集光部の
光軸方向との説明図である。同図において矢印51は集光
部の光軸の基板５面上への投影像の方向、矢印52，53は
各々基板上の主パターンＴ１，Ｔ２により生じる回折光
の方向である。
光軸方向との説明図である。同図において矢印51は集光
部の光軸の基板５面上への投影像の方向、矢印52，53は
各々基板上の主パターンＴ１，Ｔ２により生じる回折光
の方向である。
同図に示すように本実施例では集光部の配置を特定する
ことにより回折光の影響をなくし、異物からの散乱光束
のみを集光するようにしている。これにより回路パター
ンに対する異物の分離検出率を高めている。
ことにより回折光の影響をなくし、異物からの散乱光束
のみを集光するようにしている。これにより回路パター
ンに対する異物の分離検出率を高めている。
本実施例において更に、分離検出率を高めるには点Ｐ′
と点Ｐｏの中心Ｏに対して張る角δが大きい程、例えば
60゜＜δ＜ 180゜の範囲に設定するのが好ましい。
と点Ｐｏの中心Ｏに対して張る角δが大きい程、例えば
60゜＜δ＜ 180゜の範囲に設定するのが好ましい。
又、本実施例において集光部の光軸が投光部の光軸に対
して±45度以内となるように各要素を配置するのが回路
パターンに対する異物の分離検出率を効果的に高めるこ
とが出来るので好ましい。
して±45度以内となるように各要素を配置するのが回路
パターンに対する異物の分離検出率を効果的に高めるこ
とが出来るので好ましい。
実際の基板上の回路パターンには基板の縦横方向に対し
て30度，45度そして60度方向のパターンも存在する場合
がある。このような基板に対しても本発明の効果を十分
発揮させる為には、集光部の光軸の基板面上への投影像
と基板の縦横方向となす角が平行若しくは直交方向より
15度± 5度の範囲内に設定するのが良い。
て30度，45度そして60度方向のパターンも存在する場合
がある。このような基板に対しても本発明の効果を十分
発揮させる為には、集光部の光軸の基板面上への投影像
と基板の縦横方向となす角が平行若しくは直交方向より
15度± 5度の範囲内に設定するのが良い。
尚、本実施例において基板に対する投光部の光軸と集光
部の光軸が光束の入射面内の法線に対して同一方向及び
法線に対して左右に分けて配置しても同様に本発明の目
的を達成することができる。
部の光軸が光束の入射面内の法線に対して同一方向及び
法線に対して左右に分けて配置しても同様に本発明の目
的を達成することができる。
尚、第１図に示す実施例においてレンズ８の光学的作用
としてはポリゴンミラー２の反射点ＰＧと共役な点
ＰＧ′を受光面９上に結像させるものでも良く、又基板
５と受光面９を光役関係とし、点ＰＧから発した光束を
平行光束として受光面９に導光させるものでも良い。
としてはポリゴンミラー２の反射点ＰＧと共役な点
ＰＧ′を受光面９上に結像させるものでも良く、又基板
５と受光面９を光役関係とし、点ＰＧから発した光束を
平行光束として受光面９に導光させるものでも良い。
（発明の効果） 本発明によれば基板上の回路パターンから生じる回折光
を空間配置的に避けて基板上に存在している異物からの
散乱光束だけを選択的に受光することができる為、回路
パターンに対する異物の分離検出率の高い表面状態測定
装置を達成することができる。
を空間配置的に避けて基板上に存在している異物からの
散乱光束だけを選択的に受光することができる為、回路
パターンに対する異物の分離検出率の高い表面状態測定
装置を達成することができる。
第１図は本発明の一実施例の光学系の概略図、第４図は
第１図の実施例における入射光速と回路パターンによる
回折光の説明図、第５図(A) ，(B) ，(C) は回路パター
ンと回折像との関係を示す説明図、第２図，第３図は各
々従来の表面状態測定装置の一例である。図中１は光
源、２はポリゴンミラー、４は投光部、５は基板、６は
集光部、７はミラー、８はレンズ、９は受光面である。
第１図の実施例における入射光速と回路パターンによる
回折光の説明図、第５図(A) ，(B) ，(C) は回路パター
ンと回折像との関係を示す説明図、第２図，第３図は各
々従来の表面状態測定装置の一例である。図中１は光
源、２はポリゴンミラー、４は投光部、５は基板、６は
集光部、７はミラー、８はレンズ、９は受光面である。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−128834（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−22239（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭63−58369（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (1)
- 【請求項１】パターンが形成されている基板に光束を入
射させ、前記光束で前記基板を走査する投光手段と、前
記基板上の主パターンから生じる回折光とは異なる前記
基板からの散乱光束を受光する受光手段とを有し、該受
光手段からの出力信号を利用して前記基板の表面状態を
測定する装置において、前記投光手段は、前記光束を前
記基板面の法線に対して傾いた方向から前記基板に斜入
射させ且つ前記基板上の前記主パターンが延びる方向に
対し傾いた方向に光軸を有し、前記光束で前記主パター
ンが延びる方向に対し傾いた方向に前記基板を走査する
ことを特徴とする表面状態検査装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61030363A JPH0621877B2 (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | 表面状態測定装置 |
| US07/014,033 US4795911A (en) | 1986-02-14 | 1987-02-12 | Surface examining apparatus for detecting the presence of foreign particles on the surface |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61030363A JPH0621877B2 (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | 表面状態測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62188945A JPS62188945A (ja) | 1987-08-18 |
| JPH0621877B2 true JPH0621877B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=12301780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61030363A Expired - Lifetime JPH0621877B2 (ja) | 1986-02-14 | 1986-02-14 | 表面状態測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621877B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0287047A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-27 | Topcon Corp | 表面検査装置 |
| JP2538338B2 (ja) * | 1989-05-30 | 1996-09-25 | キヤノン株式会社 | 異物検査装置 |
| JP3109840B2 (ja) * | 1990-12-28 | 2000-11-20 | キヤノン株式会社 | 面状態検査装置 |
| WO2000074504A1 (en) | 1999-06-08 | 2000-12-14 | Japan Tobacco Inc. | Apparatus for detecting foreign matter in raw material and method of detecting the same |
| US7227148B2 (en) | 1999-06-08 | 2007-06-05 | Japan Tobacco Inc. | Apparatus for detecting impurities in material and detecting method therefor |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5722239U (ja) * | 1980-07-11 | 1982-02-04 | ||
| JPS57128834A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Inspecting apparatus of foreign substance |
| JPS5965428A (ja) * | 1982-10-06 | 1984-04-13 | Hitachi Ltd | 異物検査装置 |
| JPS5982727A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-12 | Hitachi Ltd | 異物検出方法及びその装置 |
| JPS6358369A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 記録装置 |
-
1986
- 1986-02-14 JP JP61030363A patent/JPH0621877B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62188945A (ja) | 1987-08-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |