JPH06231730A - Ｐｔ膜形成用下地ペースト及びＰｔ膜形成方法 - Google Patents
Ｐｔ膜形成用下地ペースト及びＰｔ膜形成方法Info
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- JPH06231730A JPH06231730A JP3393693A JP3393693A JPH06231730A JP H06231730 A JPH06231730 A JP H06231730A JP 3393693 A JP3393693 A JP 3393693A JP 3393693 A JP3393693 A JP 3393693A JP H06231730 A JPH06231730 A JP H06231730A
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- Japan
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- paste
- film
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- fine powder
- alumina
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- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高純度アルミナ母材とＰt膜との接合強度を
高める。 【構成】 Ｐt膜６絶縁キャップ３表面に下地層１０を
介して形成されている。この下地層１０はＰt粒子１１
間にＡl2Ｏ3粒子１２が混在し、Ａl2Ｏ3粒子１２が絶縁
キャップ３を構成するアルミナ母材と結合し、Ｐt粒子
１１がＰt膜６と溶融結合している。
高める。 【構成】 Ｐt膜６絶縁キャップ３表面に下地層１０を
介して形成されている。この下地層１０はＰt粒子１１
間にＡl2Ｏ3粒子１２が混在し、Ａl2Ｏ3粒子１２が絶縁
キャップ３を構成するアルミナ母材と結合し、Ｐt粒子
１１がＰt膜６と溶融結合している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高純度のアルミナ母材上
に形成するＰt膜の接合強度を高めるための下地層の組
成及びＰt膜の形成方法に関する。
に形成するＰt膜の接合強度を高めるための下地層の組
成及びＰt膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高純度アルミナ母材上にＰt膜を導電性
膜や回路として形成することが、ハイブリッドＩＣ、セ
ンサー等において従来から行なわれている。斯かるＰt
膜の形成方法として従来からケミカルボンド法とアンカ
ーボンド法がある。ケミカルボンド法は粒径１〜２μｍ
のＰt微粉末にＣu、Ｃr、Ｎi等を微量添加し、これをビ
ヒクル、有機溶剤等ともに混練してペースト状にし、ア
ルミナ母材表面にスクリーン印刷した後、９００〜１２
００℃で焼成する方法であり、この方法では添加したＣ
u、Ｃr、ＮiがＰt微粒子とアルミナとを結合する。アン
カーボンド法はＣu、Ｃr、Ｎi等を添加せずにペースト
状にし、アルミナ母材表面に印刷した後に焼成する方法
であり、この方法ではアルミナ母材表面の微細な凹凸に
ペーストが入り込んで結合が行なわれる。
膜や回路として形成することが、ハイブリッドＩＣ、セ
ンサー等において従来から行なわれている。斯かるＰt
膜の形成方法として従来からケミカルボンド法とアンカ
ーボンド法がある。ケミカルボンド法は粒径１〜２μｍ
のＰt微粉末にＣu、Ｃr、Ｎi等を微量添加し、これをビ
ヒクル、有機溶剤等ともに混練してペースト状にし、ア
ルミナ母材表面にスクリーン印刷した後、９００〜１２
００℃で焼成する方法であり、この方法では添加したＣ
u、Ｃr、ＮiがＰt微粒子とアルミナとを結合する。アン
カーボンド法はＣu、Ｃr、Ｎi等を添加せずにペースト
状にし、アルミナ母材表面に印刷した後に焼成する方法
であり、この方法ではアルミナ母材表面の微細な凹凸に
ペーストが入り込んで結合が行なわれる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＰt膜
