JPH06228028A - １，４−シクロヘキサンジメタノールの製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 テレフタル酸ジアルキルを水素化して１，４
−シクロヘキサンジメタノールを製造する方法におい
て、前記テレフタル酸ジアルキルのエステル部位を、担
体上にロジウムおよび／またはルテニウムとスズを担持
させた触媒を用いて水素化して１，４−シクロヘキサン
ジメタノールを製造する。 【効果】 銅−クロム系触媒を使用した場合に比べて作
業環境が大幅に改善され、反応中触媒が析出することも
ない。反応圧力が低圧になることから、エステル部位の
水素化を効率よく行うことができ、安全性、設備費のコ
ストダウンが図れる。一段階反応により、水素化した場
合には反応工程を短縮できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は１，４−シクロヘキサン
ジメタノールの製造法に関する。

【０００２】

【従来の技術】１，４−シクロヘキサンジメタノール
は、例えば、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹
脂、ポリカーボネート系樹脂のジオール成分等として用
いられ、得られる樹脂に透明性、耐熱性、耐候性等の優
れた性能を付与する有用な化合物である。

【０００３】従来より、１，４−シクロヘキサンジメタ
ノールの製造法としては、例えば、周期律表第▲８▼族
〜第▲１０▼族の金属触媒を用いて反応温度１５０℃以
上、反応圧力１５０ｋｇ／ｃｍ² の条件下で、まずテレ
フタル酸のベンゼン骨格部位を水素化した後、銅−クロ
ム系触媒を用いて反応温度２２０℃、反応圧力１５０ｋ
ｇ／ｃｍ² の条件下でカルボキシル基を水素化する方法
（特開昭５２−２４２号公報）や、テレフタル酸ジメチ
ルのベンゼン骨格部位を水素化した後、銅−クロム系触
媒（ＣｕＯ−Ｃｒ₂ Ｏ₃ −ＢａＯ）を用いて反応温度１
２０〜２２０℃、反応圧力３００ｂａｒの条件下でエス
テル部位を水素化する方法（米国特許５０３０７７１
号）等が知られている。

【０００４】しかしながら、これらの方法はいずれも、
エステル部位の水素化に際し、銅−クロム系触媒を使用
しているため、作業環境上での毒性、安全性に問題があ
る。また、反応中に触媒の主成分である銅が析出して、
触媒やリアクター内壁へ付着したり配管を閉塞する等の
問題がある。さらには、反応圧力が高いことから、作業
時の安全性に加えて、プラントの建設コスト、ランニン
グコストの面で好ましくない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、作業環境上
での安全性や、反応中に銅が析出し触媒やリアクター内
壁へ付着したり配管を閉塞する等の問題点が改善され、
かつ銅−クロム系触媒に比べて低い反応圧力でエステル
部位を水素化しうる、１，４−シクロヘキサンジメタノ
ールの製造法を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者は、前記課題を
解決すべく、１，４−シクロヘキサンジメタノールのエ
ステル部位を水素化する種々の触媒について鋭意検討し
た結果、以下に示す特定の触媒を用いることにより、前
記課題を悉く解決しうることを見出だし、本発明を解決
するに至った。

【０００７】すなわち、本発明は、テレフタル酸ジアル
キルを水素化して１，４−シクロヘキサンジメタノール
を製造する方法において、前記テレフタル酸ジアルキル
のエステル部位を、担体上にルテニウムおよび／または
ロジウムとスズを担持させた触媒を用いて水素化するこ
とを特徴とする１，４−シクロヘキサンジメタノールの
製造法に関する。

【０００８】本発明において、１，４−シクロヘキサン
ジメタノールの製造に使用される原料としては、テレフ
タル酸のジアルキルエステルが該当する。一般的には、
アルキル基の炭素数が１〜１５程度のテレフタル酸のジ
アルキルエステルが使用されるが、これらの中でも原料
入手の容易さ、低価格等の点からテレフタル酸ジメチル
が好ましい。

