JPH0622916Y2 - Surface analyzer - Google Patents
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- JPH0622916Y2 JPH0622916Y2 JP15498187U JP15498187U JPH0622916Y2 JP H0622916 Y2 JPH0622916 Y2 JP H0622916Y2 JP 15498187 U JP15498187 U JP 15498187U JP 15498187 U JP15498187 U JP 15498187U JP H0622916 Y2 JPH0622916 Y2 JP H0622916Y2
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Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 (ア)技術分野 この考案は、試料に照射される陽子ビーム電流を簡単に
測定する事ができ、しかも入射陽子ビームのプロフイル
を調整することができるようにした表面解析装置に関す
る。[Detailed Description of the Device] (a) Technical Field This device is capable of easily measuring the proton beam current applied to the sample and is capable of adjusting the profile of the incident proton beam. Regarding the device.
表面解析装置は、超高真空中に於て、加速された陽子ビ
ームを試料に当て、一定角方向に散乱された陽子の運動
エネルギー分布を測定する事によつて、試料表面の元素
の存在量を求めるようにした装置である。The surface analyzer applies an accelerated proton beam to the sample in an ultra-high vacuum and measures the kinetic energy distribution of the protons scattered in a certain angle direction to determine the abundance of elements on the sample surface. It is a device that seeks.
陽子は試料に当たると非弾性散乱される。これは、静止
している原子に衝突し、この原子に運動エネルギーの一
部を奪われるからである。相手の原子が軽いほど、陽子
のエネルギー損失は大きい。When the proton hits the sample, it is inelastically scattered. This is because it collides with a stationary atom and robs it of some of its kinetic energy. The lighter the atom of the other party, the greater the energy loss of the proton.
それゆえ、陽子のエネルギー損失のスペクトルを測定す
る事によつて、試料表面に存在する各種原子の量を知る
事ができる。Therefore, the amount of various atoms existing on the sample surface can be known by measuring the energy loss spectrum of protons.
陽子のエネルギー損失スペクトルを分析するものである
から、この方法をProton Energy Loss Spectroscopy(PE
LS)という。Since this method analyzes the energy loss spectrum of protons, this method is called Proton Energy Loss Spectroscopy (PE
LS).
(イ)PELSの原理 質量Mの原子が静止しているとする。質量mの陽子が加
速されて、速度Uをもつとする。陽子の運動エネルギー
E0は、 E0=1/2mU2 (1) である。これが、静止していた原子に衝突し、散乱角Θ
の方向に散乱されたとする。(A) Principle of PELS It is assumed that the atom of mass M is stationary. It is assumed that a proton of mass m is accelerated and has a velocity U. Kinetic energy of proton
E 0 is E 0 = 1/2 mU 2 (1). This collides with a stationary atom, and the scattering angle Θ
Scattered in the direction of.
散乱後の運動エネルギーをE1とする。これは当然、E0よ
り小さい。これらの比を減衰定数Kという。これは、 Γ=M/m (3) によつて与えられる。定義は E1=KE0 (4) である。エネルギー損失ΔEは、E0とE1の差である。Let the kinetic energy after scattering be E 1 . This is naturally less than E 0 . The ratio of these is called the damping constant K. this is, It is given by Γ = M / m (3). The definition is E 1 = KE 0 (4). Energy loss ΔE is the difference between E 0 and E 1 .
ΔE=E0−E1 (5) =(1−K)E0 (6) 散乱角Θをどのように選ぶこともできる。最初、本考案
者等は、微小散乱角Θ0のものによつてPELS測定を行
なつた。ΔE = E 0 −E 1 (5) = (1−K) E 0 (6) The scattering angle Θ can be selected in any way. First, the present inventors performed PELS measurement with a small scattering angle Θ0.
しかし、Θ=180゜の方も有望である。エネルギー損失が
大きく分解能が高い。試料表面に陽子が直角に入射する
から、表面の凹凸の影響を受けないなどの利点がある。However, Θ = 180 ° is also promising. Large energy loss and high resolution. Since the protons are incident on the surface of the sample at a right angle, there is an advantage in that it is not affected by surface irregularities.
この場合、E1、E0、ΔEの関係を決めるKの値は によつて与えられる。Γは原子質量Mを陽子質量で割つ
たものであるから、質量数にほぼ等しい。そこでこれを
単に質量数という。In this case, the value of K that determines the relationship between E 1 , E 0 and ΔE is Given by. Since Γ is the atomic mass M divided by the proton mass, it is almost equal to the mass number. Therefore, this is simply called the mass number.
E0は既知であり一定である。そこでE1又はΔEを測定す
れば、相手側の原子質量が分る。原子質量が分れば元素
を特定できる。ΔEについて陽子の数をカウントし積算
すれば、ΔEに関する陽子数スペクトルを得る。これ
は、試料表面の元素の存在量に対応する。E 0 is known and constant. Then, if you measure E 1 or ΔE, you will know the atomic mass of the other party. The element can be specified if the atomic mass is known. By counting and integrating the number of protons for ΔE, a proton number spectrum for ΔE is obtained. This corresponds to the abundance of elements on the sample surface.
PELSは試料の表面の1層又は2層といつた極めて表層の
部分の原子分布などを求めることができる。PELS can determine the atomic distribution of one or two layers on the surface of the sample and the extremely surface layer.
実際には、陽子ビームをイオン源で作り、これを加速し
て試料に当てる。散乱陽子は減速して、エネルギースペ
クトルを位置検出器によつて求める。In reality, a proton beam is created by an ion source, and this is accelerated and applied to the sample. The scattered protons are decelerated and the energy spectrum is determined by the position detector.
