JPH06232496A - 半導体レーザ素子及びその作製法 - Google Patents
半導体レーザ素子及びその作製法Info
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- JPH06232496A JPH06232496A JP1523293A JP1523293A JPH06232496A JP H06232496 A JPH06232496 A JP H06232496A JP 1523293 A JP1523293 A JP 1523293A JP 1523293 A JP1523293 A JP 1523293A JP H06232496 A JPH06232496 A JP H06232496A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
- H01S5/0281—Coatings made of semiconductor materials
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/0282—Passivation layers or treatments
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体レーザの高出力化の障害となる端面光破
壊現象を防止する。 【構成】半導体レーザの端面をII族元素とVI族元素によ
り構成される半導体層により覆う。この時、端面を覆う
半導体層の厚さはこの半導体層と半導体レーザを構成す
る半導体層の格子定数の差に起因する応力による結晶欠
陥の発生を防止するのに十分な薄い層とする。 【効果】従来の高出力半導体レーザで困難であった端面
への良好な結晶成長が容易に実現でき、通常ウエハ状態
で行われるすべての工程が完了したのちに端面を覆う半
導体層を形成することが可能となり、作製工程の合理化
が図れる。
壊現象を防止する。 【構成】半導体レーザの端面をII族元素とVI族元素によ
り構成される半導体層により覆う。この時、端面を覆う
半導体層の厚さはこの半導体層と半導体レーザを構成す
る半導体層の格子定数の差に起因する応力による結晶欠
陥の発生を防止するのに十分な薄い層とする。 【効果】従来の高出力半導体レーザで困難であった端面
への良好な結晶成長が容易に実現でき、通常ウエハ状態
で行われるすべての工程が完了したのちに端面を覆う半
導体層を形成することが可能となり、作製工程の合理化
が図れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザビームプリンタや
光ディスク及びレーザ計測装置の光源として用いられる
高出力半導体レーザ素子に関する。
光ディスク及びレーザ計測装置の光源として用いられる
高出力半導体レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の高出力半導体レーザは図５に示す
ようにＡｌＧａＡｓ系材料により形成された半導体レー
ザ素子の端面にＭＯＣＶＤ法によりＡｌＧａＡｓ３８を
追加成長し、光損傷を受け易い半導体レーザの活性層が
直接結晶表面に出ることを防止することにより光損傷を
防ぎ高出力を得るものであった。
ようにＡｌＧａＡｓ系材料により形成された半導体レー
ザ素子の端面にＭＯＣＶＤ法によりＡｌＧａＡｓ３８を
追加成長し、光損傷を受け易い半導体レーザの活性層が
直接結晶表面に出ることを防止することにより光損傷を
防ぎ高出力を得るものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の高出力半導
体レーザでは半導体レーザの劈開面上に結晶性の良好な
結晶を再現性よく成長することは難しく素子特性の劣化
を招いていた。また、従来の構造では端面に結晶成長を
行う温度がレーザ素子に電極を形成する温度に比べて高
いので端面の結晶を成長したのちに電極を形成する必要
があり作製工程の合理化の面でも不利であった。
体レーザでは半導体レーザの劈開面上に結晶性の良好な
結晶を再現性よく成長することは難しく素子特性の劣化
を招いていた。また、従来の構造では端面に結晶成長を
行う温度がレーザ素子に電極を形成する温度に比べて高
いので端面の結晶を成長したのちに電極を形成する必要
があり作製工程の合理化の面でも不利であった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記従来技術の問題点を
解決するため本発明では半導体レーザの端面をII族元素
とVI族元素により構成される半導体層により覆うことを
考案した。具体的にはII族元素は亜鉛または亜鉛とカド
