JPH0664762B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0664762B2 JPH0664762B2 JP59119635A JP11963584A JPH0664762B2 JP H0664762 B2 JPH0664762 B2 JP H0664762B2 JP 59119635 A JP59119635 A JP 59119635A JP 11963584 A JP11963584 A JP 11963584A JP H0664762 B2 JPH0664762 B2 JP H0664762B2
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- magneto
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- Compounds Of Iron (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は半導体レーザー光によつて記録、再生するため
の光磁気記録媒体に関する。
の光磁気記録媒体に関する。
従来技術 近年、半導体レーザー光により磁気記録及び再生を行な
う光磁気記録媒体が高密度記録用として研究開発されて
いる。この種の光磁気記録媒体の最も基本的なものは石
英ガラスのような耐熱性の透明基板上にスパツタリン
グ、真空蒸着等の方法で基板面に対し垂直磁化可能な磁
性膜を設けたものである。ここで磁性膜の材料としては
希土類金属と遷移金属との非晶質合金（例えばTb−Fe合
金）からなる磁性体が主として使われている。このよう
な光磁気記録媒体への記録、再生は次のようにして行な
われる。即ち記録は磁性膜のキユリー温度又は補償温度
近傍における温度変化に対応した保磁力の急激な変化特
性を利用して２値信号で変調されたレーザー光を磁性膜
に照射加熱して磁化の向きを反転させることにより行な
われる。また再生はこうして反転記録された磁性膜に偏
光されたレーザー光を照射し、磁性膜の磁気光学効果の
差を利用して、磁化の向きに応じて偏光面を回転せし
め、これを２値信号として検出することにより行なわれ
る。
う光磁気記録媒体が高密度記録用として研究開発されて
いる。この種の光磁気記録媒体の最も基本的なものは石
英ガラスのような耐熱性の透明基板上にスパツタリン
グ、真空蒸着等の方法で基板面に対し垂直磁化可能な磁
性膜を設けたものである。ここで磁性膜の材料としては
希土類金属と遷移金属との非晶質合金（例えばTb−Fe合
金）からなる磁性体が主として使われている。このよう
な光磁気記録媒体への記録、再生は次のようにして行な
われる。即ち記録は磁性膜のキユリー温度又は補償温度
近傍における温度変化に対応した保磁力の急激な変化特
性を利用して２値信号で変調されたレーザー光を磁性膜
に照射加熱して磁化の向きを反転させることにより行な
われる。また再生はこうして反転記録された磁性膜に偏
光されたレーザー光を照射し、磁性膜の磁気光学効果の
差を利用して、磁化の向きに応じて偏光面を回転せし
め、これを２値信号として検出することにより行なわれ
る。
以上のような記録、再生方法においては更に反射光の透
過による偏光面の回転角の増大、即ちフアラデー効果に
よつて高い再生出力を得る目的で磁性膜上にスパツタリ
ング、真空蒸着等の方法でAl,Cu,Ag,Pt,Au等の反射膜を
設けた記録媒体を用いることも提案されている。
過による偏光面の回転角の増大、即ちフアラデー効果に
よつて高い再生出力を得る目的で磁性膜上にスパツタリ
ング、真空蒸着等の方法でAl,Cu,Ag,Pt,Au等の反射膜を
設けた記録媒体を用いることも提案されている。
前述のような非晶質合金磁性体を用いた光磁気記録媒体
はいずれも記録感度が高いため、半導体レーザー光によ