(ウ)従来技術 本考案はPELS装置の中でも、超高真空チヤンバの中に於
て、アクセプタンススリツトの構造の改良に関する。(C) Prior Art The present invention relates to improvement of the structure of the acceptance slit in the ultra high vacuum chamber among PELS devices.
第6図、第7図により従来例を説明する。A conventional example will be described with reference to FIGS. 6 and 7.
超高真空チヤンバ8の中に、試料10がホルダ12、マ
ニピユレータ13によつて、昇降回転自在に保持されて
いる。A sample 10 is held in an ultrahigh vacuum chamber 8 by a holder 12 and a manipulator 13 so as to be vertically rotatable.
試料10の前方には、アクセプタンススリツト9とシヤ
ツタ14が設けられる。より前方のオリフイス11から
陽子ビームΨが、超高真空チヤンバ8の中に導入され
る。In front of the sample 10, the acceptance slit 9 and the shutter 14 are provided. A proton beam Ψ is introduced into the ultrahigh vacuum chamber 8 from the orifice 11 located further forward.
2つの開閉変位可能な機構がある。There are two mechanisms that can be opened and closed.
シヤツタ14は昇降する事ができる。シヤツタ14を開
くと第6図のように、陽子ビームΨは、試料10に当た
る。The shutter 14 can be raised and lowered. When the shutter 14 is opened, the proton beam Ψ hits the sample 10 as shown in FIG.
シヤツタ14を閉じると、陽子ビームΨが遮られて、試
料10に当たらない。When the shutter 14 is closed, the proton beam Ψ is blocked and does not hit the sample 10.
シヤツタ14はフイードスルー19によつて、外部から
昇降操作する事ができる。The shutter 14 can be raised and lowered from the outside by a feedthrough 19.
シヤツタ14の機能は、試料へ向う陽子ビームを開閉す
る、というだけの場合もある。In some cases, the function of the shutter 14 is simply to open and close the proton beam towards the sample.
より一歩進んで、シヤツタ14にフアラデーカツプ20
を取付け、シヤツタを閉じている時に、フアラデーカツ
プ20に入る陽子ビームを計数し、ビームフラツクスを
計測する、という機構のものもある。Going one step further, the shutter 14 on the Faraday cup 20
There is also a mechanism in which the proton beam entering the Faraday cup 20 is counted and the beam flux is measured when the shutter is attached and the shutter is closed.
陽子ビームのフラツクスが試料直前に於てどれほどの強
度であるのかをモニタするのは重要な事である。It is important to monitor the intensity of the proton beam flux just before the sample.
もちろん、イオン源で陽子イオンを生じた時に、電流の
値から、陽子フラツクスを求める事ができる。しかし、
発生した陽子が全て試料に当たるとは限らない。そこ
で、試料直前の陽子フラツクスを測定する事にはそれな
りの意味がある。Of course, when proton ions are generated in the ion source, the proton flux can be obtained from the value of the current. But,
Not all generated protons hit the sample. Therefore, there is some meaning in measuring the proton flux just before the sample.
試料に入射する陽子ビームフラツクスを測定する方法と
して、シヤツタとは別の運動機構を持つチヤンネルトロ
ンを用いる方法もある。試料をビームからずらしてお
き、試料の定位置にチヤンネルトロンを移動させる。陽
子ビームを発生させ、チヤンネルトロンに入射させる。As a method of measuring the proton beam flux incident on the sample, there is also a method of using a channel tron having a motion mechanism different from that of the shutter. The sample is displaced from the beam and the channel tron is moved to a fixed position on the sample. A proton beam is generated and made incident on a channel tron.
チヤンネルトロンで単位時間内に入射する陽子数を計え
る。Measure the number of incident protons in a unit time with a channel nertron.
これは、超高真空チヤンバの中の構造を複雑にするので
望ましくない。フイードスルーもひとつ増えるので、超
高真空を維持するのが難しくなる。This is undesirable as it complicates the structure in the ultra high vacuum chamber. It also adds one feedthrough, making it difficult to maintain ultra-high vacuum.
したがつて、第7図に示すように、シヤツタにビームを
開閉する機能の他に、陽子ビームフラツクスを測定する
機能を与えたものは、それなりの長所がある。Therefore, as shown in FIG. 7, the one having the function of measuring the proton beam flux in addition to the function of opening and closing the beam in the shutter has certain advantages.
アクセプタンススリツト9は、板面に、ひとつあるいは
複数の開口15を有したものである。これは、試料によ
つて散乱された陽子ビームを通すものである。The acceptance slit 9 has one or a plurality of openings 15 on the plate surface. It passes a proton beam scattered by the sample.
この装置は、散乱角がΘ=180゜のもののみを取出すので
あるが、実際には、有限幅があつて、180゜−ε≦Θ≦18
0゜のものを取り出す事とする。This device extracts only the scattering angle Θ = 180 °, but in reality, there is a finite width and 180 ° -ε ≦ Θ ≦ 18
I will take out the one at 0 °.
εは一定角であるが、ひとつの値に固定する事もある
し、2つの値をとる事もある。たとえばεは0.5゜又は1.
0゜とする事がある。εは試料上の点から、アクセプタン
ススリツトの開口を臨む時の半頂角であるから、頂角は
2εである。Although ε has a constant angle, it may be fixed at one value or may take two values. For example, ε is 0.5 ° or 1.
It may be 0 °. Since ε is a half-vertical angle when facing the opening of the acceptance slit from the point on the sample, the vertical angle is 2ε.
開口15の直径はεによつて決まる。The diameter of the opening 15 is determined by ε.
試料面からアクセプタンススリツトまでの距離をζとす
ると、開口15の直径σは σ=2ζtanε (8) である。When the distance from the sample surface to the acceptance slit is ζ, the diameter σ of the opening 15 is σ = 2ζtan ε (8).