【０００９】本発明において、テレフタル酸ジアルキル
のエステル部位を水素化する際に使用される、担体上に
ルテニウムおよび／またはロジウムとスズを担持させた
触媒は、一般的に知られている方法で調製可能である。
例えば、担体にスズ化合物を含浸して乾燥させた後に、
ルテニウム化合物および／またはロジウム化合物を含浸
し、これを乾燥したものを還元して調製する方法があげ
られる。ただし、スズ化合物とルテニウム化合物および
／またはロジウム化合物との含浸の順序は任意である。
また、担体にスズ化合物とルテニウム化合物および／ま
たはロジウム化合物とを共含浸の後、乾燥したものを還
元して調製する方法等があげられる。これらの調製工程
には焼成、洗浄、予備還元等の工程を導入することも可
能である。特に、触媒の調製に用いられるルテニウム化
合物および／またはロジウム化合物ならびにスズ化合物
のいずれか少なくとも１種が、塩素を含有する化合物で
ある場合には、塩素の除去工程として、前記焼成、洗
浄、予備還元等の工程のうち少なくとも一種の工程を採
用して触媒を調製するのがよく、これにより、触媒の活
性を大きく向上させることができる。

【００１０】触媒の担体には一般に工業的に使用されて
いるものを特に制限なく使用できる。たとえば、カーボ
ン、アルミナ、シリカ、シリカ−アルミナ、チタニア、
マグネシア、ジルコニア、ケイソウ土、石英等があげら
れる。これらの中でも特に、アルミナまたはチタニアが
分解反応や高分子反応が少なく、高活性な触媒を調製で
きる点から好ましい。触媒の形状についても、特に制限
されず、たとえば、ペレット状、粉末状等の一般に工業
的に使用されているものならいずれも使用可能である。

【００１１】担体に担持させるルテニウム化合物、ロジ
ウム化合物の種類は特に限定されないが、具体的にはル
テニウム化合物としては、たとえば塩化ルテニウム、ヘ
キサクロロルテニウム酸カリウム、トリス（アセチルア
セトナト）ルテニウム、ルテニウム酸ナトリウム、硝酸
ルテニウムニトロシル溶液、ヘキサアンミンルテニウム
塩化物、ヘキサアンミンルテニウム臭化物、酸化ルテニ
ウム等があげられ、ロジウム化合物としては、たとえば
硝酸ロジウム、硫酸ロジウム、臭化ロジウム、酢酸ロジ
ウム、塩化ロジウム、塩化ロジウム酸溶液、ヘキサアン
ミンロジウム塩化物、酸化ロジウム水和物、水酸化ロジ
ウム水和物、トリス（アセチルアセトナト）ロジウム、
ドデカカルボニル四ロジウム、オクタン酸ロジウム等が
あげられる。

【００１２】また、担体に担持させるスズ化合物として
は、有機スズ化合物、無機スズ化合物のいずれも使用可
能である。具体的にはテトラブチルスズ、塩化トリブチ
ルスズ、しゅう酸スズ、オクチル酸スズ、酢酸スズ、酒
石酸スズ、テトラエトキシスズ、酸化ビス−トリブチル
スズ、酸化ジブチルスズ、ピロリン酸スズ、塩化スズ、
スズ酸カリウム、スズ酸ナトリウム、スルファミン酸ス
ズ、酸化スズ等があげられる。上記スズ化合物の中でも
特にスズ酸カリウム、スズ酸ナトリウム、テトラエトキ
シスズ、酸化ビス−トリブチルスズを用いた場合に高活
性な触媒が得られるので好ましい。

【００１３】前記担体に担持される金属化合物の使用量
は、当該金属化合物に占める金属の重量が担体に対し、
ルテニウムおよび／またはロジウムは通常０．１〜１０
重量％程度、スズは通常０．２〜５０重量％程度、好ま
しくは、ルテニウムおよび／またはロジウムは１〜５重
量％、スズ２〜２５重量％とされる。また、担体に担持
された、ルテニウムおよび／またはロジウムとスズの組
成比（モル比）は、通常、２：１〜１：２０程度の範
囲、好ましくは１：１〜１：５の範囲とされる。触媒の
各組成比が前記範囲を外れる場合には、活性が大きく低
下したり触媒コストが高くなるなど好ましくない。

【００１４】本発明では、テレフタル酸ジアルキルを原
料として用い、該原料のエステル部位を、前記特定の触
媒を用いて水素化して、１，４−シクロヘキサンジメタ
ノールを製造する。

【００１５】前記本発明の製造法により、前記特定の触
媒を用いてテレフタル酸ジアルキルのエステル部位を水
素化して１，４−シクロヘキサンジメタノールを製造す
るにあたっては、まずベンゼン骨格部位の水素化を予め
公知の触媒で行って１，４−シクロヘキサンジカルボン
酸ジアルキルを得た後に、次いでエステル部位の水素化
を前記特定の触媒で行う二段階の反応（以下、二段反応
という）と、ベンゼン骨格部位の水素化に使用する公知
の触媒とエステル部位の水素化に使用する前記特定の触
媒を同時に同一系内に仕込みテレフタル酸ジアルキルの
ベンゼン骨格部位の水素化とエステル部位の水素化をそ
れぞれ行う一段階の反応（以下、一段反応という）のい
ずれの方法も採用できる。

