JPH06232205A - 半導体装置の実装方法と半導体装置 - Google Patents

半導体装置の実装方法と半導体装置

Info

Publication number
JPH06232205A
JPH06232205A JP5283794A JP28379493A JPH06232205A JP H06232205 A JPH06232205 A JP H06232205A JP 5283794 A JP5283794 A JP 5283794A JP 28379493 A JP28379493 A JP 28379493A JP H06232205 A JPH06232205 A JP H06232205A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bump
semiconductor device
mounting
adhesive
semiconductor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP5283794A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiromichi Watanabe
広道 渡邊
Seiji Sudou
盛司 須藤
Takashi Yuda
孝 湯田
Toshiaki Suketa
俊明 助田
Toshio Sakata
敏夫 坂田
Shinichi Kasahara
愼一 笠原
Akifumi Matsunaga
朗史 松永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP5283794A priority Critical patent/JPH06232205A/ja
Publication of JPH06232205A publication Critical patent/JPH06232205A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • H10W72/231—Shapes
    • H10W72/232—Plan-view shape, i.e. in top view
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
    • H10W72/231—Shapes
    • H10W72/234—Cross-sectional shape, i.e. in side view
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
    • H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 接着剤を使用する半導体装置の実装方法と半
導体装置の構成に関し、接着剤の収縮応力による半導体
装置の歪を低減せしめること、実装時の電気的接続の確
実性を改善することである。 【構成】 半導体装置１には金属バンプ２を形成し、半
導体装置１を実装する基板３には導体端子４を形成し、
バンプ２と端子４とを接続させたときその接続部の周囲
を埋め，半導体装置１と実装基板３との対向間に隙間が
空く量の接着剤５ -1を半導体装置１または基板３に被着
し、バンプ２を端子４に押圧した状態で接着剤５-1を硬
化させる。さらに、バンプ２に代わるバンプ２-1として
表面に溝12を形成するまたは、バンプ２-5として表面輪
郭をのこした凹部18-1を形成して利用する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置（チップ）の
実装方法、特に、半導体装置とその実装基板との接続を
接着剤で維持させる実装方法において、半導体装置の実
装歪による特性変動および、バンプを使用することによ
る電気的接続の不均一を抑制したものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば液晶表示パネルにおいて、表示パ
ネルに駆動用の半導体チップを実装する主な方法には、
ＣＯＧ(Chip on Glass) 技術を利用する方法と、ＴＡＢ
(TapeAutomatid Bonding)技術を利用する方法があり、
ＣＯＧ技術を利用する方法では、金属バンプと導体端子
との接続維持に接着剤の収縮応力を利用する。
【０００３】図17はＣＯＧ実装した従来の半導体チップ
の説明図、図18は液晶表示パネルにおける従来の半導体
チップ実装方法の説明図である。図17において、液晶表
示パネル駆動用半導体チップ１には、例えば金にてなる
多数の金属バンプ２を設け、半導体チップ１を実装する
液晶表示パネル用ガラス基板３には、ガラス基板３に形
成した透明電極（図示せず）に連通する導体端子４と、
外部接続用導体端子41を形成し、導体端子４と41には、
半導体チップ１の所定のバンプ２を接続 (当接) せし
め、その接続の維持と半導体チップ１の固定には、ガラ
ス基板３に塗付し，半導体チップ１とガラス基板３との
間に充填し硬化せしめた樹脂接着剤５の収縮応力と接着
力を利用する。
【０００４】図18において、(イ),(ロ),(ハ),(ニ),(ホ) は半
導体チップ実装工程の説明図、(ヘ)は半導体チップ実装
時における接着剤の拡がりの説明図である。図18(イ) に
おいて、液晶表示パネル21は、表示用透明電極等が形成
された一対のガラス基板３と22が所定間隙で対向し、シ
ール材23で気密封止したその対向間隙に液晶を充填して
なり、ガラス基板３の表呈部には、表示電極に接続する
導体端子４と外部接続用導体端子41が露呈する。
【０００５】そこで図18(ロ) に示す如く、ディスペンサ
24を使用してガラス基板３に、適量の半導体チップ実装
用接着剤５を滴下したのち、半導体チップ１は、図18
(ハ) に示す如くボンディングツール25の下面に吸着され
接着剤５の上方に搬送され、導体端子4,41に対し位置決
めされるようになる。
【０００６】次いで、ボンディングツール25が降下する
またはガラス基板３が上昇して図18(ニ) に示す如く、半
導体チップ１に形成したバンプ２を端子４と41に当接せ
しめたのち、接着剤５の硬化処理を行うと図18(ホ) に示
すように、半導体チップ１の実装が完了する。
【０００７】このような従来方法において、ガラス基板
