JPH06224367A - 集積回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 外部サージ電圧の吸収が良好になし得る集積
回路を提供する。 【構成】 外部端子が接続される第１の金属膜１４と接
地電位の第２の金属膜１５とがそれぞれの角部位１７，
１８を対向させて最小間隙部を形成しており、外部サー
ジ電圧が第１の金属膜１４に加わった場合、角部位１
７，１８の間において放電が開始しやすく、放電開始電
圧も比較的低い値をとり、サージ電圧の大部分が角部位
１７，１８間の放電によって吸収される。また第１及び
第２の金属膜１４，１５が小さな間隙寸法で対向する部
分が少ないため、両金属膜１４，１５間のインピーダン
スが大きなものとなる。このため別部品の付加すること
によるコスト上昇やスペースファクタを低下させる等が
なく、またインピーダンスの低下を招かず、しかも外部
サージ電圧の吸収が良好になし得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、特に外部サージ電圧に
対する保護性能を向上させた集積回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より知られているように、例えば車
載用のハイブリッド厚膜集積回路等のような集積回路に
おいては、その外部端子に点火装置からの点火火花など
のように１０ｋＶ〜３０ｋＶの外部サージ電圧が加わ
り、これによって集積回路の回路素子が破壊される虞が
ある。このため、このような外部サージ電圧を含む外来
の過電圧から回路素子が保護されるように、容量の大き
なコンデンサやツェナーダイオードを外部端子に接続し
ていたが、集積回路の特性劣化やチップ面積の増大、コ
ストが高くなるなどの問題を有するものであった。

【０００３】一方、外部端子である入出力端子には、外
部からのノイズが回路内部へ侵入するのを防止するた
め、バイパスコンデンサが端子と接地電位部分との間に
挿入される。そしてこのバイパスコンデンサは、端子に
加わる外部サージ電圧を、別部品を付加することなく吸
収させるようにするためには、大容量、高耐圧の性能を
有するバイパスコンデンサを用いなければならない。こ
のためバイパスコンデンサの形状は大きなものとなり、
集積回路のスペースファクタを低下させ、コストの増大
を招くことになってしまう。

【０００４】このため、別部品を付加せずに回路素子の
保護するものとして特公昭６１−３９７４２号公報に示
されるものがある。以下、これについて図１２およ図１
３を参照して説明する。図１２は平面図であり、図１３
は断面図である。

【０００５】図において１は集積回路であり、２は外部
端子３を接続し基板４上に回路を構成する回路素子と接
続されるパッド部であり、５はパッド部２に対し所定間
隔、すなわちギャップ６をおいて対向する接地電位の金
属膜である。またギャップ６の部分には、パッド部２と
金属膜５を接続するように高抵抗膜７が設けられてい
る。そしてこのような基板４全体に対して、回路保護の
ために樹脂８が被覆されている。

【０００６】このようなものでは外部サージ電圧が外部
端子３からパッド部２に加わると、ギャップ６の部分の
高抵抗膜７を介して接地電位の金属膜５にサージ電圧の
大部分が放電され、回路素子の保護がなされることにな
る。

【０００７】しかしながら、上記の従来技術においては
外部サージ電圧を吸収するパッド部２と金属膜５間のギ
ャップ６の間隔が広いと、サージ電圧の吸収が十分に行
われない。またギャップ６の間隔が狭くなると比較的低
いサージ電圧の吸収も可能となり、内部回路の保護の点
からは良好な保護特性を有することになるが、パッド部
２と接地電位の金属膜５間のインピーダンスが低下する
ことになる。

【０００８】例えばパッド部２と金属膜５の間隔が０．
４ｍｍの場合、両者の間に２００ｋΩのシート抵抗が設
けられていると、パッド部２と金属膜５のインピーダン
スは５０ｋΩ〜６０ｋΩとなり、最悪の場合でも３０ｋ
Ωのインピーダンスが確保できる。そして、このような
両者の間に２０ｋＶのサージ電圧を印加し、そのサージ
エネルギの吸収状況を１００個のテストピースで確認し
たところ、サージ電圧が吸収されたのは２０％に満たな
い状況であった。