形成方法にあっては、アルミナ母材との結合力が弱く、
剥離を生じやすい。特に高純度アルミナ母材表面は極め
て平滑で凹凸がないため、アンカーボンド法で形成した
Ｐt膜は簡単に剥がれてしまう。
形成方法にあっては、アルミナ母材との結合力が弱く、
剥離を生じやすい。特に高純度アルミナ母材表面は極め
て平滑で凹凸がないため、アンカーボンド法で形成した
Ｐt膜は簡単に剥がれてしまう。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明は、高純度アルミナ母材とＰt膜との間にこれらを
結合するための下地層を設け、この下地層をＰt微粉末
が１００重量部、高純度アルミナ微粉末が５〜１５重量
部からなるものとし、更に高純度アルミナ母材が既焼成
の場合には中間層として上記の組成にＳiＯ2微粉末を
２．５〜１０重量部添加したものとした。
発明は、高純度アルミナ母材とＰt膜との間にこれらを
結合するための下地層を設け、この下地層をＰt微粉末
が１００重量部、高純度アルミナ微粉末が５〜１５重量
部からなるものとし、更に高純度アルミナ母材が既焼成
の場合には中間層として上記の組成にＳiＯ2微粉末を
２．５〜１０重量部添加したものとした。
【０００５】
【作用】高純度アルミナ母材の表面に高純度アルミナ微
粉末を含む下地ペーストを塗布し、この下地ペースト上
にＰtペーストを重ねて塗布し、これら下地ペーストと
Ｐtペーストを同時に焼成する。
粉末を含む下地ペーストを塗布し、この下地ペースト上
にＰtペーストを重ねて塗布し、これら下地ペーストと
Ｐtペーストを同時に焼成する。
【０００６】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここで、図１は本発明を適用したメタルハラ
イドランプの封止部の断面図、図２は図１の要部拡大図
であり、メタルハライドランプは透光性の発光管１の開
口２を絶縁キャップ３で閉塞し、この絶縁キャップ３の
内側面にタングステン製の内側電極４を、外側面に外側
電極（リード）５をそれぞれ圧入し、これら内側電極４
と外側電極５とを本発明に係る方法で形成したＰt膜６
にて導通している。
説明する。ここで、図１は本発明を適用したメタルハラ
イドランプの封止部の断面図、図２は図１の要部拡大図
であり、メタルハライドランプは透光性の発光管１の開
口２を絶縁キャップ３で閉塞し、この絶縁キャップ３の
内側面にタングステン製の内側電極４を、外側面に外側
電極（リード）５をそれぞれ圧入し、これら内側電極４
と外側電極５とを本発明に係る方法で形成したＰt膜６
にて導通している。
【０００７】また、絶縁キャップ３の表面と対向する開
口２の表面にも本発明に係る方法によってＰt膜７を形
成し、これらＰt膜６，７間にＡu系、Ｐd系或いはＰt系
等の低融点貴金属ろう材８が封止材として介在し、更に
絶縁キャップ３の内端面にはバックアークを防止するた
めの絶縁プレート９を設けている。
口２の表面にも本発明に係る方法によってＰt膜７を形
成し、これらＰt膜６，７間にＡu系、Ｐd系或いはＰt系
等の低融点貴金属ろう材８が封止材として介在し、更に
絶縁キャップ３の内端面にはバックアークを防止するた
めの絶縁プレート９を設けている。
【０００８】ところで、前記発光管１及び絶縁キャップ
３はいずれも純度９６％以上のアルミナ微粉末を原料と
した高純度アルミナ母材であり、発光管１については封
止前から焼成されており、絶縁キャップ３についてはＰ
t膜６の焼成と同時に焼成される。
３はいずれも純度９６％以上のアルミナ微粉末を原料と
した高純度アルミナ母材であり、発光管１については封
止前から焼成されており、絶縁キャップ３についてはＰ
t膜６の焼成と同時に焼成される。
【０００９】また、Ｐt膜６は図２に示すように絶縁キ
ャップ３表面に下地層１０を介して形成されている。こ
の下地層１０はＰt粒子１１間にＡl2Ｏ3粒子１２が混在
し、Ａl2Ｏ3粒子１２が絶縁キャップ３を構成するアル
ミナ母材と結合し、Ｐt粒子１１がＰt膜６と溶融結合し
ている。尚、発光管１とＰt膜７との間にも同様の下地
層が介在しているが、この下地層にはＰt粒子間にＡl2
Ｏ3粒子の他にＳiＯ2粒子も混在している。