ミウムの混合物でありVI族元素はセレンまたはセレンと
硫黄の混合物である。また、できるだけ良好な結晶性と
均一な膜厚を得るため端面を覆う半導体層の厚さは上記
半導体層と半導体レーザを構成する半導体層の格子定数
の差による応力による結晶欠陥の発生を防止するに十分
な薄い層とした。更に、端面を覆う半導体層の形成温度
を半導体レーザ素子に電極を形成する工程において到達
する最高温度よりも低温にすることもあわせて考案し
た。さらに、本発明では上記のII族元素とVI族元素によ
り構成される半導体層の厚さが薄いことを利用してこの
層の上に半導体レーザを構成する半導体よりも熱伝導性
が大きくレーザ光に対し吸収を持たない絶縁物質により
構成される保護膜を設ける。
解決するため本発明では半導体レーザの端面をII族元素
とVI族元素により構成される半導体層により覆うことを
考案した。具体的にはII族元素は亜鉛または亜鉛とカド
ミウムの混合物でありVI族元素はセレンまたはセレンと
硫黄の混合物である。また、できるだけ良好な結晶性と
均一な膜厚を得るため端面を覆う半導体層の厚さは上記
半導体層と半導体レーザを構成する半導体層の格子定数
の差による応力による結晶欠陥の発生を防止するに十分
な薄い層とした。更に、端面を覆う半導体層の形成温度
を半導体レーザ素子に電極を形成する工程において到達
する最高温度よりも低温にすることもあわせて考案し
た。さらに、本発明では上記のII族元素とVI族元素によ
り構成される半導体層の厚さが薄いことを利用してこの
層の上に半導体レーザを構成する半導体よりも熱伝導性
が大きくレーザ光に対し吸収を持たない絶縁物質により
構成される保護膜を設ける。
【０００５】
【作用】半導体レーザの端面を覆う層として従来のＡｌ
ＧａＡｓよりも禁制帯幅の広いII−VI族元素を用いるこ
とにより表面再結合に対する障壁効果が大きくより薄い
層により所望の効果を得ることができる。膜の厚さが薄
くて良いため半導体レーザの端面に結晶成長を行うと言
う通常大きな困難を伴う工程が容易に実施できる。しか
も、結晶成長が３００℃程度の低温で可能なII−VI族半
導体を用いるため、電極を形成した後に端面への結晶成
長を行うことが可能となり、通常ウエハ状態で行われる
すべての工程が完了したのちに端面を覆う半導体層を形
成することが可能となった。
ＧａＡｓよりも禁制帯幅の広いII−VI族元素を用いるこ
とにより表面再結合に対する障壁効果が大きくより薄い
層により所望の効果を得ることができる。膜の厚さが薄
くて良いため半導体レーザの端面に結晶成長を行うと言
う通常大きな困難を伴う工程が容易に実施できる。しか
も、結晶成長が３００℃程度の低温で可能なII−VI族半
導体を用いるため、電極を形成した後に端面への結晶成
長を行うことが可能となり、通常ウエハ状態で行われる
すべての工程が完了したのちに端面を覆う半導体層を形
成することが可能となった。
【０００６】
【実施例】（実施例１）本発明の一実施例を図１に示
す。本構造ではまずｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−Ａl0.5
Ｇa0.5Ａｓクラッド層２，多重量子井戸活性層３，ｐ−
Ａl0.5Ｇa0.5Ａsクラッド層４，ｐ−ＧａＡｓコンタク
ト層５を順次結晶成長した後、気相化学成長法を用いて
ＳｉＯ2 膜を形成し、その上にホトリソグラフ技術を用
いて約６μｍのストライプ状のホトレジストパタンを形
成する。多重量子井戸活性層３はＡｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓウ
エル層６とＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓバリア層７からなってい
る。次にこの構造にＳｉＯ2 膜を熱ＣＤＶ法により設
け、ホトレジストパタンをマスクとしてＳｉＯ2 膜，ｐ
−ＧａＡｓコンタクト層５及びｐ−Ａl0.5Ｇa0.5Ａsク
ラッド層４の一部をエッチングした後、さらに、フッ酸
系エッチング液によりＳｉＯ2 膜のみサイドエッチング
を行い幅約３μｍに加工する。ホトレジストマスクを取
り除いた後、有機金属気相成長法によりｎ−ＧａＡｓブ
ロック層８をＳｉＯ2膜のない領域に選択的に成長し
た。素子の直列抵抗低減のため、ＳｉＯ2膜を除去した
後ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ埋込層９及びｐ−ＧａＡｓキ
ャップ層１０を形成した。次に、ウエハの表面にＡｕを
主成分とする電極１１を形成したのち、機械的研磨及び
化学エッチングによりＧａＡｓ基板を約１００μｍにエ
