JPH06224099A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPH06224099A
JPH06224099A JP5029833A JP2983393A JPH06224099A JP H06224099 A JPH06224099 A JP H06224099A JP 5029833 A JP5029833 A JP 5029833A JP 2983393 A JP2983393 A JP 2983393A JP H06224099 A JPH06224099 A JP H06224099A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
manufacturing
semiconductor device
pattern
pixel portion
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5029833A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahide Hirama
正秀 平間
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP5029833A priority Critical patent/JPH06224099A/ja
Priority to KR1019940001036A priority patent/KR100298633B1/ko
Publication of JPH06224099A publication Critical patent/JPH06224099A/ja
Priority to US08/443,563 priority patent/US5567575A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 リソグラフィの露光工程で用いるマスクの数
を少なくして、マスクの作成コストを安くすると共に、
半導体装置の製造時のリスクを小さくする。 【構成】 ＣＣＤリニアセンサ１１、１２の製造に際し
て、レチクル１３を用いた露光は、先頭画素部Ａ及び最
終画素部Ｃについては何れも１回ずつ行うが、繰り返し
画素部Ｂ・・・Ｂについては、ＣＣＤリニアセンサ１１
とＣＣＤリニアセンサ１２とで回数を異ならせる。この
ため、画素数の異なるＣＣＤリニアセンサ１１、１２で
も１セットのレチクル１３のみを用いて露光することが
でき、しかも検証済のレチクル１３を用いることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本願の発明は、繰り返しパターン
の単位パターンを有するマスクを用いて複数回の露光を
行うことによって、前記繰り返しパターンを形成する半
導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１（ｂ）（ｃ）は、共に先頭画素部
Ａ、繰り返し画素部Ｂ及び最終画素部Ｃを有するが、繰
り返し画素部Ｂの繰り返し数が互いに異なっている２種
類のＣＣＤリニアセンサ１１、１２を示している。この
様に、ピッチが同じでも繰り返し数が互いに異なる繰り
返し画素部Ｂを有する２種類のＣＣＤリニアセンサ１
１、１２を製造する場合、従来は、２セットのレチクル
またはマスクを用いて、リソグラフィのための露光を行
っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この様に多く
のレチクル等を用いる必要があると、レチクル等の作成
コストが高くなるのみならず、各々のレチクル等に対す
る検証も必要である。もし、この検証を行わなければ、
ＣＣＤリニアセンサ１１、１２を製造する際のリスクが
大きくなる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１の半導体装置の
製造方法は、繰り返しパターンＢ・・・Ｂの単位パター
ンＢを有するマスク１３を用いて複数回の露光を行うこ
とによって、前記繰り返しパターンＢ・・・Ｂを形成す
る半導体装置の製造方法において、前記露光の回数を互
いに異ならせることによって、前記繰り返しパターンＢ
・・・Ｂの繰り返し数が互いに異なる半導体装置１１、
１２を製造することを特徴としている。
【０００５】請求項２の半導体装置の製造方法は、請求
項１の半導体装置の製造方法において、前記単位パター
ンＢと非繰り返しパターンＡ、Ｃとを共に有する同一の
マスク１３を用いて前記露光を行うことを特徴としてい
る。
【０００６】請求項３の半導体装置の製造方法は、請求
項１の半導体装置の製造方法において、前記単位パター
ンＢを有する第１のマスクと非繰り返しパターンＡ、Ｃ
を有する第２のマスクとを用いて前記露光を行うことを
特徴としている。
【０００７】請求項４の半導体装置の製造方法は、請求
項１〜３の何れかの半導体装置の製造方法において、前
記半導体装置１１、１２が固体撮像素子であり、前記繰
り返しパターンＢ・・・Ｂが画素のパターンを含むこと
を特徴としている。
【０００８】請求項５の半導体装置の製造方法は、請求