【０００９】これに対し、パッド部２と金属膜５の間隔
が０．３ｍｍで、両者の間に２００ｋΩのシート抵抗が
設けられている場合には、同様に２０ｋＶのサージ電圧
を両者間に印加し、そのサージエネルギの吸収状況を１
００個のテストピースで確認したところ、サージ電圧が
吸収される確率は９９％の高率に達したもののインピー
ダンスが１５ｋΩ程度に低下してしまい、内部回路の動
作に悪影響を及ぼしてしまう。

【００１０】さらに外部端子となる入力端子に抵抗が挿
入された回路では、抵抗がプリントされたままの状態で
の抵抗値精度が±３０％程度しか得られず、数％以内の
精度の値を得るため抵抗に切込みを入れトリミングして
所定の抵抗値を得るようにしている。そしてこのような
回路においては入力端子に外部サージ電圧が加わった場
合、電圧が比較的低いものであっても抵抗が焼損し回路
の動作が復帰しなくなる虞がある。

【００１１】それ故、このような点からも比較的低いサ
ージ電圧の吸収が確実に行われることが必要になってい
る。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、外部端
子に接続された導体部と所定間隙を持って対向する接地
電位の導体部との間に高抵抗膜を設けて接続し、高抵抗
膜を介して外部サージを放電させているが、両導体部の
間隙寸法を小さくするとインピーダンスの低下を招き、
間隙を広くすると外部サージ電圧の吸収性能が低下して
しまう。このような状況に鑑みて本発明はなされたもの
で、その目的とするところは別部品の付加によるコスト
上昇やスペースファクタを低下させる等のことがなく、
インピーダンスの低下を招ねかず、しかも外部サージ電
圧の吸収が良好になし得る集積回路を提供することにあ
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の集積回路は、絶
縁基板と、この基板上に構成された外部配線と接続され
る第１の金属膜と接地電位の第２の金属膜とを有する所
定の回路と、この回路を保護するように基板上に設けら
れた樹脂とを備えた集積回路において、第１の金属膜と
第２の金属膜とは、これら金属膜間の最小間隙部が少な
くとも一方の金属膜の角尖端部位を対向させるようにし
て形成されているものであることを特徴とするものであ
り、また、絶縁基板と、この基板上に構成された外部配
線と接続される第１の金属膜と接地電位の第２の金属膜
とを有する所定の回路と、この回路を保護するように基
板上に設けられた樹脂とを備えた集積回路において、第
１の金属膜と第２の金属膜とは、これら金属膜間の最小
間隙部が少なくとも一方の金属膜の角尖端部位を対向さ
せるようにして形成されており、且つ最小間隙部に第１
及び第２の金属膜を接続するよう両金属膜間に高抵抗の
膜が設けられていることを特徴とするものであり、さら
に、絶縁基板と、この基板上に構成された外部配線と接
続される第１の金属膜と接地電位の第２の金属膜とを有
する所定の回路と、この回路の第１の金属膜と第２の金
属膜との間に挿入されたコンデンサと、回路を保護する
ように基板上に設けられた樹脂とを備えた集積回路にお
いて、コンデンサが、該コンデンサの第１の金属膜と第
２の金属膜とに接続される両端部外面に設けられた電極
の少なくとも一部に、外部サージ電圧に対する回路の保
護用放電ギャップとなる狭間隔部を有するものであるこ
とを特徴とするものである。