陽子ビームフラツクスを計測する場合は、第7図に示す
ようにシヤツタ14を下して、陽子ビームを陽子によつ
てさえぎる。シヤツタ14のフアラデーカツプ20によ
り陽子ビームの強度を検出する。When measuring the proton beam flux, the shutter 14 is lowered as shown in FIG. 7, and the proton beam is blocked by the protons. The intensity of the proton beam is detected by the Faraday cup 20 of the shutter 14.
試料に陽子ビームを当てて表面解析する場合は、シヤツ
タ14を上げて、アクセプタンススリツト9のいずれか
の開口15を陽子ビームの経路に位置させる。When a surface of a sample is subjected to a proton beam for surface analysis, the shutter 14 is raised to position any opening 15 of the acceptance slit 9 in the path of the proton beam.
第8図にアクセプタンススリツト9の運動を示す。FIG. 8 shows the movement of the acceptance slit 9.
開口15はいくつか穿たれており、択一的に陽子ビーム
経路をさえぎる事になる。Several apertures 15 are bored, which will alternatively block the proton beam path.
入射陽子ビームは、十分に細いから、全て開口を通る事
ができる。しかし、散乱ビームは拡がつているので、そ
のうち、ごく一部分の、180゜−ε≦Θ≦180゜で制限され
る散乱角のものしかアクセプタンススリツトの開口を通
る事ができない。The incident proton beam is sufficiently thin that it can pass through the aperture. However, since the scattered beam is divergent, only a small part of them, the scattering angle of which is limited by 180 ° -ε ≦ Θ ≦ 180 °, can pass through the aperture of the acceptance slit.
開口を大きいものにすると、散乱陽子のうち、位置検出
器に入るものが多くなり、イールドが増す。If the aperture is made larger, more of the scattered protons enter the position detector, and the yield increases.
開口を小さくすると、陽子のエネルギー幅(散乱角Θに
よるから)が狭くなり、エネルギー分解能が高くなる。The smaller the aperture, the narrower the proton energy width (due to the scattering angle Θ) and the higher the energy resolution.
開口のサイズは、目的によつて適当なものを選択する。
開口の選択は、アクセプタンススリツト9の真空フイー
ドスルー18の回転によつて行なう事ができる。The size of the opening is appropriately selected according to the purpose.
The opening can be selected by rotating the vacuum feedthrough 18 of the acceptance slit 9.
(エ)考案が解決しようとする問題点 超高真空チヤンバの中に、可動機構を多くもちこむのは
望ましくない。真空度を高める上で重大な支障となる事
がある。(D) Problems to be solved by the invention It is not desirable to have many movable mechanisms in the ultra-high vacuum chamber. It may be a serious obstacle to increase the degree of vacuum.
超高真空チヤンバを10-11〜10-10Torrの超高真空に引く
ため、約200℃でベーキングをして、チヤンバ壁や内部
機構の表面からガスを放出させなければならない。In order to draw the ultra-high vacuum chamber to an ultra-high vacuum of 10 -11 to 10 -10 Torr, it must be baked at about 200 ° C to release the gas from the chamber wall and the surface of the internal mechanism.
このように高熱状態にすると、可動部に熱歪みが生じや
すい。歪み、変形によつてシール部が損傷を受けて、ガ
スが漏れるという事がある。In such a high heat state, thermal distortion easily occurs in the movable part. The seal may be damaged due to distortion and deformation, and gas may leak.
こういうわけで、フイードスルーによつて外部から操作
される内部機構の数はできるだけ少ない方がよい。For this reason, the number of internal mechanisms operated from the outside by feedthrough should be as small as possible.
ビームシヤツタのためにひとつのポートを使つてしまう
のは有効でない。シヤツタのような単純動作をするもの
のかわりに、他の分析機器を取付けた方がより有効であ
る。It is not effective to use one port for beam shutter. It is more effective to attach other analytical equipment instead of a simple operation such as a shutter.
(オ)構成 アクセプタンススリツト、シヤツタは従来、ビーム経路
上に設けられ外部から操作できる独立の機構であつた。(E) Configuration The acceptance slit and the shutter have conventionally been independent mechanisms that are provided on the beam path and can be operated from the outside.
シヤツタは陽子ビームを試料に当てないようにするのが
目的である。アクセプタンススリツトは、試料で散乱さ
れた陽子ビームのうち位置検出器へ向うものを制限する
のが目的で用いられる。The purpose of the shutter is to prevent the proton beam from hitting the sample. The acceptance slit is used for the purpose of limiting the proton beam scattered by the sample to the position detector.
シヤツタとアクセプタンススリツトの役割が全く違う。
それだけでなく、排他的に使われる。これが重要であ
る。シヤツタとアクセプタンススリツトが同時的に機能
を果すという事がない。The roles of the shutter and the acceptance slit are completely different.
Not only that, but it is used exclusively. This is important. The shutter and the acceptance slit do not function simultaneously.
そこで、本考案では、シヤツタをアクセプタンススリツ
トに合体させる事にする。Therefore, in the present invention, the shutter is incorporated into the acceptance slit.
第3図に本考案で用いるアクセプタンススリツト9を例
示する。FIG. 3 exemplifies the acceptance slit 9 used in the present invention.
アクセプタンススリツト9は、円弧板25と、円弧板2
5を支持する連結棒26と、回転軸27、フイードスル
ー18などよりなつている。円弧板25には、いくつか
の動作点a、b、c、…が設けられる。The acceptance slit 9 includes the circular plate 25 and the circular plate 2.
It is composed of a connecting rod 26 for supporting 5, a rotary shaft 27, a feedthrough 18, and the like. The arc plate 25 is provided with several operating points a, b, c, ....