ッチングし、ＧａＡｓ基板側にもＡｕを主成分とする電
極１１を形成した。図１（ａ）にこの段階での半導体レ
ーザの断面形状を示す。
す。本構造ではまずｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−Ａl0.5
Ｇa0.5Ａｓクラッド層２，多重量子井戸活性層３，ｐ−
Ａl0.5Ｇa0.5Ａsクラッド層４，ｐ−ＧａＡｓコンタク
ト層５を順次結晶成長した後、気相化学成長法を用いて
ＳｉＯ2 膜を形成し、その上にホトリソグラフ技術を用
いて約６μｍのストライプ状のホトレジストパタンを形
成する。多重量子井戸活性層３はＡｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓウ
エル層６とＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓバリア層７からなってい
る。次にこの構造にＳｉＯ2 膜を熱ＣＤＶ法により設
け、ホトレジストパタンをマスクとしてＳｉＯ2 膜，ｐ
−ＧａＡｓコンタクト層５及びｐ−Ａl0.5Ｇa0.5Ａsク
ラッド層４の一部をエッチングした後、さらに、フッ酸
系エッチング液によりＳｉＯ2 膜のみサイドエッチング
を行い幅約３μｍに加工する。ホトレジストマスクを取
り除いた後、有機金属気相成長法によりｎ−ＧａＡｓブ
ロック層８をＳｉＯ2膜のない領域に選択的に成長し
た。素子の直列抵抗低減のため、ＳｉＯ2膜を除去した
後ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ埋込層９及びｐ−ＧａＡｓキ
ャップ層１０を形成した。次に、ウエハの表面にＡｕを
主成分とする電極１１を形成したのち、機械的研磨及び
化学エッチングによりＧａＡｓ基板を約１００μｍにエ
ッチングし、ＧａＡｓ基板側にもＡｕを主成分とする電
極１１を形成した。図１（ａ）にこの段階での半導体レ
ーザの断面形状を示す。
【０００７】このような半導体ウエハを約６００μｍ間
隔でバー状に劈開し図２に示すように劈開面が上方を向
くように固定して分子線結晶成長装置に導入しＺｎＳｅ
層１２を約１０ｎｍ結晶成長した。ＺｎＳｅ層１２とＡ
ｌＧａＡｓの間には約０.３％ の格子不整合があるが膜
厚が薄いために結晶欠陥が発生しない。結晶成長温度は
約３００度であった。同様の操作を半導体レーザの今一
方の端面にも施した後、素子の前方端面にはＡｌ2Ｏ3の
反射防止コーティング１３(反射率５％)を、素子の後方
端面にはａ−Ｓｉ／Ａｌ2Ｏ3により構成される高反射コ
ーティング１４（反射率９０％）を施し、図１（ｂ）に
示すような構造のレーザチップを得た。ＺｎＳｅ層はＡ
ｌＧａＡｓ層に比較して熱伝導性が悪く端面部の温度上
昇が危惧されるが、ＺｎＳｅ層が非常に薄いため熱がＡ
ｌ2Ｏ3によって効率良く除去され、より高出力の動作が
可能となる。
隔でバー状に劈開し図２に示すように劈開面が上方を向
くように固定して分子線結晶成長装置に導入しＺｎＳｅ
層１２を約１０ｎｍ結晶成長した。ＺｎＳｅ層１２とＡ
ｌＧａＡｓの間には約０.３％ の格子不整合があるが膜
厚が薄いために結晶欠陥が発生しない。結晶成長温度は
約３００度であった。同様の操作を半導体レーザの今一
方の端面にも施した後、素子の前方端面にはＡｌ2Ｏ3の
反射防止コーティング１３(反射率５％)を、素子の後方
端面にはａ−Ｓｉ／Ａｌ2Ｏ3により構成される高反射コ
ーティング１４（反射率９０％）を施し、図１（ｂ）に
示すような構造のレーザチップを得た。ＺｎＳｅ層はＡ
ｌＧａＡｓ層に比較して熱伝導性が悪く端面部の温度上
昇が危惧されるが、ＺｎＳｅ層が非常に薄いため熱がＡ
ｌ2Ｏ3によって効率良く除去され、より高出力の動作が
可能となる。
【０００８】（実施例２）本発明の第２の実施例を図３
に示す。本構造では、まず、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ
−(Ａｌ0.7Ｇａ0.3)0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１８，多重
量子井戸活性層１９，ｐ−(Ａｌ0.7Ｇａ0.3)0.5Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層２０，ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２１を順
次結晶成長した後、気相化学成長法を用いてＳｉＯ2 膜
を形成し、その上にホトリソグラフ技術を用いて約６μ
ｍのストライプ状のホトレジストパタンを形成する。多
