JPH0247029U - - Google Patents
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- JPH0247029U JPH0247029U JP12564588U JP12564588U JPH0247029U JP H0247029 U JPH0247029 U JP H0247029U JP 12564588 U JP12564588 U JP 12564588U JP 12564588 U JP12564588 U JP 12564588U JP H0247029 U JPH0247029 U JP H0247029U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- opening
- support plate
- size
- cvd apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
第1図は、本考案に従つた、基板を支持した支
持板の斜視図である。第2図は、第1図の支持板
の断面図である。第3A図は、ベルジヤー型のC
VD装置に縦方向に間隔をおいて配置した複数の
支持板の部分断面図である。第3B図は、ホツト
ウオール型のCVD装置に横方向に間隔をおいて
位置した複数の支持板の部分断面図である。第4
図は、支持板を利用しないで複数の基板を保持す
るベルジヤー型のCVD装置の略示断面図である
。第5図は、支持板を利用しないで複数の基板を
保持するホツトウオール型のCVD装置の略示断
面図である。 主要符号の説明、1……石英管、2……支持体
、3……基板、21……支持板、22……基板、
23……開口、24……クリツプ、25……支持
体。
持板の斜視図である。第2図は、第1図の支持板
の断面図である。第3A図は、ベルジヤー型のC
VD装置に縦方向に間隔をおいて配置した複数の
支持板の部分断面図である。第3B図は、ホツト
ウオール型のCVD装置に横方向に間隔をおいて
位置した複数の支持板の部分断面図である。第4
図は、支持板を利用しないで複数の基板を保持す
るベルジヤー型のCVD装置の略示断面図である
。第5図は、支持板を利用しないで複数の基板を
保持するホツトウオール型のCVD装置の略示断
面図である。 主要符号の説明、1……石英管、2……支持体
、3……基板、21……支持板、22……基板、
23……開口、24……クリツプ、25……支持
体。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 処理すべき基板を支持する支持板であつて
、 前記基板とほぼ同程度の大きさの開口を中央に
有し、 前記基板を前記支持板から離して、前記開口上
に支持するための複数の基板支持用のクリツプを
その開口の周囲にそつて有する支持板。 (2) 処理すべき複数の基板を間隔をあけて平行
に配置し、それら基板にCVDにより薄膜を形成
するCVD装置において、 前記基板とほぼ同程度の大きさの開口を中央に
有し、前記基板を前記支持板から離して、前記開
口上に支持するための複数の基板支持用のクリツ
プをその開口の周囲にそつて有するところの複数
の支持板、および 該複数の支持板を一定間隔を置いて保持する保
持手段、 を含むことを特徴とするCVD装置。 (3) 請求項(2)に記載のCVD装置であつて、 前記基板上の薄膜の性質が、前記開口の大きさ
と前記基板の大きさとの差、前記基板からそのす
ぐ上の支持板までの距離、および前記支持板の大
きさと前記開口の大きさとの差によつて調整され
る、 ところのCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988125645U JPH0622980Y2 (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | Cvd装置における基板支持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988125645U JPH0622980Y2 (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | Cvd装置における基板支持装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0247029U true JPH0247029U (ja) | 1990-03-30 |
| JPH0622980Y2 JPH0622980Y2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=31376432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988125645U Expired - Fee Related JPH0622980Y2 (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | Cvd装置における基板支持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0622980Y2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006118215A1 (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
| WO2022137301A1 (ja) * | 2020-12-21 | 2022-06-30 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、基板保持具、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52139766U (ja) * | 1976-04-16 | 1977-10-22 | ||
| JPS5376396A (en) * | 1976-12-18 | 1978-07-06 | Agency Of Ind Science & Technol | Base plate securing jig for liquid phase epitaxial growth |
| JPS57164524A (en) * | 1981-04-02 | 1982-10-09 | Toshiba Corp | Vapor reaction for semiconductor wafer |
| JPS58108735A (ja) * | 1981-12-23 | 1983-06-28 | Fujitsu Ltd | 縦型反応管用バスケツト |
| JPS59117138U (ja) * | 1983-01-27 | 1984-08-07 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 半導体製造装置 |
| JPS611017A (ja) * | 1984-06-13 | 1986-01-07 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体基板の熱処理装置 |
| JPS6252929U (ja) * | 1985-09-21 | 1987-04-02 | ||
| JPS62142839U (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 | ||
| JPS62147332U (ja) * | 1987-03-12 | 1987-09-17 | ||
| JPH01168030A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-03 | Touyoko Kagaku Kk | 減圧気相成長方法 |
-
1988
- 1988-09-28 JP JP1988125645U patent/JPH0622980Y2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPS62147332U (ja) * | 1987-03-12 | 1987-09-17 | ||
| JPH01168030A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-03 | Touyoko Kagaku Kk | 減圧気相成長方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006118215A1 (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
| JPWO2006118215A1 (ja) * | 2005-04-28 | 2008-12-18 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
| WO2022137301A1 (ja) * | 2020-12-21 | 2022-06-30 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、基板保持具、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0622980Y2 (ja) | 1994-06-15 |
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Legal Events
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