項４の半導体装置の製造方法において、遮光膜を形成す
るためのマスクのパターンを互いに異ならせることによ
って、有効画素数が互いに異なる前記固体撮像素子を製
造することを特徴としている。
【０００９】
【作用】請求項１の半導体装置の製造方法では、単位パ
ターンＢを有する一種類のマスク１３で、繰り返し数が
互いに異なる複数種類の繰り返しパターンＢ・・・Ｂを
形成することができる。従って、必要なマスク１３の数
が少なくてよく、また、繰り返し数が異なる新たな繰り
返しパターンＢ・・・Ｂでも検証済の既存のマスク１３
を用いて形成することができる。
【００１０】請求項２の半導体装置の製造方法では、マ
スク１３を露光装置に装填すれば、単位パターンＢも非
繰り返しパターンＡ、Ｃも露光装置に対する位置関係が
一意的に決まるので、露光装置とマスク１３との間の位
置合わせ誤差がない状態の露光を行うことができる。
【００１１】請求項３の半導体装置の製造方法では、単
位パターンＢと非繰り返しパターンＡ、Ｃとの何れを変
更する場合でも、夫々のパターンＢ、Ａ、Ｃのマスクを
変更するだけでよく、作成し直すパターンの数が少なく
てよい。
【００１２】請求項４の半導体装置の製造方法では、繰
り返しパターンＢ・・・Ｂが固体撮像素子の画素のパタ
ーンを含んでいるが、固体撮像素子では種々の画素数の
ものを製造する場合が多いので、繰り返しパターンＢ・
・・Ｂの繰り返し数を異ならせることによってこれらの
画素を形成すれば、必要なマスク１３の数が少なくてよ
い。
【００１３】請求項５の半導体装置の製造方法では、有
効画素数を異ならせるためには、遮光膜を形成するため
のマスクのパターンを異ならせるだけでよく、他のマス
クのパターンを異ならせる必要がないので、必要なマス
クの数が少なくてよい。
【００１４】
【実施例】以下、ピッチが同じであるが繰り返し数が互
いに異なる繰り返し画素部を有する２種類のＣＣＤリニ
アセンサの製造に適用した本願の発明の一実施例を、図
１を参照しながら説明する。
【００１５】本実施例でも、既に図１（ｂ）（ｃ）に示
した様に、共に先頭画素部Ａ、繰り返し画素部Ｂ及び最
終画素部Ｃを有するが、繰り返し画素部Ｂの繰り返し数
が互いに異なっている２種類のＣＣＤリニアセンサ１
１、１２を製造する。
【００１６】しかし、本実施例では、これら２種類のＣ
ＣＤリニアセンサ１１、１２の製造に際して、既述の従
来例の様に２セットのレチクルを用いるのではなく、図
１（ａ）に示す１セットのレチクル１３のみを用いて、
リソグラフィのための露光を行う。
【００１７】レチクル１３には先頭画素部Ａ、繰り返し
画素部Ｂ及び最終画素部Ｃのパターンが別個に形成され
ており、このうちの繰り返し画素部Ｂには例えば５００
画素分のパターンが含まれている。
【００１８】本実施例では、リソグラフィの露光工程
で、レチクル１３を縮小投影露光装置に装填し、ＣＣＤ
リニアセンサ１１を製造する場合は、例えば先頭画素部
Ａのパターンをまず露光する。次いで、繰り返し画素部
Ｂのパターンを３回露光し、最後に、最終画素部Ｃのパ
ターンを露光する。なお、先頭画素部Ａと繰り返し画素
部Ｂとの間、繰り返し画素部Ｂ同士の間、及び繰り返し
画素部Ｂと最終画素部Ｃとの間は、当然、互いに隣接し
て連続する様に露光する。
【００１９】また、ＣＣＤリニアセンサ１２を製造する
場合は、例えば先頭画素部Ａのパターンをまず露光す
る。次いで、繰り返し画素部Ｂのパターンを５回露光
し、最後に、最終画素部Ｃのパターンを露光する。つま
り、ＣＣＤリニアセンサ１１、１２の製造に際しては、
繰り返し画素部Ｂのパターンの露光回数を互いに異なら
せるのみで、レチクル１３は同一のものを用いる。
【００２０】なお、以上の実施例で製造したＣＣＤリニ
アセンサ１１同士またはＣＣＤリニアセンサ１２同士で
は、有効画素数が当然に等しい。しかし、通常は画素の
うちの感光部以外のみを覆っている遮光膜のパターン
を、所定部分の感光部をも覆うパターンにしたマスクを
も用いることによって、繰り返し画素部Ｂの繰り返し数
が同じでも有効画素数が互いに異なるＣＣＤリニアセン
サを製造することができる。
【００２１】また、上述の実施例では先頭画素部Ａ、繰
り返し画素部Ｂ及び最終画素部Ｃの総てのパターンが同
一のレチクル１３に形成されているが、先頭画素部Ａ及
び最終画素部Ｃのパターンと繰り返し画素部Ｂのパター
ンとが別個のレチクルに形成されていてもよく、これら
総てのパターンが別個のレチクルに形成されていてもよ
い。
【００２２】更に、上述の実施例はＣＣＤリニアセンサ
の製造に本願の発明を適用したものであるが、本願の発
明はＣＣＤ以外のリニアセンサやエリアセンサやその他
の半導体装置の製造にも適用することができる。
【００２３】
【発明の効果】請求項１の半導体装置の製造方法では、
必要なマスクの数が少なくてよいので、マスクの作成コ
ストが安く、また、繰り返し数が異なる新たな繰り返し
パターンでも検証済の既存のマスクを用いて形成するこ
とができるので、小さいリスクで半導体装置を製造する
ことができる。
【００２４】請求項２の半導体装置の製造方法では、露
光装置とマスクとの間の位置合わせ誤差がない状態の露
光を行うことができるので、単位パターンが微細な繰り
