JPH06230785A - 圧電ブザー - Google Patents
圧電ブザーInfo
- Publication number
- JPH06230785A JPH06230785A JP5013832A JP1383293A JPH06230785A JP H06230785 A JPH06230785 A JP H06230785A JP 5013832 A JP5013832 A JP 5013832A JP 1383293 A JP1383293 A JP 1383293A JP H06230785 A JPH06230785 A JP H06230785A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- buzzer
- piezoelectric
- electrode
- piezoelectric element
- impedance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高調波発振を防止してブザー動作の信頼性向
上を図った圧電ブザーを提供する。 【構成】 本圧電ブザー１０は、主電極Ａ，共通電極Ｂ
及び帰還電極Ｃを備えた３端子型の圧電素子３と、複数
の抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 と、高入力インピーダンスを有
するエンハンスメント形ＦＥＴ（増幅素子）１２と有す
る。増幅素子として高入力インピーダンスの素子を用い
ることにより、当該圧電ブザー１０の高調波発振を防止
できるので、ブザー動作の信頼性向上を図れる。
上を図った圧電ブザーを提供する。 【構成】 本圧電ブザー１０は、主電極Ａ，共通電極Ｂ
及び帰還電極Ｃを備えた３端子型の圧電素子３と、複数
の抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 と、高入力インピーダンスを有
するエンハンスメント形ＦＥＴ（増幅素子）１２と有す
る。増幅素子として高入力インピーダンスの素子を用い
ることにより、当該圧電ブザー１０の高調波発振を防止
できるので、ブザー動作の信頼性向上を図れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、圧電ブザーに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の圧電ブザーの駆動回路の一例を図
６に示し、３端子型圧電素子の等価回路を図７に示す。
６に示し、３端子型圧電素子の等価回路を図７に示す。
【０００３】同図に示す圧電ブザー１は、自励振タイプ
・ブザーであり、以下のように動作する。
・ブザーであり、以下のように動作する。
【０００４】同図中Ｖｃｃで示す直流電圧が入力接点２
とＧＮＤ間に印加されると、圧電素子３に電圧が印加さ
れ、圧電素子３が直ちに充電される。そして、べース電
流がバイアス抵抗Ｒ1 及びベース抵抗Ｒ2 を通してトラ
ンジスタＴｒに流れ、このトランジスタＴｒは、直ちに
オンする。
とＧＮＤ間に印加されると、圧電素子３に電圧が印加さ
れ、圧電素子３が直ちに充電される。そして、べース電
流がバイアス抵抗Ｒ1 及びベース抵抗Ｒ2 を通してトラ
ンジスタＴｒに流れ、このトランジスタＴｒは、直ちに
オンする。
【０００５】これと同時に圧電素子３の主電極Ａ・共通
電極Ｂ間に放電電流が流れ始め、圧電素子３の帰還電極
Ｃには正の電圧が誘起され、その電圧がトランジスタＴ
ｒのベースに印加されるため、トランジスタＴｒは、継
続してオンし続ける。
電極Ｂ間に放電電流が流れ始め、圧電素子３の帰還電極
Ｃには正の電圧が誘起され、その電圧がトランジスタＴ
ｒのベースに印加されるため、トランジスタＴｒは、継
続してオンし続ける。
【０００６】そしてその放電電流が減少して圧電素子３
の帰還電極Ｃに誘起される電圧が、トランジスタＴｒの
ベース・エミッタ飽和電圧（ＶBE(sat) ）以下となり、
トランジスタＴｒをオフさせる。
の帰還電極Ｃに誘起される電圧が、トランジスタＴｒの
ベース・エミッタ飽和電圧（ＶBE(sat) ）以下となり、
トランジスタＴｒをオフさせる。
【０００７】すると今度は、圧電素子３の主電極Ａ・共
通電極Ｂ間に充電電流が流れ始め、帰還電極Ｃには負の
電圧が誘起され、トランジスタＴｒのベース電圧ＶBEを