【００１６】二段反応を採用する場合には、まずテレフ
タル酸ジアルキルのベンゼン骨格部位を、周期律表第▲
８▼族〜第▲１０▼族の金属触媒を用いて水素化して
１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジアルキルを得た
後に、エステル部位を、担体上にルテニウムおよび／ま
たはロジウムとスズを担持させた触媒を用いて水素化す
ればよい。

【００１７】一段反応を採用する場合には、上記の担体
上にルテニウムおよび／またはロジウムとスズを担持さ
せた触媒と、周期律表第▲８▼族〜第▲１０▼族の金属
触媒を同時に同一系内に仕込み、テレフタル酸ジアルキ
ルのベンゼン骨格部位の水素化とエステル部位の水素化
をそれぞれ行えばよい。

【００１８】原料のベンゼン骨格部位の水素化に用いら
れる周期律表第▲８▼族〜第▲１０▼族の金属触媒とし
ては、各種公知のベンゼン骨格部位の水素化に用いられ
ているものと同様のものがそのまま使用できる。周期律
表第▲８▼族〜第▲１０▼族の金属の具体例としては、
ルテニウム、ロジウム、パラジウム、白金、ニッケル等
があげられる。また、周期律表第▲８▼〜第▲１０▼族
の金属触媒は担体に担持して使用してもよい。担体とし
ては公知のものを使用でき、具体的にはカーボン、アル
ミナ、シリカ、シリカ−アルミナ、チタニア、マグネシ
ア、ジルコニア、ケイソウ土、石英等があげられる。担
体に担持させる周期律表第▲８▼〜第▲１０▼族の金属
の担持量は、触媒の活性、触媒費から考えて通常、０．
１〜１０重量％程度、好ましくは０．５〜５重量％とさ
れる。なお、触媒の調製は、一般的に知られている触媒
の調製法でよい。かかる触媒としてはベンゼン骨格部位
を水素化しシクロヘキサン環に還元する能力を有する市
販の触媒をそのまま使用してもよい。

【００１９】反応にあたっては溶媒を使用してもよく、
原料を溶解する能力があれば特に制限されない。具体的
には、シクロヘキサン、ジオキサンなどや低級アルコー
ル類、具体的にはメタノール、エタノール、ｎ−プロパ
ノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、シクロヘ
キサノール、エチレングリコール等があげられる。

【００２０】二段反応における水素の圧力は、ベンゼン
骨格部位の水素化反応の際は通常１〜１５０ｋｇ／ｃｍ
² 程度、好ましくは５〜１００ｋｇ／ｃｍ² 程度、エス
テル部位の水素化反応の際は通常５〜２００ｋｇ／ｃｍ
² 程度、好ましくは５０〜１００ｋｇ／ｃｍ² 程度とさ
れる。水素圧力が上記圧力より低い場合はいずれの場合
も反応速度が十分でなく、また上記圧力より高い場合に
は、作業時の危険性も増し、また設備費等の点から好ま
しくない。

【００２１】反応温度は、ベンゼン骨格部位の水素化反
応の際は通常、室温〜２５０℃程度、好ましくは５０〜
１５０℃、エステル部位の水素化反応の際は通常１５０
〜３５０℃程度、好ましくは２００〜３００℃程度の範
囲内とするのが適切である。反応時間は、反応が完結す
るに十分な時間であればよく、通常１〜２０時間程度と
するのがよい。

【００２２】二段反応における水素化の具体的方法とし
ては以下のものがる。例えば、テレフタル酸ジアルキ
ル、担体上に周期律表第▲８▼族〜第▲１０▼族の金属
を担持させた触媒および溶媒を仕込み、通常の水素化条
件でベンゼン骨格部位の水素化を行い１，４−シクロヘ
キサンジカルボン酸ジアルキルを得る。次いで、１，４
−シクロヘキサンジジカルボン酸ジアルキル、担体上に
ルテニウムおよび／またはロジウムとスズを担持させた
触媒ならびに溶媒を仕込み、エステル部位の水素化を行
う。上記ベンゼン骨格部位の水素化に用いられる触媒の
使用量は、原料に対し通常０．１〜１０重量％程度、好
ましくは０．２〜５重量％であり、上記エステル部位の
水素化に用いられる触媒の使用量は、原料に対し通常
０．１〜３０重量％程度、好ましくは０．５〜２０重量
％とされる。前記使用量を外れる場合は、反応速度、触
媒コストの点から好ましくない。