３に滴下し半導体チップ１によって押し拡げられたのち
硬化処理された接着剤５は、図18(ヘ) に示す如く、一般
に長方形である半導体チップ１とガラス基板３の間隙を
埋めた楕円形に拡がる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
接着剤を利用した従来の半導体チップ搭載方法は、バン
プ２が接着剤５を押し退けて導体端子4,41に接続し、半
導体チップ１とガラス基板３との間に充填された接着剤
５が、バンプ２と導体端子4,41の電気的接続を維持する
構成であり、かかる半導体チップ１の実装方法には、下
記のような問題点があった。
【０００９】半導体チップ１とガラス基板３との間に
充填せしめ硬化させた接着剤５の収縮応力によって、半
導体チップ１は凹状に歪むようになる。その結果、半導
体チップ１の電気特性が変化する。
【００１０】半導体チップ１に設けられた多数個（例
えば数10個) のバンプ２の高さは、一般に２μm 程度で
あり、管理の難しいバンプ２の高さのばらつきによっ
て、接続不良（接触抵抗の過大）を生じることがある。
【００１１】バンプと導体端子との間に接着剤５が残
り易く、そのことによって接続不良（接触抵抗の過大）
を生じることがある。 ガラス基板３の寸法には接着剤５の拡がりを考慮する
必要であり、そのことによってガラス基板３が大形化さ
れる。
【００１２】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の基本構成
の説明図である。図１(イ) に示す如く半導体チップ（半
導体装置）１の所定部にはバンプ２を設け、図１(ロ) に
示す如く半導体チップ１を実装するガラス基板３には、
従来と同じ導体端子４と41を配設する。
【００１３】そして、図１(ハ) に示す如くガラス基板３
に半導体チップ１を実装するが、接着剤５-1はバンプ２
と導体端子4,41との接続部を覆い、かつ、半導体チップ
１とガラス基板３との間隙に充填しないようにする。
【００１４】かかる接着剤５-1は、流動性のものを適量
だけバンプ２または導体端子4,41のバンプ２との接触部
に塗付するまたは、シート状のものを例えばバンプ列に
沿った短冊形状に切ってガラス基板３または半導体チッ
プ１に貼着して使用し、バンプ２を導体端子4,41に押圧
させた状態で加熱または紫外線照射等により硬化させ
る。
【００１５】さらに、例えば図１(ニ),(ホ) に示す如く本
発明における半導体装置のバンプ２ -1,2-5は、接続相手
の導体端子に当接する表面に横断溝12または、表面輪郭
を残した凹部18-1を形成し、バンプ先端部の塑性変形お
よびバンプと端子との間に挟まれた接着剤を押し退け易
くする、電気的接続用バンプと電気的接続に利用しない
ダミーバンプとを併用し、電気的接続用バンプと導体端
子の間に接着剤を挟まないようにすることを提案するも
のである。
【００１６】
【作用】上記手段において、ガラス基板３に半導体チッ
プ１を実装する接着剤５-1は、バンプ２と端子4,41との
接続部のみに被着し、その収縮応力によってバンプ２と
端子4,41との接続を従来のそれと同様に維持するように
作用すると共に、その接着力によって半導体チップ１を
ガラス基板３に固定させるようになる。しかし、接着剤
５-1は半導体チップ１とガラス基板３との間隙に充填さ
れないため、その収縮応力はバンプ２と端子4,41との接
続部とその周辺に限定され、従来の接着剤による半導体
チップ１の歪が発生しないようになる。
【００１７】かかる半導体チップ１の実装に際し、シー
ト状接着剤を使用するまたはダミーバンプを使用すれ
ば、バンプ２と端子4,41の間に接着剤を被着させないこ
とが可能であり、バンプ２と端子4,41の電気的接続は一
層確実なものとなる。
【００１８】また、上記手段においてバンプ表面に溝や
凹部を設けることは、バンプ先端部の塑性変形を容易、
かつ、バンプ２と端子4,41との間に挟まれた接着剤を押
し出しが容易となり、バンプと端子との接触抵抗を低減
可能とする。
【００１９】
【実施例】図２は本発明方法の第１の実施例の説明図、
図３は本発明方法の第２の実施例の説明図、図４は本発
明方法の第３の実施例の説明図、図５は本発明方法の第
４の実施例の説明図、図６は本発明方法の第５の実施例
の説明図、図７は本発明方法の第６の実施例の説明図、
図８は本発明方法の第７の実施例の説明図、図９は本発
明方法の第８の実施例の説明図、図10は本発明方法の第
９の実施例に使用するバンプ整形ツールの構成例の説明
図、図11は本発明方法の第９の実施例におけるバンプ整
形とバンプ接続方法の説明図、図12は本発明方法の第10
の実施例の説明図、図13は本発明方法の第11の実施例の
説明図、図14は本発明方法の第12の実施例の説明図、図
15は本発明方法の第13の実施例の説明図、図16は本発明
方法の第14の実施例に使用するバンプの説明図である。
【００２０】図２において、半導体チップ１には図２
(イ) に示す如く多数のバンプ２を配設し、ガラス基板３
には図２(ロ) に示す如く従来と同じ導体端子４と41を形
成し、さらに半導体チップ１には図２(ハ) に示す如く、
バンプ２を覆ってなるべく食み出さないように接着剤５
-1を塗付する。
【００２１】次いで、バンプ２が所定の導体端子4,41と
対向するように位置決めした半導体チップ１をガラス基
板３に向けて押圧し、加熱または紫外線照射等によって
接着剤５-1を硬化させると、図２(ニ) に示すように接着
剤５-1は、半導体チップ１とガラス基板３との対向間隙
に充填することなく、バンプ２と導体端子4,41との接続
部を覆うようになり、接着剤５-1の硬化に伴う収縮応力
は、バンプ２と導体端子4,41との電気的接続を維持する
と共に、半導体チップ１をガラス基板３の上に固定させ
るようになる。
【００２２】かかる半導体チップ１の実装方法において
接着剤５-1は、バンプ接続部のみに接着し、半導体チッ
プ１とガラス基板３との対向間隙に充填しないため、実
装に伴う半導体チップ１の変形（歪）が殆ど発生せず、
半導体チップ１の実装前の特性を変動させない。
【００２３】図３において、表面に複数の溝状凹部12を
設けた多数のバンプ２-1は図３(イ)に示す如く、半導体
チップ１の外部接続用導体パッド11の上に配設する。凹
部12は、バンプ２-1をパッド11に接合させたのち、例え