さらに引き下げるため、しばらくの間トランジスタＴｒ
がオフし続ける。そして、圧電素子３の充電電流が減少
してトランジスタＴｒのベース電圧ＶBEがベース・エミ
ッタ（ＶBE(sat) ）以上となり、再びトランジスタＴｒ
をオフさせる。以後この素子３の充放電動作を繰り返し
行うことにより、連続鳴動発振することになる。
通電極Ｂ間に充電電流が流れ始め、帰還電極Ｃには負の
電圧が誘起され、トランジスタＴｒのベース電圧ＶBEを
さらに引き下げるため、しばらくの間トランジスタＴｒ
がオフし続ける。そして、圧電素子３の充電電流が減少
してトランジスタＴｒのベース電圧ＶBEがベース・エミ
ッタ（ＶBE(sat) ）以上となり、再びトランジスタＴｒ
をオフさせる。以後この素子３の充放電動作を繰り返し
行うことにより、連続鳴動発振することになる。
【０００８】ここで、圧電素子３の主電極Ａ・共通電極
Ｂ間と帰還電極Ｃ・共通電極Ｂ間の伝送特性（帰還電極
・共通電極間電圧Ｖ2 ）／（主電極・共通電極間電圧Ｖ
1 ）を図４及び図５に示す。
Ｂ間と帰還電極Ｃ・共通電極Ｂ間の伝送特性（帰還電極
・共通電極間電圧Ｖ2 ）／（主電極・共通電極間電圧Ｖ
1 ）を図４及び図５に示す。
【０００９】図４から圧電素子３の帰還電極Ｃに誘起さ
れる電圧は、基本波の他に高調波成分を含んでいること
が分かる。通常は、同図に示すように、基本波が高調波
に比べて大きく、高調波により帰還電極Ｃに誘起される
電圧は無視できるので、基本波で鳴動する。図６に示す
駆動回路では、基本波と高調波のゲインが同程度なら図
５に示すように発振のための位相条件を基本波，高調波
と共に満たしているので基本波に高調波が乗った形で動
作する。このため、トランジスタＴｒの動作は複雑にな
るが、高調波成分は通常人間の耳には聞こえない範囲に
あるので、ブザーとしては、基本波で聞こえて正常に動
作することになる。
れる電圧は、基本波の他に高調波成分を含んでいること
が分かる。通常は、同図に示すように、基本波が高調波
に比べて大きく、高調波により帰還電極Ｃに誘起される
電圧は無視できるので、基本波で鳴動する。図６に示す
駆動回路では、基本波と高調波のゲインが同程度なら図
５に示すように発振のための位相条件を基本波，高調波
と共に満たしているので基本波に高調波が乗った形で動
作する。このため、トランジスタＴｒの動作は複雑にな
るが、高調波成分は通常人間の耳には聞こえない範囲に
あるので、ブザーとしては、基本波で聞こえて正常に動
作することになる。
【００１０】なお、図６に示す駆動回路では、一般に、
Ｒ1 に１００ｋΩ程度，Ｒ2 に数ｋΩ，Ｒ3 に数百Ωが
用いられる。
Ｒ1 に１００ｋΩ程度，Ｒ2 に数ｋΩ，Ｒ3 に数百Ωが
用いられる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】圧電素子３自体は、通
常、図４に示すように基本波と高調波にゲインの差（例
えば、２０ｄＢ）があるので、増幅素子の増幅度を選択
することによって、圧電ブザー１は基本波で動作する。
常、図４に示すように基本波と高調波にゲインの差（例
えば、２０ｄＢ）があるので、増幅素子の増幅度を選択
することによって、圧電ブザー１は基本波で動作する。
【００１２】しかしながら、圧電素子３の帰還電極Ｃ・
共通電極Ｂ間にインピーダンスが接続されると、図４に
示すゲインは、減少する。通常の圧電ブザー１の駆動回
路は、図６に示すような構成となっているため、圧電素
子３の帰還電極Ｃ・共通電極Ｂ間に接続される等価イン
ピーダンスは、基本周波数において圧電素子３自体のイ
ンピーダンスに比べて低いので、圧電素子３の伝送特性
の基本波と高調波のゲインの差が小さくなってしまう。
共通電極Ｂ間にインピーダンスが接続されると、図４に
示すゲインは、減少する。通常の圧電ブザー１の駆動回
路は、図６に示すような構成となっているため、圧電素
子３の帰還電極Ｃ・共通電極Ｂ間に接続される等価イン
ピーダンスは、基本周波数において圧電素子３自体のイ
ンピーダンスに比べて低いので、圧電素子３の伝送特性
の基本波と高調波のゲインの差が小さくなってしまう。
【００１３】このため、圧電ブザー１に印加される音響
インピーダンス等が変化すると基本波のゲインが減少し
（高調波は、ほとんど変化しない）、この減少分が大き
くなりトランジスタＴｒで増幅しきれなくなると、圧電
ブザーは動作を停止するか、又は高調波発振を起こし
