JPH0623240U - 半導体製造装置用サセプター - Google Patents
半導体製造装置用サセプターInfo
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来よりも初期昇温が短時間で達成される半
導体製造装置用サセプターを提供する。 【構成】 裏面側からヒータにて加熱される半導体製造
装置用サセプターであって、前記裏面に多数の凹凸を形
成して前記ヒータからの熱の吸収面積を増大させたこと
を特徴とするサセプター。
導体製造装置用サセプターを提供する。 【構成】 裏面側からヒータにて加熱される半導体製造
装置用サセプターであって、前記裏面に多数の凹凸を形
成して前記ヒータからの熱の吸収面積を増大させたこと
を特徴とするサセプター。
Description
【０００１】
本考案はシリコンウェハ、ＧａＡｓウェハ、液晶ディスプレイのガラス基板等 の基板上に所定の薄膜を形成したり、形成した膜を所定パターンにエッチングし たりして半導体デバイスやその前駆体等を得るためのＣＶＤ、スパッタ、エッチ ング等による半導体製造装置に使用される前記基板加熱用のサセプターに関する 。
【０００２】
かかる半導体製造装置用サセプターは、一般に金属、カーボン等で構成されて おり、裏面側からランプヒータ、抵抗加熱ヒータ等のヒータにて加熱され、サセ プター上に設置される前記基板を均一に加熱し、薄膜形成やエッチング等の処理 を円滑に行わせる。
【０００３】 前記ヒータについては、最近では、処理速度を速くするため、抵抗加熱ヒータ より高速加熱が可能なランプヒータを用いることが多い。
【０００４】
しかしながら、かかる従来サセプターはその被加熱裏面がいずれも平坦に形成 されているため、たとえヒータにランプヒータを用いても、光吸収性が悪く、初 期昇温に時間がかかり、それだけ電力消費が多くなるとともに、半導体製造装置 における処理速度向上の妨げとなっていた。
【０００５】 そこで本考案は、従来よりも初期昇温が短時間で達成される半導体製造装置用 サセプターを提供することを課題とする。
【０００６】
前記課題を解決する本考案のサセプターは、ヒータに臨む裏面に多数の凹凸を 形成して該ヒータからの熱の吸収面積を増大させたことを特徴とする。 前記凹凸としては、サセプター裏面にうず巻き状、同心円状、平行状等に多数 の溝を形成することにより得られるもの、散点的に凹部及び（又は）凸部を形成 することで得られるもの等種々考えられる。
【０００７】
本考案サセプターによると、その上に被処理基板が設置され、裏面側からヒー タで加熱されることで、該基板が処理温度に均一に加熱される。しかも、サセプ ター裏面には凹凸を形成して熱吸収面積を増大させてあるので、ヒータ加熱によ るサセプターの初期昇温速度は速まり、従って、基板の初期昇温も速くなる。
【０００８】
以下、本考案の実施例を図面を参照して説明する。図１の（Ａ）図は本考案に 係るサセプター１の平面図、（Ｂ）図は図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。 このサセプター１は円形の基板Ｓを載置できるように全体が直径Ｄ＝１７８ｍ ｍ、厚さｔ＝１１ｍｍの円板形に形成されている。基板Ｓを載置する表面には、 基板嵌め置きのための深さｄ＝１．１ｍｍの凹所１１を形成してある。また、凹 所１１に連続して、基板取り出しのための道具を差し入れる凹所１２も形成して ある。
【０００９】 ヒータで加熱する裏面には、同心円状に多数の断面山形溝１３を形成すること で多数の凹凸を形成してある。隣合う溝１３は互いに隙間なくつながっている。 従って山形の突部、山形の凹部が形成されている。各溝１３は、この例では図１ の（Ｃ）図に示すように、山形の底辺ａ＝３ｍｍ、高さｈ＝２ｍｍである。 以上説明したサセプター１は例えば図２に示すように、プラズマによるＣＶＤ 装置に設置される。このＣＶＤ装置において、サセプター１は赤外線ランプヒー タ２の上に重ねられ、該ヒータと共に接地電極３に収められている。
【００１０】 なお、図２の装置は、前記サセプター１及びヒータ２を含む電極３のほか、電 極３上方の高周波電極４、これらを収容する成膜チャンバ５、チャンバ５に順次 接続された電磁開閉弁６１及び排気装置６２、高周波電極４に連続するガス導入 管７１に順次接続されたマスフローコントローラ７２、電磁開閉弁７３、プロセ スガス源７４を備えており、高周波電極４にはマッチングボックス４１、ＲＦパ ワーアンプ４２及び高周波信号発生器４３が順次接続されている。
【００１１】 前記サセプター１による昇温速度をみるため、以上のＣＶＤ装置を次の条件で 運転してみた。 サセプター１材質 ：高純度カーボン 成膜チャンバ５の真空度：０．５Ｔｏｒｒ プロセスガス ：Ｎ2 ２００ｓｃｃｍ ヒータ２ ：特開平３−２２０７１８号公報記載のタイプの面状 赤外線ランプヒータ。