つて高速度（周波数１MHzにおいて）で記録できるとい
う利点はあるが、非晶質合金磁性体、特に希土類金属成
分は酸化腐食を受け易いので、特に保護膜を持たないも
のは経時と共に磁性膜の磁気光学特性が劣化するという
大きな欠点がある。これを防止するため、非晶質磁性膜
上にSiO,SiO2等の保護層を設ける（形成法は一般に磁性
膜の場合と同様、真空蒸着、スパツタリング等による）
ことも知られているが、磁性膜或いは保護層の形成時、
真空中に残存するＯ2、基板面に吸着されたＯ2,H2O等及
び合金磁性体のターゲツト中に含まれるO2,H2O等により
経時と共に磁性膜が酸化腐食される上、記録時の光及び
熱により更にこの酸化腐食は促進される。また非晶質磁
性体は熱によつて結晶化され易く、そのために磁気光量
特性の劣化を来たし易いという欠点を有する。これらの
欠点は磁性膜の材料に起因するものなので、保護膜を設
けた記録媒体についても同様なことが云える。またこの
種の記録媒体においては反射法による再生出力の向上効
果も不充分であつた。
はいずれも記録感度が高いため、半導体レーザー光によ
つて高速度（周波数１MHzにおいて）で記録できるとい
う利点はあるが、非晶質合金磁性体、特に希土類金属成
分は酸化腐食を受け易いので、特に保護膜を持たないも
のは経時と共に磁性膜の磁気光学特性が劣化するという
大きな欠点がある。これを防止するため、非晶質磁性膜
上にSiO,SiO2等の保護層を設ける（形成法は一般に磁性
膜の場合と同様、真空蒸着、スパツタリング等による）
ことも知られているが、磁性膜或いは保護層の形成時、
真空中に残存するＯ2、基板面に吸着されたＯ2,H2O等及
び合金磁性体のターゲツト中に含まれるO2,H2O等により
経時と共に磁性膜が酸化腐食される上、記録時の光及び
熱により更にこの酸化腐食は促進される。また非晶質磁
性体は熱によつて結晶化され易く、そのために磁気光量
特性の劣化を来たし易いという欠点を有する。これらの
欠点は磁性膜の材料に起因するものなので、保護膜を設
けた記録媒体についても同様なことが云える。またこの
種の記録媒体においては反射法による再生出力の向上効
果も不充分であつた。
目的 本発明の目的は、経時や熱による磁気光学特性の劣化が
殆どない上、記録感度が高く再生出力の改善された光磁
気記録媒体を提供することにある。
殆どない上、記録感度が高く再生出力の改善された光磁
気記録媒体を提供することにある。
構成 本発明は耐熱性基板上に、磁性層と反射層を有する光磁
気記録媒体において、前記磁性層が一般式(1) （但しMe＝Ba,Pb,Srの少なくとも１種以上、ＭI＝Ga,A
l,Mn,Crの少なくとも１種以上、ＭII＝Ｓｃ，Ｔａ，Ｔ
ｉ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｂｉ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｃｏの少なくとも
１種以上を示し、ｍ，ｎはそれぞれＭIとＭIIのイオン
価数、ｘ，ｙはそれぞれＭIとＭIIの置換原子数を示
し、Ａ，ｘ，ｙはそれぞれ５≦Ａ≦６，０＜ｘ≦1.0，
０＜ｙ≦0.5の範囲内にある。） で示される金属酸化物磁性体あるいは下記一般式(2) 〔Coy〕〔MxFe1-x〕3-yO4 (2) （但しＭ＝Ｍｎ，Ａｌ，Ｃｒの少なくとも１種以上を示
し、ｘ，ｙはCo及びＭの置換原子数、ｎはＭのイオン価
数を示し、ｘ，ｙは０＜ｘ≦0.8，0.2＜ｙ＜1.0の範囲
内にある。） で示される金属酸化物磁性体からなり、該磁性層が絶対
屈折率1.7以上の透光性屈折率誘電層に挾まれているこ
とを特徴とするものである。
気記録媒体において、前記磁性層が一般式(1) （但しMe＝Ba,Pb,Srの少なくとも１種以上、ＭI＝Ga,A
l,Mn,Crの少なくとも１種以上、ＭII＝Ｓｃ，Ｔａ，Ｔ