重量子井戸活性層３はＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐウエル層２２と
(Ａｌ0.7Ｇａ0.3)0.5Ｉｎ0.5Ｐバリア層２３からなって
いる。次に、この構造にＳｉＯ2膜を熱ＣＤＶ法により
設け、ホトレジストパタンをマスクとしてＳｉＯ2膜，
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層５及びｐ−(Ａｌ0.7Ｇａ0.3)
0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層２０の一部をエッチングした
後、有機金属気相成長法によりｎ−ＧａＡｓブロック層
８をＳｉＯ2 膜のない領域に選択的に成長した。素子の
直列抵抗低減のため、ＳｉＯ2 膜を除去した後ｐ−Ａｌ
0.5Ｇａ0.5Ａｓ埋込層９及びｐ−ＧaＡsキャップ層１０
を形成した。次に、ウエハの表面にＡｕを主成分とする
電極１１を形成したのち、機械的研磨及び化学エッチン
グによりＧａＡｓ基板を約１００μｍにエッチングし、
ＧａＡｓ基板側にもＡｕを主成分とする電極１１を形成
した。図３（ａ）にこの段階での半導体レーザの断面形
状を示す。
に示す。本構造では、まず、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ
−(Ａｌ0.7Ｇａ0.3)0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１８，多重
量子井戸活性層１９，ｐ−(Ａｌ0.7Ｇａ0.3)0.5Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層２０，ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２１を順
次結晶成長した後、気相化学成長法を用いてＳｉＯ2 膜
を形成し、その上にホトリソグラフ技術を用いて約６μ
ｍのストライプ状のホトレジストパタンを形成する。多
重量子井戸活性層３はＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐウエル層２２と
(Ａｌ0.7Ｇａ0.3)0.5Ｉｎ0.5Ｐバリア層２３からなって
いる。次に、この構造にＳｉＯ2膜を熱ＣＤＶ法により
設け、ホトレジストパタンをマスクとしてＳｉＯ2膜，
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層５及びｐ−(Ａｌ0.7Ｇａ0.3)
0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層２０の一部をエッチングした
後、有機金属気相成長法によりｎ−ＧａＡｓブロック層
８をＳｉＯ2 膜のない領域に選択的に成長した。素子の
直列抵抗低減のため、ＳｉＯ2 膜を除去した後ｐ−Ａｌ
0.5Ｇａ0.5Ａｓ埋込層９及びｐ−ＧaＡsキャップ層１０
を形成した。次に、ウエハの表面にＡｕを主成分とする
電極１１を形成したのち、機械的研磨及び化学エッチン
グによりＧａＡｓ基板を約１００μｍにエッチングし、
ＧａＡｓ基板側にもＡｕを主成分とする電極１１を形成
した。図３（ａ）にこの段階での半導体レーザの断面形
状を示す。
【０００９】このような半導体ウエハを約６００μｍ間
隔でバー状に劈開し、図２に示すように、劈開面が上方
を向くように固定して分子線結晶成長装置に導入しZnCd
SSe層２４を約１００ｎｍ結晶成長した。通常このよう
な端面上の結晶成長により完全な鏡面を得ることは難し
いが、本実施例の場合、ＺｎＣｄＳＳｅ層２４の厚さが
ＺｎＣｄＳＳｅ中の光の波長の１／４以下となっている
のでＺｎＣｄＳＳｅ膜の厚さの揺らぎはレーザ光に影響
を与えず、容易に良好な端面を得ることができた。結晶
成長温度は約３００度であった。同様の操作を半導体レ
ーザの他方の端面にも施した後、素子の前方端面にはＡ
ｌ2Ｏ3の反射防止コーティング１３（反射率５％）を、
素子の後方端面にはａ−Ｓｉ／Ａｌ2Ｏ3により構成され
る高反射コーティング１４（反射率９０％）を施し図３
（ｂ）に示すような構造のレーザチップを得た。
隔でバー状に劈開し、図２に示すように、劈開面が上方
を向くように固定して分子線結晶成長装置に導入しZnCd
SSe層２４を約１００ｎｍ結晶成長した。通常このよう
な端面上の結晶成長により完全な鏡面を得ることは難し
いが、本実施例の場合、ＺｎＣｄＳＳｅ層２４の厚さが
ＺｎＣｄＳＳｅ中の光の波長の１／４以下となっている
のでＺｎＣｄＳＳｅ膜の厚さの揺らぎはレーザ光に影響
を与えず、容易に良好な端面を得ることができた。結晶
成長温度は約３００度であった。同様の操作を半導体レ