ここで動作点というのは、フイードスルー18を操作す
る事により、超高真空チヤンバ8内に於て、陽子ビーム
の経路上に位置する事ができる点という意味である。Here, the operating point means that it can be located on the path of the proton beam in the ultrahigh vacuum chamber 8 by operating the feedthrough 18.
動作点aには、陽子ビームの全フラツクスを測定する測
定器たとえばフアラデーカツプ20が裏面に取付けられ
ている。At the operating point a, a measuring device for measuring the total flux of the proton beam, for example, a Faraday cup 20, is attached to the back surface.
他の動作点b、c、…は、直径の異なる単なる開口15
となつている。たとえばbは2゜の開口、cは1゜の開口と
なつている。ここで2゜又は1゜というのは、試料面の陽子
入射点から見た開口の頂角である。前述の式、180゜−ε
≦Θ≦180゜に於て、2εがこの頂角に当る。The other operating points b, c, ... Are simply openings 15 having different diameters.
It is said. For example, b is a 2 ° opening and c is a 1 ° opening. Here, 2 ° or 1 ° is the apex angle of the opening as seen from the proton incident point on the sample surface. The above equation, 180 ° -ε
At ≦ Θ ≦ 180 °, 2ε hits this apex angle.
この他に、ひとつあるいは2つの開口を追加してもよ
い。開口の数は任意である。In addition to this, one or two openings may be added. The number of openings is arbitrary.
つまり、アクセプタンススリツト9の円弧板25には、
測定器をとりつけるひとつの動作点と、頂角の異なる開
口を穿つた適数の動作点とが設けられる。前者が従来装
置のシヤツタの機能を代行し、後者がアクセプタンスス
リツトの機能を担うのである。That is, the arc plate 25 of the acceptance slit 9 has
One operating point for mounting the measuring instrument and an appropriate number of operating points with openings having different apex angles are provided. The former takes over the function of the shutter of the conventional device, and the latter takes the function of the acceptance slit.
第1図によつて、表面解析装置の全体を説明する。The entire surface analysis apparatus will be described with reference to FIG.
イオン源1は、水素ガスを電離し、陽子ビームを作る装
置である。これは、引出し電圧Vexで陽子ビームを引出
す。陽子の運動エネルギーEeは一様であつて、 Ee=qVex (9) である。The ion source 1 is a device that ionizes hydrogen gas to produce a proton beam. This extracts the proton beam at the extraction voltage Vex. The kinetic energy Ee of the proton is uniform and Ee = qVex (9).
マグネツト2は、真空容器の中を進む陽子をフアラデー
力によつて換向し、質量分析するものである。軌道半径
Reが であり、軌道の中に、スリツト22、23などがあるの
で、陽子以外の荷電粒子は完全に軌道から排除される。
Bは磁束密度である。The magnet 2 redirects the protons traveling in the vacuum container by the Faraday force and performs mass spectrometry. Orbit radius
Re is Since there are slits 22 and 23 in the orbit, charged particles other than protons are completely excluded from the orbit.
B is the magnetic flux density.
この陽子ビームは、加減速管3を通つて加速される。加
速電圧をVaccとすると、加速後の陽子エネルギーE0は E0=qVex+qVacc (11) である。これがQレンズ4を通り、オリフイス11を通
過して、超高真空チヤンバ8に入る。This proton beam is accelerated through the acceleration / deceleration tube 3. If the acceleration voltage is Vacc, the proton energy E 0 after acceleration is E 0 = qVex + qVacc (11). This passes through the Q lens 4, passes through the orifice 11, and enters the ultra high vacuum chamber 8.
陽子の走行する空間は、真空排気装置31〜34によつ
て高真空に保たれている。陽子がガス分子などに衝突し
てはならないからである。The space in which the protons travel is maintained at high vacuum by the vacuum exhaust devices 31 to 34. This is because protons must not collide with gas molecules.
第1図はアクセプタンススリツト9が、陽子ビーム経路
中に開口15を対応させている状態を示す。つまり、表
面解析を行なつている状態である。FIG. 1 shows a state in which the acceptance slit 9 corresponds to the opening 15 in the proton beam path. That is, the surface analysis is being performed.
開口の拡き角は例えば1゜、又は2゜というように予め決ま
つている。陽子は、全フラツクスが、開口を通つて試料
10に入射する。The spread angle of the opening is predetermined, for example, 1 ° or 2 °. The entire flux of protons enters the sample 10 through the aperture.
試料表面の原子によつて陽子が散乱される。多様な方向
に散乱される。散乱によつて走行方向が変わる。エネル
ギー損失ΔEを伴う。Protons are scattered by the atoms on the sample surface. Scattered in various directions. The direction of travel changes due to scattering. With energy loss ΔE.
このうち、極めて僅かな、180゜−ε≦Θ≦180゜の散乱角
のもののみがアクセプタンススリツト9の開口15を反
対向きに通り抜けてゆく。この散乱陽子は、オリフイス
11を通り、Qレンズ4で絞られる。Of these, only a very small scattering angle of 180 ° -ε ≦ θ ≦ 180 ° passes through the opening 15 of the acceptance slit 9 in the opposite direction. The scattered protons pass through the orifice 11 and are focused by the Q lens 4.
Qレンズ4を通つた後、加減速管3に至る。この直前で
のエネルギーE1は、 E1=E0−ΔE (12) =KE0 (13) である。After passing through the Q lens 4, the acceleration / deceleration tube 3 is reached. The energy E 1 just before this is E 1 = E 0 −ΔE (12) = KE 0 (13).
加減速管で減速される。減速電圧は、加速電圧に等しい
ので、減速後のエネルギーEaは Ea=E1−qVacc =qVex−ΔE (14) となる。It is decelerated by the acceleration / deceleration pipe. Deceleration voltage is equal to the accelerating voltage, energy Ea after deceleration becomes Ea = E 1 -qVacc = qVex- ΔE (14).