ば型押し（スタンピング）によって形成する。
【００２４】次いで、図３(ロ) に示す如く、バンプ２-1
を覆ってなるべく食み出さないように接着剤５-1を塗付
したのち、導体端子4,41が形成されたガラス基板３に半
導体チップ１を搭載し、半導体チップ１をガラス基板３
に向けて押圧しながら接着剤５-1を硬化させると、図３
(ハ) に示す如く、バンプ２-1を所定の導体端子4,41に接
続させた半導体チップ１の実装が完了する。
【００２５】かかる半導体チップ１の実装方法において
接着剤５-1は、一部がバンプ２-1の凹部12を埋めてバン
プ接続部のみに接着し、半導体チップ１とガラス基板３
との対向間隙に充填しないため、実装に伴う半導体チッ
プ１の変形（歪）が殆ど発生せず、かつ、表面が平坦な
バンプ２を使用したときよりバンプ２-1と接着剤５-1と
の接合面積が拡大するため、半導体チップ１をガラス基
板３に固定する固定力が増大する。
【００２６】図４において、半導体チップ１に形成した
多数の外部接続用導体パッド11の上に、金等にてなるバ
ンプ２-1を設ける。バンプ２-1の表面には図４(イ) に示
すように、複数の凹部12を例えば型押しによって形成し
たのち、図４(ロ) に示す如くバンプ２-1を覆い、かつ、
バンプ２-1からなるべく食み出さないように、接着剤５
-1を塗付する。
【００２７】図４(ハ) において、透明電極（図示せず）
が形成されたガラス基板３には、透明電極に連通する導
体端子４-1と、外部接続用である導体端子41-1を形成
し、導体端子４-1, 41-1には、バンプ２-1に対向する複
数の突起（凹凸）13を、例えばエッチング法によって形
成する。
【００２８】そこで、凹部12の形成によるバンプ２-1の
凸部と端子４-1, 41-1の突起13とが当接するように、半
導体チップ１を位置決めしたのち、半導体チップ１をガ
ラス基板３に向けて押圧し、加熱または紫外線照射等に
よって接着剤５-1を硬化させる。
【００２９】すると、図４(ニ) に示す如く接着剤５
-1は、半導体チップ１とガラス基板３との対向間隙に充
填することなく、バンプ２-1と端子４-1およびバンプ２
-1と端子41-1との接続部を覆うように硬化し、バンプ２
-1と端子４-1, 41-1の電気的接続を接着剤５-1の収縮応
力で維持すると共に、半導体チップ１はガラス基板３の
上に固定させるようになる。
【００３０】かかる半導体チップ１の実装方法において
接着剤５-1は、一部がバンプ２-1の凹部12および端子４
-1, 41-1の突起13形成に伴う凹所を埋めてバンプ接続部
のみに接着し、半導体チップ１とガラス基板３との対向
間隙に充填しないため、実装に伴う半導体チップ１の変
形（歪）が殆ど発生せず、かつ、表面に凹凸を設けない
バンプ２および導体子４を使用したときより半導体チッ
プ１の固定力が増大する。
【００３１】図５(イ) において、半導体チップ１には、
チップ内素子に連通する導体パッド11の上に位置するバ
ンプ２と、チップ内素子に連通しないダミーバンプ14と
を設ける。
【００３２】ダミーバンプ14は、バンプ２のそれぞれに
１対１で対応し、かつ、バンプ２の外側に位置してお
り、その表面は型押し等によって凹部13を形成すること
によって凸凹面とする。
【００３３】次いで、図５(ロ) に示す如くダミーバンプ
14を覆い、かつ、バンプ14からなるべく食み出さないよ
うに、特にバンプ２に被着しないように、接着剤５-1を
塗付する。
【００３４】図５(ハ) において、透明電極（図示せず）
が形成されたガラス基板３には、該透明電極に連通し所
定のバンプ２および14に対向する導体端子４，41を設け
る。ただし、導体端子４はガラス基板３の透明電極に連
通し、導体端子41は外部接続用である。
【００３５】そこで、接着剤５-1を下向きとした半導体
チップ１の所定のバンプ2,14が、ガラス基板３の所定の
導体端子4,41と対向するように、半導体チップ１を位置
決めしたのち、半導体チップ１をガラス基板３に向けて
押圧し、バンプ２が導体端子4,41に当接した状態で、加
熱または紫外線照射等によって接着剤５-1を硬化させ
る。
【００３６】すると、図５(ニ) に示す如く接着剤５
-1は、半導体チップ１とガラス基板３との対向間隙に充
填することなく、バンプ14と導体端子4,41との接続部を
覆うように硬化し、バンプ２と導体端子4,41の電気的接
続および半導体チップ１とガラス基板３との接合は、硬
化させた接着剤５-1の収縮応力と接着力で維持されるよ
うになる。
【００３７】かかる半導体チップ１の実装方法におい
て、ダミーバンプ14の先端部は凹部13の形成により塑性
変形し易くしてあり、パッド11を含むバンプ２の高さを
ｈ，バンプ14の高さをｈ-1としたとき ｈ＜ｈ-1 とし、かつ、バンプ高さｈとｈ-1との差をバンプ14の先
端部の塑性変形容易幅内とすれば、バンプ２と導体端子
4,41との接続は、接続間に接着剤５-1の膜が形成される
心配をなくし容易，確実になると共に、接着剤５-1を半
導体チップ１とガラス基板３との対向間隙に充填しない
ため、実装に伴う半導体チップ１の変形（歪）が殆ど発
生しないようになる。
【００３８】図６(イ) において、半導体チップ１には、
各導体パッド11の上に複数個の小型金属バンプ２-2、例
えば前出のバンプ２,2-1の表面が 100μm × 100μm で
あるとき、例えば表面が 100μm ×30μm または30μm
×30μm である複数個のバンプ２-2を設ける。
【００３９】そこで、同一のパッド11に設けた複数個の
バンプ２-2を覆い、かつ、パッド11からなるべく食み出
さないように、特にパッド11の内側に被着しないよう
に、接着剤５-1を塗付し、前記実施例の半導体チップ１
と同様に、導体端子4,41が形成されたガラス基板３に半
導体チップ１を搭載する。
【００４０】次いで、加熱または紫外線照射等によって
接着剤５-1を硬化させると図６(ロ)に示す如く、半導体
チップ１とガラス基板３との対向間隙に充填されること
なく、バンプ２-2と導体端子4,41とは電気的に接続し、
半導体チップ１がガラス基板３に固定され、その電気的
接続と固定は接着剤５-1の収縮応力と接着力によって維
持されるようになる。
【００４１】かかる半導体チップ１の実装方法、即ち複
数個の小型バンプ２-2を使用した半導体チップ１の実装
方法は、バンプ２-2がバンプ２のそれより塑性変形容易