ャップ３表面に下地層１０を介して形成されている。こ
の下地層１０はＰt粒子１１間にＡl2Ｏ3粒子１２が混在
し、Ａl2Ｏ3粒子１２が絶縁キャップ３を構成するアル
ミナ母材と結合し、Ｐt粒子１１がＰt膜６と溶融結合し
ている。尚、発光管１とＰt膜７との間にも同様の下地
層が介在しているが、この下地層にはＰt粒子間にＡl2
Ｏ3粒子の他にＳiＯ2粒子も混在している。
【００１０】以下に上記の下地層及びＰt膜を形成する
方法の一例を述べる。先ず、下地層を形成するための下
地ペーストを調製する。下地ペーストとしては未焼成の
アルミナからなる絶縁キャップ３用と既焼成のアルミナ
からなる発光管１用との２種類を調製する。
方法の一例を述べる。先ず、下地層を形成するための下
地ペーストを調製する。下地ペーストとしては未焼成の
アルミナからなる絶縁キャップ３用と既焼成のアルミナ
からなる発光管１用との２種類を調製する。
【００１１】未焼成のアルミナ母材用の下地ペースト
は、粒径１〜２μｍ程度のＰt微粉末を１００重量部、
粒径０．１μｍ以下で純度９６％以上（好ましくは９
９．９９％）のＡl2Ｏ3微粉末を５〜１５重量部用意
し、これらをビヒクル及び有機溶剤とともに混練してペ
ースト状にする。
は、粒径１〜２μｍ程度のＰt微粉末を１００重量部、
粒径０．１μｍ以下で純度９６％以上（好ましくは９
９．９９％）のＡl2Ｏ3微粉末を５〜１５重量部用意
し、これらをビヒクル及び有機溶剤とともに混練してペ
ースト状にする。
【００１２】また、既焼成のアルミナ母材用の下地ペー
ストは、上記のＰt微粉末及びＡl2Ｏ3粒子の他にＳiＯ2
粒子を２．５〜２０重量部添加し、これらをビヒクル及
び有機溶剤とともに混練してペースト状にする。
ストは、上記のＰt微粉末及びＡl2Ｏ3粒子の他にＳiＯ2
粒子を２．５〜２０重量部添加し、これらをビヒクル及
び有機溶剤とともに混練してペースト状にする。
【００１３】そして、未焼成のアルミナ母材上に下地層
及びＰt膜を形成するには、先ず下地ペーストをスクリ
ーン印刷或いは筆塗り等によって所定厚さ塗布し、次い
で、この下地ペーストを１５０℃で１０分間乾燥させ、
この後下地ペーストの上に純度１００％のＰtペースト
を塗布して乾燥させ、而る後、未焼成のアルミナ母材と
ともに１５００〜１６５０℃で２時間程度同時に焼成す
る。
及びＰt膜を形成するには、先ず下地ペーストをスクリ
ーン印刷或いは筆塗り等によって所定厚さ塗布し、次い
で、この下地ペーストを１５０℃で１０分間乾燥させ、
この後下地ペーストの上に純度１００％のＰtペースト
を塗布して乾燥させ、而る後、未焼成のアルミナ母材と
ともに１５００〜１６５０℃で２時間程度同時に焼成す
る。
【００１４】また、既焼成のアルミナ母材上に下地層及
びＰt膜を形成するには、Ｐtペーストを塗布して乾燥さ
せるまでの工程は前記と同様であるが、アルミナ母材は
既に焼成されているので、下地ペーストとＰtペースト
を１２００〜１５００℃で２時間程度同時に焼成する。
びＰt膜を形成するには、Ｐtペーストを塗布して乾燥さ
せるまでの工程は前記と同様であるが、アルミナ母材は
既に焼成されているので、下地ペーストとＰtペースト
を１２００〜１５００℃で２時間程度同時に焼成する。
【００１５】ここで、既焼成の高純度アルミナ母材に対
してはＳiＯ2粒子を含んだ下地ペーストを用いるのは、
ＳiＯ2の母材への拡散により、下地層中のアルミナとよ
り強固な結合を促すからであり、Ａl2Ｏ3微粉末を５〜
１５重量部としたのは、Ａl2Ｏ3微粉末が１５重量部よ
り多いと、下地層と上部Ｐt膜とのＰtの溶融結合が弱
く、５重量部より少ないと逆に母材と下地層との結合が
低下するからであり、またＳiＯ2粒子を２．５〜２０重
量部としたのは、２０重量部より多いと、溶融ガラスが
上部Ｐt膜上に析出し、貴金属ろうとの濡れ性を著しく
低下させ、２．５重量部より少ないと、十分なぼざいと
の強度が得られないからである。
してはＳiＯ2粒子を含んだ下地ペーストを用いるのは、
ＳiＯ2の母材への拡散により、下地層中のアルミナとよ
り強固な結合を促すからであり、Ａl2Ｏ3微粉末を５〜
１５重量部としたのは、Ａl2Ｏ3微粉末が１５重量部よ
り多いと、下地層と上部Ｐt膜とのＰtの溶融結合が弱