【００２３】一段反応における水素化の具体的方法とし
ては以下のものがある。例えば、テレフタル酸ジアルキ
ル、担体上にルテニウムおよび／またはロジウムとスズ
を担持させた触媒、並びに担体上に周期律表第▲８▼族
〜第▲１０▼族の金属を担持させた触媒、さらに溶媒を
同時に仕込み、まず前述の二段反応におけるベンゼン骨
格部位の水素化と同様の条件でベンゼン骨格部位の水素
化を行った後、続けて前述のエステル部位の水素化と同
様の条件に設定を変更してエステル部位の水素化を行え
ばよい。また、ベンゼン骨格部位の水素化に用いられる
触媒の使用量、およびエステル部位の水素化に用いられ
る触媒の使用量も二段反応と同様でよい。

【００２４】なお、一段反応、二段反応を採用するにあ
たり、反応形式は、回分式、流通式等の一般に工業的に
使用されているものが採用可能である。

【００２５】

【発明の効果】本発明の製造法によれば、次の如き優れ
た効果が奏される。 （１）銅−クロム系触媒に比べて、作業環境が大幅に改
善される。 （２）反応中触媒の主成分である銅が析出し、触媒やリ
アクター内壁へ付着したり配管を閉塞する等の問題が無
くなる。 （３）反応圧力が低圧になることから、エステル部位の
水素化を効率よく行うことができ安全性、設備費のコス
トダウンが図れる。 （４）一段階反応による場合には反応工程を大幅に短縮
できる。

【００２６】

【実施例】以下に実施例をあげて本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもので
はない。

【００２７】実施例１（ベンゼン骨格部位の水素化） テレフタル酸ジメチル４０ｇ、５重量％ルテニウム担持
のアルミナ触媒２ｇ、ジオキサン５０ｇを、２００ｍｌ
のステンレス製のオートクレーブに仕込み、水素置換し
た後、水素の初圧を室温（２５℃）で４０ｋｇ／ｃｍ²
とし、１時間かけて１３０℃まで昇温した。そして、反
応温度１３０〜１４０℃、水素供給量３０〜５０ｋｇ／
ｃｍ² の条件で１時間反応させて、水素化反応を完結し
た。反応終了後、室温まで冷却し、系内の水素を抜いた
後、反応物を回収し、さらにこれを濾過して触媒を除去
した後、ジオキサンを溜去して４１ｇの反応生成物を得
た。生成物はガスクロマトグラフ（以下ＧＣとする）に
よる分析結果より、１，４−シクロヘキサンジカルボン
酸ジメチルが１００％であった。

【００２８】（触媒の調製）酸化ビス−トリブチルスズ
（純度９５％以上）、３．７１７ｇをイソプロピルアル
コール１０ｇに溶解（触媒中のスズ含有量が１１．７重
量％になるように加えた）した後、予めイソプロピルア
ルコール１５ｇ中で３０分浸漬させたチタニア１０ｇに
加え一晩室温下で撹拌した。次いで、イソプロピルアル
コールを減圧下で留去し乾燥させた後、再びイソプロピ
ルアルコール１５ｇ中で３０分浸析させた。次に、５重
量％ルテニウム含有硝酸ルテニウムニトロシル溶液１２
ｇ（触媒中のルテニウム含有量が５重量％になるように
加えた）を２．４ｇまで濃縮し、イソプロピルアルコー
ル１０ｇに溶解させてから加え、一晩室温下で撹拌し
た。次いで、イソプロピルアルコールを減圧下で留去し
乾燥させた後、窒素気流下で再度乾燥、置換した後に、
水素気流下で３００℃、４時間還元した。還元終了後、
室温まで放冷し窒素で置換して目的とする触媒を得た。

【００２９】（エステル部位の水素化）上記方法で得ら
れたルテニウムおよびスズを担持したチタニア触媒２ｇ
と、１，４−シクロヘキサンジメチルエステル２０ｇ、
ジオキサン５０ｇを、２００ｍｌのステンレス製のオー
トクレーブに仕込み、水素置換した後、水素の初圧を室
温（２５℃）で６０ｋｇ／ｃｍ² とし、１時間かけて２
８０℃まで昇温した。そして反応温度２７０〜２８０
℃、水素反応圧力９０〜１００ｋｇ／ｃｍ² で７時間反
応させた。反応終了後室温まで冷却し、系内の水素を抜
いた後反応物を回収し、濾過して触媒を除去した後、ジ
オキサンを溜去して１７ｇの反応生成物を得た。生成物
をＧＣおよびゲルパーミエーションクロマトグラフ（以
下ＧＰＣとする）により分析した結果、１，４−シクロ
ヘキサンジメタノールの収率は８５モル％、エステル交
換物は９モル％であった。