【００１４】

【作用】上記のように構成された集積回路は、外部配線
と接続される第１の金属膜と接地電位の第２の金属膜と
は、これら金属膜間の最小間隙部が少なくとも一方の金
属膜の角尖端部位を対向させるようにして形成されてい
る構成としたことにより、外部サージ電圧が第１の金属
膜に加わった場合、第１及び第２の金属膜の角尖端部位
の間において放電が開始しやすく、放電開始電圧も比較
的低い値をとる。そして外部サージ電圧の大部分が角尖
端部位間の放電によって吸収される。さらに両金属膜が
最小間隙をもって対向する部分が少ないため両金属膜間
のインピーダンスが大きなものとなる。

【００１５】また、外部配線と接続される第１の金属膜
と接地電位の第２の金属膜との間に挿入されたコンデン
サが、該コンデンサの第１の金属膜と第２の金属膜とに
接続される両端部外面に設けられた電極の少なくとも一
部に、外部サージ電圧に対する内部回路の保護用放電ギ
ャップとなる狭間隔部を有する構成としたことにより、
外部サージ電圧が第１の金属膜に加わった場合、コンデ
ンサの両端部外面に設けられた電極の狭間隔部において
放電が開始され、外部サージ電圧の大部分が電極の狭間
隔部での放電によって吸収される。

【００１６】このため、別部品の付加によるコスト上昇
やスペースファクタを低下させる等がなく、インピーダ
ンスの低下を招ねかず、しかも外部サージ電圧の吸収が
良好になし得る。

【００１７】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。

【００１８】先ず第１の実施例を図１乃至図５により説
明する。図１は要部の平面図であり、図２は図１におけ
るＡ−Ａ矢方向視の断面図であり、図３はサージ保護率
の特性図であり、図４はインピーダンスの特性図であ
り、図５は変形例の要部の平面図である。

【００１９】図１及び図２において集積回路１１は、例
えばＡｌ₂ Ｏ₃ のようなセラミックスの絶縁材料で形成
された基板１２の上面に、Ａｇ−Ｐｔ、あるいはＡｇ−
Ｐｄの導電ペーストによって所定の回路パターンがプリ
ントされ、回路素子が接続される等して構成されてい
る。そしてプリントされた回路パターンには、外部端子
１３が接続される帯状の第１の金属膜１４と、同じく帯
状の接地電位の第２の金属膜１５が設けられている。

【００２０】これらの第１の金属膜１４と第２の金属膜
１５とは、それぞれの終端部分での配設方向が平行な方
向であると共に、両者の最小間隙部、すなわちギャップ
１６が両金属膜１４，１５の終端部分の直角な角部位１
７，１８を対向させることによって形成されるように設
けられている。なおギャップ１６の寸法は０．３ｍｍ〜
０．５ｍｍ程度の範囲の中で選ばれた所定の寸法に設定
されている。

【００２１】またギャップ１６の部分には、第１及び第
２の金属膜１４，１５の終端部分の間に１００ｋΩ以
上、例えば２００ｋΩのシート抵抗を基板１２の上面に
形成するよう高抵抗膜１９が設けられ、この高抵抗膜１
９によって両角部位１７，１８の間が接続される。

【００２２】そして基板１２が図示しないケース内に納
められ、基板１２全体に対して耐湿性対策等のために絶
縁耐圧の高いシリコンゲル等の樹脂２０によって被覆さ
れて、集積回路１１は形成される。

【００２３】このように構成された本実施例によれば、
外部端子１３に外部サージ電圧が加わり、第１の金属膜
１４の電位が上昇すると、ギャップ１６を間に設けて接
地電位の第２の金属膜１５の角部位１８に対向する第１
の金属膜１４の角部位１７での電位傾度が大きくなり、
最小間隙部を形成している両角部位１７，１８間の高抵
抗膜１９を通じてサージ電圧の大部分の放電が行われ
る。このようにして内部回路及び回路素子が外部サージ
電圧から保護される。