【００１２】 室温から４００℃へ向け１００℃／ｍｉｎでＰＩＤ 制御。 サセプター測温位置 ：サセプター内部 基板Ｓ ：６インチシリコンウェハ なお、特開平３−２２０７１８号公報に記載のタイプの面状ヒータは、図４に 示すように、上面を複数個の扇形の区画２１に等分割した板状の熱板２２と、前 記各区画毎に中心部側から周縁部へと、周縁部側から中心部側へと、ジグザグに 折返しつつ形成された溝２３と、該溝に埋設された横方向に長寸の断面矩形状の 赤外線ヒータ２４と、熱板２２上に重合され、赤外線の透過の良好な石英からな る板状の押え板２５とにより構成したものである。なお、２６はもう一つの押え 板である。
【００１３】 また、比較のため、サセプター１に代え、裏面を従来どおり平坦なままとし、 他の条件はサセプター１と同じとしたサセプターを用い、前記と同様の条件でＣ ＶＤ装置を運転してみた。 サセプターの昇温状態は図３に示すとおりとなった。 比較例サセプターでは４００℃に達するまでに約５分要したが、本考案サセプ ター１では、その裏面に山形の溝１３を形成することで多数の山形の凹凸を形成 し、光吸収面積を増大させたから、４００℃に達するのに約３分要しただけであ った。しかも、ヒータ消費電力は本考案サセプター１、比較例サセプター共に同 一であった。すなわち、サセプター１では従来と同じ電力で、初期昇温時間を短 縮でき、従って、基板処理もそれだけ速く行うことができ、その結果、電力が節 約されることになる。
【００１４】
以上説明したように本考案によると、従来よりも初期昇温が短時間で達成され る半導体製造装置用サセプターを提供することができる。
【図１】本考案の１実施例を示もので、図（Ａ）はその
平面図、図（Ｂ）は図（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿う断面図、
図（Ｃ）はサセプター裏面の山形溝寸法の説明図であ
る。
平面図、図（Ｂ）は図（Ａ）のＸ−Ｘ線に沿う断面図、
図（Ｃ）はサセプター裏面の山形溝寸法の説明図であ
る。
【図２】図１のサセプターを用いたプラズマＣＶＤ装置
の概略構成を示す図である。
の概略構成を示す図である。
【図３】本考案のサセプターと比較例サセプターの初期
昇温状態を示すグラフである。
昇温状態を示すグラフである。
【図４】図（Ａ）は面状赤外線ランプヒータの一部切欠
の平面図、図（Ｂ）は該ヒータの一部を断面で示す側面
図である。
の平面図、図（Ｂ）は該ヒータの一部を断面で示す側面
図である。
１ サセプター １１ 基板嵌め置き凹所 １３ サセプター裏面の山形溝 ２ ヒータ Ｓ 基板
Claims (1)
- 【請求項１】 裏面側からヒータにて加熱される半導体
製造装置用サセプターであって、前記裏面に多数の凹凸
を形成して前記ヒータからの熱の吸収面積を増大させた
ことを特徴とするサセプター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992058872U JP2603296Y2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 半導体製造装置用サセプター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992058872U JP2603296Y2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 半導体製造装置用サセプター |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0623240U true JPH0623240U (ja) | 1994-03-25 |
| JP2603296Y2 JP2603296Y2 (ja) | 2000-03-06 |
Family
ID=13096845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992058872U Expired - Lifetime JP2603296Y2 (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 半導体製造装置用サセプター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2603296Y2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1992
- 1992-08-21 JP JP1992058872U patent/JP2603296Y2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2603296Y2 (ja) | 2000-03-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980303 |