て、ブザーの音が聞こえなくなり、圧電ブザーとして機
能しなくなるという問題があった。
インピーダンス等が変化すると基本波のゲインが減少し
（高調波は、ほとんど変化しない）、この減少分が大き
くなりトランジスタＴｒで増幅しきれなくなると、圧電
ブザーは動作を停止するか、又は高調波発振を起こし
て、ブザーの音が聞こえなくなり、圧電ブザーとして機
能しなくなるという問題があった。
【００１４】そこで、本発明は、上記事情に鑑みてなさ
れたものであり、高調波発振を防止してブザー動作の信
頼性向上を図った圧電ブザーを提供することを目的とす
る。
れたものであり、高調波発振を防止してブザー動作の信
頼性向上を図った圧電ブザーを提供することを目的とす
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１記載の圧電ブザーは、主電極，共通電極及び
帰還電極を備えた３端子型の圧電素子と、増幅素子とを
有する圧電ブザーにおいて、前記増幅素子として高入力
インピーダンスの素子を用いることを特徴とするもので
ある。
に請求項１記載の圧電ブザーは、主電極，共通電極及び
帰還電極を備えた３端子型の圧電素子と、増幅素子とを
有する圧電ブザーにおいて、前記増幅素子として高入力
インピーダンスの素子を用いることを特徴とするもので
ある。
【００１６】また、請求項２記載の圧電ブザーは、当該
圧電ブザーの鳴動周波数における前記圧電素子の帰還電
極・共通電極間に接続されるインピーダンスを、該電極
間のインピーダンスの１／２以上としたことを特徴とす
るものである。
圧電ブザーの鳴動周波数における前記圧電素子の帰還電
極・共通電極間に接続されるインピーダンスを、該電極
間のインピーダンスの１／２以上としたことを特徴とす
るものである。
【００１７】
【作用】上記構成の請求項１記載の圧電ブザーによれ
ば、増幅素子として高入力インピーダンスの素子を用い
ることにより、当該圧電ブザーの高調波発振を防止でき
るので、ブザー動作の信頼性向上を図れる。
ば、増幅素子として高入力インピーダンスの素子を用い
ることにより、当該圧電ブザーの高調波発振を防止でき
るので、ブザー動作の信頼性向上を図れる。
【００１８】また、請求項２記載の圧電ブザーによれ
ば、圧電素子の帰還電極・共通電極間に接続されるイン
ピーダンスを、該電極間のインピーダンスの１／２以上
としたことにより、音響インピーダンス等の変化により
基本波のゲインが減少しても、基本波のゲインが高調波
のゲインより小さくならないため、当該圧電ブザーの高
調波発振を防止できるので、ブザー動作の信頼性向上を
図れる。
ば、圧電素子の帰還電極・共通電極間に接続されるイン
ピーダンスを、該電極間のインピーダンスの１／２以上
としたことにより、音響インピーダンス等の変化により
基本波のゲインが減少しても、基本波のゲインが高調波
のゲインより小さくならないため、当該圧電ブザーの高
調波発振を防止できるので、ブザー動作の信頼性向上を
図れる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳述
する。
する。
【００２０】図１は本発明の圧電ブザーの第１の実施例
を示す駆動回路である。
を示す駆動回路である。
【００２１】同図に示す第１の実施例の圧電ブザー１０
は、主電極Ａ，共通電極Ｂ及び帰還電極Ｃを備えた３端
子型の圧電素子３と、複数の抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 と、
増幅素子としてのエンハンスメント形ＦＥＴ（電界効果
トランジスタ）１２とを有して構成されている。
は、主電極Ａ，共通電極Ｂ及び帰還電極Ｃを備えた３端
子型の圧電素子３と、複数の抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 と、
増幅素子としてのエンハンスメント形ＦＥＴ（電界効果
トランジスタ）１２とを有して構成されている。
【００２２】前記ＦＥＴ１２は、高入力インピーダンス
の素子であり、そのドレン・ゲート間に抵抗Ｒ1 を接続
し、ソース・ゲート間に抵抗Ｒ2 を接続している。
の素子であり、そのドレン・ゲート間に抵抗Ｒ1 を接続
し、ソース・ゲート間に抵抗Ｒ2 を接続している。
【００２３】このＦＥＴ１２に接続された抵抗Ｒ1 ，Ｒ
2 は、ＦＥＴ１２の入力インピーダンスすなわち圧電素