返しパターンでも形成することができる。
【００２５】請求項３の半導体装置の製造方法では、繰
り返しパターンと非繰り返しパターンとの何れを変更す
る場合でも、作成し直すパターンの数が少なくてよいの
で、マスクの作成コストが更に安い。
【００２６】請求項４の半導体装置の製造方法では、画
素数が互いに異なる複数種類の固体撮像素子を製造する
に際して必要なマスクの数が少なくてよいので、マスク
の作成コストが安い。
【００２７】請求項５の半導体装置の製造方法では、有
効画素数が互いに異なる複数種類の固体撮像素子を製造
するに際して必要なマスクの数が少なくてよいので、マ
スクの作成コストが安い。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本願の発明の一実施例で使用するレチ
クルの平面図、（ｂ）（ｃ）はこの一実施例で製造する
ＣＣＤリニアセンサの平面図である。
【符号の説明】
１１ ＣＣＤリニアセンサ １２ ＣＣＤリニアセンサ １３ レチクル Ａ 先頭画素部 Ｂ 繰り返し画素部 Ｃ 最終画素部

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 繰り返しパターンの単位パターンを有す
    るマスクを用いて複数回の露光を行うことによって、前
    記繰り返しパターンを形成する半導体装置の製造方法に
    おいて、 前記露光の回数を互いに異ならせることによって、前記
    繰り返しパターンの繰り返し数が互いに異なる半導体装
    置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記単位パターンと非繰り返しパターン
    とを共に有する同一のマスクを用いて前記露光を行うこ
    とを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記単位パターンを有する第１のマスク
    と非繰り返しパターンを有する第２のマスクとを用いて
    前記露光を行うことを特徴とする請求項１記載の半導体
    装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記半導体装置が固体撮像素子であり、
    前記繰り返しパターンが画素のパターンを含むことを特
    徴とする請求項１〜３の何れか１項記載の半導体装置の
    製造方法。
  5. 【請求項５】 遮光膜を形成するためのマスクのパター
    ンを互いに異ならせることによって、有効画素数が互い
    に異なる前記固体撮像素子を製造することを特徴とする
    請求項４記載の半導体装置の製造方法。
JP5029833A 1993-01-26 1993-01-26 半導体装置の製造方法 Pending JPH06224099A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5029833A JPH06224099A (ja) 1993-01-26 1993-01-26 半導体装置の製造方法
KR1019940001036A KR100298633B1 (ko) 1993-01-26 1994-01-20 반도체장치의제조방법
US08/443,563 US5567575A (en) 1993-01-26 1995-05-18 Method of manufacturing semiconductor devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5029833A JPH06224099A (ja) 1993-01-26 1993-01-26 半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06224099A true JPH06224099A (ja) 1994-08-12

Family

ID=12287027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5029833A Pending JPH06224099A (ja) 1993-01-26 1993-01-26 半導体装置の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5567575A (ja)
JP (1) JPH06224099A (ja)
KR (1) KR100298633B1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69703380T2 (de) * 1996-09-19 2001-04-26 Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven Verfahren zur überwachung eines photolithographischen prozesses
JP3702611B2 (ja) * 1997-10-06 2005-10-05 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