ーザの他方の端面にも施した後、素子の前方端面にはＡ
ｌ2Ｏ3の反射防止コーティング１３（反射率５％）を、
素子の後方端面にはａ−Ｓｉ／Ａｌ2Ｏ3により構成され
る高反射コーティング１４（反射率９０％）を施し図３
（ｂ）に示すような構造のレーザチップを得た。
【００１０】（実施例３）本発明の第３の実施例を図４
により説明する。本構造はｎ−ＧａＡｓ基板１上にＭＢ
Ｅ法により、ｎ−Ｚn0.43Ｃd0.57Ｓ層２５(ｎ＝１×１
０18,１.５μｍ)、ＺｎＳＳｅ／ＺｎＣｄＳＳｅ超格子
活性層２６，ｐ−Ｚn0.8Ｍg0..2Ｓ0.3Ｓe0.7層２７（ｐ
＝５×１０17，１.５μｍ），ｐ−ＺｎＴｅ層２８（ｐ
＝５×１０19,１０ｎｍ）を順次積層した。ＺｎＳＳｅ
／ＺｎＣｄＳＳｅ超格子活性層２６はＺｎＳ0.22Ｓｅ
0.78層２９（１０ｎｍ）とＺｎ0.81Ｃｄ0.19Ｓ0.22Ｓｅ
0.78層３０（１０ｎｍ）を交互に４層積層して形成し
た。次に、熱ＣＶＤ法及びホトリソグラフ技術を用いて
ストライプ状の孔をあけたＳｉＯ2 膜３１を形成した
後、ウエハの両面にＡｕ電極１１を設けて６００μｍ間
隔で劈開しバー状の試料を得た。このバー状の試料を、
図２に示すように、劈開面が上方を向くように固定して
分子線結晶成長装置に導入しレーザ端面にＺｎ0.43Ｃｄ
0.57Ｓ層２４を約５ｎｍ結晶成長した。結晶成長温度は
約２５０度であった。同様の操作を半導体レーザの他方
の端面にも施した後、素子の前方端面にはＡｌ2Ｏ3の反
射防止コーティング１３（反射率５％）を、素子の後方
端面にはａ−Ｓｉ／Ａｌ2Ｏ3により構成される高反射コ
ーティング１４（反射率９０％）を施し、図４（ｂ）に
示すような構造のレーザチップを得た。
により説明する。本構造はｎ−ＧａＡｓ基板１上にＭＢ
Ｅ法により、ｎ−Ｚn0.43Ｃd0.57Ｓ層２５(ｎ＝１×１
０18,１.５μｍ)、ＺｎＳＳｅ／ＺｎＣｄＳＳｅ超格子
活性層２６，ｐ−Ｚn0.8Ｍg0..2Ｓ0.3Ｓe0.7層２７（ｐ
＝５×１０17，１.５μｍ），ｐ−ＺｎＴｅ層２８（ｐ
＝５×１０19,１０ｎｍ）を順次積層した。ＺｎＳＳｅ
／ＺｎＣｄＳＳｅ超格子活性層２６はＺｎＳ0.22Ｓｅ
0.78層２９（１０ｎｍ）とＺｎ0.81Ｃｄ0.19Ｓ0.22Ｓｅ
0.78層３０（１０ｎｍ）を交互に４層積層して形成し
た。次に、熱ＣＶＤ法及びホトリソグラフ技術を用いて
ストライプ状の孔をあけたＳｉＯ2 膜３１を形成した
後、ウエハの両面にＡｕ電極１１を設けて６００μｍ間
隔で劈開しバー状の試料を得た。このバー状の試料を、
図２に示すように、劈開面が上方を向くように固定して
分子線結晶成長装置に導入しレーザ端面にＺｎ0.43Ｃｄ
0.57Ｓ層２４を約５ｎｍ結晶成長した。結晶成長温度は
約２５０度であった。同様の操作を半導体レーザの他方
の端面にも施した後、素子の前方端面にはＡｌ2Ｏ3の反
射防止コーティング１３（反射率５％）を、素子の後方
端面にはａ−Ｓｉ／Ａｌ2Ｏ3により構成される高反射コ
ーティング１４（反射率９０％）を施し、図４（ｂ）に
示すような構造のレーザチップを得た。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば従来の高出力半導体レー
ザで困難であった端面への良好な結晶成長が実現できる
うえ、通常ウエハ状態で行われるすべての工程が完了し
たのちに端面を覆う半導体層を形成することが可能とな
るので、作製工程の合理化が図れる。
ザで困難であった端面への良好な結晶成長が実現できる
うえ、通常ウエハ状態で行われるすべての工程が完了し
たのちに端面を覆う半導体層を形成することが可能とな
るので、作製工程の合理化が図れる。
【図１】本発明の一実施例の半導体レーザ素子の説明
図。
図。
【図２】端面結晶成長時の試料固定方法を説明する斜視
図。
図。
【図３】本発明の第２の実施例の半導体レーザ素子の説
明図。
明図。
【図４】本発明の第３の実施例の半導体レーザ素子の説
明図。
明図。
【図５】従来例の半導体レーザ素子の斜視図。
１…ｎ−ＧａＡｓ基板、２…ｎ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓク
ラッド層、３…多重量子井戸活性層、４…ｐ−Ａｌ0.5
Ｇａ0.5Ａｓクラッド層、５…ｐ−ＧａＡｓコンタクト
層、６…Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓウエル層、７…Ａｌ0.3Ｇ
ａ0.7Ａｓバリア層、８…ｎ−ＧａＡｓブロック層、９
…ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ埋込層、１０…ｐ−ＧａＡｓ