子３の帰還電極Ｃ・共通電極Ｂ間の等価インピーダンス
が該電極Ｃ，Ｂ間のインピーダンスの１／２以上となる
ようにその抵抗値を選定する必要がある。なお、ＦＥＴ
１２の入力インピーダンスは、Ｒ1 ＊Ｒ2 ／（Ｒ1 ＋Ｒ
2 ）で表される。
2 は、ＦＥＴ１２の入力インピーダンスすなわち圧電素
子３の帰還電極Ｃ・共通電極Ｂ間の等価インピーダンス
が該電極Ｃ，Ｂ間のインピーダンスの１／２以上となる
ようにその抵抗値を選定する必要がある。なお、ＦＥＴ
１２の入力インピーダンスは、Ｒ1 ＊Ｒ2 ／（Ｒ1 ＋Ｒ
2 ）で表される。
【００２４】圧電ブザー１０の大きさ，構造等により異
なるが、通常、圧電素子３に回路を接続しない状態で
は、基本波と高調波のゲインの差は、２０ｄＢ以上あ
る。圧電素子３の帰還電極Ｃ・共通電極Ｂ間に該電極
Ｃ，Ｂ間のインピーダンスの１／２の値の抵抗を接続す
ると、圧電素子３に何も接続しない場合より、基本波の
ゲインが約１０ｄＢ低くなり、高調波とのゲイン差が約
１０ｄＢ狭くなる。一方、音響インピーダンス等の変化
による基本波のゲインの減少は、数ｄＢ程度である。従
って、ＦＥＴ１２の入力インピーダンスを、圧電素子３
の帰還電極Ｃ・共通電極Ｂ間のインピーダンスの１／２
以上とすることにより、基本波のゲインが高調波のゲイ
ンより小さくならないため、高調波発振を防止できる。
なるが、通常、圧電素子３に回路を接続しない状態で
は、基本波と高調波のゲインの差は、２０ｄＢ以上あ
る。圧電素子３の帰還電極Ｃ・共通電極Ｂ間に該電極
Ｃ，Ｂ間のインピーダンスの１／２の値の抵抗を接続す
ると、圧電素子３に何も接続しない場合より、基本波の
ゲインが約１０ｄＢ低くなり、高調波とのゲイン差が約
１０ｄＢ狭くなる。一方、音響インピーダンス等の変化
による基本波のゲインの減少は、数ｄＢ程度である。従
って、ＦＥＴ１２の入力インピーダンスを、圧電素子３
の帰還電極Ｃ・共通電極Ｂ間のインピーダンスの１／２
以上とすることにより、基本波のゲインが高調波のゲイ
ンより小さくならないため、高調波発振を防止できる。
【００２５】図２は本発明の圧電ブザーの第２の実施例
を示す駆動回路である。
を示す駆動回路である。
【００２６】同図に示す第２の実施例の圧電ブザー２０
は、図１に示す抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 の接続を変更したもので
ある。通常、抵抗Ｒ2 に大きな抵抗値を有するものが用
いられるので、これにより第１の実施例と同様に圧電素
子３の帰還電極Ｃ・共通電極Ｂ間の等価インピーダンス
を大きくできる。
は、図１に示す抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 の接続を変更したもので
ある。通常、抵抗Ｒ2 に大きな抵抗値を有するものが用
いられるので、これにより第１の実施例と同様に圧電素
子３の帰還電極Ｃ・共通電極Ｂ間の等価インピーダンス
を大きくできる。
【００２７】図３は本発明の圧電ブザーの第３の実施例
を示す駆動回路である。
を示す駆動回路である。
【００２８】同図に示す第３の実施例の圧電ブザー３０
は、増幅素子としてトランジスタＴＲを用い、このトラ
ンジスタＴＲのコレクタ・ベース間にバイアス抵抗Ｒ1
とベース抵抗Ｒ2 を直列接続し、コレクタ・エミッタ間
に圧電素子３の主電極Ａを接続し、バイアス抵抗Ｒ1 と
ベース抵抗Ｒ2 との接続点に圧電素子３の帰還電極Ｃを
接続したものである。当該圧電ブザー３０の鳴動周波数
におけるベース抵抗Ｒ2 のインピーダンスを、第１の実
施例と同様に圧電素子３の帰還電極Ｃ・共通電極Ｂ間の
インピーダンスの１／２以上となるようにしている。
は、増幅素子としてトランジスタＴＲを用い、このトラ
ンジスタＴＲのコレクタ・ベース間にバイアス抵抗Ｒ1
とベース抵抗Ｒ2 を直列接続し、コレクタ・エミッタ間
に圧電素子３の主電極Ａを接続し、バイアス抵抗Ｒ1 と
ベース抵抗Ｒ2 との接続点に圧電素子３の帰還電極Ｃを
接続したものである。当該圧電ブザー３０の鳴動周波数
におけるベース抵抗Ｒ2 のインピーダンスを、第１の実
施例と同様に圧電素子３の帰還電極Ｃ・共通電極Ｂ間の
インピーダンスの１／２以上となるようにしている。
【００２９】なお、本発明は上記実施例に限定されず、
その要旨を変更しない範囲内で種々に変形実施可能であ
る。
その要旨を変更しない範囲内で種々に変形実施可能であ
る。