この陽子が、マグネツト2の磁場下に入る。ここで半円
軌道を描く。半円軌道の直径Lは、Eaの函数であつて、 である。半円軌道を描いた後、位置検出器5に入る。こ
れは、一次元的に多くのマイクロチヤンネルを有する検
出器である。マイクロチヤンネルは高い増幅率を持つて
おり、ひとつの陽子の入射により、PC〜100PC程度
の検出電流を生じる事ができる。This proton enters under the magnetic field of the magnet 2. Draw a semi-circle orbit here. The diameter L of the semi-circular orbit is a function of Ea, Is. After drawing a semi-circular orbit, the position detector 5 is entered. This is a detector with many microchannels in one dimension. The microchannel has a high amplification factor and can generate a detection current of about PC to 100PC by the injection of one proton.
エネルギーEaと、どのマイクロチヤンネルに入るかとい
う事は一対一の対応がある。There is a one-to-one correspondence between the energy Ea and which microchannel to enter.
マイクロチヤンネルごとの入射陽子数を積算し、これを
エネルギーEaによつて書き直すと、入射陽子のエネルギ
ースペクトルを得る。When the number of incident protons for each microchannel is integrated and rewritten by the energy Ea, the energy spectrum of the incident protons is obtained.
位置検出器の端から、マイクロチヤンネルまでの距離を
xとする。xの点にあり、幅dxのマイクロチヤンネル群
に入つた入射陽子数の積算値をf(x)とする。エネルギー
Eaに対するイールドY(Ea)とf(x)の間には Y(Ea)dEa=f(x)dx (16) L=L0+x (17) の関係がある。L0は、散乱陽子ビームがマグネツト磁場
下に入つた点から、位置検出器の端までのマグネツト辺
にそつた長さである。The distance from the end of the position detector to the microchannel is x. Let f (x) be the integrated value of the number of incident protons that enter the microchannel group of width dx at the point of x. energy
There is a relationship of Y (Ea) dEa = f (x) dx (16) L = L 0 + x (17) between the yield Y (Ea) and f (x) with respect to Ea. L 0 is the length along the magnet side from the point where the scattered proton beam enters the magnet field to the end of the position detector.
(15)〜(17)により、Eaに関するイールドY(Ea)を得る。
(14)によつて、EaをΔEによつて書きかえれば、ΔEに
対するスペクトラムY(ΔE)を得る事ができる。The yield Y (Ea) for Ea is obtained from (15) to (17).
By rewriting Ea by ΔE according to (14), the spectrum Y (ΔE) for ΔE can be obtained.
このような表面解析装置の構成と機能は従来どおりであ
る。位置検出器を用いて、陽子エネルギー分布を位置の
分布として求めるものをアナライザーという。ここに示
したものの他に電界によつてビームを曲げるアナライザ
ーもある。両者を組合せたアナライザーもある。The structure and function of such a surface analysis device are the same as before. An analyzer is a device that obtains the proton energy distribution as a position distribution using a position detector. In addition to the one shown here, there are analyzers that bend the beam by an electric field. There is also an analyzer that combines both.
本考案は、アクセプタンススリツト9に特徴がある。開
口15の他に測定器を設けたというのが第一の特徴であ
る。The present invention is characterized by the acceptance slit 9. The first feature is that a measuring device is provided in addition to the opening 15.
この他に、この例では、もうひとつの工夫がなされてい
る。散乱陽子を通す開口15のまわりに、試料10と開
口15の間の空間をほぼ包囲するように、二次電子収集
筒28を設けたという事である。In addition to this, another example is made in this example. That is, the secondary electron collecting cylinder 28 is provided around the opening 15 through which the scattered protons pass so as to substantially surround the space between the sample 10 and the opening 15.
二次電子収集筒28の近傍について、第5図に拡大断面
を示す。FIG. 5 shows an enlarged cross section of the vicinity of the secondary electron collecting cylinder 28.
絶縁物29を介して、二次電子収集筒28は、アクセプ
タンススリツト9の円弧板25に固着されている。円弧
板25は金属製で接地されている。試料10と、二次電
子収集筒28とは電気的に接続されており、電流計A0に
よつてイオン電流が測定される。The secondary electron collecting cylinder 28 is fixed to the circular arc plate 25 of the acceptance slit 9 via an insulator 29. The arc plate 25 is made of metal and is grounded. The sample 10 and the secondary electron collecting cylinder 28 are electrically connected to each other, and the ion current is measured by the ammeter A 0 .
電気的結線は模式的に示している。実際には、試料10
は、ホルダ12、マニピユレータ13を介して電流計A0
につながつている。The electrical connections are shown schematically. Actually, sample 10
Is an ammeter A 0 via the holder 12 and the manipulator 13.
Connected to.
二次電子収集筒28及び円弧板25は独立のリード線な
どにより、フイードスルー18を通して外部に取出され
る。そして、それぞれ、A0及びグランドに接続する。The secondary electron collecting cylinder 28 and the arc plate 25 are taken out to the outside through the feedthrough 18 by independent lead wires or the like. Then, they are connected to A 0 and ground, respectively.
二次電子収集筒28は、従来の表面解析装置のアクセプ
タンススリツトにはなかつたものである。The secondary electron collecting cylinder 28 is not the acceptance slit of the conventional surface analysis device.
これの機能を説明する。The function of this will be described.
陽子イオンが試料に当たる。多くの陽子は低角散乱(Θ
0)して、試料の中へ入りこむ。Θが90゜以下のもの
は試料にトラツプされる。Proton ions hit the sample. Many protons have low-angle scattering (Θ
0) and then enter the sample. If Θ is 90 ° or less, the sample is trapped.