SE522531C2 (sv) * 1999-11-24 2004-02-17 Micronic Laser Systems Ab Metod och anordning för märkning av halvledare
JP4266079B2 (ja) * 2001-04-09 2009-05-20 株式会社東芝 原版とその作製方法及びその原版を用いた露光方法
JP3197989U (ja) * 2015-03-31 2015-06-11 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、及び電子機器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8610655D0 (en) * 1986-05-01 1986-06-04 Smiths Industries Plc Integrated circuit substrates
GB8803171D0 (en) * 1988-02-11 1988-03-09 English Electric Valve Co Ltd Imaging apparatus
US5302491A (en) * 1989-12-20 1994-04-12 North American Philips Corporation Method of encoding identification information on circuit dice using step and repeat lithography
US5308741A (en) * 1992-07-31 1994-05-03 Motorola, Inc. Lithographic method using double exposure techniques, mask position shifting and light phase shifting

Also Published As

Publication number Publication date
KR100298633B1 (ko) 2001-11-30
US5567575A (en) 1996-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3371852B2 (ja) レチクル
EP0328410B1 (en) Method for fabricating a solid state imaging device
WO2001050523A2 (en) Method to measure alignment using latent image grating structures
US5879843A (en) Method of reducing registration error in exposure step of semiconductor device
JPH06224099A (ja) 半導体装置の製造方法
US6306558B1 (en) Method of forming small contact holes using alternative phase shift masks and negative photoresist
KR100464740B1 (ko) 마스터 마스크를 이용하여 레티클에 ｉｃ 칩의 패턴을형성하기 위한 노광 방법
EP0459737B1 (en) Reticle for a reduced projection exposure apparatus
JPH049846A (ja) デバイスの製造方法およびこれに使用するマスク群
JP4976210B2 (ja) 露光方法およびイメージセンサの製造方法
US7026106B2 (en) Exposure method for the contact hole
JP2624570B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法
JP2001189254A (ja) 露光用レチクル、露光方法並びに半導体素子
JPH10275769A (ja) 露光方法
US6893806B2 (en) Multiple purpose reticle layout for selective printing of test circuits
JPH0777796A (ja) 露光用マスク及び露光方法
US7175941B2 (en) Phase shift assignments for alternate PSM
JP4226316B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3344098B2 (ja) ハーフトーン方式位相シフトマスク及びレジスト露光方法
JPH0787174B2 (ja) パタ−ン形成方法
JPH0845810A (ja) レジストパターン形成方法
JPH065508A (ja) 半導体の製造装置
JP2008096665A (ja) フォトマスク及び半導体装置の製造方法
JP2545431B2 (ja) リソグラフィ―用レチクルおよびレチクルパタ―ン転写方法
JPH1152582A (ja) 投影露光装置の光学系収差の検出方法および光学系収差検出用レベンソン型位相シフトマスク