であるため、同一チップ１に設けた多数のバンプ２の高
さにばらつきがあったとしても、半導体チップ実装時の
電気的接続不良をなくすことができる。
【００４２】図７(イ) において、半導体チップ１には、
導体パッド11の上に金属バンプ２-1を設けると共に、各
バンプ２-1の内側にはチップ内素子に接続されないダミ
ーバンプ14を設け、ダミーバンプ14には、バンプ２-1の
凹所13と同様な凹所15を設ける。
【００４３】そこで、バンプ14を覆ってバンプ14の内側
および外側になるべく食み出さないように、バンプ14に
接着剤５-1を塗付し、前記実施例の半導体チップ１と同
様に、導体端子4,41が形成されたガラス基板３に半導体
チップ１を搭載する。
【００４４】次いで、加熱または紫外線照射等によって
接着剤５-1を硬化させると図７(ロ)に示す如く、半導体
チップ１とガラス基板３との対向間隙に充填されること
なく、バンプ２-1と導体端子4,41とは電気的に接続し、
半導体チップ１がガラス基板３に固定されるようにな
る。
【００４５】かかる半導体チップ１の実装方法におい
て、パッド11を含むバンプ２-1の高さをｈ，バンプ14の
高さをｈ-1としたとき ｈ＜ｈ-1 とし、かつ、バンプ高さｈとｈ-1との差をバンプ14の先
端部の塑性変形容易幅内とすれば、バンプ２-1と端子4,
41との接続は、接続間に接着剤５-1の膜が形成される心
配をなくし容易，確実になると共に、接着剤５-1を半導
体チップ１とガラス基板３との対向間隙に充填しないた
め、実装に伴う半導体チップ１の変形（歪）が殆ど発生
しないようになる。
【００４６】図８(イ) において、半導体チップ１の導体
パッド11の上には、金属基体18, 金属基体18の上に形成
し硬化させた樹脂体16, 金属基体18の露呈面および樹脂
体16を覆うはんだ層17にてなるバンプ２-3を形成する。
【００４７】そこで、バンプ２-3を覆い、かつ、バンプ
２-3からなるべく食み出さないように、バンプ２-3に接
着剤５-1を塗付し、前記実施例の半導体チップ１と同様
に、導体端子４（および41) が形成されたガラス基板３
に半導体チップ１を搭載する。
【００４８】次いで、樹脂体16が適当に押し潰されて広
がる押圧力で、半導体チップ１をガラス基板３に押圧
し、加熱または紫外線照射等によって接着剤５-1を硬化
させると図８(ロ) に示す如く、半導体チップ１とガラス
基板３との対向間隙に充填されることなく、バンプ２-3
と導体端子４ (および41) との電気的接続および、半導
体チップ１とガラス基板３との機械的接続は、接着剤５
-1により維持されるようになる。
【００４９】図９(イ) において、半導体チップ１の導体
パッド11の上には、一対の樹脂体16 -1, 樹脂体16-1を覆
うはんだ層17にてなるバンプ２-4を形成する。そこで、
バンプ２-4を覆い、かつ、バンプ２-4からなるべく食み
出さないように、バンプ２-4に接着剤５-1を塗付し、前
記実施例の半導体チップ１と同様に、導体端子４ (およ
び41) が形成されたガラス基板３に半導体チップ１を搭
載する。
【００５０】次いで、樹脂体16-1が適当に押し潰されて
広がる押圧力で、半導体チップ１をガラス基板３に押圧
し、加熱または紫外線照射等によって接着剤５-1を硬化
させると図９(ロ) に示す如く、半導体チップ１とガラス
基板３との対向間隙に充填されることなく、バンプ２-4
と導体端子４ (および41) との電気的接続および、半導
体チップ１とガラス基板３との機械的接続は、接着剤５
-1により維持されるようになる。
【００５１】図10において、(イ),(ロ),(ハ),(ニ) は本発明
に係わる金属バンプの斜視図、(ホ)は(イ) に示す金属バ
ンプ表面の凹部整形ツールの側面図、(ヘ) は(ホ) に示す
ツールの先端面の平面図である。
【００５２】図10(イ) において、金等にてなる金属バン
プ２-5は、接続相手の導体端子に当接する表面に、表面
輪郭を残した円環状凹部18-1を形成してなり、凹部18-1
は図10(ホ),(ヘ) に示す整形ツール31の先端面32、即ち、
凹部18-1に対応する円環状の凹部33を形成した先端面32
をバンプ２-5の表面に押圧して形成する。
【００５３】図10(ロ) において、金等にてなる金属バン
プ２-6は、接続相手の導体端子に当接する表面に、表面
輪郭を残した角形凹部18-2を形成してなる。凹部18-2は
ツール31と同様な押圧ツール、即ち凹部18-2に対応する
凹部を先端面に形成るしたツールによって形成する。
【００５４】図10(ハ) において、金等にてなる金属バン
プ２-7は、接続相手の導体端子に当接する表面に、表面
輪郭を残した十字形凹部18-3を形成してなる。凹部18-3
はツール31と同様な押圧ツール、即ち凹部18-3に対応す
る凹部を先端面に形成したツールによって形成する。
【００５５】図10(ニ) において、金等にてなる金属バン
プ２-8は、接続相手の導体端子に当接する表面に、表面
輪郭を残したＶ字形凹部18-4を形成してなる。凹部18-4
はツール31と同様な押圧ツール、即ち凹部18-4に対応す
る凹部を先端面に形成したツールによって形成する。
【００５６】以下に、図11を用いて金属バンプ２-5の整
形方法と金属バンプ２-5を導体端子４（または41) に接
続する方法を説明する。図11(イ) において、半導体チッ
プ１の所定部に金属バンプ２を形成したのち、図11(ロ)
に示す如く金属バンプ２の表面にツール31の先端面32を
押圧すると、図11(ハ) の平面図に示す如く、表面に円環
状凹部18-1が形成されたバンプ２-5が完成する。
【００５７】そこで、図11(ニ) に示す如くガラス基板３
の導体端子４（および41) の上に接着剤５-1を塗付した
のち、図11(ホ) に示す如く導体端子４に対して半導体チ
ップ１を位置決めしたのち、図11(ヘ) に示す如くバンプ
２-5を導体端子４に当接せしめ、接着剤５-1の硬化処理
を施して半導体チップ１の実装が完了する。
【００５８】かかる半導体チップ１の実装方法は、バン
プ２-5の先端面が接着剤５-1を押し退けて導体端子４に
当接し、該先端面と導体端子４との間に挟まれた接着剤
５-1は、一部がバンプ先端面の外側に押し出されると共
に、他の一部は凹部18-1内に押し出され、バンプ２-5と
導体端子４の電気的接続が確実になる。