試料に入つた陽子は、正の電荷を失い中性水素になる。
この時、この電荷が試料からグランドへ流れる。試料と
グランドの間に電流計を設ければ、 イオンビーム入射の強さをモニタできるわけである。The protons that enter the sample lose their positive charge and become neutral hydrogen.
At this time, this charge flows from the sample to the ground. If an ammeter is installed between the sample and the ground, the intensity of the ion beam incident can be monitored.
これは、試料へ入射するビームであるので、かなり大き
いnAの程度であつて、直接に検出することができる。Since this is the beam incident on the sample, it can be detected directly to the extent of a much larger nA.
もちろんΘ>90゜の陽子は、弾きかえされるので、この
陽子は中性化せず、試料に電荷を与えない。入射ビーム
のうち、Θ>90゜の陽子は上記の電流計にかからない。Of course, protons with Θ> 90 ° are repelled, so this proton does not neutralize and does not give a charge to the sample. Of the incident beam, protons with Θ> 90 ° do not reach the above ammeter.
しかし、Θ>90゜の陽子の数はΘ≦90゜の陽子に比べてず
つと小さいし、両者の間には正比例関係がある。このた
め、Θ>90゜の陽子の電荷を計測できないという事は、
あまり問題ではない。However, the number of protons with Θ> 90 ° is smaller than that with Θ ≦ 90 °, and there is a direct proportional relationship between them. Therefore, it is impossible to measure the charge of protons with Θ> 90 °.
It doesn't really matter.
むしろ、イオンビーム入射をモニタする際に問題となる
のは、二次電子の放出である。Rather, a problem when monitoring ion beam incidence is the emission of secondary electrons.
高いエネルギー(100keV)の陽子を試料に当てるのである
から、原子の外殻電子を散乱させてしまう。これらの電
子は、大部分が、短時間に原子模道に戻る。しかし、一
部は軌道を外れて、試料面から外部へとびだす。Since high-energy (100 keV) protons are applied to the sample, they scatter the outer shell electrons of the atom. Most of these electrons return to the atomic model in a short time. However, part of it goes off the orbit and jumps out from the sample surface.
二次電子放出量をIeとし、陽子の入射量をIpとする。試
料とグランドをつなぐ電流計に流れる電流は、これらの
和 Ie+Ip (18) となつてしまう。測定したいのはIpである。Ieはノイズ
である。Ieをカツトしなければ、正確なIpが分らない。Let the amount of secondary electron emission be Ie, and let the amount of incident protons be Ip. The current flowing in the ammeter that connects the sample and the ground becomes the sum of these Ie + Ip (18). What I want to measure is Ip. Ie is noise. If you don't cut Ie, you don't know the exact Ip.
従来のものにはこのような欠点があつた。Ie/Ipが小さ
ければあまり問題でない。しかし、物質により、この比
が大きいこともある。The conventional one has such drawbacks. If Ie / Ip is small, it does not matter much. However, depending on the material, this ratio can be large.
そこで、本考案に於ては、二次電子を収集するために二
次電子収集筒28を設けている。後方の穴30の後に試
料10がある。二次電子は前方へ出るが、加速電界が存
在しないので、殆ど全部が二次電子収集筒28に当りこ
れによつて吸収される。この電子は、電流計A0を通し
て、グランドへ流れる。電荷が負であるので、これによ
る電流は−Ieである。Therefore, in the present invention, the secondary electron collecting cylinder 28 is provided to collect the secondary electrons. After the rear hole 30 is the sample 10. Although the secondary electrons go forward, almost all of them hit the secondary electron collecting cylinder 28 and are absorbed by it because there is no accelerating electric field. This electron flows to ground through the ammeter A 0 . Since the charge is negative, the resulting current is -Ie.
試料からA0へ流れる電流は(18)に示すとおりであるか
ら、A0は A0=(Ie+Ip)−Ie (19) =Ip (20) となつて、Ieが打消される。こうして、入射陽子による
イオン電流Ipのみを測定できる。Since the current flowing from the sample to A 0 is as shown in (18), A 0 is A 0 = (Ie + Ip) −Ie (19) = Ip (20), and Ie is canceled. In this way, only the ion current Ip due to the incident proton can be measured.
次に、試料に陽子ビームを照射しない場合を、第2図、
第4図によつて説明する。Next, as shown in FIG. 2, when the sample is not irradiated with a proton beam,
This will be described with reference to FIG.
アクセプタンススリツトの円弧板25に広いビーム通し
穴36が穿たれている。この後方にフアラデーカツプを
置くのであるが、ここではさらに工夫がなされている。A wide beam through hole 36 is formed in the circular arc plate 25 of the acceptance slit. A Faraday cup is placed behind this, but it has been further devised here.
入射陽子ビームの量を計るだけであれば、単にカツプを
置いて、陽子ビームを捕集し、イオン電流を計ればよ
い。To measure the amount of the incident proton beam, simply place a cup, collect the proton beam, and measure the ion current.
第4図に示すように、ビーム通し穴36の後方に、絶縁
物37を介して、円環38が設けられる。円環38の中
央には奥通し穴40が穿たれる。奥通し穴40の直径
は、ビーム通し穴36の直径より小さい。As shown in FIG. 4, an annular ring 38 is provided behind the beam passage hole 36 via an insulator 37. A through hole 40 is formed in the center of the ring 38. The diameter of the back through hole 40 is smaller than the diameter of the beam through hole 36.
奥通し穴40の後方にフアラデーカツプ20が設けられ
る。The Faraday cup 20 is provided behind the back hole 40.
接地板39が、円環38とフアラデーカツプ20の間に
設けられる。A ground plate 39 is provided between the ring 38 and the Faraday cup 20.