ｉ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｂｉ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｃｏの少なくとも
１種以上を示し、ｍ，ｎはそれぞれＭIとＭIIのイオン
価数、ｘ，ｙはそれぞれＭIとＭIIの置換原子数を示
し、Ａ，ｘ，ｙはそれぞれ５≦Ａ≦６，０＜ｘ≦1.0，
０＜ｙ≦0.5の範囲内にある。） で示される金属酸化物磁性体あるいは下記一般式(2) 〔Coy〕〔MxFe1-x〕3-yO4 (2) （但しＭ＝Ｍｎ，Ａｌ，Ｃｒの少なくとも１種以上を示
し、ｘ，ｙはCo及びＭの置換原子数、ｎはＭのイオン価
数を示し、ｘ，ｙは０＜ｘ≦0.8，0.2＜ｙ＜1.0の範囲
内にある。） で示される金属酸化物磁性体からなり、該磁性層が絶対
屈折率1.7以上の透光性屈折率誘電層に挾まれているこ
とを特徴とするものである。
光磁気記録媒体に用いられる磁性体又は磁性膜には半導
体レーザー光によつて記録、再生可能な磁気光学特性
（適正なキユリー温度、保磁力等）を備えていなければ
ならないが、特に高い記録感度を得るためにキユリー温
度Tcが低いこと及び記録したメモリーを安定に維持する
ために保磁力Hcが適度に高いことが必要である。一般に
このTc及びHcの適正範囲はTcについては100〜350℃、Hc
については300〜6000エルステツドと考えられる。
体レーザー光によつて記録、再生可能な磁気光学特性
（適正なキユリー温度、保磁力等）を備えていなければ
ならないが、特に高い記録感度を得るためにキユリー温
度Tcが低いこと及び記録したメモリーを安定に維持する
ために保磁力Hcが適度に高いことが必要である。一般に
このTc及びHcの適正範囲はTcについては100〜350℃、Hc
については300〜6000エルステツドと考えられる。
従来より磁気バブル材料として六方晶系及びスピネル系
の金属酸化物磁性体が研究されている。六方晶系のもの
では例えば一般式(3) MeO・Ａ〔Fe2O3〕 (3) （但しMe,Aは一般式(1)に同じ） で示されるものが知られており、またスピネル系のもの
ではCoFe2O4が知られている。本発明者はこの種の磁性
体がそれ自体、酸化物であるため、酸化劣化の恐れがな
いことに注目した。しかし、これらはキユリー温度Tcが
450℃以上と高いため、前述のように半導体レーザー光
による記録は困難であり、そのままでは光磁気記録媒体
用材料として適用できない。そこで本発明者は種々検討
したところ、一般式(3)の磁性体及びCoFe2O4のFe原子の
一部を特定の他の金属原子で置換するとTcが低下し、光
磁気記録媒体用の磁性層に要求されるTc及びHcの前記適
正範囲を満足する一般式(1)及び(2)の金属酸化物磁性体
を見い出した。
の金属酸化物磁性体が研究されている。六方晶系のもの
では例えば一般式(3) MeO・Ａ〔Fe2O3〕 (3) （但しMe,Aは一般式(1)に同じ） で示されるものが知られており、またスピネル系のもの
ではCoFe2O4が知られている。本発明者はこの種の磁性
体がそれ自体、酸化物であるため、酸化劣化の恐れがな
いことに注目した。しかし、これらはキユリー温度Tcが
450℃以上と高いため、前述のように半導体レーザー光
による記録は困難であり、そのままでは光磁気記録媒体
用材料として適用できない。そこで本発明者は種々検討
したところ、一般式(3)の磁性体及びCoFe2O4のFe原子の
一部を特定の他の金属原子で置換するとTcが低下し、光
磁気記録媒体用の磁性層に要求されるTc及びHcの前記適
正範囲を満足する一般式(1)及び(2)の金属酸化物磁性体
を見い出した。
さらに本発明者は従来の反射層を有する光磁気記録媒体
における再生出力のいつそうの向上を図る目的でフアラ