【００３０】
【発明の効果】上述したように請求項１記載の発明によ
れば、増幅素子として高入力インピーダンスの素子を用
いているので、高調波発振を防止してブザー動作の信頼
性向上を図った圧電ブザーを提供することができる。
れば、増幅素子として高入力インピーダンスの素子を用
いているので、高調波発振を防止してブザー動作の信頼
性向上を図った圧電ブザーを提供することができる。
【００３１】請求項２記載の発明によれば、圧電素子の
帰還電極・共通電極間に接続されるインピーダンスを、
該電極間のインピーダンスの１／２以上としているの
で、高調波発振を防止してブザー動作の信頼性向上を図
った圧電ブザーを提供することができる。
帰還電極・共通電極間に接続されるインピーダンスを、
該電極間のインピーダンスの１／２以上としているの
で、高調波発振を防止してブザー動作の信頼性向上を図
った圧電ブザーを提供することができる。
【図１】本発明の圧電ブザーの第１の実施例を示す駆動
回路である。
回路である。
【図２】本発明の圧電ブザーの第２の実施例を示す駆動
回路である。
回路である。
【図３】本発明の圧電ブザーの第３の実施例を示す駆動
回路である。
回路である。
【図４】圧電素子の伝送特性（ゲイン）を示すグラフで
ある。
ある。
【図５】圧電素子の伝送特性（位相）を示すグラフであ
る。
る。
【図６】従来の圧電ブザーの一例を示す駆動回路であ
る。
る。
【図７】３端子型圧電素子の等価回路である。
３ 圧電素子 １０，２０，３０ 圧電ブザー １２ ＦＥＴ（増幅素子） Ａ 圧電素子の主電極 Ｂ 圧電素子の共通電極 Ｃ 圧電素子の帰還電極 Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 抵抗 Ｔｒ トランジスタ（増幅素子）
Claims (2)
- 【請求項１】 主電極，共通電極及び帰還電極を備えた
３端子型の圧電素子と、増幅素子とを有する圧電ブザー
において、前記増幅素子として高入力インピーダンスの
素子を用いることを特徴とする圧電ブザー。 - 【請求項２】 当該圧電ブザーの鳴動周波数における前
記圧電素子の帰還電極・共通電極間に接続されるインピ
ーダンスを、該電極間のインピーダンスの１／２以上と
したことを特徴とする請求項１記載の圧電ブザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01383293A JP3267721B2 (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 圧電ブザー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01383293A JP3267721B2 (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 圧電ブザー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06230785A true JPH06230785A (ja) | 1994-08-19 |
| JP3267721B2 JP3267721B2 (ja) | 2002-03-25 |
Family
ID=11844250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01383293A Expired - Lifetime JP3267721B2 (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 圧電ブザー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3267721B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7670407B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-03-02 | Peruke (Proprietary) Limited | Method of producing titanium |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103456289A (zh) * | 2013-08-05 | 2013-12-18 | 创正防爆电器有限公司 | 安全型压电式蜂鸣器 |