【００２４】そして、このギャップ１６でのサージエネ
ルギの吸収状況についてギャップ寸法を０．３ｍｍ、
０．４ｍｍ、０．５ｍｍと変え、それぞれ１００個のテ
ストピースで確認したところ、横軸にギャップ寸法を取
り、縦軸にサージ保護率を取って図３に実線で示すよう
に８０％〜１００％の非常に高いサージ保護率が得られ
た。なお破線は従来技術による結果で、０．３ｍｍのギ
ャップ寸法では１００％に近いサージ保護率が得られる
ものの、０．４ｍｍ、０．５ｍｍでは非常に低い値とな
ってしまう。

【００２５】また同時に第１の金属膜１４と接地電位の
第２の金属膜１５との間のインピーダンスについて測定
したところ、横軸にギャップ寸法を取り、縦軸にインピ
ーダンスを取って図４に実線で示すように０．３ｍｍの
ギャップ寸法でも６０ｋΩと高いインピーダンスの値が
得られた。これに対し、破線で示す従来技術による結果
によれば、０．３ｍｍのギャップ寸法では１５ｋΩと低
い値である。

【００２６】以上の通り、本実施例によれば第１の金属
膜１４と第２の金属膜１５との間のインピーダンスは、
ギャップ寸法が０．５ｍｍと広い場合には１２０ｋΩ以
上の非常に高いものである。また、ギャップ寸法が０．
３ｍｍの狭い場合でもインピーダンスは６０ｋΩと十分
に高い値が確保できるものであり、この時のサージエネ
ルギの吸収状況については、サージ保護率で示すように
高い水準で吸収する。

【００２７】このため、より低い外部サージ電圧が加わ
った場合においても、従来に比べてより良好なサージ電
圧の吸収を行うことができ、例えば外部端子に抵抗が挿
入された回路で抵抗がトリミングされていても、第１の
金属膜１４と第２の金属膜１５との間で確実にサージ電
圧を吸収する放電が起こり、抵抗が焼損してしまうなど
の虞が少なくなる。

【００２８】さらに、外部端子１３にコンデンサやツェ
ナーダイオードなどの別部品を付加しないでも、十分な
サージエネルギの吸収が行えるので、別部品の付加によ
るコスト上昇やスペースファクタの低下を招く等のこと
がない。

【００２９】なおギャップ１６部分に高抵抗膜１９が設
けられ、これによって両角部位１７，１８の間が接続さ
れているが、高抵抗膜１９に替えてギャップ１６部分に
樹脂２０よりも絶縁耐圧の低い絶縁膜を設けたり、ある
いは樹脂２０のみとするなど回路動作への影響や吸収す
る外部サージ電圧のレベル等を考慮して適宜選定するよ
うにしてもよい。

【００３０】また、図５は第１の実施例の変形例の要部
の平面図であって、集積回路２１の外部端子１３が設け
られる第１の金属膜２２と接地電位の第２の金属膜２３
とは、それぞれ帯状に形成されその終端部分が配設方向
の延長上で直角に交わるように設けられたもので、それ
ぞれの終端部分の直角な角部位２４，２５を対向させ、
両角部位２４，２５の間に最小間隙部であるギャップ１
６が形成されている。そしてギャップ１６の部分には、
両金属膜２２，２３の終端部分の間を接続するように高
抵抗膜１９が設けられている。

【００３１】このように構成された集積回路２１におい
ても第１の実施例と同様の作用・効果が得られることに
なる。

【００３２】次に第２の実施例を図６及び図７により説
明する。図６は要部の平面図であり、図７は変形例の要
部の平面図である。

【００３３】図６において集積回路２６は、基板１２の
上面に導電ペーストによって所定の回路パターンがプリ
ントされ、回路素子が接続される等して構成されてい
る。そしてプリントされた回路パターンには、外部端子
１３が接続される帯状の第１の金属膜２７と、同じく帯
状の接地電位の第２の金属膜２８が設けられている。