【００５９】そして、バンプ２-6,2-7,2-8に形成した凹
部18-2または18-3または18-4は、凹部18-1と同じ役割を
果たし、バンプ２-6,2-7,2-8の電気的接続の確実性を寄
与する。
【００６０】図12に示す実施例は、バンプ２-5を導体端
子４（および41) に接続する接着剤の他の被着方法に関
するものである。図12(イ) において、接着剤転写板36の
表面に接着剤37を均一に塗付、例えばスクリーン印刷,
スキージを使用する均し方法によって塗付する。
【００６１】次いで、図12(ロ) に示す如く接着剤転写ツ
ール38、即ち、バンプ２-5の凹部18 -1に対応する突起が
形成されたツール38の先端面を接着剤37に当接せしめ、
図12(ハ) に示す如く接着剤37の一部37-1をツール38の先
端面に被着させる。
【００６２】次いで、図12(ニ) に示す如く、ツール38の
接着剤37-1をバンプ２-5の凹部18-1に転写させたのち、
図12(ホ) に示す如くバンプ２-5の先端面を導体端子４
（および41) に当接せしめ、接着剤37-1の硬化処理を行
い、しかるのち、バンプ２-5の周囲に接着剤39を被着さ
せてその硬化処理を行うと図12(ヘ) に示す如く、半導体
チップ１の実装が完了する。
【００６３】かかる半導体チップ１の実装方法は、バン
プ２-5の先端面と導体端子４との間に接着剤37-1および
39が被着しない。そのため、バンプ２-5と導体端子４と
の電気的接続の確実性が増すようになる。
【００６４】図13において、(イ) は半導体チップ搭載用
接着剤シート51の斜視図、(ロ) は接着剤シート51をガラ
ス基板３に接着した側面図、(ハ) はガラス基板３に半導
体チップ１を搭載した側面図、(ニ) は搭載した半導体チ
ップ１の一部を破断除去した平面図である。
【００６５】図13(イ) において、接着剤シート51は半導
体チップ１の四辺に設けられた多数のバンプ２に対向す
るロ字形であり、接着剤フィルム51-1を保護膜51-2と51
-3とで挟んだサンドイッチ構成である。
【００６６】そこで、まず保護膜51-2を剥離して図13
(ロ) に示す如く、接着剤フィルム51-1をガラス基板３に
接着する。その接着剤51-1は、ガラス基板３に形成した
導体端子４および41のバンプ接続部を覆うようにする。
【００６７】次いで、保護膜51-3を剥離したのち、位置
決めした半導体チップ１をガラス基板３に向けて押圧
し、バンプ２を導体端子4,41に当接 (接続) せしめ接着
剤フィルム51-1の硬化処理を施すと、図13(ハ) に示す如
く半導体チップ１の搭載が完了する。
【００６８】かかる半導体チップ１の搭載において、バ
ンプ２に替えてバンプ２-1または２ -2または２-3または
２-4または２-5を形成した半導体チップ１の搭載が可能
であり、半導体チップ１とガラス基板３との間には図13
(ハ),(ニ) に示す如く、空洞52が形成され、そのことによ
って半導体チップ１には、実装に伴う歪 (特性の変動)
が生じないようになる。
【００６９】図14において、(イ) は半導体チップ搭載用
接着剤シート56の斜視図、(ロ) は接着剤シート56の接着
剤フィルム56-1をガラス基板３に接着した平面図、(ハ)
は接着剤シート56の保護膜56-3を剥離した平面図であ
る。
【００７０】図14(イ) において、接着剤シート56は半導
体チップ１の多数のバンプ２に対向するロ字形、かつ、
一辺に切り欠き57を有する形状、即ち接着剤シート56に
欠き溝57を形成した形状であり、接着剤フィルム56-1を
保護膜56-2と56-3とで挟んだサンドイッチ構成である。
【００７１】かかる接着剤シート56は、接着剤シート51
と同様に使用し半導体チップ１の実装に使用する。即
ち、図14(ロ) 示す如く保護膜56-2を剥離して接着剤フィ
ルム56 -1をガラス基板３に接着したのち、図14(ハ) に示
す如く保護膜56-3を剥離して接着剤フィルム56-1の上に
一点鎖線で示す半導体チップ１を載せ、その半導体チッ
プ１をガラス基板３に向けて押圧した状態で接着剤56-1
の硬化処理を行って、半導体チップ１の搭載が完了す
る。
【００７２】かかる半導体チップ１の搭載において、バ
ンプ２に替えてバンプ２-1または２ -2または２-3または
２-4または２-5を形成した半導体チップ１の搭載が可能
であり、半導体チップ１とガラス基板３との間には、接
着剤シート51を使用したときと同様な空洞が形成され
る。
【００７３】そのような空洞は、実装に伴う半導体チッ
プ１の歪 (特性の変動) を防止し、切り欠き57は、半導
体チップ実装における空洞内空気を外部に逃がす (空洞
内空気圧を大気と同じにする) 。従って、本実施例によ
る半導体チップ１の実装歪は、図13を用いて説明した実
施例よりさらに減少することになる。
【００７４】図15において、(イ) は半導体チップ搭載用
短冊形接着剤フィルム58の説明図、(ロ) は半導体チップ
搭載用コ字形接着剤フィルム59の説明図、(ハ) は半導体
チップ搭載用の窓明きコ字形接着剤フィルム60の説明図
である。
【００７５】図15(イ) において、一点鎖線で示す一対の
短冊形接着剤フィルム58は、下面に貼着された保護膜
（図示せず）を剥離して、導体端子4,41が二列に形成さ
れたガラス基板３に貼着したのち、上面に貼着した保護
膜（図示せず）を剥離し、導体端子4,41の先端のバンプ
当接部は、図15(イ) において、一点鎖線で示す一対の短
冊形接着剤フィルム58は、下面に貼着された保護膜を剥
離してガラス基板３に貼着したのち、上面に貼着した保
護膜を剥離し、導体端子4,41の先端のバンプ当接部を覆
うようにする。
【００７６】かかる接着剤フィルム58は、前記接着剤フ
ィルム56-1と同様に半導体チップ１の実装に利用、即
ち、接着剤フィルム58の上に載せた半導体チップ１をガ
ラス基板３に向けて押圧し、その状態で硬化処理するよ
うになる。
【００７７】図15(ロ) において、一点鎖線で示すコ字形
接着剤フィルム59は、下面に貼着された保護膜を剥離し
てガラス基板３に貼着したのち、上面に貼着した保護膜
を剥離し、導体端子4,41の先端のバンプ当接部を覆うよ
うにする。
【００７８】かかる接着剤フィルム59は、前記接着剤フ
ィルム56-1および58と同様に半導体チップ１の実装に利
用、即ち、接着剤フィルム59の上に載せた半導体チップ