デー効果のある材料を用いることに着目し、前記材料と
してSiO,TiO2,ThO2,CeO2,SiO2,TiO等の高屈折率無機透
明誘電材料を用い、且つこれらを透光性高屈折率誘電層
として前記磁性層を挾むことによつて前記目的が達成で
きることを見い出して本発明に至つたものである。
における再生出力のいつそうの向上を図る目的でフアラ
デー効果のある材料を用いることに着目し、前記材料と
してSiO,TiO2,ThO2,CeO2,SiO2,TiO等の高屈折率無機透
明誘電材料を用い、且つこれらを透光性高屈折率誘電層
として前記磁性層を挾むことによつて前記目的が達成で
きることを見い出して本発明に至つたものである。
次に、磁性層に透光性高屈折率誘電層を挾むことによる
特長を中心に本発明の基本的な層構成について説明す
る。第１図〜第６図は光磁気記録媒体の概略断面図を示
し、このうち第１図は透光性高屈折率誘電層を有さない
ものを、第２図及び第３図は磁性層の片面に透光性高屈
折率誘電層を有するものを、第４図〜第６図は磁性層が
透光性高屈折率誘電層に挾まれた本発明に係るものを示
す。図中、１は耐熱性基板、２は反射層、３は磁性層、
４は保護層、５，５′は透光性高屈折率誘電層、６はレ
ーザー光、７は空隙層、８はスペーサーを示す。
特長を中心に本発明の基本的な層構成について説明す
る。第１図〜第６図は光磁気記録媒体の概略断面図を示
し、このうち第１図は透光性高屈折率誘電層を有さない
ものを、第２図及び第３図は磁性層の片面に透光性高屈
折率誘電層を有するものを、第４図〜第６図は磁性層が
透光性高屈折率誘電層に挾まれた本発明に係るものを示
す。図中、１は耐熱性基板、２は反射層、３は磁性層、
４は保護層、５，５′は透光性高屈折率誘電層、６はレ
ーザー光、７は空隙層、８はスペーサーを示す。
第１図は耐熱性基板１上に反射層２、磁性層３及び保護
層４を順次積層した記録媒体である。この記録媒体にほ
ぼ垂直方向よりレーザー光６を照射し、記録媒体からの
反射光を再生信号として例えばフオトダイオードに受光
する場合、磁性層３からの反射光のカー回転角 と磁性層３を透過し反射層２で反射し再び磁性層３を透
過したフアラデー回転角 とが重畳することになる。カー回転角およびフアラデー
回転角は磁性層３の磁化の方向によつて偏光面が回転す
ることに基づいているが、カー回転角とフアラデー回転
角では磁化の方向が逆で偏光面の回転が逆方向となる。
従つて のみを取り出すことが再生特性に良いことがいえる。第
２図は磁性層３上に透光性高屈折率誘電層５を設けたも
のである。ここで、透光性高屈折率誘電層５の厚さがｄ
1、絶対屈折率がｎであり、磁性層３の屈折率をｎ1、保
護層４の屈折率をｎ2とすると、ｄ1＝λ(2N+1)/4n（λ
はレーザー光の波長、 を満足する場合には、透光性高屈折率誘電層５からの反
射光 と磁性層３からの反射光 が互いに相殺するようになる。第３図は反射層２と磁性
層３の間に透光性高屈折率誘電層５′を設けたものであ
る。ここで、透光性高屈折率誘電層５′の厚さがｄ2で
磁性層３の屈折率をｎ1、反射層の屈折率をｎ3とする
と、 を満足する場合には、 は相乗することになる。
層４を順次積層した記録媒体である。この記録媒体にほ
ぼ垂直方向よりレーザー光６を照射し、記録媒体からの
反射光を再生信号として例えばフオトダイオードに受光
する場合、磁性層３からの反射光のカー回転角 と磁性層３を透過し反射層２で反射し再び磁性層３を透
過したフアラデー回転角 とが重畳することになる。カー回転角およびフアラデー
回転角は磁性層３の磁化の方向によつて偏光面が回転す
ることに基づいているが、カー回転角とフアラデー回転
角では磁化の方向が逆で偏光面の回転が逆方向となる。
従つて のみを取り出すことが再生特性に良いことがいえる。第
２図は磁性層３上に透光性高屈折率誘電層５を設けたも