く、５重量部より少ないと逆に母材と下地層との結合が
低下するからであり、またＳiＯ2粒子を２．５〜２０重
量部としたのは、２０重量部より多いと、溶融ガラスが
上部Ｐt膜上に析出し、貴金属ろうとの濡れ性を著しく
低下させ、２．５重量部より少ないと、十分なぼざいと
の強度が得られないからである。
【００１６】
【発明の効果】以下の（表１）は下地ペーストとしてＰ
t微粉末と高純度アルミナ微粉末を含むものを用いた場
合の接合強度を下地ペーストを用いない従来例と比較し
たものであり、（表２）は下地ペーストとしてＰt微粉
末と高純度アルミナ微粉末とＳiＯ2を含むものを用いた
場合の接合強度を下地ペーストを用いない従来例と比較
したものである。
t微粉末と高純度アルミナ微粉末を含むものを用いた場
合の接合強度を下地ペーストを用いない従来例と比較し
たものであり、（表２）は下地ペーストとしてＰt微粉
末と高純度アルミナ微粉末とＳiＯ2を含むものを用いた
場合の接合強度を下地ペーストを用いない従来例と比較
したものである。
【００１７】
【表１】
【表２】
【００１８】上記の表からも明らかなように本発明によ
れば、高純度アルミナ母材上にＰt膜を形成するにあた
り、高純度アルミナ母材とＰt膜との間にＰtとアルミナ
を含むペーストを焼成してなる層を介在せしめるように
したので、下地層のアルミナ粉末が高純度アルミナ母材
と結合し、一方下地層のＰt粒子が上層のＰtと溶融結合
し、全体として高純度アルミナ母材とＰt膜との接合強
度が大幅に向上する。
れば、高純度アルミナ母材上にＰt膜を形成するにあた
り、高純度アルミナ母材とＰt膜との間にＰtとアルミナ
を含むペーストを焼成してなる層を介在せしめるように
したので、下地層のアルミナ粉末が高純度アルミナ母材
と結合し、一方下地層のＰt粒子が上層のＰtと溶融結合
し、全体として高純度アルミナ母材とＰt膜との接合強
度が大幅に向上する。
【図１】本発明を適用したメタルハライドランプの封止
部の断面図
部の断面図
【図２】図１の要部拡大図
１…発光管、２…開口、３…絶縁キャップ、６，７…Ｐ
t膜、１０…下地層、１１…Ｐt粒子、１２…Ａl2Ｏ3粒
子。
t膜、１０…下地層、１１…Ｐt粒子、１２…Ａl2Ｏ3粒
子。
Claims (4)
- 【請求項１】 アルミナ純度が９６％以上の高純度アル
ミナ母材とＰt膜との間に設けられる下地層を形成する
ためのペーストであって、このペーストはＰt微粉末１
００重量部に対して高純度アルミナ微粉末を５〜１５重
量部添加し、更にこれにビヒクル及び有機溶剤を加えて
混練してなることを特徴とするＰt膜形成用下地ペース
ト。 - 【請求項２】 アルミナ純度が９６％以上の高純度アル
ミナ母材とＰt膜との間に設けられる下地層を形成する
ためのペーストであって、このペーストはＰt微粉末１
００重量部に対して高純度アルミナ微粉末を５〜１５重
量部、ＳiＯ2微粉末を２．５〜２０重量部添加し、更に
これにビヒクル及び有機溶剤を加えて混練してなること
を特徴とするＰt膜形成用下地ペースト。 - 【請求項３】 アルミナ純度が９６％以上の未焼成の高
純度アルミナ母材の表面に、Ｐt微粉末１００重量部に
対して高純度アルミナ微粉末を５〜１５重量部添加し、
更にこれにビヒクル及び有機溶剤を加えた下地ペースト
を塗布し、次いで、この下地ペーストの上にＰtペース
トを重ねて塗布し、この後、前記未焼成の高純度アルミ
ナ母材、下地ペースト及びＰtペーストを同時に焼成す
るようにしたことを特徴とするＰt膜形成方法。 - 【請求項４】 アルミナ純度が９６％以上で既に焼成さ
れている高純度アルミナ母材の表面に、Ｐt微粉末１０
０重量部に対して高純度アルミナ微粉末を５〜１５重量
部、ＳiＯ2微粉末を２．５〜２０重量部添加し、更にこ
れにビヒクル及び有機溶剤を加えた下地ペーストを塗布
し、次いで、この下地ペーストの上にＰtペーストを重
ねて塗布し、この後、前記下地ペースト及びＰtペース
トを同時に焼成するようにしたことを特徴とするＰt膜