【００３４】これらの第１の金属膜２７と第２の金属膜
２８は、それぞれの終端部分が同一線上で向かい合うよ
うに配設されていると共に、終端部分の片側が切り取ら
れるようにして終端に鋭角の尖端部位２９，３０が形成
されている。そして両金属膜２７，２８の最小間隙部、
すなわちギャップ１６は終端部分の鋭角の尖端部位２
９，３０を対向させるようにして形成され、ギャップ１
６の寸法は０．３ｍｍ〜０．５ｍｍ程度の範囲の中で選
ばれた所定の寸法に設定されている。

【００３５】またギャップ１６の部分には、第１及び第
２の金属膜２７，２８の終端部分の間に１００ｋΩ以
上、例えば２００ｋΩのシート抵抗を基板１２の上面に
形成するよう高抵抗膜１９が設けられ、この高抵抗膜１
９によって両尖端部位２９，３０の間が接続される。

【００３６】そして基板１２が図示しないケース内に納
められ、基板１２全体に対して耐湿性対策等のために絶
縁耐圧の高いシリコンゲル等の樹脂によって被覆され
て、集積回路２６は形成される。

【００３７】このように構成された本実施例によれば、
外部サージ電圧が外部端子１３に加わった場合、最小間
隙を形成しているギャップ１６の対向する尖端部位２
９，３０の間で、高抵抗膜１９を通じてサージ電圧の大
部分の放電が行われる。これによって内部回路及び回路
素子が外部サージ電圧から保護される。

【００３８】そして本実施例においては、尖端部位２
９，３０をもって対向する第１及び第２の金属膜２７，
２８の終端部分が配設方向を同一の方向としているた
め、隣接する他の配線部と同様の配設ピッチで形成する
ことができ、余分なスペースを設ける必要もなく、また
第１の実施例と同様の作用・効果が得られる。

【００３９】なお図７は第２の実施例の変形例の要部の
平面図であって、集積回路３１の外部端子１３が設けら
れる第１の金属膜３２と接地電位の第２の金属膜３３と
は、それぞれ帯状に形成されその終端部分が同一線上で
向かい合うように配設されていると共に、終端部分の両
側が切り取られるようにして終端に尖端部位３４，３５
が形成されている。そして両金属膜３２，３３の最小間
隙部、すなわちギャップ１６は終端部分の尖端部位３
４，３５を対向させるようにして形成されている。そし
てギャップ１６の部分には、両金属膜２２，２３の終端
部分の間を接続するように高抵抗膜１９が設けられてい
る。

【００４０】このように構成された集積回路３１におい
ても第２の実施例と同様の作用・効果が得られることに
なる。

【００４１】次に第３の実施例を図８乃至図１０により
説明する。図８は要部の断面図であり、図９はコンデン
サの斜視図であり、図１０は変形例のコンデンサの斜視
図である。

【００４２】図８及び図９において集積回路３６は、基
板１２の上面に導電ペーストによって所定の回路パター
ンがプリントされ、回路素子が接続される等して構成さ
れている。このプリントされた回路パターンには、外部
端子３７が接続されると共に内部回路が接続される第１
の金属膜３８と、接地電位の第２の金属膜３９が設けら
れている。そして第１の金属膜３８と第２の金属膜３９
の間には、ノイズ信号をバイパスさせるためのバイパス
コンデンサ４０が接続されている。

【００４３】バイパスコンデンサ４０は形状が直方体の
積層セラミックコンデンサで、そのコンデンサ本体４１
にはその内部に交互に積層された極板が導通する電極４
２，４３が、基板１２に表面実装を可能とするようコン
デンサ本体４１の相対する両端部の外面に、Ａｇ−Ｐｔ
の導電ペーストをディッピング等することによって形成
されている。

【００４４】またコンデンサ本体４１の少なくとも１つ
の表面の電極４２，４３には、その一部を相対する電極
方向に突出させ互いの先端部分でギャップ４４を形成す
る凸部４５，４６が設けられている。なおギャップ４４
の寸法は所定の電圧で放電するよう０．３ｍｍ〜０．５
ｍｍ程度の範囲の中で選ばれた所定の寸法に設定されて
いる。