１をガラス基板３に向けて押圧し、その状態で硬化処理
するようになる。
【００７９】図15(ハ) において、コ字形接着剤フィルム
60はコ字形の三辺に透孔60-1と60-2と60-3を形成してな
り、下面に貼着された保護膜を剥離してガラス基板３に
貼着したのち、上面に貼着した保護膜を剥離した接着剤
フィルム60の透孔60-1, 60-2, 60-3内には、導体端子４
および41の先端のバンプ当接部が露呈するようにする。
【００８０】かかる接着剤フィルム60は、前記接着剤フ
ィルム56-1および58および59と同様に半導体チップ１の
実装に利用、即ち、接着剤フィルム60の上に載せた半導
体チップ１をガラス基板３に向けて押圧し、その状態で
硬化処理するようになる。そして、透孔60-1, 60-2, 60
-3を設け、導体端子４または41の先端バンプ当接部に重
ならないため、バンプの電気的接続に対する信頼性は、
接着剤フィルム56-1または58または59を使用したものよ
り高くなる。
【００８１】図15(ニ) において、接着剤フィルム61は透
孔61-1と61-2とを形成してなり、下面に貼着された保護
膜を剥離したのち、上面に貼着した保護膜を剥離した接
着剤フィルム61の透孔61-1, 61-2内には、導体端子４お
よび41の先端のバンプ当接部が露呈するようになる。
【００８２】かかる接着剤フィルム61は、前記接着剤フ
ィルム56-1および58および59および60と同様に半導体チ
ップ１の実装に利用、即ち、接着剤フィルム61の上に載
せた半導体チップ１をガラス基板３に向けて押圧し、そ
の状態で硬化処理するようになる。そして、接着剤フィ
ルム60の透孔60-1, 60-2, 60-3と同様な透孔61-1と61 -2
を設けたことによって、バンプの電気的接続に対する信
頼性が向上する。
【００８３】ただし、硬化処理した接着剤フィルム61
は、搭載した半導体チップ１の下面の全面に被着する。
そのため、接着剤フィルム61を使用して搭載する半導体
チップ１は、例えばチップ内の素子構成または小形であ
ることによって、接着剤フィルム61の収縮応力によって
特性が変化しないものには好適である。
【００８４】なお、上記実施例では接着剤フィルム60を
ガラス基板３上に先に設置しているが、接着剤フィルム
60を半導体チップ１に先に貼付したのち、その半導体チ
ップ１をガラス基板３に実装することも可能である。そ
の時、当然のことながら接着剤フィルム60は、半導体チ
ップ１より小形のもとする。
【００８５】図16(イ),(ロ),(ハ),(ニ) は、前出の導体端子
4,41に接続させたとき電気的接続を確実にするバンプ２
-9,2-10,２-11,２-12 の斜視図であり、バンプ２-9の上
面 (接続端子接続面) には円錐台状突起19-1が突出し、
バンプ２-10 の上面には角錐台状突起19-2が突出し、バ
ンプ２-11 の上面には十字形突起19-3が突出し、バンプ
２-12 の上面にはＶ字形突起19-4が突出する。
【００８６】突起19-1，19-2，19-3，19-4は、例えば凹
部18-1，18-2，18-3，18-4と同様なツール、即ち、先端
面には突起19-1，19-2，19-3，19-4に対応する凹部が形
成された押圧ツール (図示せず) により形成する。
【００８７】かかるバンプ２-9,2-10,２-11,２-12 は、
溝12を形成した前出のバンプ２-1と同様な効果、即ち、
塑性変形し易い突起19-1，19-2，19-3，19-4を設けたこ
とによって、接続相手の導体端子に当接せしめたとき、
電気的接続の信頼性が増大するという効果がある。
【００８８】
【発明の効果】以上説明したように本発明方法によれ
ば、接着剤を硬化させた収縮応力を利用する半導体チッ
プの実装方法において、半導体チップに実装歪が発生し
ないようになり、そのことで半導体チップの実装前の特
性が確保されるようにした効果がある。
【００８９】さらに、バンプ表面に凹凸を設けること,
バンプ表面に溝や凹部を設けることで、バンプ先端部の
塑性変形を容易とし，バンプと端子との接触抵抗を低減
せし，半導体チップの固定力の増大を可能とし、電気的
接続用バンプと共にダミーバンプを利用するまたは、バ
ンプと導体端子との間に被着しない接着剤フィルムを使
用することで、電気的接続用バンプと端子との接触抵抗
を低減，安定化せしめた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による半導体装置実装方法の基本構成
の説明図
【図２】 本発明方法の第１の実施例の説明図
【図３】 本発明方法の第２の実施例の説明図
【図４】 本発明方法の第３の実施例の説明図
【図５】 本発明方法の第４の実施例の説明図
【図６】 本発明方法の第５の実施例の説明図
【図７】 本発明方法の第６の実施例の説明図
【図８】 本発明方法の第７の実施例の説明図
【図９】 本発明方法の第８の実施例の説明図
【図10】 本発明方法の第９の実施例に使用するバンプ
整形ツールの構成例の説明図
【図11】 本発明方法の第９の実施例の説明図
【図12】 本発明方法の第10の実施例の説明図
【図13】 本発明方法の第11の実施例の説明図
【図14】 本発明方法の第12の実施例の説明図
【図15】 本発明方法の第13の実施例の説明図
【図16】 本発明方法の第14の実施例に使用するバンプ
の説明図
【図17】 ＣＯＧ実装した従来の半導体チップの説明図
【図18】 液晶表示パネルにおける従来の半導体チップ
実装方法の説明図
【符号の説明】
１ 半導体チップ（半導体装置) ２,2-1,2-2,2-3,2-4,2-5,2-6,2-7,2-8,2-9,2-10,２-11,
２-12 金属バンプ ３ ガラス基板（実装基板） 4,41 導体端子 ５-1 接着剤 14 ダミーバンプ 16, 16-1 樹脂体 17 はんだ層 51-1, 56-1,58,59,60,61 接着剤フィルム 57 接着剤フィルムの切り欠き 60-1, 60-2, 60-3, 61-1, 61-2 接着剤フィルムの切り
抜き