キャップ層、１１…電極、１２…ＺｎＳｅ層、１３…Ａ
ｌ2Ｏ3の反射防止コーティング、１４…ａ−Ｓｉ／Ａｌ
2Ｏ3高反射コーティング。
ラッド層、３…多重量子井戸活性層、４…ｐ−Ａｌ0.5
Ｇａ0.5Ａｓクラッド層、５…ｐ−ＧａＡｓコンタクト
層、６…Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓウエル層、７…Ａｌ0.3Ｇ
ａ0.7Ａｓバリア層、８…ｎ−ＧａＡｓブロック層、９
…ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ埋込層、１０…ｐ−ＧａＡｓ
キャップ層、１１…電極、１２…ＺｎＳｅ層、１３…Ａ
ｌ2Ｏ3の反射防止コーティング、１４…ａ−Ｓｉ／Ａｌ
2Ｏ3高反射コーティング。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 矢野 振一郎 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】異なる導電型と異なる禁制帯幅を有する半
導体結晶により形成され、通電によりレーザ光を放射す
る半導体レーザ素子において、 放射端面が上記半導体レーザ素子を形成する上記半導体
結晶とは別途形成されたII族元素とVI族元素により構成
された半導体膜により覆われ、上記半導体膜は上記半導
体レ−ザ素子が放射するレ−ザ光の上記半導体膜中での
波長の４分の１以下の厚さであることを特徴とする半導
体レーザ素子。 - 【請求項２】請求項１において、上記II族元素は亜鉛ま
たは亜鉛とカドミウムの混合物であり上記VI族元素はセ
レンまたはセレンと硫黄の混合物である半導体レーザ素
子。 - 【請求項３】請求項１または２において、上記放射端面
を覆う半導体層の厚さは、上記半導体層と上記半導体レ
ーザを構成する格子定数の差に起因して発生する応力に
よる結晶欠陥の発生を防止するに十分な薄さである半導
体レーザ素子。 - 【請求項４】請求項１，２または３において、上記放射
端面を覆う半導体層は上記半導体レーザ素子に電極を形
成する工程において到達する最高温度よりも低温で形成
される半導体レーザ素子の作製方法。 - 【請求項５】請求項１，２，３または４において、上記
放射端面を覆う半導体層の上に上記半導体レーザ素子を
構成する半導体よりも熱伝導性が大きくレーザ光の吸収
性がない絶縁物質により構成される保護膜を設けた半導
体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1523293A JPH06232496A (ja) | 1993-02-02 | 1993-02-02 | 半導体レーザ素子及びその作製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1523293A JPH06232496A (ja) | 1993-02-02 | 1993-02-02 | 半導体レーザ素子及びその作製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232496A true JPH06232496A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=11883125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1523293A Pending JPH06232496A (ja) | 1993-02-02 | 1993-02-02 | 半導体レーザ素子及びその作製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06232496A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0897506A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Sharp Corp | 端面成長窓型半導体レーザ素子の製造方法 |
-
1993
- 1993-02-02 JP JP1523293A patent/JPH06232496A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0897506A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Sharp Corp | 端面成長窓型半導体レーザ素子の製造方法 |
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