のである。ここで、透光性高屈折率誘電層５の厚さがｄ
1、絶対屈折率がｎであり、磁性層３の屈折率をｎ1、保
護層４の屈折率をｎ2とすると、ｄ1＝λ(2N+1)/4n（λ
はレーザー光の波長、 を満足する場合には、透光性高屈折率誘電層５からの反
射光 と磁性層３からの反射光 が互いに相殺するようになる。第３図は反射層２と磁性
層３の間に透光性高屈折率誘電層５′を設けたものであ
る。ここで、透光性高屈折率誘電層５′の厚さがｄ2で
磁性層３の屈折率をｎ1、反射層の屈折率をｎ3とする
と、 を満足する場合には、 は相乗することになる。
こうしたことから、第４図に示したように磁性層３をサ
ンドイツチするように透光性高屈折率誘電層５，５′を
設けると、 とを相殺せしめると共に とを相乗せしめることができる。これによつてフアラデ
ー回転角を大きくして再生出力の向上を図ることができ
る。透光性高屈折率誘電層５，５′の厚さは、上述した
ｄ1＝λ(4N+1)/4n及びｄ2＝λ(2N+1)/2nを満足すること
が望ましい。本発明は第５図及び第６図に示したように
プレグルーブを有するものにも適用でき、第５図はプレ
グルーブ付の基板１上に前述した層を積層し、透光性高
屈折率誘電層５と保護層４の間に空隙層７を設けたもの
である。第６図は保護層４がプレグルーブを有し、反射
層２と透光性高屈折率誘電層５′の間に空隙層７を設け
たものであり、レーザー光は基板１側から照射される。
ンドイツチするように透光性高屈折率誘電層５，５′を
設けると、 とを相殺せしめると共に とを相乗せしめることができる。これによつてフアラデ
ー回転角を大きくして再生出力の向上を図ることができ
る。透光性高屈折率誘電層５，５′の厚さは、上述した
ｄ1＝λ(4N+1)/4n及びｄ2＝λ(2N+1)/2nを満足すること
が望ましい。本発明は第５図及び第６図に示したように
プレグルーブを有するものにも適用でき、第５図はプレ
グルーブ付の基板１上に前述した層を積層し、透光性高
屈折率誘電層５と保護層４の間に空隙層７を設けたもの
である。第６図は保護層４がプレグルーブを有し、反射
層２と透光性高屈折率誘電層５′の間に空隙層７を設け
たものであり、レーザー光は基板１側から照射される。
本発明の磁性層は、前記一般式(1)あるいは(2)の金属酸
化物磁性体からなり、それぞれの具体例としては下記の
ものが挙げられる。
化物磁性体からなり、それぞれの具体例としては下記の
ものが挙げられる。
これらの金属酸化物磁性体は、Fe2O3又はCo2O3他、所定
の金属原子の酸化物を所定量混合粉砕し、これを適当な
形状の金型に入れて成型後、1200〜1400℃の温度で焼結
することにより作られる。
の金属原子の酸化物を所定量混合粉砕し、これを適当な
形状の金型に入れて成型後、1200〜1400℃の温度で焼結
することにより作られる。
以上のような金属酸化物磁性体を用いて磁性層を形成す
るには、基板の種類にもよるが、一般に透明基板上にこ
の磁性体をターゲットとして基板温度４００〜６００℃
でスパツタリング、真空蒸着、イオンプレーテイング等
の方法で膜厚0.1〜１０μｍ程度に付着させればよい。
場合によつては磁性層の形成は基板温度４００℃未満で
行なうこともできる。但しこの場合は磁性層形成後、こ
れに４００〜７００℃の熱処理を、場合により磁界を印
加しながら、行なつて垂直磁化させる必要がある。ここ
で基板の材料としては一般ガラス、石英ガラス；ＧＧ
Ｇ；サフアイヤ；リチウムタンタレート；結晶化透明ガ
ラス；パイレツクスガラス；表面を酸化処理し又は処理
しない単結晶シリコン；Al2O3,Al2O3・MgO,MgO・LiF,Y2
O3・LiF,BeO,ZrO2・Y2O3,ThO2・CaO等の透明セラミツク
材；無機シリコン材（例えば東芝シリコン社製トスガー
ド、住友化学社製スミセラムＰ）等の無機材料が使用で
きる。