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 助田 俊明 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 坂田 敏夫 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 笠原 愼一 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 松永 朗史 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体装置(1) とその実装基板(3) の一
    方には金属バンプ(2,2-1,2-2,2-3,2-4,2-5,2-6,2-7,
    2-8,2-9,2-10,２-11,２-12)を，他方には該バンプを電
    気的に接続させる導体端子(4,41)を形成し、該バンプと
    導体端子とを接続させたときその接続部の周囲を埋め，
    該半導体装置(1) と実装基板(3) との対向間に隙間がで
    きる量の接着剤(5-1) を、該バンプまたは該導体端子に
    被着し、該バンプを該導体端子に当接せしめて該接着剤
    を硬化させることを特徴とする半導体装置の実装方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の実装方法に
    おいて、前記金属バンプ(2-1,2-5,2-6,2-7,2-8,2-9,2
    -10,２-11,２-12)の表面に凹凸を設けることを特徴とす
    る半導体装置の実装方法。
  3. 【請求項３】 請求項２記載の半導体装置の実装方法に
    おいて、前記金属バンプ(2-1,2-5,2-6,2-7,2-8,2-9,2
    -10,２-11,２-12)の表面の凹凸を、該金属バンプのプレ
    ス加工により形成することを特徴とする半導体装置の実
    装方法。
  4. 【請求項４】 請求項３記載の半導体装置の実装方法に
    おいて、前記金属バンプ(2-5,2-6,2-7,2-8) の表面の凹
    凸の凹部を、該表面の輪郭に掛かることなく形成するこ
    とを特徴とする半導体装置の実装方法。
  5. 【請求項５】 請求項２記載の半導体装置の実装方法に
    おいて、前記金属バンプ(2-1,2-5,2-6,2-7,2-8) の表面
    に設けた凹凸の凹部には、該金属バンプを請求項１記載
    の導体端子(4,41)に接続させる前に、前記接着剤(5-1)
    の一部を被着させることを特徴とする半導体装置の実装
    方法。
  6. 【請求項６】 請求項１記載の半導体装置の実装方法に
    おいて、前記金属バンプ(2-3,2-4) が硬化させた樹脂体
    (16,16-1) にはんだ層(17)を被覆した構成とし、該樹脂
    体が変形するように該バンプを前記導体端子(4,41)に押
    圧し、該はんだ層と該導体端子とを接続させることを特
    徴とする半導体装置の実装方法。
  7. 【請求項７】 半導体装置(1) とその実装基板(3) の一
    方には金属バンプ(2) を，他方には該バンプを電気的に
    接続させる導体端子(4,41)を形成し、該バンプと端子と
    を接続させたときその接続部の周囲を埋め，該半導体装
    置と実装基板(3) との対向間に隙間ができる形状の接着
    剤フィルム (51-1, 56-1,58,59,60,61) を、該実装基板
    または該半導体装置に被着し、該バンプを該導体端子に
    押圧せしめて該接着剤フィルムを硬化させることを特徴
    とする半導体装置の実装方法。
  8. 【請求項８】 請求項７記載の半導体装置の実装方法に
    おいて、前記接着剤フィルム (51-1, 56-1) として、前
    記導体端子(4,41)の配列に対応しほぼロ字形状のものを
    使用することを特徴とする半導体装置の実装方法。
  9. 【請求項９】 請求項８記載の半導体装置の実装方法に
    おいて、前記ロ字形状の接着剤フィルム (56-1) の少な
    くとも１ヶ所には、前記バンプ(2) と端子(4,41)とを接
    続せしめた状態における該接着剤フィルムの硬化処理で
    塞がれる切り欠き(57)を設けることを特徴とする半導体
    装置の実装方法。
  10. 【請求項１０】 請求項７記載の半導体装置の実装方法
    において、前記接着剤フィルム(60,61) には前記金属バ
    ンプ(2) を前記導体端子(4,41)との接続部が露呈する切
    り抜き (60-1, 60-2, 60-3, 61-1, 61-2) を設けたこと
    を特徴とする半導体装置の実装方法。
  11. 【請求項１１】 半導体装置(1) とその実装基板(3) の
    一方には電気回路的に接続された金属バンプ(2,2-1) と
    電気回路的に接続されないダミーバンプ(14)とを，他方
    には該金属バンプとダミーバンプとを接続させる導体端
    子(4,41)を形成し、該金属バンプおよびダミーバンプを
    該導体端子に接続させたとき該ダミーバンプと導体端子
    との接続部の周囲を埋め，該半導体装置と実装基板との
    対向間に隙間ができる量の接着剤(5-1) を該ダミーバン
    プに被着し、該金属バンプとダミーバンプとを該導体端
    子に押圧し該接着剤を硬化させることを特徴とする半導
    体装置の実装方法。
  12. 【請求項１２】 請求項１１記載の半導体装置の実装方
    法において、前記ダミーバンプ(14)を前記金属バンプ
    (2,2-1) より硬質かつ低背に形成することを特徴とする
    半導体装置の実装方法。
  13. 【請求項１３】 半導体装置実装基板(3) の導体端子
    (4,41)に接続する金属バンプ(2-5,2-6,2-7,2-8) が形成
    された半導体装置において、 表面が該導体端子に当接する該バンプには、該表面の輪
    郭を残した凹部 (18-1, 18-2, 18-3, 18-4) が形成され
    てなることを特徴とする半導体装置。
JP5283794A 1992-12-11 1993-11-15 半導体装置の実装方法と半導体装置 Withdrawn JPH06232205A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5283794A JPH06232205A (ja) 1992-12-11 1993-11-15 半導体装置の実装方法と半導体装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33081992 1992-12-11