平行陽子ビームがフアラデーカツプに入射する。フアラ
デーカツプの入射イオン電流は、電流計A1によつて検出
する。A parallel proton beam is incident on the Faraday cup. The incident ion current of the Faraday cup is detected by an ammeter A 1 .
平行陽子ビームに拡がりがあれば、円環38に入射する
ものもある。これは、電流計A2によつて検出できる。If the collimated proton beam has a divergence, some will enter the annulus 38. This can be detected by the ammeter A 2 .
もしも、陽子ビームが、定まつた分布型をもつていると
すれば、A1、A2の検出値により、陽子ビームの拡がり、
強度を計算する事ができる。If the proton beam has a fixed distribution type, the detected value of A 1 and A 2 spreads the proton beam,
The strength can be calculated.
そこで、A2/A1の値を一定にするようにすれば、ビーム
の拡がりを一定にする事ができる。Therefore, if the value of A 2 / A 1 is made constant, the divergence of the beam can be made constant.
ビームの拡がり、分布型は、イオン源やQレンズの調整
によつて変化させる事ができる。The divergence and distribution of the beam can be changed by adjusting the ion source and the Q lens.
ビーム拡がりを一定にするという事は、試料表面に原子
分布のばらつきがある場合、あるいは表面にパターンが
ある場合に於て、位置分解能を上げるために重要なこと
である。It is important to make the beam divergence constant in order to improve the position resolution when the sample surface has variations in atomic distribution or when there is a pattern on the surface.
(カ)作用 アクセプタンススリツト9の操作によつて、従来、シヤ
ツタ操作、アクセプタンススリツト操作と2つの操作を
必要としたものが、一動作によつてなされる。(F) Action The operation of the acceptance slit 9 conventionally requires two operations, a shutter operation and an acceptance slit operation, by one operation.
陽子ビーム経路に、測定器aを位置させると、ビームが
さえぎられて試料に入らない。つまりシヤツタとなる。
それだけでなく、入射陽子ビームを測定する事ができ
る。When the measuring instrument a is placed in the proton beam path, the beam is blocked and does not enter the sample. In other words, it becomes a shatter.
Not only that, it can measure the incident proton beam.
陽子ビーム経路に、開口15(b、c、…)を位置させ
ると、試料に陽子ビームが当たる。散乱ビームのうち、
どのような範囲(180゜−ε)までの散乱ビームを検出す
るかということは、開口15の大きさで決まる。目的に
応じて、開口の大きさを適当に設定する。When the openings 15 (b, c, ...) Are located in the proton beam path, the sample is hit by the proton beam. Out of the scattered beam
The size of the aperture 15 determines what range (180 ° −ε) the scattered beam is detected. The size of the opening is appropriately set according to the purpose.
(キ)効果 (1)散乱ビームの拡がり角(アクセプタンスアングル)
を決めるアクセプタンススリツト機構に、ビーム計測用
のフアラデーカツプをとりつけている。(G) Effect (1) Spread angle of scattered beam (acceptance angle)
The Faraday cup for beam measurement is attached to the acceptance slit mechanism that determines the.
ひとつの真空フイードスルーの回転によつて、拡がり角
の設定、ビーム電流の計測を行なう事ができる。By rotating one vacuum feedthrough, the divergence angle can be set and the beam current can be measured.
(2)シヤツタ用のフイードスルーが不要になるので、他
の測定機をとりつけることができる。(2) Since the feed through for the shutter is unnecessary, other measuring instruments can be installed.
(3)ビーム計測時は、フイードスルーを回転し、測定器
aが陽子ビーム経路上にくるようにする。(3) During beam measurement, rotate the feedthrough so that the measuring instrument a is on the proton beam path.
電流計A1にはビーム電流の大部分が流れ、残りが電流計
A2に流れる。Most of the beam current flows through the ammeter A 1 , and the rest is the ammeter.
It flows to A 2 .
A2/A1が小さいある一定値となるようにビームを調節す
る。こうすれば、所定のビームサイズを、試料面上で得
ることができる。Adjust the beam so that A 2 / A 1 is a small constant value. In this way, a predetermined beam size can be obtained on the sample surface.
(4)表面解析を行なう場合は、アクセプタンススリツト
を操作して、開口b、c、…が陽子ビーム経路に来るよ
うにする。開口の裏側に二次電子収集筒を設けて、二次
電子による電流を打消すようにしたので、正味の陽子イ
オン電流を測定することができる。(4) When performing surface analysis, operate the acceptance slits so that the openings b, c, ... Are in the proton beam path. Since the secondary electron collecting cylinder is provided on the back side of the opening so as to cancel the current due to the secondary electron, the net proton ion current can be measured.