【００３０】実施例２ 実施例１の触媒の調製において、ルテニウムの量を５重
量％から２．５重量％に変化させた以外は実施例１と同
様に行った。得られた反応生成物をＧＣ、ＧＰＣにより
分析した結果、１，４−シクロヘキサンジメタノールの
収率は８５モル％、エステル交換物は８モル％であっ
た。

【００３１】実施例３ 実施例１の触媒の調製において、スズ化合物としてテト
ラエトキシスズを用い、担体としてアルミナを用いた以
外は実施例１と同様に行った。得られた反応生成物をＧ
Ｃ、ＧＰＣにより分析した結果、１，４−シクロヘキサ
ンジメタノールの収率は７２モル％、エステル交換物は
１０モル％であった。

【００３２】実施例４ 実施例１の触媒の調製において、スズ化合物としてα−
スズ酸ナトリウムを用い、水溶液中で含浸させ、担体と
してアルミナを用いた以外は実施例１と同様に行った。
得られた反応生成物をＧＣ、ＧＰＣにより分析した結
果、１，４−シクロヘキサンジメタノールの収率は６８
モル％、エステル交換物は１０モル％であった。

【００３３】実施例５ 実施例１の触媒の調製において、スズ化合物としてスズ
酸カリウムを用い、水溶液中で含浸させ、担体としてア
ルミナを用いた以外は実施例１と同様に行った。得られ
た反応生成物をＧＣ、ＧＰＣにより分析した結果、１，
４−シクロヘキサンジメタノールの収率は７０モル％、
エステル交換物は９モル％であった。

【００３４】実施例６ 実施例１の触媒の調製において、スズ化合物としてオク
チル酸スズ酸を用い、水溶液中で含浸させ、担体として
アルミナを用いた以外は実施例１と同様に行った。得ら
れた反応生成物をＧＣ、ＧＰＣにより分析した結果、
１，４−シクロヘキサンジメタノールの収率は６５モル
％、エステル交換物は９モル％であった。

【００３５】実施例７ 実施例１の触媒の調製において、担体としてアルミナを
用いた以外は実施例１と同様に行った。得られた反応生
成物をＧＣ、ＧＰＣにより分析した結果、１，４−シク
ロヘキサンジメタノールの収率は７５モル％、エステル
交換物は９モル％であった。

【００３６】実施例８（触媒の調製） 塩化スズ・２水和物、２．７８３ｇをイソプロピルアル
コール１０ｇに溶解（触媒中のスズ含有量が１１．７重
量％になるように加えた）した後、予めイソプロピルア
ルコール１５ｇ中で３０分浸漬させたアルミナ１０ｇに
加え一晩室温下で撹拌した。次いで、イソプロピルアル
コールを減圧下で留去し乾燥させた後、空気気流下、６
００℃で５時間焼成し、再びイソプロピルアルコール１
５ｇ中で３０分浸漬させた。次に、５重量％ルテニウム
含有硝酸ルテニウムニトロシル溶液１２ｇ（触媒中のル
テニウム含有量が５重量％になるように加えた）を２．
４ｇまで濃縮し、イソプロピルアルコール１０ｇに溶解
させてから加え、一晩室温下で撹拌した。次いで、イソ
プロピルアルコールを減圧下で留去し乾燥させた後、窒
素気流下で再度乾燥、置換した後に、水素気流下で３０
０℃、４時間還元した。還元終了後、室温まで放冷し窒
素で置換して目的とする触媒を得た。

【００３７】（ベンゼン骨格部位およびエステル部位の
水素化）エステル部位の水素化の触媒として、前記触媒
を使用した以外は実施例１と同様に行った。得られた反
応生成物をＧＣ、ＧＰＣにより分析した結果、１，４−
シクロヘキサンジメタノールの収率は５７モル％、エス
テル交換物は１９モル％であった。

【００３８】実施例９ 実施例８において、ルテニウムの量を５重量％から２．
５重量％に変化させた以外は実施例８と同様に行った。
得られた反応生成物をＧＣ、ＧＰＣにより分析した結
果、１，４−シクロヘキサンジメタノールの収率は５７
モル％、エステル交換物は２２モル％であった。