JP4-330819 1992-12-11
JP5283794A JPH06232205A (ja) 1992-12-11 1993-11-15 半導体装置の実装方法と半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06232205A true JPH06232205A (ja) 1994-08-19

Family

ID=26555195

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5283794A Withdrawn JPH06232205A (ja) 1992-12-11 1993-11-15 半導体装置の実装方法と半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06232205A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000026215A (ko) * 1998-10-19 2000-05-15 김영환 반도체 버틈 리드 패키지 및 그 제조방법
JP2001175829A (ja) * 1999-10-08 2001-06-29 Dainippon Printing Co Ltd 非接触式データキャリアおよびｉｃチップ
JP2007043065A (ja) * 2005-06-28 2007-02-15 Fujitsu Ltd 半導体装置
JP2009212492A (ja) * 2008-03-03 2009-09-17 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd パッケージ基板の製造方法及び半導体パッケージの製造方法
JP2012209596A (ja) * 2012-07-20 2012-10-25 Mitsumasa Koyanagi 三次元積層構造を持つ集積回路装置の製造方法
WO2017179152A1 (ja) * 2016-04-13 2017-10-19 オリンパス株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000026215A (ko) * 1998-10-19 2000-05-15 김영환 반도체 버틈 리드 패키지 및 그 제조방법
JP2001175829A (ja) * 1999-10-08 2001-06-29 Dainippon Printing Co Ltd 非接触式データキャリアおよびｉｃチップ
JP2007043065A (ja) * 2005-06-28 2007-02-15 Fujitsu Ltd 半導体装置
JP2009212492A (ja) * 2008-03-03 2009-09-17 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd パッケージ基板の製造方法及び半導体パッケージの製造方法
JP2012209596A (ja) * 2012-07-20 2012-10-25 Mitsumasa Koyanagi 三次元積層構造を持つ集積回路装置の製造方法
WO2017179152A1 (ja) * 2016-04-13 2017-10-19 オリンパス株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US10607942B2 (en) 2016-04-13 2020-03-31 Olympus Corporation Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0662256B1 (en) An electrical connecting structure and a method for electrically connecting terminals to each other
JP2008060585A (ja) 半導体チップの順応性インターフェースを形成する方法
JP2000260798A5 (ja)
JP2547895B2 (ja) 半導体装置の実装方法
KR0183635B1 (ko) 피이크형 유전성 댐을 갖는 장치 및 그 제조방법
US5089750A (en) Lead connection structure
KR100244047B1 (ko) 접착 조성물의 수축으로 인한 파손이 적은 반도체 칩과 기판 사이의 전기적 접속을 갖는 반도체 소자 및 그 실장 방법
JPH03190238A (ja) 半導体チップおよびそれを用いた実装構造体
JPH05102343A (ja) 半導体装置の実装構造及び半導体装置の実装方法
US4959590A (en) Lead connection structure
JPS62285432A (ja) 電気的接続材料のマイクロ形成方法
JP2661382B2 (ja) Ｌｓｉチップの接続方法
JPH012331A (ja) 半導体装置の製造方法
CN100490136C (zh) 倒装芯片的装置
JP3235520B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH09127536A (ja) 液晶表示装置
JPH1084178A (ja) 微小物体の配列方法及び該配列方法を用いた接続構造の形成方法
JPH07283269A (ja) 回路基板の電極パタ−ンとバンプ電極パタ−ンとのボンディング方法
JPH06196516A (ja) 半田塗布方法、半導体装置の製造方法およびスキージ
JPH02241040A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH01206317A (ja) 液晶表示素子とプリント基板の接続方法
JPH0452621B2 (ja)
JP2523641B2 (ja) 半導体装置
JPH05145002A (ja) 半導体装置
JPH08201833A (ja) 液晶表示素子

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20010130