第1図は本考案の表面解析装置の試料に陽子ビームを当
てている状態を示す全体構成図。 第2図は陽子ビーム量を計測している状態の超高真空チ
ヤンバのみの断面図。 第3図は本考案に於て用いるアクセプタンススリツトの
正面図。 第4図はビーム量計測装置部分の断面図。 第5図は試料計測を行なつている状態のアクセプタンス
スリツト断面図。 第6図は従来例の表面解析装置に於て試料計測時の超高
真空チヤンバ断面図。 第7図は従来例の表面解析装置に於てビーム計測を行な
つている時の超高真空チヤンバ断面図。 第8図は従来例のアクセプタンススリツト正面図。 1……イオン源 2……マグネツト 3……加減速管 4……Qレンズ 5……位置検出器 8……超高真空チヤンバ 9……アクセプタンススリツト 10……試料 11……オリフイス 12……ホルダ 13……マニピユレータ 14……シヤツタ 15……開口 18……フイードスルー 19……フイードスルー 20……フアラデーカツプ 22,23……スリツト 25……円弧板 26……連結棒 27……回転軸 28……二次電子収集筒 29……絶縁物 30……穴 31〜34……真空排気装置 36……ビーム通し穴 37……絶縁物 38……円環 39……接地板 40……奥通し穴FIG. 1 is an overall configuration diagram showing a state in which a proton beam is applied to a sample of the surface analysis device of the present invention. FIG. 2 is a sectional view of only the ultra-high vacuum chamber in which the proton beam amount is being measured. FIG. 3 is a front view of the acceptance slit used in the present invention. FIG. 4 is a sectional view of a beam amount measuring device portion. FIG. 5 is a cross-sectional view of the acceptance slit in the state where the sample is being measured. FIG. 6 is a cross-sectional view of an ultra-high vacuum chamber at the time of sample measurement in the conventional surface analyzer. FIG. 7 is a cross-sectional view of an ultra-high vacuum chamber when beam measurement is being performed by the conventional surface analysis device. FIG. 8 is a front view of an acceptance slot of a conventional example. 1 …… Ion source 2 …… Magnet 3 …… Acceleration / deceleration tube 4 …… Q lens 5 …… Position detector 8 …… Ultra high vacuum chamber 9 …… Acceptance slit 10 …… Sample 11 …… Olihus 12 …… Holder 13 …… Manipulator 14 …… Shutter 15 …… Opening 18 …… Feed through 19 …… Feed through 20 …… Faraday cup 22,23 …… Slit 25 …… Arc plate 26 …… Connecting rod 27 …… Rotating shaft 28 …… 2 Secondary electron collecting cylinder 29 …… Insulator 30 …… Hole 31… 34 …… Vacuum exhaust device 36 …… Beam through hole 37 …… Insulator 38 …… Circular 39 …… Grounding plate 40 …… Back hole
Claims (2)
源1と、真空中に於て陽子ビーム軌道を曲げるマグネツ
ト2と、真空中に於てマグネツト2を通つた陽子を加速
して試料に当て試料で散乱された陽子のうち、Θ180゜
の散乱角で散乱された陽子を減速する加減速管3と、真
空中に於て陽子ビームを絞るQレンズ4と、超高真空中
に於て試料10を保持する超高真空チヤンバ8と、試料
10の直前に設けられ入射陽子ビームを通し試料で散乱
された陽子ビームのうち散乱角Θが180゜−ε≦Θ≦180゜
のもののみを通す適数の開口15を有するアクセプタン
ススリツト9と、散乱され減速された陽子ビームの運動
エネルギー分布を測定するアナライザーとよりなる表面
解析装置において、アクセプタンススリツト9は回転で
きる円弧板25に散乱ビームを通す適当な拡り角2εを
持つた開口15と、ビーム計測のための計測器が設けら
れており開口15の背面には絶縁物29を介して二次電
子収集筒28が設けられ試料10のイオン電流と二次電
子収集筒28の二次電子電流とを相加して電流計A0で計
測できるようにした事を特徴とする表面解析装置。1. A sample by accelerating an ion source 1 for generating a proton beam in a vacuum, a magnet 2 for bending a proton beam orbit in a vacuum, and a proton passing through the magnet 2 in a vacuum. Acceleration / deceleration tube 3 that decelerates the protons scattered at a scattering angle of 180 ° among the protons scattered by the sample, Q lens 4 that narrows the proton beam in vacuum, and ultrahigh vacuum. And the ultra-high vacuum chamber 8 that holds the sample 10 and only the proton beam that is provided immediately before the sample 10 and is scattered by the sample through the incident proton beam and has a scattering angle Θ of 180 ° -ε ≦ Θ ≦ 180 °. In a surface analysis device including an acceptance slit 9 having an appropriate number of apertures 15 through which the light passes and an analyzer that measures the kinetic energy distribution of the scattered and decelerated proton beam, the acceptance slit 9 is scattered on a rotatable circular plate 25. An opening 15 having an appropriate divergence angle 2ε for passing the beam and a measuring instrument for beam measurement are provided, and a secondary electron collecting cylinder 28 is provided on the back surface of the opening 15 via an insulator 29. A surface analysis apparatus characterized in that the ion current of the sample 10 and the secondary electron current of the secondary electron collecting cylinder 28 are added so that the current can be measured by an ammeter A 0 .
ンススリツトのビーム通し穴36より小さい奥通し穴4
0を穿つた円環38と、円環38とアクセプタンススリ
ツト9の円弧板25とを連結する絶縁物37と、円環3
8の背後に設けられたフアラデーカツプ20と、フアラ
デーカツプの電流を測定する電流計A1と、円環38の電
流を測定する電流計A2とよりなる事を特徴とする実用新
案登録請求の範囲第(1)項記載の表面解析装置。2. A measuring instrument for beam measurement is a through hole 4 smaller than the beam through hole 36 of the acceptance slit.
A ring 38 having a hole 0, an insulator 37 connecting the ring 38 and the arc plate 25 of the acceptance slit 9, and the ring 3
The utility model registration claim characterized in that it comprises a Faraday cup 20 provided behind 8, an ammeter A 1 for measuring the current of the Faraday cup, and an ammeter A 2 for measuring the current of the ring 38. The surface analysis apparatus according to item (1).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15498187U JPH0622916Y2 (en) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | Surface analyzer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15498187U JPH0622916Y2 (en) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | Surface analyzer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0160452U JPH0160452U (en) | 1989-04-17 |
| JPH0622916Y2 true JPH0622916Y2 (en) | 1994-06-15 |
Family
ID=31432194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15498187U Expired - Lifetime JPH0622916Y2 (en) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | Surface analyzer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0622916Y2 (en) |
-
1987
- 1987-10-09 JP JP15498187U patent/JPH0622916Y2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0160452U (en) | 1989-04-17 |
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