【００３９】実施例１０ テレフタル酸ジメチル２０ｇ、５％重量ルテニウム担持
のアルミナ触媒１ｇ、実施例１で調製した触媒２ｇ、ジ
オキサン５０ｇを、２００ｍｌのステンレス製のオート
クレーブに仕込み、水素置換した後、水素の初圧を室温
（２５℃）で７０ｋｇ／ｃｍ² とし、４０分かけて１０
０℃まで昇温した。次いで、反応温度１００〜１１０℃
の条件で１時間反応させた。その後、さらに１時間かけ
て２８０℃まで昇温した。そして反応温度２７０〜２８
０℃、水素反応圧力９０〜１００ｋｇ／ｃｍ² で７時間
反応させた。反応終了後室温まで冷却し、系内の水素を
抜いた後、反応物を回収し、濾過して触媒を除去した
後、ジオキサンを溜去して１３ｇの反応生成物を得た。
生成物をＧＣ、ＧＰＣにより分析し、１，４−シクロヘ
キサンジメタノールの収率は８０モル％、エステル交換
物は１０モル％であった。

【００４０】実施例１１（触媒の調製） ロジウム（アセチルアセトナート）０．３９３１ｇをジ
クロロエタン１０ｇに溶解した後、予めジクロロエタン
３０ｇ中で３０分浸漬させたチタニア１０ｇに加え３時
間室温で撹拌後一晩室温下で静置した。次いで、ジクロ
ロエタンを減圧下で留去し乾燥させた後、窒素気流下で
再度乾燥、置換した後に、水素気流下で４５０℃、２時
間還元した。還元終了後、室温まで放冷し窒素で置換し
てから触媒を取り出し、純水１５ｇ中で３０分浸漬させ
た。これに塩化スズ・２水和物０．５６１４ｇを純水１
０ｇに加えて３０分間撹拌したものを加えて３時間室温
で撹拌後一晩室温下で静置した。次いで、純水を減圧下
で留去し乾燥させた後、窒素気流下で再度乾燥、置換し
た後に、水素気流下で３００℃、４時間還元した。還元
終了後、室温まで放冷し窒素で置換して目的とする触媒
を得た。

【００４１】（ベンゼン骨格部位およびエステル部位の
水素化）エステル部位の水素化の触媒として、前記触媒
を使用した以外は実施例１と同様に行った。得られた反
応生成物をＧＣ、ＧＰＣにより分析した結果、１，４−
シクロヘキサンジメタノールの収率は７０モル％、エス
テル交換物は１１モル％であった。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 テレフタル酸ジアルキルを水素化して
   １，４−シクロヘキサンジメタノールを製造する方法に
   おいて、前記テレフタル酸ジアルキルのエステル部位
   を、担体上にルテニウムおよび／またはロジウムとスズ
   を担持させた触媒を用いて水素化することを特徴とする
   １，４−シクロヘキサンジメタノールの製造法。
2. 【請求項２】 テレフタル酸ジアルキルのエステル部位
   を水素化する前に、テレフタル酸ジアルキルのベンゼン
   骨格部位を、周期律表第▲８▼族〜第▲１０▼族の金属
   触媒を用いて水素化することを特徴とする請求項１記載
   の製造法。
3. 【請求項３】 担体上にルテニウムおよび／またはロジ
   ウムとスズを担持させた触媒、並びに周期律表第▲８▼
   族〜第▲１０▼族の金属触媒を同一系内に存在させるこ
   とを特徴とする請求項２記載の製造法。
4. 【請求項４】 触媒担体が、チタニアおよび／またはア
   ルミナである請求項１〜３記載の製造法。
5. 【請求項５】 担体に担持されたスズが、スズ酸カリウ
   ム、スズ酸ナトリウム、オクチル酸スズ、テトラエトキ
   シスズ、酸化ビス−トリブチルスズから選ばれる少なく
   とも１種のスズ化合物を用いて調製されてなる触媒を使
   用することを特徴とする請求項１〜４記載の製造法。
6. 【請求項６】 担体に担持されたルテニウムおよび／ま
   たはロジウムならびにスズのいずれか少なくとも１種
   が、塩素を含有する金属化合物を用いて調製された場合
   に、該触媒調製工程中に塩素の除去工程を設けてなる触
   媒を使用することを特徴とする請求項１〜５記載の製造
   法。