-
1993
- 1993-01-29 JP JP01383293A patent/JP3267721B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7670407B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-03-02 | Peruke (Proprietary) Limited | Method of producing titanium |
| US7846232B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-12-07 | Adams & Adams | Method of producing titanium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3267721B2 (ja) | 2002-03-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4015215A (en) | Push-pull power amplifier circuit | |
| US4367419A (en) | Analog switch | |
| JP3267721B2 (ja) | 圧電ブザー | |
| US5745587A (en) | Hearing aid amplifier circuitry | |
| JPH08213849A (ja) | 音声ミュート回路 | |
| JPH06242785A (ja) | 圧電ブザー装置 | |
| JPH0145150Y2 (ja) | ||
| JPH0417562B2 (ja) | ||
| JP2982326B2 (ja) | 直流帰還増幅器 | |
| JPS6214725Y2 (ja) | ||
| JPH08331688A (ja) | 音声ミュート回路 | |
| JPS6029276Y2 (ja) | スピ−カ駆動回路 | |
| JPS6042644B2 (ja) | 電力増幅器 | |
| JP2793071B2 (ja) | ポップ音防止回路 | |
| JPS6119548Y2 (ja) | ||
| JPH0946149A (ja) | 音声ミュート回路 | |
| JPS5931045Y2 (ja) | 帰還増幅回路 | |
| JPH0370924B2 (ja) | ||
| JPH0413848Y2 (ja) | ||
| JPS6019413Y2 (ja) | ボタン電話アンプ起動回路 | |
| GB1582449A (en) | Class b amplifier | |
| JPH0451787B2 (ja) | ||
| JP2003152463A (ja) | 他励式パルス幅変調型ｄ級電力増幅器 | |
| JPS6315506A (ja) | 電力増幅回路 | |
| JP2003264450A (ja) | 可変減衰回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20011225 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090111 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100111 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120111 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120111 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130111 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130111 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140111 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140111 Year of fee payment: 12 |