るには、基板の種類にもよるが、一般に透明基板上にこ
の磁性体をターゲットとして基板温度４００〜６００℃
でスパツタリング、真空蒸着、イオンプレーテイング等
の方法で膜厚0.1〜１０μｍ程度に付着させればよい。
場合によつては磁性層の形成は基板温度４００℃未満で
行なうこともできる。但しこの場合は磁性層形成後、こ
れに４００〜７００℃の熱処理を、場合により磁界を印
加しながら、行なつて垂直磁化させる必要がある。ここ
で基板の材料としては一般ガラス、石英ガラス；ＧＧ
Ｇ；サフアイヤ；リチウムタンタレート；結晶化透明ガ
ラス；パイレツクスガラス；表面を酸化処理し又は処理
しない単結晶シリコン；Al2O3,Al2O3・MgO,MgO・LiF,Y2
O3・LiF,BeO,ZrO2・Y2O3,ThO2・CaO等の透明セラミツク
材；無機シリコン材（例えば東芝シリコン社製トスガー
ド、住友化学社製スミセラムＰ）等の無機材料が使用で
きる。
透光性高屈折率誘電層は、絶対屈折率が1.7以上の無機
透明誘電材料からなる。無機透明誘電材料としては、Ce
O2(2.2),ZrO2(2.1),CeF3(1.7),MgO(1.74),TiO2(2.5),Al
2O3(1.7),Bi2O3(1.9),WO3(2.0),ZnS(2.1),SiO(2.0),Si3
N4(2.3)等が用いられる。（ ）内の値は絶対屈折率を
示す。透光性高屈折率誘電層の形成法は磁性層の場合と
同じく、前記材料をスパツタリング、真空蒸着、イオン
プレーテイング等の方法で付着させればよい。
透明誘電材料からなる。無機透明誘電材料としては、Ce
O2(2.2),ZrO2(2.1),CeF3(1.7),MgO(1.74),TiO2(2.5),Al
2O3(1.7),Bi2O3(1.9),WO3(2.0),ZnS(2.1),SiO(2.0),Si3
N4(2.3)等が用いられる。（ ）内の値は絶対屈折率を
示す。透光性高屈折率誘電層の形成法は磁性層の場合と
同じく、前記材料をスパツタリング、真空蒸着、イオン
プレーテイング等の方法で付着させればよい。
反射層は従来と同様、Cu,Al,Ag,Au,Ni,Pt,TeOx,TeC,SeA
s,TeAs,TiN,TaN,CrN，シアニン染料、フタロシアニン染
料等で構成される。反射層の形成法も従来と全く同様、
前記材料をスパツタリング、真空蒸着、イオンプレーテ
イング等の方法で膜厚0.02〜0.5μｍ程度に付着させれ
ばよい。こうして得られる反射層は、磁性層を透過した
レーザー光を反射し、再び磁性層を透過することによる
フアラデー効果を増大させ、透光性高屈折率誘電層と同
様、再生出力を向上させる作用を有している。
s,TeAs,TiN,TaN,CrN，シアニン染料、フタロシアニン染
料等で構成される。反射層の形成法も従来と全く同様、
前記材料をスパツタリング、真空蒸着、イオンプレーテ
イング等の方法で膜厚0.02〜0.5μｍ程度に付着させれ
ばよい。こうして得られる反射層は、磁性層を透過した
レーザー光を反射し、再び磁性層を透過することによる
フアラデー効果を増大させ、透光性高屈折率誘電層と同
様、再生出力を向上させる作用を有している。
保護層は従来と同様、SiO,SiO2,TiN,SiN,TaN，アクリル
樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
エーテルスルホン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂
等で構成される。保護層の形成法も従来と同様であり、
樹脂の場合は塗布法で、その他の場合は真空蒸着、スパ
ツタリング、イオンプレーテイング等の方法で対象面に
膜厚約0.1〜１０μｍ程度に付着させることにより形成
される。
樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ