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03393693A JP3402482B2 (ja) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | Ｐｔ膜形成用下地ペースト及びＰｔ膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03393693A JP3402482B2 (ja) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | Ｐｔ膜形成用下地ペースト及びＰｔ膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06231730A true JPH06231730A (ja) | 1994-08-19 |
| JP3402482B2 JP3402482B2 (ja) | 2003-05-06 |
Family
ID=12400401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03393693A Expired - Fee Related JP3402482B2 (ja) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | Ｐｔ膜形成用下地ペースト及びＰｔ膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3402482B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0903771A3 (en) * | 1997-09-19 | 1999-05-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-pressure discharge lamp and method for manufacturing same |
| JPWO2015016173A1 (ja) * | 2013-07-29 | 2017-03-02 | 京セラ株式会社 | 配線基板、リード付き配線基板および電子装置 |
| JP2023005498A (ja) * | 2021-06-29 | 2023-01-18 | ニッコー株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-02-01 JP JP03393693A patent/JP3402482B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0903771A3 (en) * | 1997-09-19 | 1999-05-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-pressure discharge lamp and method for manufacturing same |
| US6232719B1 (en) | 1997-09-19 | 2001-05-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-pressure discharge lamp and method for manufacturing same |
| US6428379B2 (en) | 1997-09-19 | 2002-08-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing high-pressure discharge lamp |
| JPWO2015016173A1 (ja) * | 2013-07-29 | 2017-03-02 | 京セラ株式会社 | 配線基板、リード付き配線基板および電子装置 |
| JP2023005498A (ja) * | 2021-06-29 | 2023-01-18 | ニッコー株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3402482B2 (ja) | 2003-05-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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