【００４５】そして基板１２が図示しないケース内に納
められ、基板１２全体に対して耐湿性対策等のために絶
縁耐圧の高いシリコンゲル等の樹脂２０によって被覆さ
れて、集積回路３６は形成される。

【００４６】このように構成された本実施例によれば、
外部端子３７に加わる信号のうちノイズ信号はバイパス
コンデンサ４０によって接地電位の第２の金属膜３９に
バイパスされ、所要とする信号が第１の金属膜３８を通
じて内部回路に伝達される。

【００４７】また外部端子３７に外部サージ電圧が加わ
り第１の金属膜３８の電位が上昇すると、コンデンサ本
体４１の表面に設けられた電極４２の凸部４５の電位も
上昇する。そして電極４２の凸部４５とギャップ４４を
間に設けて対向する接地電位の電極４３の凸部４６との
電位傾度が大きくなり、ギャップ４４で樹脂２０を通じ
てのサージ電圧の大部分の放電が行われる。このように
してバイパスコンデンサ４０及び内部回路が外部サージ
電圧から保護される。

【００４８】以上の通り、本実施例によればバイパスコ
ンデンサ４０のコンデンサ本体４１の外表面に設けられ
た電極４２，４３の凸部４５，４６間のギャップ４４で
の放電によって外部サージ電圧の吸収が行われる。この
ため、バイパスコンデンサ４０に大容量、高耐圧の性能
を有し形状が大きく高価格のコンデンサを用いる必要も
ない。

【００４９】そして、バイパスコンデンサ４０を基板１
２に表面実装する際にも、広い面積、あるいは大きな容
積を占めるものではないので小形にまとめることがで
き、また外部端子３７にツェナーダイオードなどの別部
品を付加しないでも、十分なサージエネルギの吸収が行
えるので、別部品の付加によるコスト上昇やスペースフ
ァクタの低下を招く等のことがない。

【００５０】なおギャップ４４部分には基板１２を被覆
する樹脂２０が設けられているが、回路動作に支障を来
さない範囲でギャップ４４部分に樹脂２０より絶縁耐圧
の低い絶縁膜を設けたり、あるいは高抵抗膜を設けるよ
うにしてもよい。

【００５１】また図１０は第３の実施例の変形例のコン
デンサの斜視図であって、本変形例はコンデンサを除き
第３の実施例と同様に構成され、以下異なる点について
説明する。

【００５２】図１０において、バイパスコンデンサ４７
は形状が直方体の積層セラミックコンデンサで、そのコ
ンデンサ本体４８の相対する両端部の外面には電極４
９，５０が、基板に表面実装を可能とするように導電ペ
ーストをディッピング等することによって形成されてい
る。そしてコンデンサ本体４８の少なくとも１つの表面
の電極４９，５０には、その一部を相対する電極方向に
突出させるようにして凸部５１，５２が設けられてい
る。

【００５３】これらの凸部５１，５２は先端部分の直角
な角部位５３，５４が対向しギャップ５５を形成する。
なおギャップ５５の寸法は所定の電圧で放電するよう
０．３ｍｍ〜０．５ｍｍ程度の範囲の中で選ばれた所定
の寸法に設定されている。

【００５４】このように構成され、角部位５３，５４が
対向してギャップ５５を形成するので、ギャップ５５の
放電性が向上したものとなると共に第３の実施例と同様
の作用・効果が得られる。

【００５５】次に第４の実施例を図１１により説明す
る。図１１はコンデンサの斜視図であって、本実施例は
コンデンサを除き第３の実施例と同様に構成され、以下
異なる点について説明する。

【００５６】図１１において、バイパスコンデンサ５６
は形状が直方体の積層セラミックコンデンサで、そのコ
ンデンサ本体５７の相対する両端部の外面には電極５
８，５９が、基板に表面実装を可能とするように導電ペ
ーストをディッピング等することによって形成されてい
る。