エーテルスルホン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂
等で構成される。保護層の形成法も従来と同様であり、
樹脂の場合は塗布法で、その他の場合は真空蒸着、スパ
ツタリング、イオンプレーテイング等の方法で対象面に
膜厚約0.1〜１０μｍ程度に付着させることにより形成
される。
効果 本発明によれば、磁性層に酸化劣化の恐れがなく、しか
も光磁気記録媒体用材料として適正なキユリー温度及び
保磁力を有する金属酸化物磁性体を使用すると同時に、
該磁性層を透光性高屈折率誘電層で挾んでいるため、磁
気光学特性の経時劣化がなく、記録感度も高い。その
上、フアラデー効果の向上により十分な再生出力を得る
ことができる。
も光磁気記録媒体用材料として適正なキユリー温度及び
保磁力を有する金属酸化物磁性体を使用すると同時に、
該磁性層を透光性高屈折率誘電層で挾んでいるため、磁
気光学特性の経時劣化がなく、記録感度も高い。その
上、フアラデー効果の向上により十分な再生出力を得る
ことができる。
実施例１ 耐熱性石英基板上に、反射層として膜厚500ÅのAgを蒸
着法にて付着した。この上にスパツタリング法にて透光
性高屈折率誘電層SiOを膜厚1300Å付着し、さらに基板
温度４００〜７００℃に維持しつつ前記NO.１〜NO.１６
の磁性体をスパツタリング法にて膜厚3000Å付着して磁
性層を形成し、この上にポリメチルメタクリレート保護
板を接合して光磁気記録媒体を得た。
着法にて付着した。この上にスパツタリング法にて透光
性高屈折率誘電層SiOを膜厚1300Å付着し、さらに基板
温度４００〜７００℃に維持しつつ前記NO.１〜NO.１６
の磁性体をスパツタリング法にて膜厚3000Å付着して磁
性層を形成し、この上にポリメチルメタクリレート保護
板を接合して光磁気記録媒体を得た。
実施例２ Ni電鋳ガイドトラツク付基板上に、反射層として膜厚10
00ÅのAlを蒸着法にて付着した。この上にスパツタリン
グ法にてCeO2を膜厚1000Å付着し、次に前記NO.１〜NO.
１６の磁性体を膜厚5000Å付着して磁性層を形成し、さ
らにCeO2を膜厚1000Å付着し、これをスペーサーを介し
てポリメチルメタクリレート保護基板と接合して光磁気
記録媒体を得た。
00ÅのAlを蒸着法にて付着した。この上にスパツタリン
グ法にてCeO2を膜厚1000Å付着し、次に前記NO.１〜NO.
１６の磁性体を膜厚5000Å付着して磁性層を形成し、さ
らにCeO2を膜厚1000Å付着し、これをスペーサーを介し
てポリメチルメタクリレート保護基板と接合して光磁気
記録媒体を得た。
実施例３ バイコールガラス基板上にスパツタリング法にてSiO2を
膜厚1000Å付着し、次に前記NO.１〜NO.１６の磁性体を
膜厚5000Å付着し、この上にTiO2を膜厚1000Å付着して
記録体を得た。他方、インジエクシヨン法によつて得ら
れたガイドラツク付ポリメチルメタクリレート基板上に
反射層として膜厚1000ÅアCuを蒸着法によつて付着し
た。この反射層付プレグルーブプラスチツク基板の反射
層側と前記記録体の透光性高屈折率誘電層TiO2側とをス
ペーサーを介して接合し光磁気記録媒体を得た。
膜厚1000Å付着し、次に前記NO.１〜NO.１６の磁性体を
膜厚5000Å付着し、この上にTiO2を膜厚1000Å付着して
記録体を得た。他方、インジエクシヨン法によつて得ら
れたガイドラツク付ポリメチルメタクリレート基板上に
反射層として膜厚1000ÅアCuを蒸着法によつて付着し
た。この反射層付プレグルーブプラスチツク基板の反射
層側と前記記録体の透光性高屈折率誘電層TiO2側とをス
ペーサーを介して接合し光磁気記録媒体を得た。
次に以上のようにして得られた光磁気記録媒体を一方向
に磁化させ、ついでこの磁気の方向とは逆の外部磁界0.