【００５７】これらの電極５８，５９は、コンデンサ本
体５５の外面の長い範囲、例えば全周に亘って端部が対
向して同一のギャップ６０を形成する。なおギャップ６
０の寸法は所定の電圧で放電するよう０．３ｍｍ〜０．
５ｍｍ程度の範囲の中で選ばれた所定の寸法に設定され
ている。

【００５８】このように構成されているので、本実施例
ではコンデンサ本体５７の形状が非常に小さなものにお
いても、外部サージ電圧に対する放電ギャップを形成す
るに際し複雑な電極パターンを形成しなくてもよく、加
工が簡単なものとなり、また第３の実施例と同様の作用
・効果が得られる。

【００５９】尚、本発明は上記の各実施例のみに限定さ
れるものではなく、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更
して実施し得るものである。

【００６０】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明
は、別部品の付加によるコスト上昇やスペースファクタ
を低下させる等のことがなく、インピーダンスの低下を
招ねかず、しかも外部サージ電圧の吸収が良好になし得
る等の効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例を示す要部の平面図であ
る。

【図２】図１におけるＡ−Ａ矢方向視の断面図である。

【図３】本発明の第１の実施例に係るサージ保護率の特
性図である。

【図４】本発明の第１の実施例に係るインピーダンスの
特性図である。

【図５】本発明の第１の実施例における変形例の要部の
平面図である。

【図６】本発明の第２の実施例を示す要部の平面図であ
る。

【図７】本発明の第２の実施例における変形例の要部の
平面図である。

【図８】本発明の第３の実施例を示す要部の断面図であ
る。

【図９】本発明の第３の実施例に係るコンデンサの斜視
図である。

【図１０】本発明の第３の実施例における変形例に係る
コンデンサの斜視図である。

【図１１】本発明の第４の実施例に係るコンデンサの斜
視図である。

【図１２】従来例を示す平面図である。

【図１３】図１２の断面図である。

【符号の説明】

１２…基板 １３…外部端子 １４…第１の金属膜 １５…第２の金属膜 １６…ギャップ １７，１８…角部位 １９…高抵抗膜 ２０…樹脂

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板と、この基板上に構成された外
   部配線と接続される第１の金属膜と接地電位の第２の金
   属膜とを有する所定の回路と、この回路を保護するよう
   に前記基板上に設けられた樹脂とを備えた集積回路にお
   いて、前記第１の金属膜と第２の金属膜とは、これら金
   属膜間の最小間隙部が少なくとも一方の金属膜の角尖端
   部位を対向させるようにして形成されているものである
   ことを特徴とする集積回路。
2. 【請求項２】 絶縁基板と、この基板上に構成された外
   部配線と接続される第１の金属膜と接地電位の第２の金
   属膜とを有する所定の回路と、この回路を保護するよう
   に前記基板上に設けられた樹脂とを備えた集積回路にお
   いて、前記第１の金属膜と第２の金属膜とは、これら金
   属膜間の最小間隙部が少なくとも一方の金属膜の角尖端
   部位を対向させるようにして形成されており、且つ前記
   最小間隙部に前記第１及び第２の金属膜を接続するよう
   両金属膜間に高抵抗の膜が設けられていることを特徴と
   する集積回路。
3. 【請求項３】 絶縁基板と、この基板上に構成された外
   部配線と接続される第１の金属膜と接地電位の第２の金
   属膜とを有する所定の回路と、この回路の前記第１の金
   属膜と第２の金属膜との間に挿入されたコンデンサと、
   前記回路を保護するように前記基板上に設けられた樹脂
   とを備えた集積回路において、前記コンデンサが、該コ
   ンデンサの前記第１の金属膜と第２の金属膜とに接続さ
   れる両端部外面に設けられた電極の少なくとも一部に、
   外部サージ電圧に対する前記回路の保護用放電ギャップ
   となる狭間隔部を有するものであることを特徴とする集
   積回路。