5Ｋエルステツドを印加しながら、出力２０ｍＷの半導
体レーザー光で１MHzのパルスで照射して磁気反転せし
め、記録を行なつたところ、いずれも微小ビツトが記録
された。次にレーザー出力２ｍＷを照射して媒体の記録
ビツトよりの反射光を検出子を通してアバラシアフオト
ダイオードにて受光したところ、信号が再生された。
に磁化させ、ついでこの磁気の方向とは逆の外部磁界0.
5Ｋエルステツドを印加しながら、出力２０ｍＷの半導
体レーザー光で１MHzのパルスで照射して磁気反転せし
め、記録を行なつたところ、いずれも微小ビツトが記録
された。次にレーザー出力２ｍＷを照射して媒体の記録
ビツトよりの反射光を検出子を通してアバラシアフオト
ダイオードにて受光したところ、信号が再生された。
第１図〜第６図は光磁気記録媒体の概略断面図を示し、
このうち第４図〜第６図が本発明に係るものを示す。 １…耐熱性基板、２…反射層 ３…磁性層、４…保護層 5,5′…透光性高屈折率誘電層
このうち第４図〜第６図が本発明に係るものを示す。 １…耐熱性基板、２…反射層 ３…磁性層、４…保護層 5,5′…透光性高屈折率誘電層
Claims (2)
- 【請求項１】耐熱性基板上に、磁性層と反射層を有する
光磁気記録媒体において、前記磁性層が一般式 （但しMe＝Ba,Pb,Srの少なくとも１種以上、ＭI＝Ga,A
l,Mn,Crの少なくとも１種以上、ＭII＝Sc,Ta,Ti,Zn,In,
Bi,Sm,Gd,Coの少なくとも１種以上を示し、ｍ，ｎはそ
れぞれＭIとＭIIのイオン価数、ｘ，ｙはそれぞれＭIと
ＭIIの置換原子数を示し、Ａ，ｘ，ｙはそれぞれ５≦Ａ
≦６，０＜ｘ≦1.0≦，０＜ｙ≦0.5の範囲内にある。） で示される金属酸化物磁性体からなり、該磁性層が絶対
屈折率1.7以上の透光性高屈折率誘電層に挾まれている
ことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】耐熱性基板上に、磁性層と反射層を有する
光磁気記録媒体において、前記磁性層が一般式 〔Coy〕〔MxFe1-x〕3-yO4 （但しＭ＝Mn,Al,Crの少なくとも１種以上を示し、ｘ，
ｙはCo及びＭの置換原子数、ｎはＭのイオン価数を示
し、ｘ，ｙは０≦ｘ≦0.8,0.2＜ｙ＜1.0の範囲内にあ
る。） で示される金属酸化物磁性体からなり、該磁性層が絶対
屈折率1.7以上の透光性高屈折率誘電層に挾まれている
ことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119635A JPH0664762B2 (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119635A JPH0664762B2 (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60263357A JPS60263357A (ja) | 1985-12-26 |
| JPH0664762B2 true JPH0664762B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=14766325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59119635A Expired - Lifetime JPH0664762B2 (ja) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664762B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0646617B2 (ja) * | 1984-07-23 | 1994-06-15 | 株式会社村田製作所 | 光磁気記録材料の製造方法 |
| JP2539398B2 (ja) * | 1986-11-12 | 1996-10-02 | 株式会社日立製作所 | 光磁気記録媒体 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5945644A (ja) * | 1982-09-07 | 1984-03-14 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH0622171B2 (ja) * | 1983-12-12 | 1994-03-23 | 株式会社リコー | 光磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-06-11 JP JP59119635A patent/JPH0664762B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60263357A (ja) | 1985-12-26 |
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